基本信息:
- 专利标题： 구리 박막 기판 및 이의 제조방법
- 专利标题（英）：WO2018043766A1 - Copper thin film substrate and method for manufacturing same
- 专利标题（中）：铜薄膜基板及其制造方法
- 申请号：PCT/KR2016/009613 申请日：2016-08-30
- 公开(公告)号：WO2018043766A1 公开(公告)日：2018-03-08
- 发明人： 윤정흠 , 이건환 , 이성훈 , 조국경
- 申请人： 한국기계연구원
- 申请人地址： 34103 대전시 유성구 가정북로 156 (장동), Daejeon KR
- 专利权人： 한국기계연구원
- 当前专利权人： 한국기계연구원
- 当前专利权人地址： 34103 대전시 유성구 가정북로 156 (장동), Daejeon KR
- 代理机构： 특허법인 이지
- 优先权： KR10-2016-0110233 20160829
- 主分类号： C23C14/20
- IPC分类号： C23C14/20 ; C23C14/18 ; C23C14/22 ; C23C14/02 ; C23C14/58 ; C23C14/00 ; C23C14/06 ; C23C14/54
摘要：
본 발명은 구리 박막 기판 및 이의 제조방법에 관한 것으로, 상세하게는 기판; 및 상기 기판 상에 형성되며 구리(Cu) 또는 구리합금으로 구성되는 구리 박막;을 포함하되, 상기 구리 박막의 (111)면의 전체 결정면에 대한 비율은 상기 구리 박막의 두께가 증가함에 따라 감소하며 상기 구리 박막의 I(111)/I(200)이 17을 초과하는 구리 박막 기판에 관한 것으로, 본 발명에 의한 구리 박막 기판은 성장초기부터 2차원 연속 박막으로 성장되며 광투과율 및 전도성이 우수한 구리 박막을 제공하는 효과가 있다.
摘要（中）：
本发明涉及一种铜膜基板及其制造方法，尤其涉及一种衬底; 和基板上形成铜薄膜由铜（Cu）或铜合金;包括但，铜薄膜的（111）面的整个晶面的比例，并且随着铜膜的厚度增加 为I（111）/ I（200）超过17的铜箔基板上的铜薄膜，本发明的铜箔基板可以以二维连续薄膜从生长初始铜透光率和导电性优异生长 Lt;