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1. 发明申请

WO2005055308A1 PROCESS FOR IMPROVING THE SURFACE ROUGHNESS OF A WAFER 审中-公开
标题翻译：改善波浪表面粗糙度的方法
公开(公告)号：WO2005055308A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/IB2003/006380
申请日：2003-12-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , ARENE, Emmanuel , ECARNOT, Ludovic
发明人： NEYRET, Eric , ARENE, Emmanuel , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/02052 , H01L21/76251
摘要： The present invention relates to a process for reducing the roughness of the free surface of a semiconductor wafer, said process comprising a single annealing step for smoothing said free surface, said single annealing step being carried out as a RTA under an atmosphere of pure argon, characterized in that before the RTA the atmosphere of the annealing environment is purged in a controlled manner so as to establish a controlled purged atmosphere allowing reduction of preliminary pollutants on the wafer.
摘要翻译：本发明涉及一种降低半导体晶片的自由表面粗糙度的方法，所述方法包括用于使所述自由表面平滑的单一退火步骤，所述单个退火步骤在纯氩气氛下作为RTA进行，其特征在于，在RTA之前，以受控的方式清除退火环境的气氛，以便建立受控的吹扫气氛，从而减少晶片上的初步污染物。

2. 发明申请

WO2003005434A3 PROCEDE DE DIMINUTION DE LA RUGOSITE DE SURFACE D'UNE TRANCHE SEMICONDUTRICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2003005434A3
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/FR2002/002341
申请日：2002-07-04
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , ECARNOT, Ludovic
发明人： NEYRET, Eric , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/324
摘要： L'invention propose un procédé de diminution de la rugosité de la surface libre d'une tranche de matériau semiconducteur (50). Un recuit thermique rapide est réalisé dans une atmosphère composée exclusivement d’argon pur. La tranchée peut être obtenue à partir d’un substrat mis en contact avec un raidisseur, par clivage du substrat au niveau d’une zone préalablement affaiblie par implantation.

3. 发明申请

WO2010106101A1 FINISHING METHOD FOR A SUBSTRATE OF "SILICON-ON-INSULATOR" SOI TYPE 审中-公开
标题翻译： “绝缘体绝缘体”SOI基片的整理方法
公开(公告)号：WO2010106101A1
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010/053460
申请日：2010-03-17
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , SCHWARZENBACH, Walter , KERDILES, Sébastien , REYNAUD, Patrick , ECARNOT, Ludovic , NEYRET, Eric
发明人： SCHWARZENBACH, Walter , KERDILES, Sébastien , REYNAUD, Patrick , ECARNOT, Ludovic , NEYRET, Eric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02312 , H01L21/30604 , H01L21/31662
摘要： The invention concerns a finishing method for a substrate (1) of silicon-on-insulator SOI type, comprising an oxide layer (3) buried between an active silicon layer (4) and a support layer(2) in silicon, this method comprising the application of finishing steps whose successive steps are:a)rapid thermal annealing RTA of said substrate (1) b)sacrificial oxidation step of its active layer (4), c)rapid thermal annealing RTA of said substrate obtained after step (b), d)sacrificial oxidation step of said active layer of the substrate (1') which underwent step c), this method being characterized in that sacrificial oxidation step b) is conducted so as to remove a first oxide thickness (5) and in that sacrificial oxidation step d) is conducted so as to remove a second oxide thickness thinner than the first.
摘要翻译：本发明涉及一种用于绝缘体上硅SOI类型的衬底（1）的精加工方法，其包括掩埋在硅中的活性硅层（4）和支撑层（2）之间的氧化物层（3），该方法包括应用后续步骤为：a）所述衬底（1）的快速热退火RTA b）其活性层（4）的牺牲氧化步骤，c）在步骤（b）之后获得的所述衬底的快速热退火RTA，，d）经历步骤c）的所述基板（1'）的有源层的牺牲氧化步骤，其特征在于，进行牺牲氧化步骤b）以除去第一氧化物厚度（5），并且因此进行牺牲氧化步骤d）以除去比第一氧化物薄的第二氧化物厚度。

