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1. 发明申请

WO2019098417A1 세라믹 선재의 제조 방법 및 그의 제조 설비 审中-公开
公开(公告)号：WO2019098417A1
公开(公告)日：2019-05-23
申请号：PCT/KR2017/013036
申请日：2017-11-16
申请人： 주식회사 서남
发明人： 문승현 , 이헌주 , 이재훈 , 김태훈 , 이유리
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/00 , C23C14/58 , C23C14/56 , C23C14/52 , C23C14/24 , C23C14/22 , C23C14/08
CPC分类号： C23C14/00 , C23C14/08 , C23C14/22 , C23C14/24 , C23C14/52 , C23C14/54 , C23C14/56 , C23C14/58
摘要： 본 발명은 세라믹 선제의 제조방법 및 그의 제조설비를 개시한다. 그의 방법은, 기판 상에 초전도 층을 형성하는 단계와, 상기 초전도 층 상에 보호 층을 형성하는 단계를 포함한다. 여기서, 상기 초전도 층을 형성하는 단계는 복수개의 금속 소스들을 동시증발방법으로 증발시켜 상기 초전도 층을 증착하는 단계와, 상기 초전도 층의 표면 색상을 검출하는 단계와, 상기 표면 색상에 따라 상기 초전도 층의 상기 금속 소스들의 성분비를 판별하는 단계를 포함한다.

2. 发明申请

WO2018117570A1 흑색 타타늄재 및 이의 제조 방법 审中-公开
公开(公告)号：WO2018117570A1
公开(公告)日：2018-06-28
申请号：PCT/KR2017/014955
申请日：2017-12-18
申请人： 주식회사 포스코 , 재단법인 포항산업과학연구원
发明人： 최미선 , 이고기
IPC分类号： C23C14/16 , C23C14/58 , C23C16/06 , C23C16/56 , C23C14/54 , C23C16/52 , C22C14/00
CPC分类号： C22C14/00 , C23C14/16 , C23C14/54 , C23C14/58 , C23C16/06 , C23C16/52 , C23C16/56
摘要： 티타늄 기판; 및 상기 티타늄 기판 상에 위치하는 Ti-Zn 합금층；을 포함하고ᅳ 상기 Ti-Zn 합금층은 TiZn2를 포함하는 흑색 티타늄재 및 그 제조방법을 제공할 수 있다.

3. 发明申请

WO2018043766A1 구리 박막 기판 및 이의 제조방법 审中-公开
标题翻译：铜薄膜基板及其制造方法
公开(公告)号：WO2018043766A1
公开(公告)日：2018-03-08
申请号：PCT/KR2016/009613
申请日：2016-08-30
申请人： 한국기계연구원
发明人： 윤정흠 , 이건환 , 이성훈 , 조국경
IPC分类号： C23C14/20 , C23C14/18 , C23C14/22 , C23C14/02 , C23C14/58 , C23C14/00 , C23C14/06 , C23C14/54
CPC分类号： C23C14/00 , C23C14/02 , C23C14/06 , C23C14/18 , C23C14/20 , C23C14/22 , C23C14/54 , C23C14/58
摘要： 본 발명은 구리 박막 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 기판; 및 상기 기판 상에 형성되며 구리(Cu) 또는 구리합금으로 구성되는 구리 박막;을 포함하되, 상기 구리 박막의 (111)면의 전체 결정면에 대한 비율은 상기 구리 박막의 두께가 증가함에 따라 감소하며 상기 구리 박막의 I(111)/I(200)이 17을 초과하는 구리 박막 기판에 관한 것으로, 본 발명에 의한 구리 박막 기판은 성장초기부터 2차원 연속 박막으로 성장되며 광투과율 및 전도성이 우수한 구리 박막을 제공하는 효과가 있다.
摘要翻译：
本发明涉及一种铜膜基板及其制造方法，尤其涉及一种衬底; 和基板上形成铜薄膜由铜（Cu）或铜合金;包括但，铜薄膜的（111）面的整个晶面的比例，并且随着铜膜的厚度增加为I（111）/ I（200）超过17的铜箔基板上的铜薄膜，本发明的铜箔基板可以以二维连续薄膜从生长初始铜透光率和导电性优异生长 Lt;

