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1. 发明申请

WO2012000594A1 PREPARATION OF SEMICONDUCTOR FILMS 审中-公开
标题翻译：半导体膜的制备
公开(公告)号：WO2012000594A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/EP2011/002691
申请日：2011-05-31
申请人： MERCK PATENT GMBH , DESHMUKH, Ranjan, Deepak , KUEGLER, Ralf , SCHNEIDER, Joerg J. , HOFFMANN, Rudolf
发明人： DESHMUKH, Ranjan, Deepak , KUEGLER, Ralf , SCHNEIDER, Joerg J. , HOFFMANN, Rudolf
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/368 , C23C18/00 , H01L31/00
CPC分类号： H01L31/1828 , C23C18/1204 , C23C18/1275 , C23C18/1295 , H01L21/02551 , H01L21/02568 , H01L21/02628 , H01L31/0296 , H01L31/032 , H01L31/0322 , H01L31/0324 , H01L31/0326 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： The invention relates to a preparation process for thin semiconducting inorganic films comprising various metals (Cu/ln/Zn/Ga/Sn), selenium and/or sulfur. The process uses molecular precursors comprising metal complexes with oximato ligands. Copper-based chalcopyrites of the l-lll- IV 2 -type are prepared with high purity at low temperatures under ambient conditions. The thin films can be used in photovoltaic panels (solar cells).
摘要翻译：本发明涉及包含各种金属（Cu / In / Zn / Ga / Sn），硒和/或硫的薄半导体无机膜的制备方法。该方法使用包含与肟基配体的金属络合物的分子前体。在环境条件下，低温制备了高纯度的l-III-IV2型铜基黄铜矿。薄膜可用于光伏面板（太阳能电池）。

2. 发明申请

WO2010003620A1 SOL UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER DELAFOSSIT-MISCHOXIDSCHICHT-STRUKTUR AUF EINEM SUBSTRAT SOWIE MIT EINEM MISCHOXID BESCHICHTETES SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：溶胶和制造方法铜铁矿混合氧化物 - 结构上的基板和混合氧化物涂布底材
公开(公告)号：WO2010003620A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/EP2009/004878
申请日：2009-07-06
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , GÖTZENDÖRFER, Stefan , LOBMANN, Peter , KAPUSCHINSKI, Martina
发明人： GÖTZENDÖRFER, Stefan , LOBMANN, Peter , KAPUSCHINSKI, Martina
IPC分类号： C23C30/00 , C04B35/624
CPC分类号： C23C30/00 , C04B35/2666 , C04B35/42 , C04B35/44 , C04B35/624 , C04B35/6264 , C04B2235/3281 , C04B2235/441 , C04B2235/449 , C04B2235/656 , C23C18/1254 , C23C18/1275 , C23C18/1279
摘要： Vorliegende Erfindung betrifft ein sedimentationsstabiles Sol, das neben einem Kupfer- (II) -Salz noch mindestens ein weiteres Metallsalz enthält, wobei ein enthaltener Zusatzstoff gewährleistet, dass die im Sol enthaltenen Metallsalze gelöst oder in Dispersion bleiben. Das Sol eignet sich weiter im erfindungsgemäßen Verfahren zur Herstellung einer Metallmischoxidschicht auf einem Substrat, wobei die Metallmischoxidschicht eine Delafossit-Struktur aufweist. Ebenso wird erfindungssgemäß ein eine Metallmischoxidschicht mit Delafossit-Struktur aufweisendes Substrat sowie dessen Verwendungsmöglichkeiten angegeben.
摘要翻译：本发明涉及一种sedimentationsstabiles溶胶，除了铜（II）盐含有至少一种其它金属的盐，与含有添加剂确保包含在溶胶溶液中的金属盐或留在分散体中。该溶胶是进一步在用于制造在衬底上的金属氧化物层，其中所述金属氧化物具有铜铁矿结构的本发明方法。此外，具有具有铜铁矿结构衬底和它的用途的金属氧化物层中给出erfindungssgemäß。

