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1. 发明申请

WO2019049610A1 研磨用組成物およびシリコン基板研磨方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019049610A1
公开(公告)日：2019-03-14
申请号：PCT/JP2018/030185
申请日：2018-08-13
申请人：株式会社フジミインコーポレーテッド
发明人：土屋　公亮 , 浅田　真希
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/308
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304 , H01L21/308
摘要：低ＬＰＤおよび低表面粗さを同時に実現し得る研磨用組成物を提供する。本発明により提供される研磨用組成物は、砥粒、水溶性高分子、界面活性剤、および塩基性化合物を含む。上記水溶性高分子は、以下の式：α＝θ１－θ０；により表される洗浄性パラメータαが、１＜α＜３５を満たす。ここで、上記式中のθ０は、単結晶シリコンウェーハの表面に上記水溶性高分子の水溶液を塗布した後に水洗して得られるＳＣ－１処理前ウェーハの水接触角であり、上記式中のθ１は、上記ＳＣ－１処理前ウェーハに２９％アンモニア水と３１％過酸化水素水と水とを１：２：３０の体積比で含む室温のＳＣ－１洗浄液ＬＡで１０秒間処理する洗浄処理Ａを施して得られるＳＣ－１処理後ウェーハの水接触角である。

2. 发明申请

WO2018216218A1 ナノバブル含有無機酸化物微粒子分散液、それを含む研磨剤およびそれらの製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2018216218A1
公开(公告)日：2018-11-29
申请号：PCT/JP2017/019791
申请日：2017-05-26
申请人：日揮触媒化成株式会社
发明人：小松　通郎 , 西田　広泰 , 中山　和洋 , 岩崎　幸博
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , C01F17/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C01F17/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：研磨剤として用いる工程において濃縮安定性に優れるナノバブル含有無機酸化物微粒子分散液の製造方法の提供を課題とする。平均粒子径が１～５００ｎｍの微粒子を含む無機酸化物微粒子分散液と、平均気泡径が５０～５００ｎｍのナノバブルを含むナノバブル水溶液とを含む溶液を、５～８０℃に保持しつつ、混合する工程を備える、ナノバブル含有無機酸化物微粒子分散液の製造方法によって前記課題を解決する。

3. 发明申请

WO2018062401A1 研磨液組成物审中-公开
标题翻译：抛光液体组合物
公开(公告)号：WO2018062401A1
公开(公告)日：2018-04-05
申请号：PCT/JP2017/035258
申请日：2017-09-28
申请人：花王株式会社
发明人：土居陽彦 , 大山翼
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：研磨速度を確保しつつ、研磨選択性の向上及び研磨ムラの抑制が可能な研磨液組成物の提供。　本開示は、酸化セリウム粒子Ａと、オリゴ糖Ｂと、水とを含有し、前記オリゴ糖Ｂは、３個以上５個以下のグルコースが結合した糖を含み、かつ、８個以上のグルコースが結合した糖の含有量が２７質量％以下のオリゴ糖である、研磨液組成物に関する。
摘要翻译：提供一种抛光液组合物，其能够在确保抛光速率的同时提高抛光选择性并抑制抛光不均匀。本公开包含氧化铈粒子A，和低聚糖B，和水，其中该低聚糖B包含3个或更多5或更少的葡萄糖结合的糖，和8个或更多的葡萄糖以及结合糖含量不超过27质量％的寡糖。

4. 发明申请

WO2018030254A1 化学機械研磨後の基板洗浄技術审中-公开
标题翻译：化学机械抛光后的基材清洗技术
公开(公告)号：WO2018030254A1
公开(公告)日：2018-02-15
申请号：PCT/JP2017/028180
申请日：2017-08-03
申请人：株式会社荏原製作所
发明人：福永　明 , 嶋　昇平 , 和田　雄高
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/00 , H01L21/304
摘要：基板を化学機械研磨した後、以下の（Ａ）、（Ｂ）および（Ｃ）の少なくともいずれか一つを含有する洗浄液で基板を洗浄する、方法を開示する。（Ａ）基板上の金属に対して電子供与性を有する還元剤。（Ｂ）溶存酸素を還元する脱酸素剤。（Ｃ）防食剤。また、かかる方法を用いた半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびこれらに用いる洗浄液を開示する。
摘要翻译：
后化学机械抛光基板，以下的（A），与含有至少一种（B）和（C）的清洗液清洗基片，公开了一种方法。（A）对基材上的金属具有供电子性的还原剂。（B）减少溶解氧的除氧剂。（C）防腐剂。还公开了使用这种方法制造半导体器件的方法，衬底处理设备以及用于其的清洗液。

