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1. 发明申请

WO2012146668A1 STRAHLUNG EMITTIERENDER HALBLEITERCHIP MIT INTEGRIERTEM ESD-SCHUTZ 审中-公开
标题翻译：集成ESD保护发射辐射的半导体芯片
公开(公告)号：WO2012146668A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：PCT/EP2012/057676
申请日：2012-04-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LÖFFLER, Andreas , LEIRER, Christian , BUTENDEICH, Rainer , MEYER, Tobias , PETER, Matthias
发明人： LÖFFLER, Andreas , LEIRER, Christian , BUTENDEICH, Rainer , MEYER, Tobias , PETER, Matthias
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/14
CPC分类号： H01L33/26 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32
摘要： Es wird ein Strahlung emittierender Halbleiterchip (1) mit einer auf einem Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial basierenden Halbleiterschichtenfolge (2) mit einem pn-Übergang angegeben umfassend - eine erste Schutzschicht (3), die gezielt eingebrachte Kristalldefekte (4) aufweist, wobei die erste Schutzschicht (3) zum Schutz des Halbleiterchips (1) vor elektrostatischen Entladungspulsen vorgesehen ist, - eine aktive Zone (7) zur Strahlungserzeugung, die der ersten Schutzschicht (3, 5) in Wachstumsrichtung (W) nachgeordnet ist, wobei sich im Betrieb des Halbleiterchips (1) ein Durchbruchverhalten der Halbleiterschichtenfolge (2) in Sperrrichtung in Bereichen mit Kristalldefekten (4) von Bereichen ohne Kristalldefekte unterscheidet, und wobei bei elektrostatischen Entladungspulsen elektrische Ladung homogen verteilt über die Bereiche mit Kristalldefekten (4) abgeleitet wird.
摘要翻译：它是一种发射辐射的半导体芯片（1）具有具有pn结指示包括基于氮化物的化合物半导体材料的半导体层序列（2） - 具有第一保护层（3）中，故意引入的晶体缺陷（4），其中，所述第一保护层（ 3）（以保护半导体芯片1）被提供防止静电放电脉冲， - 用于产生辐射的有源区（7），其下游设置在所述第一保护层（3,5）在生长方向（W），其中（在半导体芯片1的操作过程中），而不晶体缺陷区分在相反的方向在半导体层序列（2）的在区域中的击穿行为（与区域晶体缺陷4），并且其中在静电放电脉冲电荷均匀地分布在与晶体缺陷的区域（4）被导出。

2. 发明申请

WO2011080249A1 LICHTEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：半导体芯片
公开(公告)号：WO2011080249A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/070761
申请日：2010-12-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , WALTER, Alexander , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , BUTENDEICH, Rainer , HERTKORN, Joachim
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , WALTER, Alexander , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , BUTENDEICH, Rainer , HERTKORN, Joachim
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei ein zur Erzeugung von Strahlung vorgesehener aktiver Bereich (20) zwischen einer n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) und einer p-leitenden Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. In der n-leitenden Mehrschichtstruktur ist ein Dotierprofil ausgebildet, das zumindest eine Dotierspitze (4) aufweist.
摘要翻译：公开的是（1）和具有半导体层序列的半导体主体（2）的半导体芯片，其特征在于，对于n型多层结构（21）和p型半导体层之间产生所提供的辐射激活区（20）（22）布置。在n型多层结构，掺杂分布形成具有至少一个Dotierspitze（4）。