4. 发明申请

WO2003005434A2 PROCEDE DE DIMINUTION DE RUGOSITE DE SURFACE 审中-公开
标题翻译：减少表面粗糙度的方法
公开(公告)号：WO2003005434A2
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/FR2002/002341
申请日：2002-07-04
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , ECARNOT, Ludovic
发明人： NEYRET, Eric , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/302 , H01L21/324 , H01L21/76254
摘要： L'invention propose un procédé de diminution de la rugosité de la surface libre d'une tranche de matériau semiconducteur, ledit procédé comprenant une étape de recuit afin de lisser ladite surface libre, caractérisé en ce que le procédé de diminution de rugosité de surface libre comporte un unique recuit de lissage réalisé sous la forme d'un recuit thermique rapide sous une atmosphere composée exclusivement d'argon pur. L'invention propose également une structure réalisée par un tel procédé.
摘要翻译：本发明涉及一种降低半导体材料切片的自由表面粗糙度的方法。所述方法包括退火步骤以平滑所述自由表面。本发明的特征在于，减少自由表面粗糙度的方法包括单独的平滑退火步骤，其在仅由纯氩气组成的气氛中以快速热退火的形式进行。本发明还涉及通过所述方法产生的结构。

5. 发明申请

WO2005055307A1 PROCESS FOR IMPROVING THE SURFACE ROUGHNESS OF A SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
标题翻译：用于改善半导体波长的表面粗糙度的方法
公开(公告)号：WO2005055307A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/IB2003/006351
申请日：2003-12-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , MALEVILLE, Christophe , ECARNOT, Ludovic
发明人： NEYRET, Eric , MALEVILLE, Christophe , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/324 , H01L21/76251
摘要： The present invention relates to a process for reducing the roughness of the free surface of a semiconductor wafer, said process comprising a single annealing step for smoothing said free surface, said single annealing step being carried out as a RTA under an atmosphere of pure argon, characterized in that before the RTA a chemical cleaning of the wafer surface is carried out so as to reduce the amount of preliminary pollutants on the wafer.
摘要翻译：本发明涉及一种降低半导体晶片的自由表面粗糙度的方法，所述方法包括用于使所述自由表面平滑的单一退火步骤，所述单个退火步骤在纯氩气氛下作为RTA进行，其特征在于，在RTA之前，进行晶片表面的化学清洗以便减少晶片上的初步污染物的量。

6. 发明申请

WO2005013318A3 PROCEDE D’OBTENTION D’UNE COUCHE MINCE DE QUALITE ACCRUE PAR CO-IMPLANTATION ET RECUIT THERMIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2005013318A3
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/FR2004/002038
申请日：2004-07-29
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MALEVILLE, Christophe , NEYRET, Eric , BEN MOHAMED, Nadia
发明人： MALEVILLE, Christophe , NEYRET, Eric , BEN MOHAMED, Nadia
IPC分类号： H01L21/762
摘要： L’invention concerne un procédé de réalisation d’une structure comprenant une couche mince de matériau semi-conducteur sur un substrat, comportant les étapes consistant à : réaliser une implantation d’espèces, sous une face d’un substrat donneur à partir duquel la couche mince doit être réalisée, de manière à créer une zone de fragilisation dans l’épaisseur du substrat donneur ; mettre en contact intime la face du substrat donneur ayant subi l’implantation avec un substrat support ; détacher le substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation, pour transférer une partie du substrat donneur sur le substrat support et former la couche mince sur celui-ci ; caractérisé en ce que : l’étape d’implantation met en oeuvre une co-implantation d’au moins deux espèces atomiques différentes de manière à minimiser les rugosités basses fréquences au niveau de la structure obtenue après détachement ; et le procédé comporte en outre une étape de finition comprenant au moins une opération de recuit thermique rapide de manière à minimiser les rugosités hautes fréquences au niveau de la structure obtenue après détachement.

