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1. 发明申请

WO2005055307A1 PROCESS FOR IMPROVING THE SURFACE ROUGHNESS OF A SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
标题翻译：用于改善半导体波长的表面粗糙度的方法
公开(公告)号：WO2005055307A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/IB2003/006351
申请日：2003-12-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , MALEVILLE, Christophe , ECARNOT, Ludovic
发明人： NEYRET, Eric , MALEVILLE, Christophe , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/324 , H01L21/76251
摘要： The present invention relates to a process for reducing the roughness of the free surface of a semiconductor wafer, said process comprising a single annealing step for smoothing said free surface, said single annealing step being carried out as a RTA under an atmosphere of pure argon, characterized in that before the RTA a chemical cleaning of the wafer surface is carried out so as to reduce the amount of preliminary pollutants on the wafer.
摘要翻译：本发明涉及一种降低半导体晶片的自由表面粗糙度的方法，所述方法包括用于使所述自由表面平滑的单一退火步骤，所述单个退火步骤在纯氩气氛下作为RTA进行，其特征在于，在RTA之前，进行晶片表面的化学清洗以便减少晶片上的初步污染物的量。

2. 发明申请

WO2005013318A3 PROCEDE D’OBTENTION D’UNE COUCHE MINCE DE QUALITE ACCRUE PAR CO-IMPLANTATION ET RECUIT THERMIQUE 审中-公开
公开(公告)号：WO2005013318A3
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/FR2004/002038
申请日：2004-07-29
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MALEVILLE, Christophe , NEYRET, Eric , BEN MOHAMED, Nadia
发明人： MALEVILLE, Christophe , NEYRET, Eric , BEN MOHAMED, Nadia
IPC分类号： H01L21/762
摘要： L’invention concerne un procédé de réalisation d’une structure comprenant une couche mince de matériau semi-conducteur sur un substrat, comportant les étapes consistant à : réaliser une implantation d’espèces, sous une face d’un substrat donneur à partir duquel la couche mince doit être réalisée, de manière à créer une zone de fragilisation dans l’épaisseur du substrat donneur ; mettre en contact intime la face du substrat donneur ayant subi l’implantation avec un substrat support ; détacher le substrat donneur au niveau de la zone de fragilisation, pour transférer une partie du substrat donneur sur le substrat support et former la couche mince sur celui-ci ; caractérisé en ce que : l’étape d’implantation met en oeuvre une co-implantation d’au moins deux espèces atomiques différentes de manière à minimiser les rugosités basses fréquences au niveau de la structure obtenue après détachement ; et le procédé comporte en outre une étape de finition comprenant au moins une opération de recuit thermique rapide de manière à minimiser les rugosités hautes fréquences au niveau de la structure obtenue après détachement.

3. 发明申请

WO2004032227A1 RAPID ANNEALING PROCESS FOR WAFERS IN SEMICONDUCTOR MATERIAL 审中-公开
标题翻译：在半导体材料中快速退火的方法
公开(公告)号：WO2004032227A1
公开(公告)日：2004-04-15
申请号：PCT/IB2003/004590
申请日：2003-09-26
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , MALEVILLE, Christophe , ESCARNOT, Ludovic
发明人： NEYRET, Eric , MALEVILLE, Christophe , ESCARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/324 , H01L21/76264 , H01L21/76275 , H01L21/76283
摘要： The invention relates to a surface treatment process for a wafer of material chosen among the semiconductor materials, the wafer having been obtained via a transfer technique, and the process comprising a rapid annealing stage comprising successively; a) a first ramp of temperature rise intended to initiate heating, b) a first stabilization halt intended to stabilize the temperature, c) a second ramp of temperature rise, characterized in that during the second ramp, the average slope of temperature rise has a first value within a first range of temperatures known as low, and then increases within a range of temperatures known as high.
摘要翻译：本发明涉及一种用于选自半导体材料中的材料晶片的表面处理工艺，该晶片是通过转印技术获得的，该方法包括连续包括的快速退火阶段; a）用于启动加热的第一温升升高，b）用于稳定温度的第一稳定停止，c）第二升温斜坡，其特征在于，在第二斜坡期间，温升的平均斜率具有第一值在已知为低的第一温度范围内，然后在已知为高的温度范围内增加。

