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1. 发明申请

WO2018198707A1 基板処理方法および基板処理装置の運転方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018198707A1
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：PCT/JP2018/014560
申请日：2018-04-05
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：篠崎　弘行 , 曽布川　拓司 , 辻村　学 , 坂田　桂介 , 大津　和也 , 金平　昌幸
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/10 , B24B37/12 , H01L21/02 , H01L21/677
CPC分类号： B24B37/10 , B24B37/12 , H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/677
摘要：本発明は、基板処理装置のピーク電力を削減するための方法に関する。また、本発明は、ウェーハなどの基板を処理するための基板処理装置の運転方法に関する。基板処理方法は、研磨レシピから予想研磨時間を算出し、洗浄レシピから予想洗浄時間を算出し、予想研磨時間を研磨部内の研磨ユニットの数で割り算して研磨スループット指標値を算出し、予想洗浄時間を洗浄部内の洗浄レーンの数で割り算して洗浄スループット指標値を算出し、研磨スループット指標値が洗浄スループット指標値よりも大きい場合は、洗浄側基板搬送システムの動作加速度の設定値を下げ、洗浄スループット指標値が研磨スループット指標値よりも大きい場合は、研磨側基板搬送システムの動作加速度の設定値を下げる。

2. 发明申请

WO2014061423A1 砥石およびそれを用いた研削・研磨装置审中-公开
标题翻译：使用相同的磨石和研磨/抛光装置
公开(公告)号：WO2014061423A1
公开(公告)日：2014-04-24
申请号：PCT/JP2013/076164
申请日：2013-09-27
申请人：株式会社ナノテム
发明人：高田　篤 , 高津　雅一 , 大橋　恭介 , 堀江　和也 , 石崎　幸三
IPC分类号： B24D7/06 , B24B7/22 , B24B37/12 , B24D7/14
CPC分类号： B24B37/12 , B24B7/228
摘要：【課題】荒加工、ラップ加工、研磨加工の３工程を同じ装置で行うことができるうえ、両面加工も可能にし、継続的に使用しても加工速度が低下せず、ドレッシンクを省略することができる砥石およびそれを用いた研削・研磨装置を提供する。【解決手段】被加工物を研削・研磨する砥石であって、前記被加工物を研削・研磨する砥粒および結合材からなり、研削・研磨する面の深さ方向に軸Ｌを有し平行に配置された多数の柱からなる砥石柱と、該砥石柱と一体に形成される砥石マトリックスとを有することを特徴とする砥石およびそれを用いた研削・研磨装置。
摘要翻译： [问题]提供一种使用相同的磨石和研磨抛光装置，除了可以用相同的装置进行粗加工，研磨和抛光的三个处理之外：还可以进行双面加工; 处理率即使连续使用也不会降低; 可以省略敷料。 [解决方案]一种用于研磨/研磨工件的磨石，其特征在于包括多个磨石棒，其由粘合剂和用于研磨/研磨工件的磨粒获得并且与深度的轴线（L）平行设置研磨/抛光表面的方向，以及与磨石棒一体形成的磨石矩阵，以及使用所述磨石的研磨/抛光装置。

3. 发明申请

WO2010005702A1 CHEMICAL MECHANICAL POLISHING WITH MULTI-ZONE SLURRY DELIVERY 审中-公开
标题翻译：化学机械抛光与多区浆液交付
公开(公告)号：WO2010005702A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/US2009/047376
申请日：2009-06-15
申请人： NOVELLUS SYSTEMS, INC. , O'MOORE, Fergal , SCHULTZ, Steve
发明人： O'MOORE, Fergal , SCHULTZ, Steve
IPC分类号： B24B37/04
CPC分类号： B24B37/12 , B24B57/02
摘要： Chemical-mechanical polishing or planarization (CMP) is enhanced with mutli-zone slurry delivery. A polishing pad is provided that contacts with the work piece, and a multi-zone platen is displaced proximate to the polishing pad to facilitate slurry delivery. The platen includes multiple fluid distribution layers that each include a fluid-distributing channel extending from a fluid source to a distribution point on layer. The distribution points on each of the fluid distribution layers correspond to different locations on the polishing surface to thereby create multiple fluid-delivery zones on the pad.
摘要翻译：化学机械抛光或平面化（CMP）通过多区域浆料递送而增强。提供了与工件接触的抛光垫，并且多区域压板靠近抛光垫移动以便于浆料输送。压盘包括多个流体分配层，每个流体分配层包括从流体源延伸到层上的分配点的流体分配通道。每个流体分配层上的分布点对应于抛光表面上的不同位置，从而在垫上产生多个流体输送区。