7. 发明申请

WO2008093187A1 PROCESS FOR FABRICATING A SUBSTRATE OF THE SILICON-ON-INSULATOR TYPE 审中-公开
标题翻译：用于制造绝缘体绝缘体类型的基板的方法
公开(公告)号：WO2008093187A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/IB2008/000132
申请日：2008-01-16
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric
发明人： NEYRET, Eric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/76259
摘要： The invention relates to a process for fabricating a substrate (6) of the SOI (silicon on insulator) type, which comprises steps of bonding and transferring layers for obtaining a semifinished SOI substrate comprising a silicon substrate (3) covered with a silicon dioxide layer (2) and with a thick silicon layer having a thickness of greater than 150 ran. This process is noteworthy in that it comprises the following finishing steps: a) thinning of said thick silicon layer so as to obtain a thin silicon layer (112) having a smaller thickness than said thick layer but greater than 150 nm; b) long annealing in a gaseous atmosphere comprising hydrogen and/or argon; and c) thinning of said thin silicon layer (112), so as to obtain said SOI substrate (6) comprising said silicon substrate (3) covered with the silicon dioxide layer (2) and with an ultrathin silicon layer having a thickness of 150 nm or less.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造SOI（绝缘体上硅）类型的衬底（6）的工艺，其包括用于获得半导体SOI衬底的结合和转移层的步骤，所述SOI衬底包括被二氧化硅层覆盖的硅衬底（3）（2）和厚度大于150nm的厚硅层。该方法值得注意的是，它包括以下精加工步骤：a）使所述厚硅层变薄，以获得具有比所述厚层更小的厚度但大于150nm的薄硅层（112）; b）在包含氢气和/或氩气的气氛中进行长时间退火; 以及c）使所述薄硅层（112）变薄，从而获得包括用二氧化硅层（2）覆盖的所述硅衬底（3）的SOI衬底（6）和厚度为150的超薄硅层 nm以下。

8. 发明申请

WO2004079801A1 PREVENTIVE TREATMENT PROCESS FOR THE RING OF A MULTILAYER WAFER 审中-公开
标题翻译：多层波浪环的预防性处理方法
公开(公告)号：WO2004079801A1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/IB2004/000940
申请日：2004-03-01
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , MALLEVILLE, Christophe
发明人： NEYRET, Eric , MALLEVILLE, Christophe
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76251 , H01L21/76254
摘要： The invention concerns a process for treatment of the ring of a multilayer wafer made by layer transfer and composed of materials chosen from among semiconducting materials, said wafer comprising at least an intermediate layer between a superficial region and a base layer, characterised in that the process includes rapid thermal annealing of the wafer to cause overlapping and encapsulation of the peripheral edge of said intermediate layer, by a layer of said superficial region of the surface of the wafer in order to prevent the attack on the peripheral part of said intermediate layer of the wafer during a subsequent treatment step of the wafer. The invention also concerns an associated multilayer wafer.
摘要翻译：本发明涉及一种处理通过层转移制成并由选自半导体材料的材料构成的多层晶圆的环的方法，所述晶片至少包括在表面区域和基层之间的中间层，其特征在于该方法包括晶片的快速热退火以引起所述中间层的周边边缘与晶片表面的所述表面区域的层的重叠和封装，以防止对所述中间层的所述中间层的周边部分的侵蚀在晶片的后续处理步骤期间晶片。本发明还涉及相关的多层晶片。

