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1. 发明申请

WO2005055307A1 PROCESS FOR IMPROVING THE SURFACE ROUGHNESS OF A SEMICONDUCTOR WAFER 审中-公开
标题翻译：用于改善半导体波长的表面粗糙度的方法
公开(公告)号：WO2005055307A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/IB2003/006351
申请日：2003-12-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , MALEVILLE, Christophe , ECARNOT, Ludovic
发明人： NEYRET, Eric , MALEVILLE, Christophe , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02052 , H01L21/324 , H01L21/76251
摘要： The present invention relates to a process for reducing the roughness of the free surface of a semiconductor wafer, said process comprising a single annealing step for smoothing said free surface, said single annealing step being carried out as a RTA under an atmosphere of pure argon, characterized in that before the RTA a chemical cleaning of the wafer surface is carried out so as to reduce the amount of preliminary pollutants on the wafer.
摘要翻译：本发明涉及一种降低半导体晶片的自由表面粗糙度的方法，所述方法包括用于使所述自由表面平滑的单一退火步骤，所述单个退火步骤在纯氩气氛下作为RTA进行，其特征在于，在RTA之前，进行晶片表面的化学清洗以便减少晶片上的初步污染物的量。

2. 发明申请

WO2003005434A3 PROCEDE DE DIMINUTION DE LA RUGOSITE DE SURFACE D'UNE TRANCHE SEMICONDUTRICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2003005434A3
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/FR2002/002341
申请日：2002-07-04
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , ECARNOT, Ludovic
发明人： NEYRET, Eric , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/324
摘要： L'invention propose un procédé de diminution de la rugosité de la surface libre d'une tranche de matériau semiconducteur (50). Un recuit thermique rapide est réalisé dans une atmosphère composée exclusivement d’argon pur. La tranchée peut être obtenue à partir d’un substrat mis en contact avec un raidisseur, par clivage du substrat au niveau d’une zone préalablement affaiblie par implantation.

3. 发明申请

WO2005055308A1 PROCESS FOR IMPROVING THE SURFACE ROUGHNESS OF A WAFER 审中-公开
标题翻译：改善波浪表面粗糙度的方法
公开(公告)号：WO2005055308A1
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/IB2003/006380
申请日：2003-12-03
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , ARENE, Emmanuel , ECARNOT, Ludovic
发明人： NEYRET, Eric , ARENE, Emmanuel , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/02052 , H01L21/76251
摘要： The present invention relates to a process for reducing the roughness of the free surface of a semiconductor wafer, said process comprising a single annealing step for smoothing said free surface, said single annealing step being carried out as a RTA under an atmosphere of pure argon, characterized in that before the RTA the atmosphere of the annealing environment is purged in a controlled manner so as to establish a controlled purged atmosphere allowing reduction of preliminary pollutants on the wafer.
摘要翻译：本发明涉及一种降低半导体晶片的自由表面粗糙度的方法，所述方法包括用于使所述自由表面平滑的单一退火步骤，所述单个退火步骤在纯氩气氛下作为RTA进行，其特征在于，在RTA之前，以受控的方式清除退火环境的气氛，以便建立受控的吹扫气氛，从而减少晶片上的初步污染物。

4. 发明申请

WO2010106101A1 FINISHING METHOD FOR A SUBSTRATE OF "SILICON-ON-INSULATOR" SOI TYPE 审中-公开
标题翻译： “绝缘体绝缘体”SOI基片的整理方法
公开(公告)号：WO2010106101A1
公开(公告)日：2010-09-23
申请号：PCT/EP2010/053460
申请日：2010-03-17
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , SCHWARZENBACH, Walter , KERDILES, Sébastien , REYNAUD, Patrick , ECARNOT, Ludovic , NEYRET, Eric
发明人： SCHWARZENBACH, Walter , KERDILES, Sébastien , REYNAUD, Patrick , ECARNOT, Ludovic , NEYRET, Eric
IPC分类号： H01L21/762
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/02312 , H01L21/30604 , H01L21/31662
摘要： The invention concerns a finishing method for a substrate (1) of silicon-on-insulator SOI type, comprising an oxide layer (3) buried between an active silicon layer (4) and a support layer(2) in silicon, this method comprising the application of finishing steps whose successive steps are:a)rapid thermal annealing RTA of said substrate (1) b)sacrificial oxidation step of its active layer (4), c)rapid thermal annealing RTA of said substrate obtained after step (b), d)sacrificial oxidation step of said active layer of the substrate (1') which underwent step c), this method being characterized in that sacrificial oxidation step b) is conducted so as to remove a first oxide thickness (5) and in that sacrificial oxidation step d) is conducted so as to remove a second oxide thickness thinner than the first.
摘要翻译：本发明涉及一种用于绝缘体上硅SOI类型的衬底（1）的精加工方法，其包括掩埋在硅中的活性硅层（4）和支撑层（2）之间的氧化物层（3），该方法包括应用后续步骤为：a）所述衬底（1）的快速热退火RTA b）其活性层（4）的牺牲氧化步骤，c）在步骤（b）之后获得的所述衬底的快速热退火RTA，，d）经历步骤c）的所述基板（1'）的有源层的牺牲氧化步骤，其特征在于，进行牺牲氧化步骤b）以除去第一氧化物厚度（5），并且因此进行牺牲氧化步骤d）以除去比第一氧化物薄的第二氧化物厚度。