4. 发明申请

WO2015163256A1 炭化ケイ素基板の研磨方法审中-公开
标题翻译：抛光碳化硅基板的方法
公开(公告)号：WO2015163256A1
公开(公告)日：2015-10-29
申请号：PCT/JP2015/061868
申请日：2015-04-17
申请人：株式会社フジミインコーポレーテッド , 株式会社デンソー , 昭和電工株式会社
发明人：河田　研治 , 加藤　智久 , 栗田　恒雄 , 三宅　晃司 , 堀田　和利 , 長屋　正武 , 貴堂　高徳
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , B24B37/12 , C25F3/30
CPC分类号： B24B37/00 , B24B37/12 , C25F3/30 , H01L21/304
摘要：　本発明は、高い研磨速度で炭化ケイ素基板を研磨することができ、かつ研磨後の炭化ケイ素基板表面の歪みを低減することができる炭化ケイ素基板の研磨方法を提供することを目的とする。　本発明は、炭化ケイ素基板の研磨する面をギャップ形成材、砥粒、および電解質を含む電解液を挟んで導電性定盤に対向配置し、前記炭化ケイ素基板の表面を陽極とし、前記導電性定盤を陰極として、前記炭化ケイ素基板の研磨する面の少なくとも一部を前記電解液に接触させながら電解研磨する、炭化ケイ素基板の研磨方法である。
摘要翻译：本发明的目的是提供一种用于抛光碳化硅衬底的方法，该方法允许高速抛光碳化硅衬底并使抛光的碳化硅衬底表面翘曲最小化。本发明是一种用于研磨碳化硅基板的方法，其中将待抛光的碳化硅基板的表面设置成与包含间隙形成材料的电解质溶液相对的导电性表面板，磨粒和介于其间的电解质。待研磨的碳化硅衬底的表面的至少一部分与电解质溶液，作为正极的碳化硅衬底的表面和作为负极的导电性表面板接触地进行电解抛光。

5. 发明申请

WO2012094102A3 PRESSURE CONTROLLED POLISHING PLATEN 审中-公开
标题翻译：压力控制抛光板
公开(公告)号：WO2012094102A3
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/US2011064396
申请日：2011-12-12
申请人： APPLIED MATERIALS INC , CHEN HUNG CHIH
发明人： CHEN HUNG CHIH
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/105 , B24B37/12
摘要： A method and apparatus for controlling pressure or forces applied to a substrate in a polishing process is described. In one embodiment, a polishing system is described. The system includes a platen rotatably disposed on a base, the platen having a sidewall and a polishing pad disposed thereon forming an interior volume, and a pad pressure applicator disposed in the interior volume of the platen adjacent the underside of the polishing pad.
摘要翻译：描述了用于在抛光过程中控制施加到基底上的压力或力的方法和装置。在一个实施例中，描述了抛光系统。该系统包括可旋转地设置在基座上的压板，压板具有侧壁和设置在其上的抛光垫，形成内部容积，以及衬垫压力施加器，其设置在邻近抛光垫下侧的压板的内部体积中。