5. 发明申请

WO2017169743A1 金属を含む層を有する研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物审中-公开
标题翻译：用于抛光具有含金属层的被抛光物的抛光组合物
公开(公告)号：WO2017169743A1
公开(公告)日：2017-10-05
申请号：PCT/JP2017/010224
申请日：2017-03-14
申请人：株式会社フジミインコーポレーテッド
发明人：大西　正悟 , 佐藤　剛樹
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：【課題】十分平坦化を達成できる金属を含む層を有する研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物を提供する。【解決手段】金属を含む層を有する研磨対象物の研磨に用いられる研磨用組成物であって、砥粒と、酸化剤と、分散媒と、酸性官能基および塩基性官能基を有する防食剤とを含む、研磨用組成物。
摘要翻译：本发明的课题在于提供一种研磨用组合物，该研磨用组合物具有含有能够充分展平的金属的层的被研磨物。本发明提供一种研磨用组合物，其用于研磨具有含金属层的被研磨物，并且含有磨粒，氧化剂，分散介质，具有酸性官能团和碱性官能团的防腐剂包括门，该抛光组合物。

6. 发明申请

WO2017163910A1 研磨用組成物审中-公开
标题翻译：抛光组合物
公开(公告)号：WO2017163910A1
公开(公告)日：2017-09-28
申请号：PCT/JP2017/009545
申请日：2017-03-09
申请人：株式会社フジミインコーポレーテッド
发明人：石田　康登
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：【課題】研磨済研磨対象物表面に残留するディフェクトを十分に除去することができ、かつ複数材料を含む研磨対象物を研磨する際の各材料の研磨速度をほぼ等しくすることができる研磨用組成物を提供する。【解決手段】ケイ素－ケイ素結合を有する材料と、ケイ素－窒素結合を有する材料と、ケイ素－酸素結合を有する材料と、を含む研磨対象物を研磨する用途で使用される研磨用組成物であって、有機酸表面固定シリカ粒子と、濡れ剤と、前記ケイ素－ケイ素結合を有する材料の研磨速度抑制剤と、を含み、ｐＨが７未満である、研磨用組成物。
摘要翻译：
甲残留在被抛光物体的抛光表面缺陷可以充分地除去，和抛光含有多个材料的抛光对象期间每种材料的大约抛光速率可以使其彼此相等。具有硅键合，硅的材料 - - 甲硅和具有氮键的材料，硅 - 具有氧键，用于抛光包括对象的抛光组合物的材料碲，有机酸表面锚定的二氧化硅颗粒，和润湿剂，硅 - 包括具有硅键合的，pH值小于7，抛光组合物的抛光率抑制剂材料。

7. 发明申请

WO2017146743A1 PAD SURFACE ROUGHNESS CHANGE METRICS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING CONDITIONING DISKS 审中-公开
标题翻译：化学机械抛光条件盘垫表面粗糙度变化指标
公开(公告)号：WO2017146743A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/US2016/019985
申请日：2016-02-27
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： TREGUB, Alexander , BRAMBLETT, Thomas R.
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00
摘要： Disclosed herein are pad surface roughness (PSR) change metrics for chemical mechanical polishing (CMP) conditioning disks. In some embodiments, a CMP system may include control circuitry to: access a stored PSR change metric for a CMP polishing pad and a CMP conditioning disk; generate, based on the PSR change metric, a conditioning time for conditioning the CMP polishing pad with the CMP conditioning disk to achieve a target PSR for the CMP polishing pad; and generate, based on the conditioning time, a control instruction for a first arm or a second arm of the CMP system, wherein the CMP conditioning disk is coupled to the first arm, the CMP polishing pad is coupled to the second arm, and the control instruction is to cause the CMP conditioning disk to condition the CMP polishing pad for the conditioning time.
摘要翻译：这里公开了用于化学机械抛光（CMP）调节盘的垫表面粗糙度（PSR）变化度量。在一些实施例中，CMP系统可以包括控制电路以：访问用于CMP抛光垫和CMP修整盘的存储的PSR改变度量; 基于所述PSR改变度量生成用于使用所述CMP修整盘修整所述CMP抛光垫的修整时间，以实现所述CMP抛光垫的目标PSR; 并且基于所述调节时间生成用于所述CMP系统的第一臂或第二臂的控制指令，其中所述CMP修整盘耦合到所述第一臂，所述CMP抛光垫耦合到所述第二臂，并且所述CMP 控制指令是使CMP修整盘在调整时间内调整CMP抛光垫。