3. 发明申请

WO2008137356A3 BATCH PROCESS FOR COATING NANOSCALE FEATURES AND DEVICES MANUFACTURED FROM SAME 审中-公开
标题翻译：用于涂覆纳米尺度特征的批处理和从其制造的器件
公开(公告)号：WO2008137356A3
公开(公告)日：2009-12-30
申请号：PCT/US2008061613
申请日：2008-04-25
申请人： NANOSCALE COMPONENTS INC , GRANT ROBERT W
发明人： GRANT ROBERT W
IPC分类号： B05D1/02 , C09D7/00 , C23C18/00
CPC分类号： C23C18/1295 , B81C1/0038 , C23C18/08 , C23C18/1216 , C23C18/1225 , C23C18/1245 , C23C18/1275 , C23C18/1279 , C23C18/1291 , H01L21/288 , H01L21/76843 , H01L21/76898 , H01L28/91 , Y10T428/24521 , Y10T428/24545
摘要： A process for coating of at least one conformal thin film simultaneously onto the surface of a plurality or batch of substrates having nanoscaled features is provided. The process involves exposing a batch of substrates to a supercritical fluid mixture in a controlled environment, and subsequently heating and cooling the substrate, in the presence of the supercritical fluid mixture, beyond a threshold temperature at which film growth can be enabled to initiate conformal thin film deposition on the surface of the substrate and within the nanoscaled features. The supercritical fluid mixture may be generated in a manner so as to maintain a necessary concentration level of the precursor material to permit sufficient thin film growth within the controlled environment. The supercritical fluid mixture may also be introduced into the controlled environment in a manner which minimizes precipitation or loss of solubility of the precursor material in the mixture. A system of thin film deposition of a batch of substrates is also provided.
摘要翻译：提供了将至少一个共形薄膜同时涂覆到具有纳米尺度特征的多个或一批基底的表面上的方法。该方法包括在受控环境中将一批衬底暴露于超临界流体混合物，并且随后在超临界流体混合物的存在下加热和冷却衬底，超过阈值温度，在该阈值温度下，可以使膜生长以启动保形薄薄膜沉积在基板的表面上并在纳米尺度的特征内。超临界流体混合物可以以保持前体材料的必要浓度水平以在受控环境内允许足够的薄膜生长的方式产生。超临界流体混合物也可以以最小化混合物中前体材料的溶解度的沉淀或损失的方式引入受控环境中。还提供了一批基板的薄膜沉积系统。

4. 发明申请

WO2009051862A2 SEMICONDUCTOR THIN FILMS FORMED FROM NON-SPHERICAL PARTICLES 审中-公开
标题翻译：从非球形颗粒形成的半导体薄膜
公开(公告)号：WO2009051862A2
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/US2008/067569
申请日：2008-06-19
申请人： VAN DUREN, Jeroen, K.J. , ROBINSON, Matthew, R. , LEIDHOLM, Craig, R. , SAGER, Brian, M.
发明人： VAN DUREN, Jeroen, K.J. , ROBINSON, Matthew, R. , LEIDHOLM, Craig, R. , SAGER, Brian, M.
IPC分类号： H01L31/042 , H01L21/36
CPC分类号： H01L31/1864 , C23C18/08 , C23C18/1204 , C23C18/1275 , C23C18/1287 , H01L21/02565 , H01L21/02568 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/0352 , H01L31/04 , H01L31/1876 , Y02E10/541 , Y02P70/521
摘要： Methods and devices are provided for transforming non-planar or planar precursor materials in an appropriate vehicle under the appropriate conditions to create dispersions of planar particles with stoichiometric ratios of elements equal to that of the feedstock or precursor materials, even after selective forces settling. In particular, planar particles disperse more easily,, form much denser coatings (or form coatings with more interparticle contact area), and anneal into fused, dense films at a lower temperature and/or time than their counterparts made from spherical nanoparticles. These planar particles may be nanoflakes that have a high aspect ratio. The resulting dense films formed from nanoflakes are particularly useful in forming photovoltaic devices.. In one embodiment, at least one set of the particles in the ink may be inter-metallic flake particles (microflake or nanoflake) containing at least one group IB-IIIA inter-metallic alloy phase.
摘要翻译：提供了用于在合适的条件下在合适的载体中转化非平面或平面前体材料的方法和装置，以产生具有等于原料或前体材料的化学计量比的化学计量比的平面颗粒的分散体，即使在选择性力沉降之后。特别地，平面颗粒更容易分散，形成更致密的涂层（或形成具有更多颗粒间接触面积的涂层），并在比球形纳米颗粒制成的对应物更低的温度和/或时间下退火成熔融的致密膜。这些平面颗粒可以是具有高纵横比的纳米片。由纳米片形成的致密膜特别适用于形成光电器件。在一个实施例中，油墨中的至少一组颗粒可以是含有至少一种IB-IIIA族的金属间片状微粒（微花纹或纳米薄片）金属间合金相。