5. 发明申请

WO2003005434A2 PROCEDE DE DIMINUTION DE RUGOSITE DE SURFACE 审中-公开
标题翻译：减少表面粗糙度的方法
公开(公告)号：WO2003005434A2
公开(公告)日：2003-01-16
申请号：PCT/FR2002/002341
申请日：2002-07-04
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , NEYRET, Eric , ECARNOT, Ludovic
发明人： NEYRET, Eric , ECARNOT, Ludovic
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/3247 , H01L21/302 , H01L21/324 , H01L21/76254
摘要： L'invention propose un procédé de diminution de la rugosité de la surface libre d'une tranche de matériau semiconducteur, ledit procédé comprenant une étape de recuit afin de lisser ladite surface libre, caractérisé en ce que le procédé de diminution de rugosité de surface libre comporte un unique recuit de lissage réalisé sous la forme d'un recuit thermique rapide sous une atmosphere composée exclusivement d'argon pur. L'invention propose également une structure réalisée par un tel procédé.
摘要翻译：本发明涉及一种降低半导体材料切片的自由表面粗糙度的方法。所述方法包括退火步骤以平滑所述自由表面。本发明的特征在于，减少自由表面粗糙度的方法包括单独的平滑退火步骤，其在仅由纯氩气组成的气氛中以快速热退火的形式进行。本发明还涉及通过所述方法产生的结构。

6. 发明申请

WO2010122023A2 METHOD TO THIN A SILICON-ON-INSULATOR SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：稀土绝缘子基板的方法
公开(公告)号：WO2010122023A2
公开(公告)日：2010-10-28
申请号：PCT/EP2010/055198
申请日：2010-04-20
申请人： S.O.I.TEC SILICON ON INSULATOR TECHNOLOGIES , REYNAUD, Patrick , ECARNOT, Ludovic , RADOUANE, Khalid
发明人： REYNAUD, Patrick , ECARNOT, Ludovic , RADOUANE, Khalid
IPC分类号： H01L21/306 , H01L21/762 , H01L21/18
CPC分类号： H01L21/30604 , H01L21/76254
摘要： The invention concerns a method to thin an initial silicon-on-insulator SOI substrate, comprising a layer (3) of silicon oxide SiO 2 buried between a silicon carrier substrate (2) and a silicon surface layer. This method is noteworthy in that it comprises the following successive steps consisting of conducting: -thermal oxidation treatment of said initial substrate, to oxidize part of said silicon surface layer, -a first, then a second cycle of etching and cleaning, the first cycle etching being performed so as fully to remove the formed thermal oxide and to lift off all the unstable parts of the edge of said initial substrate, the second cycle etch being conducted to remove from the surface of said thinned substrate the formed polluting particles (5) deposited thereupon, so as to obtain a final SOI substrate(1') whose thinned surface layer (4') forms an active layer.
摘要翻译：本发明涉及一种薄化初始绝缘体上硅SOI衬底的方法，其包括：在硅载体衬底（2）和硅表面层之间掩埋的氧化硅SiO 2层（3）。该方法值得注意的是，它包括以下连续步骤，其包括进行： - 对所述初始衬底进行热氧化处理，以氧化所述硅表面层的一部分，首先，然后进行第二循环的蚀刻和清洁，第一循环执行蚀刻以完全去除所形成的热氧化物并剥离所述初始衬底的边缘的所有不稳定部分，进行第二循环蚀刻以从所述减薄衬底的表面去除形成的污染颗粒（5）沉积在其上，以便获得其变薄的表面层（4'）形成活性层的最终SOI衬底（1'）。

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