3. 发明申请

WO2011080219A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子半导体芯片和方法及其
公开(公告)号：WO2011080219A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/070658
申请日：2010-12-23
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BUTENDEICH, Rainer , WALTER, Alexander , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , TAKI, Tetsuya , MAIWALD, Hubert
发明人： BUTENDEICH, Rainer , WALTER, Alexander , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , TAKI, Tetsuya , MAIWALD, Hubert
IPC分类号： H01L33/24 , H01L33/02
CPC分类号： H01L27/0248 , H01L27/15 , H01L31/02363 , H01L31/03044 , H01L31/035236 , H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird optoelektronischer Halbleiterchip (100) angegeben, mit - einer ersten Halbleiterschichtenfolge (1), die eine Vielzahl von Mikrodioden (11) umfasst, und - einer zweiten Halbleiterschichtenfolge (2), die einen aktiven Bereich (12) umfasst, wobei - die erste Halbleiterschichtenfolge (1) und die zweite Halbleiterschichtenfolge (2) auf einem Nitrid- Verbindungshalbleitermaterial basieren, - die erste Halbleiterschichtenfolge (1) der zweiten Halbleiterschichtenfolge (2) in Wachstumsrichtung vorgelagert ist, und - die Mikrodioden (11) einen ESD-Schutz für den aktiven Bereich (12) bilden.
摘要翻译：它是设置有光电子半导体芯片（100） - 其包括多个微二极管（11）的第一半导体层序列（1）和 - （2），包括一个有源区域（12），第二半导体层序列，其中 - 所述第一上的氮化物化合物半导体材料的半导体层序列（1）和第二半导体层序列（2）基于， - 所述第一半导体层序列（1）的第二半导体层序列的（2）之前在生长方向，以及 - 微二极管（11），用于所述有源ESD保护形成区域（12）。

4. 发明申请

WO2011009923A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT EINER QUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译： WITH A量子阱结构光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2011009923A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/060658
申请日：2010-07-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , BUTENDEICH, Rainer , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , MEYER, Tobias
发明人： PETER, Matthias , BUTENDEICH, Rainer , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , MEYER, Tobias
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/347 , H01S5/343 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/34 , H01S5/347
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper angegeben, der ein Halbleitermaterial enthält, das aus einer ersten Komponente und einer von der ersten Komponente verschiedenen zweiten Komponente zusammengesetzt ist. Der Halbleiterkörper weist eine Quantentopfstruktur auf, die zwischen einer n-leitenden Schicht (1) und einer p-leitenden Schicht (5) angeordnet ist. Die Quantentopfstruktur besteht aus folgenden Elementen: einer einzelnen Quantentopfschicht (31) oder einem Schichtstapel (3), der aus einer Mehrzahl von Quantentopfschichten (31) und mindestens einer Barriereschicht (32) besteht, wobei zwischen jeweils zwei aufeinander folgenden Quantentopfschichten (31) eine Barriereschicht (32) angeordnet ist, die an beide Quantentopfschichten (31) angrenzt; einer n-seitigen Abschlussschicht (2), die an die n-leitende Schicht (1) und an die einzelne Quantentopfschicht (31) bzw. den Schichtstapel (3) angrenzt; und einer p-seitigen Abschlussschicht (4), die zwischen der p-leitenden Schicht (5) und der einzelnen Quantentopfschicht (31) bzw. dem Schichtstapel (3) angeordnet ist und an den Schichtstapel (3) bzw. die einzelne Quantentopfschicht (31) angrenzt.
摘要翻译：本发明提供含有由第一组分和从第一部件的第二部件不同的方向上的半导体材料的光电子半导体本体。半导体本体具有一个n型层（1）和p型层（5）之间的量子阱结构。量子阱结构由以下元件组成：单量子阱层（31）或层（3）由多个量子阱层（31）和至少一个阻挡层（32）的，其中，每两个相邻的量子阱层（31）之间包括阻挡层的堆叠（32）被布置成两个量子阱层（31）相邻; 形成在n型层上的n侧间隙层（2）（1）和所述单一量子阱层（31）或层堆叠（3）邻近; 和p侧帽层（4），其被布置在所述p型层（5）和单量子阱层（31）或层堆叠之间（3）和所述层堆叠（3）或单量子阱层（31 ）毗邻。