5. 发明申请

WO2008107113A1 BESCHICHTUNGSZUSAMMENSETZUNG 审中-公开
标题翻译：涂料组合物
公开(公告)号：WO2008107113A1
公开(公告)日：2008-09-12
申请号：PCT/EP2008/001579
申请日：2008-02-28
申请人： LEIBNIZ-INSTITUT FÜR NEUE MATERIALIEN GEMEINNÜTZIGE GMBH , AMLUNG, Martin , DE OLIVEIRA, Peter, William , VEITH, Michael
发明人： AMLUNG, Martin , DE OLIVEIRA, Peter, William , VEITH, Michael
IPC分类号： C03C1/00 , C03C17/02 , C09D1/00 , C23C18/12
CPC分类号： C09D1/02 , C03C1/008 , C03C17/007 , C03C17/008 , C03C2217/475 , C03C2218/113 , C09D5/084 , C23C18/1212 , C23C18/1241 , C23C18/1245 , C23C18/1254 , C23C18/127 , C23C18/1275
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft eine Beschichtungszusammensetzung, insbesondere zur Beschichtung von metallischen oder glasartigen Oberflächen. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein Verfahren zur Beschichtung von metallischen oder glasartigen Oberflächen mit einer glasartigen Schicht. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner ein Sol-Gel-Verf ahren zur Beschichtung von, insbesondere metallischen oder glasartigen, Oberflächen. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner einen Gegenstand, insbesondere aus Metall und/oder Glas, welcher dadurch gekennzeichnet ist, dass er eine Beschichtung aus einer erfindungsgemäßen Beschichtungszusammensetzung aufweist. Die vorliegende Erfindung betrifft ferner die Verwendung einer erfindungsgemäßen Beschichtungszusammensetzung zur Beschichtung von Metall- oder Glassubstraten.
摘要翻译：本发明涉及一种涂料组合物，特别是用于涂层的金属或玻璃样表面。本发明还涉及一种用于涂料的金属或玻璃样的表面具有玻璃层的方法。本发明还涉及一种溶胶 - 凝胶阿维·阿伦用于涂覆，尤其是金属或玻璃样表面。本发明还涉及一种制品，特别是金属和/或玻璃，其特征在于它包括根据本发明的涂层组合物的涂层的。本发明还根据本发明的用于对金属或玻璃基板上的涂层涉及使用涂层组合物。

6. 发明申请

WO2007067185A3 TURBINE ENGINE COMPONENTS WITH NON-ALUMINIDE SILICON-CONTAINING AND CHROMIUM-CONTAINING PROTECTIVE COATINGS AND METHODS OF FORMING SUCH NON-ALUMINIDE PROTECTIVE COATINGS 审中-公开
标题翻译：含有不含铝硅和含铬保护涂层的涡轮发动机部件以及形成这种非铝氧化物保护涂层的方法
公开(公告)号：WO2007067185A3
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/US2005044843
申请日：2005-12-12
申请人： AEROMET TECHNOLOGIES INC , SIEMENS IND TURBOMACHINERY GMB , FAIRBOURN DAVID C , WALKER PAUL
发明人： FAIRBOURN DAVID C , WALKER PAUL
IPC分类号： C23C30/00 , C23C26/00 , F01D5/28
CPC分类号： C23C18/1279 , C23C18/06 , C23C18/1212 , C23C18/1241 , C23C18/1275 , C23C22/48 , C23C22/74
摘要： A turbine engine component (10) with a non-aluminide protective coating (14) containing silicon and chromium and a process for forming such non-aluminide protective coatings (14). The non-aluminide protective coating (14) is formed by applying a silicon-containing fluid composition to the turbine engine component (10) as a silicon-containing layer (20) and heating the silicon-containing layer (20) to a temperature effective to form the non-aluminide protective coating (14).
摘要翻译：具有含硅和铬的非铝化物保护涂层（14）的涡轮发动机部件（10）以及形成这种非铝化物保护涂层（14）的工艺。通过将含硅流体组合物作为含硅层（20）施加到涡轮发动机部件（10）并且将含硅层（20）加热到温度有效的温度来形成非铝化物保护涂层（14）以形成非铝化物保护涂层（14）。