4. 发明申请

WO2017175623A1 親水性スパッタ膜付き部材の製造方法审中-公开
标题翻译：用亲水性溅射膜制造构件的方法
公开(公告)号：WO2017175623A1
公开(公告)日：2017-10-12
申请号：PCT/JP2017/012550
申请日：2017-03-28
申请人：北川工業株式会社
发明人：斉藤　敏行 , 中村　祐介 , 川口　康弘
IPC分类号： C23C14/58 , B32B7/02 , C23C14/56 , G02F1/13 , G02F1/1334 , G02F1/1343
CPC分类号： B32B7/02 , C23C14/56 , C23C14/58 , G02F1/13 , G02F1/1334 , G02F1/1343
摘要：【解決手段】本発明の親水性スパッタ膜付き部材の製造方法は、スパッタリングによって支持基材上に透明導電膜を成膜するスパッタ成膜工程と、前記支持基材上の前記透明導電膜に、酸素ガスが供給される雰囲気下で、真空プラズマ処理を施して、前記透明導電膜に酸素原子を導入する真空プラズマ処理工程とを備える。
摘要翻译：本发明的具有亲水性溅射膜的部件的制造方法包括：通过溅射在支撑基板上形成透明导电膜的溅射膜形成工序，以及真空等离子体处理步骤，在透明导电膜上的透明导电膜上的透明导电膜上施加真空等离子体处理，在供应氧气的气氛中将氧原子引入到透明导电膜中。

5. 发明申请

WO2017169136A1 金属層構造及びその製造方法审中-公开
标题翻译：金属层结构及其制造方法
公开(公告)号：WO2017169136A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/JP2017/004399
申请日：2017-02-07
申请人：パナソニック液晶ディスプレイ株式会社
发明人：渡辺　邦彦 , 西田　健一郎
IPC分类号： C23C28/00 , B32B9/00 , B32B15/04 , C23C8/12 , C23C14/14 , C23C14/58 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： B32B9/00 , B32B15/04 , C23C8/12 , C23C14/14 , C23C14/58 , C23C28/00 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532
摘要：金属層構造は、基板上に形成された第１金属層と、前記第１金属層上に形成された、酸化層、窒化層、炭化層、又は、フッ化層からなる第１保護層と、前記第１保護層上に形成された、前記第１金属層と同一の材料からなる第２金属層と、前記第２金属層上に形成された、酸化層、窒化層、炭化層、又は、フッ化層からなる第２保護層と、を含む。
摘要翻译：
金属层结构，形成在基板上的第一金属层，其在第一金属层上形成，氧化层，氮化物层，所述碳化物层或氟化物层第二金属层，形成在第一保护层上并且由与第一金属层相同的材料制成;氧化物层，形成在第二金属层上; 以及包括氮化层，碳化层或氟化层的第二保护层。

6. 发明申请

WO2017083730A1 METHOD OF COATING A CAST ALLOY WHEEL PROVIDING A TWO-TONE APPEARANCE 审中-公开
标题翻译：提供双色调外观的铸造合金轮涂层的方法
公开(公告)号：WO2017083730A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/US2016/061643
申请日：2016-11-11
申请人： SUPERIOR INDUSTRIES INTERNATIONAL, INC.
发明人： STEBBINS, Don , SCHWING, Thomas
IPC分类号： B23P17/00 , B21D53/26 , B60B19/00
CPC分类号： B60B3/02 , B60B3/06 , B60B3/10 , B60B2310/621 , B60B2310/652 , B60B2310/656 , B60B2360/10 , B60B2360/30 , B60B2900/212 , B60B2900/572 , C23C14/024 , C23C14/16 , C23C14/24 , C23C14/58 , C23C14/588 , C23C28/00 , C25D13/06 , C25D13/12
摘要： A cast wheel having an alloy substrate includes a primary surface and a secondary surface. A first polymeric coating is applied to the primary surface and to the secondary surface sealing the cast alloy wheel within the first polymeric coating. An intermediate polymeric coating is applied over the first polymeric coating. The intermediate polymeric coating is coated with metal using plasma deposition with the metal being esthetically distinguishable from the first polymeric coating. A second polymeric coating is applied over the metal. The second polymeric coating and the metal from the primary surface of the cast alloy wheel are removed aesthetically distinguishing the primary surface from the secondary surface. A third polymeric coating is applied over the primary surface and the secondary surface.
摘要翻译：具有合金基底的铸造轮包括主表面和次表面。将第一聚合物涂层涂覆到主表面和第二表面上，将铸造合金车轮密封在第一聚合物涂层内。在第一聚合物涂层上施加中间聚合物涂层。中间聚合物涂层使用等离子体沉积用金属涂覆，金属在美学上可与第一聚合物涂层区分。将第二聚合物涂层施加在金属上。将第二聚合物涂层和来自铸造合金车轮的主表面的金属从美学上区分主表面和次表面。在主表面和次表面上施加第三聚合物涂层。