5. 发明申请

WO2010045907A1 OPTOELEKTRONISCHES HALBLEITERBAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：光电半导体器件
公开(公告)号：WO2010045907A1
公开(公告)日：2010-04-29
申请号：PCT/DE2009/001322
申请日：2009-09-16
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , PETER, Matthias , ZEHNDER, Ulrich , TAKI, Tetsuya , LEBER, Andreas , BUTENDEICH, Rainer , BAUER, Thomas
发明人： STRASSBURG, Martin , HÖPPEL, Lutz , PETER, Matthias , ZEHNDER, Ulrich , TAKI, Tetsuya , LEBER, Andreas , BUTENDEICH, Rainer , BAUER, Thomas
IPC分类号： H01L33/40
CPC分类号： H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Halbleiterbauelement mit einer auf einem Nitridverbindungshalbleiter basierenden Halbleiterschichtenfolge (3), die einen n-dotierten Bereich (4), einen p-dotierten Bereich (8) und eine zwischen dem n-dotierten Bereich (4) und dem p-dotierten Bereich (8) angeordnete aktive Zone (5) enthält, angegeben. Der p-dotierte Bereich (8) umfasst eine p-Kontaktschicht (7) aus In x Al y Ga 1-x-y N mit 0 ≤ x ≤ 1, 0 ≤ y ≤ 1 und x + y ≤ 1. Die p-Kontaktschicht (7) grenzt an eine Anschlussschicht (9) aus einem Metall, einer Metalllegierung oder einem transparenten leitfähigen Oxid an, wobei die p-Kontaktschicht (7) an einer Grenzfläche zur Anschlussschicht (9) erste Domänen (1) mit einer Ga-face-Ausrichtung und zweite Domänen (2) mit einer N-face-Ausrichtung aufweist.
摘要翻译：它与光电子半导体器件的基于氮化物化合物半导体层序列（3），其包括n型掺杂区域（4），p掺杂区（8）和n掺杂区域（4）之间和p掺杂包含布置区域（5）（8）所示的活性区域。 p掺杂区（8）包含（7）制成InxAlyGa1-x-yN构成的p接触层，其中0 = X = 1，0 = Y = 1且x + y = 1，p型接触层（7）相邻的连接层（9），在界面处由金属，金属合金或，p接触层（7）上的透明导电氧化物与连接层（9）第一结构域（1）（用Ga面取向区域和第二区域 2）用N面取向。

6. 发明申请

WO2011080144A3 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND VERWENDUNG EINER AUF ALGAN BASIERENDEN ZWISCHENSCHICHT 审中-公开
公开(公告)号：WO2011080144A3
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/070274
申请日：2010-12-20
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , GMEINWIESER, Nikolaus , TAKI, Tetsuya , LUGAUER, Hans-Jürgen , WALTER, Alexander
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , GMEINWIESER, Nikolaus , TAKI, Tetsuya , LUGAUER, Hans-Jürgen , WALTER, Alexander
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/32 , H01L33/02 , H01L33/22 , H01L33/16 , H01L33/12
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des optoelektronischen Halbleiterchips (100) umfasst dieser eine auf GaN, InGaN, AlGaN und/oder InAlGaN basierende Halbleiterschichtenfolge (1). Die Halbleiterschichtenfolge (1) beinhaltet eine p-dotierte Schichtenfolge (2), eine n-dotierte Schichtenfolge (4) und eine aktive Zone (3), die sich zwischen der p-dotierten (2) und der n-dotierten Schichtenfolge (4) befindet. Weiterhin umfasst die Halbleiterschichtenfolge (1) zumindest eine auf Al x Ga 1-x N basierende Zwischenschicht (5), wobei 0

7. 发明申请

WO2011018273A1 ELEKTRISCH GEPUMPTER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：电泵浦光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011018273A1
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/EP2010/059291
申请日：2010-06-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des elektrisch gepumpten optoelektronischen Halbleiterchips (1) weist dieser mindestens zwei strahlungsaktive Quantentröge (2) auf, wobei die strahlungsaktiven Quantentröge (2) InGaN umfassen oder hieraus bestehen. Weiterhin beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) zumindest zwei Deckschichten (4), die AlGaN umfassen oder hieraus bestehen. Jede der Deckschichten (4) ist genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet. Die Deckschichten (4) befinden sich je an einer p-Seite des zugeordneten strahlungsaktiven Quantentrogs (2). Ein Abstand zwischen dem strahlungsaktiven Quantentrog (2) und der zugeordneten Deckschicht (4) beträgt höchstens 1,5 nm.
摘要翻译：在电泵浦光电子半导体芯片的至少一个实施例中（1）包括所述至少两个辐射活性量子阱（2），其中所述辐射 - 活性量子阱（2）或由InGaN构成。此外，光电子半导体芯片（1）包括至少两个覆盖层（4）包含或由AlGaN构成。（4）所述覆盖层中的每一个分配给所述辐射活性量子阱（2）中的一个。外层（4）分别在相关联的辐射活性量子的p侧孔（2）。良好的放射线活性量子之间的距离（2）和相关联的层（4）为至多1.5纳米。