7. 发明申请

WO2007067185A2 TURBINE ENGINE COMPONENTS WITH NON-ALUMINIDE SILICON-CONTAINING AND CHROMIUM-CONTAINING PROTECTIVE COATINGS AND METHODS OF FORMING SUCH NON-ALUMINIDE PROTECTIVE COATINGS 审中-公开
标题翻译：具有非铝含硅和含铬保护涂层的涡轮发动机部件和形成这种非铝酸盐保护涂层的方法
公开(公告)号：WO2007067185A2
公开(公告)日：2007-06-14
申请号：PCT/US2005/044843
申请日：2005-12-12
申请人： AEROMET TECHNOLOGIES, INC. , SIEMENS INDUSTRIAL TURBOMACHINERY GMBH , FAIRBOURN, David, C. , WALKER, Paul
发明人： FAIRBOURN, David, C. , WALKER, Paul
IPC分类号： C23C30/00 , C23C26/00 , F01D5/28
CPC分类号： C23C18/1279 , C23C18/06 , C23C18/1212 , C23C18/1241 , C23C18/1275 , C23C22/48 , C23C22/74
摘要： A turbine engine component (10) with a non-aluminide protective coating (14) containing silicon and chromium and a process for forming such non-aluminide protective coatings (14). The non-aluminide protective coating (14) is formed by applying a silicon-containing fluid composition to the turbine engine component (10) as a silicon-containing layer (20) and heating the silicon-containing layer (20) to a temperature effective to form the non-aluminide protective coating (14).
摘要翻译：具有含有硅和铬的非铝化物保护涂层（14）的涡轮发动机部件（10）和用于形成这种非铝化物保护涂层（14）的方法。非铝化物保护涂层（14）通过将含硅流体组合物作为含硅层（20）施加到涡轮发动机部件（10）并将含硅层（20）加热到有效温度而形成以形成非铝化物保护涂层（14）。

8. 发明申请

WO2007055955A2 METHOD REDUCING POROSITY 审中-公开
标题翻译：减少孔隙度的方法
公开(公告)号：WO2007055955A2
公开(公告)日：2007-05-18
申请号：PCT/US2006/042377
申请日：2006-10-31
申请人： PRAXAIR TECHNOLOGY, INC. , GILL, Brian, James
发明人： GILL, Brian, James
IPC分类号： C23C18/00
CPC分类号： H01L21/68757 , C23C4/10 , C23C4/18 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1275 , C23C24/04 , C25D11/24 , H01L21/6831 , Y02T50/67 , Y10T428/249955 , Y10T428/249956 , Y10T428/249957 , Y10T428/24997 , Y10T428/24999
摘要： This invention relates to a method for sealing porosity of at least a portion of an outer porous surface of an article, said method comprising (i) applying a sealant solution on the outer porous surface of said article, (ii) infiltrating at least a portion of the outer porous surface with said sealant solution, and (iii) allowing the infiltrated sealant solution to react, thereby forming an infiltrated solid precipitate, said infiltrated solid precipitate sealing the porosity of at least a portion of the outer porous surface of said article. The method is useful, for example, in the protection of integrated circuit manufacturing equipment, internal chamber components, and electrostatic chuck manufacture.
摘要翻译：本发明涉及一种用于密封制品的外部多孔表面的至少一部分的孔隙率的方法，所述方法包括（i）在所述制品的外部多孔表面上施加密封剂溶液，（ii）将至少一部分的外部多孔表面，和（iii）允许渗透的密封剂溶液反应，从而形成渗透的固体沉淀物，所述渗透的固体沉淀物密封所述制品的外部多孔表面的至少一部分的孔隙率。该方法例如在集成电路制造设备，内部室内部件和静电卡盘制造的保护中是有用的。

