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    • 5. 发明申请
    • HOCHLEISTUNGSIMPULSBESCHICHTUNGSMETHODE
    • - 高功率脉冲涂法
    • WO2014008984A1
    • 2014-01-16
    • PCT/EP2013/001853
    • 2013-06-24
    • OERLIKON TRADING AG, TRÜBBACH
    • KRASSNITZER, SiegfriedKURAPOV, Denis
    • C23C14/34H01J37/34
    • C23C14/3485C23C14/345C23C14/3464H01J37/3405H01J37/3467H01J2237/332
    • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Beschichtung von Substraten mittels Zerstäubung von Targetmaterial wobei folgende Schritte umfasst sind: - In einer Beschichtungskammer Beaufschlagen eines ersten Sputtertargets aus einem ersten Material mit einem Leistungspuls mittels dem während eines ersten Zeitintervalls eine erste Energiemenge auf das Sputtertarget übertragen wird, wobei dabei die maximale Leistungsdichte 50W/cm 2 und bevorzugt 500W/cm 2 übersteigt - In der Beschichtungskammer Beaufschlagen eines zweiten Sputtertargets aus einem zweiten, vom ersten verschiedenen Material mit einem Leistungspuls mittels dem während eines zweiten Zeitintervalls eine zweite Energiemenge auf das Sputtertarget übertragen wird, wobei dabei die maximale Leistungsdichte 50W/cm 2 und bevorzugt 500W/cm 2 übersteigt dadurch gekennzeichnet, dass sich die erste Energiemenge von der zweiten Energiemenge unterscheidet.
    • 本发明通过其中以下步骤被包含靶材料的溅射涉及用于涂覆基材的方法: - 在一个涂覆室,其中在第一时间间隔期间由装置施加与功率脉冲的第一材料的第一溅射靶,能量的第一量被转移到溅射靶,其特征在于 最大功率密度为50W / cm 2且,优选地,500W / cm 2的超过 - ,其中的一个第二时间间隔的能量的第二量被转移到溅射靶期间​​从第二,从具有由装置的功率的脉冲与第一材料不同施加第二溅射靶涂覆室,在这种情况下 最大功率密度为50W / cm 2且,优选地,500W / cm 2的超出其特征在于,能量从第二能量的量的第一量不同。
    • 8. 发明申请
    • HOCHLEISTUNGSIMPULSBESCHICHTUNGSVERFAHREN
    • - 高功率脉冲涂装工艺
    • WO2014008989A1
    • 2014-01-16
    • PCT/EP2013/001914
    • 2013-06-29
    • OERLIKON TRADING AG, TRÜBBACH
    • KRASSNITZER, SiegfriedKURAPOV, Denis
    • C23C14/34H01J37/34
    • C23C14/3485C23C14/345C23C14/3464H01J37/3405H01J37/3467H01J2237/332
    • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Ermittlung des Reaktivgasverbrauchs in einem Beschichtungsprozess mittels Plasma mit folgenden Schritten: a) Einlass von Reaktivgas in eine Beschichtungskammer wobei der entsprechende Reaktivgasfluss gemessen wird und gleichzeitig der in der Beschichtungskammer vorherrschende Partialdruck gemessen wird, ohne ein Plasma zu zünden b) Einlass von Reaktivgas in eine Beschichtungskammer wobei der entsprechende Reaktivgasfluss gemessen wird und gleichzeitig der in der Beschichtungskammer vorherrschende Partialdruck gemessen wird, wobei ein Plasma gezündet ist, dadurch gekennzeichnet, dass - Schritte a) und b) bei mehreren unterschiedlichen Reaktivgasflüssen durchgeführt werden und so die Reaktivgasfluss - Partialdruckabhängigkeit sowohl mit Plasma als auch ohne Plasma ermittelt werden kann - bei gegebenem Partialdruck Abzug des Reaktivgasflusswertes der ohne Plasma ermittelt wurde vom Reaktivgasflusswert der mit Plasma ermittelt wurde und Gleichsetzung der Differenz mit dem Reaktivgasverbrauch.
    • 本发明涉及一种方法,用于通过包括以下步骤的等离子体的装置确定在涂覆过程中的反应性气体消耗量:对与所述相应的反应性气流的涂覆室测定的)的反应性气体的入口,同时在涂层室被测量分压盛行,没有等离子体 被测量,其特征在于,等离子体点火,其特征在于与相应的反应性气体流动测量和同时在涂层室的分压盛行点燃b)中的反应气体的接纳到涂覆室: - 步骤a)和b)在几个不同的反应性气体流中进行,并 Partialdruckabhängigkeit可以在血浆和不具有等离子体中找到 - - 如在反应性气体抽取流量值的给定分压反应气体流动而不等离子体测定来自血浆ermitte的反应性气体的流量值 是lt和等同于与反应性气体的消耗的差异。