4. 发明申请

WO2009112306A1 METHOD FOR FABRICATING A SEMICONDUCTOR ON INSULATOR TYPE SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于制造绝缘体类型基板上的半导体的方法
公开(公告)号：WO2009112306A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：PCT/EP2009/050994
申请日：2009-01-29
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MALEVILLE, Christophe
发明人： MALEVILLE, Christophe
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02079 , Y10S438/977
摘要： The present invention relates to a method forfabricating a substrate (1) of semiconductor on insulatortype, comprising the following steps: - formation of an oxide layer (20) on a donor substrate (10) or a receiver substrate (30), - implantation of atomic species in the donor substrate so as to form a weakened zone(12), - bonding of the donor substrate onto the receiver substrate (30), the oxide layer (20) being at the bonding interface, - fracturing the donor substrate in the weakened zone (12) and transferring a layer of the donor substrate to the receiver substrate (30), - recycling of the remainder (2) of the donor substrate to form a receiver substrate (40) used for fabrication of a second semiconductor on insulator type 10 substrate. Before the oxidation step, a layer(14) of semiconducting materialis formed by epitaxy onthedonor substrate (10). In the implantation step, the weakened zone (12) formed in said epitaxied layer (14) so that the transferred layer is an epitaxied semiconducting material layer (140). And the donor substrate (10) is chosen comprising oxygen precipitates with a density of less than10 10 /cm 3 and/or a mean size of less than 500 nm.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造绝缘体上半导体衬底（1）的方法，包括以下步骤： - 在施主衬底（10）或接收器衬底（30）上形成氧化物层（20）， - 植入原子物质，以形成弱化区（12）， - 施主衬底接合到接收衬底（30）上，氧化物层（20）处于接合界面处， - 在施主衬底中将施主衬底压裂弱化区（12）并且将施主衬底的层转移到接收器衬底（30）， - 再循环施主衬底的其余部分（2）以形成用于制造绝缘体上的第二半导体的接收器衬底（40） 10型衬底。在氧化步骤之前，通过外延衬底（10）形成半导体材料层（14）。在注入步骤中，形成在所述表面层（14）中的弱化区（12），使得转移层是表面半导体材料层（140）。并且选择供体衬底（10）包括密度小于10 10 / cm 3和/或平均尺寸小于500nm的氧沉淀物。

5. 发明申请

WO2005096369A1 PREPARING A SURFACE OF A SEMICONDUCTOR WAFER FOR BONDING WITH ANOTHER WAFER 审中-公开
标题翻译：制备用于与另一个波形结合的半导体波导的表面
公开(公告)号：WO2005096369A1
公开(公告)日：2005-10-13
申请号：PCT/IB2005/001064
申请日：2005-03-30
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE , MAUNAND TUSSOT, Corinne , MALEVILLE, Christophe , MORICEAU, Hubert , SOUBIE, Alain
发明人： MAUNAND TUSSOT, Corinne , MALEVILLE, Christophe , MORICEAU, Hubert , SOUBIE, Alain
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method for preparing an oxidised surface of a wafer for bonding with another wafer, the oxidised surface having been subject to an implantation of atomic species, the method including a first step of cleaning the oxidised surface by employing NH 4 OH and H 2 O 2 , and a second step of cleaning by employing hydrochloric species (HCI), wherein the first step is implemented so as to etch from about 10 Å to about 120 Å, and wherein the second step is implemented at a selected temperature below around 50°C during about 10 minutes or less.
摘要翻译：本发明涉及一种制备用于与另一晶片接合的晶片的氧化表面的方法，所述氧化表面已经经受原子物质的注入，所述方法包括通过使用NH 4 OH和H 2 O 2清洁氧化表面的第一步骤，以及通过使用盐酸物质（HCl）进行清洁的第二步骤，其中第一步骤被实施为蚀刻从大约至大约为120埃，并且其中第二步骤在低于约50℃的选定温度下实施约10分钟或更短。