7. 发明申请

WO2017002384A1 半導体デバイスおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2017002384A1
公开(公告)日：2017-01-05
申请号：PCT/JP2016/053541
申请日：2016-02-05
申请人：住友電気工業株式会社
发明人：宮永　美紀 , 綿谷　研一 , 粟田　英章
IPC分类号： H01L21/336 , C23C14/08 , C23C14/58 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78618 , C23C14/08 , C23C14/14 , C23C14/24 , C23C14/34 , C23C14/58 , C23C14/5806 , C23C16/308 , C23C16/345 , C23C16/401 , C23C16/44 , C23C16/56 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要：ゲート電極（２）と、ゲート電極（２）の直下領域または直上領域に配置されるチャネル層（７）と、チャネル層（７）に接して配置されるソース電極（５）およびドレイン電極（６）と、ゲート電極（２）とチャネル層（７）との間に配置される第１絶縁層（３）とを含み、チャネル層（７）は第１酸化物半導体を含み、ソース電極（５）およびドレイン電極（６）の少なくとも一方は第２酸化物半導体を含み、第１酸化物半導体および第２酸化物半導体は、インジウム、タングステンおよび亜鉛を含有する半導体デバイス、ならびにその製造方法が提供される。
摘要翻译：提供一种半导体器件，其包括：栅电极（2）; 沟槽层（7），设置在栅电极（2）正下方或正上方的区域中; 源极电极（5）和漏电极（6），其与沟道层（7）接触; 以及设置在所述栅极（2）和所述沟道层（7）之间的第一绝缘层（3）。沟道层（7）包括第一氧化物半导体，源电极（5）和/或漏电极（6）包括第二氧化物半导体，第一氧化物半导体和第二氧化物半导体含有铟，钨和锌。还提供了一种用于制造半导体器件的方法。

8. 发明申请

WO2016186046A1 基板除電機構及びこれを用いた真空処理装置审中-公开
标题翻译：使用相同的底物去除机械和真空处理设备
公开(公告)号：WO2016186046A1
公开(公告)日：2016-11-24
申请号：PCT/JP2016/064361
申请日：2016-05-13
申请人：株式会社アルバック
发明人：廣野　貴啓
IPC分类号： C23C14/58 , C23C16/56
CPC分类号： C23C14/58 , C23C16/56
摘要：　真空中でフィルム状の基板等に成膜等の処理を行う装置において、処理領域に影響を与えることなく、簡素な構成で効率良く除電を行うことができる技術を提供する。本発明は、真空中で搬送される成膜用フィルム１０に対してマグネトロン放電によって除電を行う基板除電機構である。本発明では、放電ガスが導入されるハウジング５１と、ハウジング５１内において基板搬送方向に対して直交するように配置され、所定の電圧が印加される直線状の放電電極５３と、放電電極５３の近傍に配置される磁石５４Ａとを有し、成膜用フィルム１０における帯電量の分布に応じて放電を発生させるように磁石５４Ａが配置されている。
摘要翻译：提供了用于例如用于在真空中在膜状基板上形成膜的装置的技术，并且可以使用简单的结构进行有效的去静电，而不影响处理区域。本发明还提供了通过磁控管放电使真空输送的成膜膜10去静电的基板去静电机构。根据本发明，基板去静电机构包括：引入放电气体的壳体51; 线性放电电极53，其垂直于壳体51中的衬底的输送方向设置并施加预定电压; 以及设置在放电电极53附近的磁体54A。磁体54A被设置成根据成膜膜10中的电荷量的分布进行放电。