9. 发明申请

WO2008093193A1 PROCESS FOR FABRICATING A SUBSTRATE OF THE SILICON-ON-INSULATOR TYPE 审中-公开
标题翻译：用于制造绝缘体绝缘体类型的基板的方法
公开(公告)号：WO2008093193A1
公开(公告)日：2008-08-07
申请号：PCT/IB2008/000157
申请日：2008-01-23
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , BOEDT, François
发明人： NEYRET, Eric , BOEDT, François
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a process for fabricating a substrate (6) of the SOI (silicon on insulator) type, comprising a thin silicon layer (11), the surface roughness of which is uniform, and a buried SiO2 layer, the thickness of which is uniform. This process is noteworthy in that it comprises the following steps, consisting in: a) atomic or ionic species are co-implanted which in a silicon donor substrate (1), so as to form therein a weakened zone (10) which forms the boundary between said thin layer (11) and a remainder (12); b) this donor substrate (1) is bonded to a substrate (3) by molecular adhesion, a layer (2) of silicon oxide being interposed between the two; c) and/or said remainder (12) is detached along the weakened zone (10), mainly mechanically; and d) carrying out at least one finishing step on said thin silicon layer (11) by long thermal annealing, in a gaseous atmosphere of hydrogen and/or argon, at a temperature of at least 950°C but not exceeding 1100°C.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造SOI（绝缘体上硅）型的衬底（6）的方法，其包括其表面粗糙度均匀的薄硅层（11）和其厚度的掩埋SiO 2层是统一的该过程值得注意的是，其包括以下步骤，其包括：a）在硅供体衬底（1）中共注入原子或离子物质，以在其中形成形成边界的弱化区（10）在所述薄层（11）和剩余部分（12）之间; b）通过分子粘附将该供体基板（1）与基板（3）结合，在二者之间插入氧化硅层（2）; c）和/或所述剩余部分（12）主要以机械方式沿弱化区域（10）分离; 以及d）在氢和/或氩的气态气氛中，在至少950℃但不超过1100℃的温度下，通过长时间热退火在所述薄硅层（11）上进行至少一个精加工步骤。

10. 发明申请

WO2008050176A1 IMPROVED PROCESS FOR TRANSFER OF A THIN LAYER FORMED IN A SUBSTRATE WITH VACANCY CLUSTERS 审中-公开
标题翻译：改进用于在具有VACANCY集群的基板中形成薄层的转移过程
公开(公告)号：WO2008050176A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/IB2006/003972
申请日：2006-10-27
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , KONONCHUK, Oleg
发明人： NEYRET, Eric , KONONCHUK, Oleg
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/322
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： Methods for forming semiconductor structures comprising a layer transferred from a donor substrate are provided in which the resulting structure has improved quality with respect of defects, and resulting structures therefrom. For example, a semiconductor on insulator (SeOI) structure can be formed by a method comprising: - providing a donor substrate (1) having a first density of vacancy clusters; - providing an insulating layer (3); - transferring a thin layer (10) from the donor substrate (1) to a support substrate (2) with the insulating layer (3) thereon; - curing the transferred thin layer (10) to reduce the first density of vacancy clusters to a second density; and being characterized in that the step of providing an insulating layer (30) comprises providing an oxygen barrier layer (4) to be in contact with the transferred thin layer (10), said oxygen barrier layer limiting diffusion of oxygen towards the thin layer during the curing.
摘要翻译：提供了形成包括从供体基底转移的层的半导体结构的方法，其中所得到的结构相对于缺陷而提高了质量，并且由此产生了结构。例如，可以通过以下方法形成绝缘体上半导体（SeOI）结构： - 提供具有第一密度的空位簇的施主衬底（1） - 提供绝缘层（3）; - 将薄层（10）从施主衬底（1）转移到其上具有绝缘层（3）的支撑衬底（2）上; - 固化转移的薄层（10）以将空位簇的第一密度降低至第二密度; 并且其特征在于，提供绝缘层（30）的步骤包括提供与转移的薄层（10）接触的氧阻挡层（4），所述氧阻隔层限制氧向薄层扩散固化。

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