6. 发明申请

WO2003076133A1 OBERFLÄCHENBEARBEITUNGSVORRICHTUNG FÜR PROBEKÖRPER 审中-公开
标题翻译：表面处理装置探头BODY
公开(公告)号：WO2003076133A1
公开(公告)日：2003-09-18
申请号：PCT/EP2003/000983
申请日：2003-01-31
申请人： MÜLLER, Heinrich
发明人： MÜLLER, Heinrich
IPC分类号： B24B37/04
CPC分类号： B24B37/12 , B24D7/10 , G01N1/32
摘要： Die Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Oberflächenbearbeitung von metallischen Probekörpern für die Metallographie, bestehend aus einem scheibenförmigen und auf einem rotierenden Arbeitsteller aufbringbaren Grundkörper, der an seiner oberen, der Antriebseinheit abgewandten Fläche mit einer dünnen, als Arbeitsbelag dienenden Schicht versehen ist.
摘要翻译：本发明涉及一种装置和选自提供了一种用于金属标本金相的表面处理的方法的盘形和可涂布在旋转的工件板基体，该表面从顶部面对驱动单元之外，用一个薄的，作为工作衬里层，

7. 发明申请

WO2002064314A1 METHOD AND APPARATUS FOR ELECTROCHEMICAL PLANARIZATION OF A WORKPIECE 审中-公开
标题翻译：工业电化学平面化方法与装置
公开(公告)号：WO2002064314A1
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：PCT/US2002/004141
申请日：2002-02-12
申请人： SPEEDFAM-IPEC CORPORATION
发明人： EMESH, Ismail , CHADDA, Saket , KOROVIN, Nikolay, N. , MUELLER, Brian, L.
IPC分类号： B24B37/04
CPC分类号： B24B37/20 , B23H5/08 , B24B37/12 , C25F3/02 , C25F7/00 , H01L21/32125 , H01L21/7684
摘要： An electrochemical planarization apparatus for planarizing a metallized surface on a workpiece includes a polishing pad (40) and a platen (50). The platen (50) is formed of conductive material, is disposed proximate to the polishing pad (40) and is configured to have a negative charge during at least a portion of a planarization process. At least one electrical conductor (70) is positioned within the platen (50). The electrical conductor (70) has a first end connected to a power source (90). A workpiece carrier is configured to carry a workpiece and press the workpiece against the polishing pad (40). The power source (90) applies a positive charge to the workpiece via the electrical conductor (70) so that an electric potential difference between the metallized surface of the workpiece and the platen (50) is created to remove at least a portion of the metallized surface from the workpiece.
摘要翻译：用于平坦化工件上的金属化表面的电化学平面化装置包括抛光垫（40）和压板（50）。压板（50）由导电材料形成，靠近抛光垫（40）设置，并且被构造成在平坦化处理的至少一部分期间具有负电荷。至少一个电导体（70）位于压板（50）内。电导体（70）具有连接到电源（90）的第一端。工件载体构造成承载工件并将工件压靠在抛光垫（40）上。电源（90）经由电导体（70）向工件施加正电荷，使得在工件的金属化表面和压板（50）之间产生电位差，以去除金属化的至少一部分工件表面。

8. 发明申请

WO2017134914A1 ウェーハの両面研磨方法审中-公开
标题翻译：抛光晶片两面的方法
公开(公告)号：WO2017134914A1
公开(公告)日：2017-08-10
申请号：PCT/JP2016/085701
申请日：2016-12-01
申请人：株式会社SUMCO
发明人：御厨　俊介 , 三浦　友紀
IPC分类号： B24B37/08 , B24B37/12 , B24B37/24 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/08 , B24B37/12 , B24B37/24 , H01L21/304
摘要：中央部に中央孔をそれぞれ有し、研磨面に研磨布（１１）がそれぞれ貼付されたドーナツ形状の上定盤（１２）及び下定盤（１３）でウェーハ（１６）を狭圧して、スラリー供給孔（１８）からウェーハにスラリー（１７）を供給しながら、上定盤と下定盤を回転駆動させることにより、ウェーハの両面を研磨する両面研磨方法において、上定盤及び下定盤にそれぞれ貼付された研磨布の双方に、研磨布の外周又は内周を研磨布圧縮治具を用いて鉛直方向に圧縮して成型した外周側圧縮部（１１ａ）又は内周側圧縮部（１１ｂ）のいずれか一方或いは双方が設けられ、外周側圧縮部の水平方向における幅を圧縮幅Ａ、内周側圧縮部の水平方向における幅を圧縮幅Ｂ、ウェーハの直径をＤとするとき、圧縮幅Ａが０．０５×Ｄ≦Ａを満たし、圧縮幅Ｂが０．３０×Ｄ≧Ｂを満たす。
摘要翻译：每个中心具有中心孔的抛光环形上压板（12）和下压板（13）以及抛光布（11））为了从浆料供给孔18向浆料供给浆料17而变窄，驱动上面板和下面板旋转，对晶片的两面进行研磨。两者分别固定在面板上的研磨布和下表面板，其通过在垂直方向上外周或内周与抛光布（11A）或内周侧的研磨布压缩夹具压缩模制的外周侧压缩部的任一个或两个压缩部（11B）的设置，压缩所述宽度在所述外周侧压缩部的水平方向的宽度，在内周侧的水平方向上的宽度的压缩宽度B压缩部中，晶片和d的直径压缩宽度A为0.05＆times; D≤A时填充，压缩宽度B为0.30倍;满足d≧B.