9. 发明申请

WO2006118236A1 酸化物誘電層の形成方法及びその形成方法で得られた酸化物誘電層を備えたキャパシタ層形成材审中-公开
标题翻译：氧化物介质层形成方法，以及形成包含由形成方法形成的氧化物介电层的材料的电容器层
公开(公告)号：WO2006118236A1
公开(公告)日：2006-11-09
申请号：PCT/JP2006/308955
申请日：2006-04-28
申请人：三井金属鉱業株式会社 , 菅野明弘 , 杉岡晶子 , 阿部直彦 , 中島弘毅
发明人：菅野明弘 , 杉岡晶子 , 阿部直彦 , 中島弘毅
IPC分类号： H05K1/16 , H05K3/46 , C04B35/64 , H01G4/12 , H01G4/33 , H01G13/00
CPC分类号： H05K1/162 , C04B35/4682 , C04B35/47 , C04B35/624 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/658 , C04B2235/661 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/1241 , C23C18/1254 , C23C18/1275 , C23C18/1279 , C23C18/1283 , H01G4/1209 , H01G4/33 , H01G13/00 , H05K3/4652 , H05K2201/0175 , H05K2201/0355 , H05K2201/09509
摘要：　ゾル－ゲル法を用いて誘電層を形成し、その誘電層がエッチング液による損傷を受けにくく、且つ、高い電気容量等の誘電特性に優れた酸化物誘電層の形成方法を提供ことを目的とする。この目的を達成するため、ゾル－ゲル法による酸化物誘電層の形成方法において、以下の（ａ）～（ｃ）の工程を備えることを特徴とする酸化物誘電層の形成方法等を採用する。（ａ）工程：所望の酸化物誘電層を製造するゾル－ゲル溶液調製のための溶液調製工程。（ｂ）工程：前記ゾル－ゲル溶液を金属基材の表面に塗工し、酸素含有雰囲気中で乾燥し、酸素含有雰囲気中で熱分解を行う一連の工程を１単位工程とし、この１単位工程を複数回繰り返し、１単位工程と１単位工程との間に任意に５５０°C～１０００°Cの不活性ガス置換等の予備焼成処理を設けて膜厚調整を行う塗工工程。（ｃ）工程：最終的に５５０°C～１０００°Cの不活性ガス置換等の焼成処理を行い誘電層とする焼成工程。
摘要翻译：本发明提供了通过溶胶 - 凝胶法形成氧化物介电层的方法。氧化物介电层不太可能被蚀刻液体损坏，并且具有优异的介电特性如高电容。氧化物介质层形成方法的特征在于包括以下步骤（a）至（c）。步骤（a）：制备用于制备用于形成所需氧化物介电层的溶胶 - 凝胶溶液的溶液。步骤（b）：将溶胶 - 凝胶溶液涂布在金属基材的表面上，在含氧气氛中干燥涂布的金属基材并在含氧气氛中进行热分解的一系列方法是被认为是一个单位处理并重复多次，并且在一个单元处理和一个单元处理之间可选地进行在550℃至1000℃的惰性气体置换的预处理处理，从而调节膜厚度。步骤（c）：最后，在550℃〜1000℃进行惰性气体置换的烧成处理，将膜转换为电介质层。

10. 发明申请

WO2005013331A2 SUPERCRITICAL FLUID-ASSISTED DEPOSITION OF MATERIALS ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译：超临界流体辅助沉积在半导体衬底上的材料
公开(公告)号：WO2005013331A2
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/US2004/024326
申请日：2004-07-28
申请人： ADVANCED TECHNOLOGY MATERIALS, INC. , XU, Chongying , BAUM, Thomas, H. , KORZENSKI, Michael, B.
发明人： XU, Chongying , BAUM, Thomas, H. , KORZENSKI, Michael, B.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： C23C18/122 , C23C18/00 , C23C18/08 , C23C18/1204 , C23C18/1208 , C23C18/1212 , C23C18/1216 , C23C18/1275 , H01L21/02126 , H01L21/02203 , H01L21/02216 , H01L21/02282 , H01L21/288 , H01L21/3121 , H01L21/31695 , H01L21/76801 , H01L21/76841 , H01L21/76877 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Supercritical fluid-assisted deposition of materials on substrates, such as semiconductor substrates for integrated circuit device manufacture. The deposition is effected using a supercritical fluid-based composition containing the precursor(s) of the material to be deposited on the substrate surface. Such approach permits use of precursors that otherwise would be wholly unsuitable for deposition applications, as lacking requisite volatility and transport characteristics for vapor phase deposition processes.
摘要翻译：材料在衬底上的超临界流体辅助沉积，例如用于集成电路器件制造的半导体衬底。使用含有待沉积在基材表面上的材料的前体的超临界流体基组合物进行沉积。这种方法允许使用否则将完全不适合沉积应用的前体，因为对于气相沉积工艺缺乏必要的挥发性和运输特性。

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