9. 发明申请

WO2016088440A1 Ｃｕ配線の形成方法および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：铜线的形成方法及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2016088440A1
公开(公告)日：2016-06-09
申请号：PCT/JP2015/077957
申请日：2015-10-01
申请人：東京エレクトロン株式会社
发明人：河崎　洋章 , 常　鵬 , 永井　洋之
IPC分类号： H01L21/3205 , C23C14/14 , C23C14/58 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L23/532
CPC分类号： C23C14/14 , C23C14/58 , H01L21/28 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L23/532 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　表面に所定パターンの凹部が形成された層間絶縁膜を有する基板に対し、凹部にＣｕまたはＣｕ合金を埋め込んでＣｕ配線を形成するＣｕ配線の形成方法は、層間絶縁膜の表面全面にバリア膜を形成することと、次いで、バリア膜表面の凹部以外の部分にＣｕまたはＣｕ合金が濡れる金属材料からなる被濡れ層を形成することと、次いで、表面全体にＣｕまたはＣｕ合金からなるＣｕ系膜を形成することと、次いで、Ｃｕ系膜を形成した後の基板を加熱して、凹部以外の表面のＣｕまたはＣｕ合金を凹部内に流動させてＣｕまたはＣｕ合金を埋め込むこととを有する。
摘要翻译：这种用于形成Cu布线的方法，其中通过在具有在表面上形成规定图案的凹陷的层间绝缘膜的基板中的Cu或Cu合金中的Cu嵌入Cu形成铜布线，包括：层间绝缘膜的整个表面; 然后在除了凹部之外的阻挡膜表面的所有部分中形成包含要被Cu或Cu合金润湿的金属材料的被润湿层; 然后在整个表面上形成包含Cu或Cu合金的Cu膜; 然后在形成Cu膜之后加热衬底并且通过使Cu或Cu合金在凹部以外的表面的部分上流动而嵌入Cu或Cu合金。

10. 发明申请

WO2016068636A1 비정질막 및 질소를 포함하는 나노구조막의 제조방법 审中-公开
标题翻译：非晶膜及其制备纳米纳米结构膜的方法
公开(公告)号：WO2016068636A1
公开(公告)日：2016-05-06
申请号：PCT/KR2015/011537
申请日：2015-10-30
申请人： 한국생산기술연구원
发明人： 신승용 , 문경일 , 선주현 , 이장훈
IPC分类号： C23C14/54 , C23C14/58 , B82B3/00
CPC分类号： B82B3/00 , C23C14/54 , C23C14/58
摘要： 본 발명은 스퍼터링 장치 내부로 질소가스(N 2 ) 또는 질소원소(N)를 함유하는 반응가스를 투입하면서 합금타겟을 스퍼터링하여 질소를 포함하는 나노구조막을 형성하는 단계;를 포함하되, 상기 합금타겟은, 비정질 형성능을 가지는 금속원소를 포함하는 복수개의 비정질 합금 또는 나노결정질 합금을 상기 비정질 합금 또는 나노결정질 합금의 유리천이온도(Tg) 이상 결정화 개시온도(Tx) 이하의 온도범위에서 소정의 시간 동안 유지하면서 가압함으로써 제 1 차 수축하는 단계; 및 상기 복수개의 비정질 합금 또는 나노결정질 합금을 상기 비정질 합금 또는 나노결정질 합금의 용융온도(Tm)의 0.7 배 내지 0.9 배의 온도범위에서 소정의 시간 동안 유지하면서 가압함으로써 제 2 차 수축하는 단계;를 포함하여 수행함으로써 형성된 결정질 합금으로 이루어진, 질소를 포함하는 나노구조막의 제조방법을 제공한다.
摘要翻译：本发明提供一种制造包含氮的纳米结构薄膜的方法，该方法包括以下步骤：通过溅射合金靶来形成包含氮的纳米结构薄膜，同时注入含氮气（N 2）或氮气（N ），其中所述合金靶是通过以下步骤形成的：通过在保持预定时间的情况下首先收缩包含具有玻璃形成能力的金属元素的多种非晶合金或纳米晶体合金在非晶合金或纳米晶体合金的至少玻璃化转变温度（Tg）和至多结晶起始温度（Tx）之间的温度范围内; 以及多次非晶态合金或纳米晶体合金的二次收缩，同时在非晶合金或纳米晶体合金的熔融温度的0.7〜0.9倍的温度范围内保持规定的时间。

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