9. 发明申请

WO2012094102A2 PRESSURE CONTROLLED POLISHING PLATEN 审中-公开
标题翻译：压力控制抛光板
公开(公告)号：WO2012094102A2
公开(公告)日：2012-07-12
申请号：PCT/US2011/064396
申请日：2011-12-12
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , CHEN, Hung Chih
发明人： CHEN, Hung Chih
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/005 , B24B37/105 , B24B37/12
摘要： A method and apparatus for controlling pressure or forces applied to a substrate in a polishing process is described. In one embodiment, a polishing system is described. The system includes a platen rotatably disposed on a base, the platen having a sidewall and a polishing pad disposed thereon forming an interior volume, and a pad pressure applicator disposed in the interior volume of the platen adjacent the underside of the polishing pad.
摘要翻译：描述了用于在抛光过程中控制施加到基板的压力或力的方法和设备。在一个实施例中，描述了抛光系统。该系统包括可旋转地设置在基座上的台板，该台板具有侧壁和设置在其上的形成内部空间的抛光垫，以及设置在台板的内部空间中靠近抛光垫的下侧的垫压力施加器。 p>

10. 发明申请

WO2003082521A1 METHOD AND APPARATUS FOR HEATING POLISHING PAD 审中-公开
标题翻译：用于加热抛光垫的方法和装置
公开(公告)号：WO2003082521A1
公开(公告)日：2003-10-09
申请号：PCT/US2003/009465
申请日：2003-03-28
申请人： LAM RESEARCH CORPORATION
发明人： PHAM, Xuyen , NGUYEN, Tuan , ZHOU, Ren , WEI, David , JIANG, Linda , RAMANUJAM, Katgenhalli, Y. , SIMON, Joseph, P. , LUONG, Tony , SRIVATSAN, Sridharan , JIN, Anjun, Jerry
IPC分类号： B24B49/00
CPC分类号： B24B37/12 , B24B21/10 , B24B49/14
摘要： A temperature controlling system for use in a chemical mechanical planarization (CMP) system having a linear polishing belt (102), a carrier (108) capable of applying a substrate (104) over a preparation location over the linear polishing belt is provided. The temperature controlling system includes a platen (110) having a plurality of zones. The temperature controlling system further includes a temperature sensor (160) configured determine a temperature of the linear polishing belt at a location that is after the preparation location. The system also includes a controller (150) for adjusting a flow of temperature conditioned fluid to selected zones of the plurality of zones of the platen in response to output received from the temperature sensor.
摘要翻译：提供了一种用于具有线性抛光带（102）的化学机械平面化（CMP）系统的温度控制系统，能够在线性抛光带上的准备位置上施加基底（104）的载体（108）。温度控制系统包括具有多个区域的压板（110）。温度控制系统还包括配置的温度传感器（160），其确定在准备位置之后的位置处的线性抛光带的温度。该系统还包括控制器（150），用于响应于从温度传感器接收到的输出，调节温度调节流体流到压板多个区域中的选定区域的流动。

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