8. 发明申请

WO2017146719A1 WAFER RETAINER RINGS FOR CHEMICAL MECHANICAL POLISHING 审中-公开
标题翻译：用于化学机械抛光的晶片固定环
公开(公告)号：WO2017146719A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/US2016/019721
申请日：2016-02-26
申请人： INTEL CORPORATION
发明人： TREGUB, Alexander , JEWETT, Jason A. , MCZEEK, William L.
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00
摘要： Disclosed herein are wafer retainer rings for chemical mechanical polishing (CMP) systems. Various ones of the wafer retainer rings disclosed herein may meet one or more criteria for limiting the wear on the wafer retainer ring during polishing. For example, in some embodiments, a wafer retainer ring may include a top surface including a plurality of ridges separated by a corresponding plurality of grooves, wherein each of the plurality of ridges has a width; a bottom surface; an inner surface circumscribing an area having a diameter; and an outer surface; wherein a ratio of the diameter to the width is less than 3.8.
摘要翻译：这里公开了用于化学机械抛光（CMP）系统的晶片保持环。本文公开的各种晶片保持环可以满足一个或多个标准，以限制抛光期间晶片保持环上的磨损。例如，在一些实施例中，晶片固定环可以包括顶表面，该顶表面包括由相应的多个凹槽分开的多个脊，其中多个脊中的每一个具有宽度; 底面; 限定具有直径的区域的内表面; 和外表面; 其中直径与宽度的比率小于3.8。

9. 发明申请

WO2017130749A1 研磨用組成物审中-公开
标题翻译：抛光组合物
公开(公告)号：WO2017130749A1
公开(公告)日：2017-08-03
申请号：PCT/JP2017/001094
申请日：2017-01-13
申请人：株式会社フジミインコーポレーテッド
发明人：竹田　恒 , グランストロム　ジミー　エリック , 佐伯　房世
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
摘要：砥粒と、添加剤と、水溶性ポリマーとを含む研磨用組成物であって、Ｄ５０（前）に対するＤ５０（後）の比率が２．０未満であり、ここで、Ｄ５０（前）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置する前に測定された前記研磨用組成物の粒子のＤ５０の値であり、Ｄ５０（後）は、前記研磨用組成物を８０℃で５日間放置した後に測定された前記研磨用組成物の粒子のＤ５０の値である、研磨用組成物である。
摘要翻译：抛光组合物，其包含磨料颗粒，添加剂和水溶性聚合物，其中D50（之后））小于2.0，其中在将抛光组合物在80℃下放置5天之前测量D 50（before）其中该抛光组合物的粒子的d的值<子> 50 ，d <子> 50（后），在将抛光组合物静置在80℃下5天是抛光组合物的测量颗粒的D 50值。

10. 发明申请

WO2017081835A1 合成石英ガラス基板用研磨剤及びその製造方法、並びに合成石英ガラス基板の研磨方法审中-公开
标题翻译：合成石英玻璃基板的磨料及其制造方法，以及合成石英玻璃基板的抛光方法
公开(公告)号：WO2017081835A1
公开(公告)日：2017-05-18
申请号：PCT/JP2016/004547
申请日：2016-10-12
申请人：信越化学工業株式会社
发明人：高橋　光人 , 野島　義弘
IPC分类号： C09K3/14 , B24B37/00 , C03C19/00
CPC分类号： B24B37/00 , C03C19/00 , C09K3/14
摘要：本発明は、研磨粒子及び水を含む合成石英ガラス基板用研磨剤であって、研磨粒子が、湿式セリア粒子と乾式セリア粒子との混合研磨粒子からなるものであり、湿式セリア粒子と乾式セリア粒子の質量比が７０／３０以上９０／１０以下のものであることを特徴とする合成石英ガラス基板用研磨剤である。これにより、高い研磨速度を有するとともに、研磨による欠陥の発生を十分に低減することができる合成石英ガラス基板用研磨剤が提供される。
摘要翻译：
本发明中，磨料颗粒和用于容纳水的抛光剂的合成石英玻璃衬底，磨料颗粒是那些由磨料颗粒和湿氧化铈粒子和干氧化铈粒子的混合物的用于抛光剂的合成石英玻璃衬底，其特征在于湿二氧化铈粒子和干二氧化铈粒子的质量比是70/30至90/10。因此，提供同时具有高抛光速率，抛光浆料，其能够充分降低产生由于抛光缺陷合成石英玻璃基板。

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