6. 发明申请

WO2003030249A3 PROCEDE DE CARACTERISATION D'UNE ETAPE D'IMPLANTATION DANS UN SUBSTRAT 审中-公开
公开(公告)号：WO2003030249A3
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/FR2002/003281
申请日：2002-09-26
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MALEVILLE, Christophe , SCHWARZENBACH, Walter
发明人： MALEVILLE, Christophe , SCHWARZENBACH, Walter
IPC分类号： H01L21/66
摘要： L'invention concerne un procédé de caractérisation ex situ de dose d'une d'implantation d'au moins une espèce dans un substrat, caractérisé en ce que le procédé comprend : une étape de recuit destinée à provoquer le bullage de l'espèce dans le substrat implanté, une étape d'acquisition d'une image de surface du substrat, une étape de traitement d'image, et on déduit de l'étape de traitement d'image des caractéristiques de dose d'implantation.

7. 发明申请

WO2006082469A1 METHOD FOR APPLYING A HIGH TEMPERATURE TREATMENT TO A SEMIMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
标题翻译：将高温处理应用于半导体滤波器的方法
公开(公告)号：WO2006082469A1
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：PCT/IB2005/000492
申请日：2005-02-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MALEVILLE, Christophe , SCHWARZENBACH, Walter , RENAULD, Vivien
发明人： MALEVILLE, Christophe , SCHWARZENBACH, Walter , RENAULD, Vivien
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/316 , H01L21/762 , C30B33/02
CPC分类号： H01L21/02255 , H01L21/02238 , H01L21/31658 , H01L21/67098
摘要： The invention concerns a method for applying a high temperature treatment to a semiconductor wafer, said method comprising: • A boat in temperature, • A ramp-up to increase the temperature from the boat-in temperature up to a HT temperature, characterized in that: • the boat in temperature has a value of less than 550°C, • the temperature increase of the ramp up between the boat in temperature and the oxidation temperature has a value of 6°C/min or less.
摘要翻译：本发明涉及一种向半导体晶片施加高温处理的方法，所述方法包括：一个温度升高的舟皿，将温度从升温温度升高到HT温度，其特征在于：船温度小于550℃，船体温度升高与氧化温度之间的升温温度为6℃/分钟以下。

8. 发明申请

WO2005013355A1 METHOD OF DETACHING A SEMICONDUCTOR LAYER 审中-公开
标题翻译：分离半导体层的方法
公开(公告)号：WO2005013355A1
公开(公告)日：2005-02-10
申请号：PCT/IB2004/002693
申请日：2004-08-04
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , SCHWARZENBACH, Walter , MALEVILLE, Christophe , BEN MOHAMED, Nadia
发明人： SCHWARZENBACH, Walter , MALEVILLE, Christophe , BEN MOHAMED, Nadia
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254
摘要： The invention relates to a method of detachment of a layer from a wafer of material chosen from semiconductor materials, the method comprising the steps consisting of: creating an embrittlement zone in the thickness of the wafer, the said embrittlement zone defining the layer to be detached in the thickness of the wafer;subjecting the wafer to a treatment to perform detachment of the layer, at the level of the embrittlement zone; characterized in that during the creation of the embrittlement zone, a localized starting region of this zone is constituted, at the level of which the embrittlement zone locally has greater embrittlement, so that this starting region corresponds to a super-embrittled region of the embrittlement zone.
摘要翻译：本发明涉及一种从选自半导体材料的材料的晶片剥离层的方法，该方法包括以下步骤：在晶片的厚度上形成脆化区，所述脆化区限定待分离的层在晶片的厚度上;对晶片进行处理以在脆化区的水平上进行层的剥离; 其特征在于，在脆化区的产生期间，构成该区域的局部起始区域，其脆化区局部具有较大的脆化程度，使得该起始区域对应于脆化区域的超脆化区域。

9. 发明申请

WO2004008527A1 A METHOD OF INCREASING THE AREA OF A USEFUL LAYER OF MATERIAL TRANSFERRED ONTO A SUPPORT 审中-公开
标题翻译：增加有用材料层转移到支持的方法
公开(公告)号：WO2004008527A1
公开(公告)日：2004-01-22
申请号：PCT/EP2003/007855
申请日：2003-07-16
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MALEVILLE, Christophe
发明人： MALEVILLE, Christophe
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76259 , H01L21/76254 , H01L33/0079
摘要： The invention relates to a method of increasing the area of a useful layer (63) of material coming from a source substrate (6) and which is effectively transferred onto a support substrate (7). The invention is remarkable in that the dimensions of the outer outline (C 61 , C 71 ) of one of said source and support substrates (6 and 7), referred to as the "first" substrate (6, 7) are greater than the dimensions of the outer outline (C 71 , C 61 ) of the other substrate referred to as the "second" substrate (7, 6), in that the outer outline (C 6 , C 7 ) of the flat central zone (60, 70) of said first substrate (6, 7) presents dimensions greater than the dimensions of the inner outline (C 7 , C 6 ) of the secondary chamfer (75, 65) of said second substrate (7, 6), and in that during bonding, the substrates (6, 7) are applied one against the other in such a manner that the inner outline (C 7 , C 6 ) of the secondary chamfer (75, 65) of the second substrate (7, 6) is inscribed within the outline (C 6 , C 7 ) of the flat central zone (60, 70) of the first substrate (6, 7). The invention is applicable to fabricating a composite substrate in the field of electronics, optics, or optoelectronics.
摘要翻译：本发明涉及增加源源（6）的有效层（63）的面积并有效地转移到支撑衬底（7）上的方法。本发明的突出之处在于，被称为“第一”衬底（6,7）的所述源极和支撑衬底（6和7）中的一个的外轮廓（C61，C71）的尺寸大于被称为“第二”基板（7,6）的另一基板的外轮廓（C71，C61），即所述第一基板的平坦中心区域（60,70）的外轮廓（C6，C7）（6,7）具有大于所述第二基板（7,6）的二次倒角（75,65）的内轮廓（C7，C6）的尺寸的尺寸，并且在接合期间，基板（6， 7）以这样的方式施加，使得第二基板（7,6）的次级倒角（75,65）的内轮廓（C7，C6）被内接在轮廓（C6，C7）内第一基板（6,7）的平坦的中心区域（60,70）。本发明可应用于制造电子，光学或光电领域的复合衬底。

10. 发明申请

WO2006069945A1 PROCÉDÉ DE TRAITEMENT D'UNE SURFACE DE PLAQUETTE 审中-公开
标题翻译：用于处理波浪表面的方法
公开(公告)号：WO2006069945A1
公开(公告)日：2006-07-06
申请号：PCT/EP2005/057003
申请日：2005-12-21
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , MALEVILLE, Christophe , DELPRAT, Daniel , DELATTRE, Cécile , METRAL, Frédéric
发明人： MALEVILLE, Christophe , DELPRAT, Daniel , DELATTRE, Cécile , METRAL, Frédéric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76251
摘要： L'invention concerne un procédé de traitement de l'une ou l'autre ou les deux surfaces (12, 22), dites « de collage » d'une première plaquette (10), dite "donneuse" et d'une seconde plaquette (20), dite "réceptrice", destinées à être collées l'une contre l'autre. Ce procédé est remarquable en ce qu'il comprend une étape de nettoyage et d'activation, effectuée immédiatement avant le collage desdites plaquettes donneuse (10) et réceptrice (20), par application sur ladite ou lesdites surface(s) de collage (12, 22), d'une solution dite "de traitement", comprenant au moins environ 97 % d'une solution d'ammoniaque (NH 4 OH) dans de l'eau, de préférence déionisée, selon une concentration massique comprise entre environ 0,05 % et 2 %. Application à la fabrication de structures utilisées dans le domaine de l'optique, l'électronique ou optoélectronique.
摘要翻译：本发明涉及一种用于处理表面或两个表面（12,22）的方法，所述表面称为第一被称为施主晶片（10）和第二所谓的接收器晶片（20）的结合表面，其被设计成结合在一起。该方法的特征在于，其包括在所述施主（10）和接收器（20）晶片的接合之前立即通过在所述接合表面（12,22）上施加所述施加到所述接合器（20）晶片上的清洁和激活步骤包含至少97％的氨水溶液（NH 4 OH）的水溶液，优选去离子水，质量浓度范围为约0.05％至2％。本发明对于制造在光学，电子学或光电领域中使用的结构是有用的。

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