8. 发明申请

WO2010040327A1 LEUCHTMITTEL 审中-公开
标题翻译： LAMPS
公开(公告)号：WO2010040327A1
公开(公告)日：2010-04-15
申请号：PCT/DE2009/001140
申请日：2009-08-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , STRAUSS, Peter , WINDISCH, Reiner , BAUMANN, Frank , PETER, Matthias
发明人： STRAUSS, Peter , WINDISCH, Reiner , BAUMANN, Frank , PETER, Matthias
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L25/0753 , H01L33/08 , H01L33/50 , H01L2224/32225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des Leuchtmittels (1) umfasst dieses mindestens ein optoelektronisches Halbleiterbauteil (2), das im Betrieb bei mindestens einer ersten Wellenlänge (L1) und mindestens einer zweiten Wellenlänge (L2) elektromagnetische Strahlung emittiert, wobei erste Wellenlänge (L1) und zweite Wellenlänge (L2) voneinander verschieden sind und unterhalb von 500 nm, insbesondere zwischen 200 nm und 500 nm, liegen. Weiterhin umfasst das Leuchtmittel (1) mindestens ein Konversionsmittel (3), das die erste Wellenlänge (L1) mindestens teilweise in Strahlung einer anderen Frequenz konvertiert. Das vom Leuchtmittel (1) im Betrieb emittierte Strahlungsspektrum ist metamer zu einem Schwarzkörperspektrum. Durch ein solches Leuchtmittel sind die erste Wellenlänge und die zweite Wellenlänge so wählbar, dass gleichzeitig eine hohe Farbwiedergabequalität und eine hohe Effizienz des Leuchtmittels realisierbar ist.
摘要翻译：在发光装置的至少一个实施例中（1）包括所述至少一个光电半导体器件（2），其操作的至少一个第一波长（L1）和至少一个第二波长（L2）发射电磁辐射时，所述第一波长（L1）和第二波长（L2）彼此和低于500nm的不同，特别是在200nm和500nm之间，是。此外，所述发光装置（1）包括至少一个转换装置（3），其将所述第一波长（L1）至少部分地成不同频率的辐射。在由光源（1）发射在操作辐射光谱是同分异构的黑体光谱。通过这样的照明装置，所述第一波长和第二波长被选择为使得在同一时间高质量的彩色再现和照明装置的高效率可以实现的。

9. 发明申请

WO2009094994A1 OPTOELEKTRONISCHES MODUL UND PROJEKTIONSVORRICHTUNG MIT DEM OPTOELEKTRONISCHEN MODUL 审中-公开
标题翻译：光电模块和投影设备符合光电模块
公开(公告)号：WO2009094994A1
公开(公告)日：2009-08-06
申请号：PCT/DE2009/000103
申请日：2009-01-26
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETERSEN, Kirstin , GRÖTSCH, Stefan , MILLER, Stephan , SPATH, Günter , LINDER, Norbert , EISERT, Dominik , PETER, Matthias
发明人： PETERSEN, Kirstin , GRÖTSCH, Stefan , MILLER, Stephan , SPATH, Günter , LINDER, Norbert , EISERT, Dominik , PETER, Matthias
IPC分类号： H01L27/32
CPC分类号： H04N9/3164 , F21K9/00 , H01L25/0753 , H01L33/44 , H01L33/50 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein optoelektronisches Modul (11) zur Abstrahlung von monochromatischer Strahlung im sichtbaren Wellenlängenbereich angegeben. Das Modul (11) weist mehrere Leuchtdiodenchips (1) auf, die UV-Strahlung erzeugen. Die UV-Strahlung wird von einem Wellenlängenkonverter (2) in Licht im sichtbaren Bereich, beispielsweise in grünes Licht, umgewandelt. Durch den Einsatz zweier selektiv reflektierender und transmittierender Filter (3, 4) wird die Lichtauskopplung des Moduls (11) optimiert. Dieses Modul (11) kann als Lichtquelle in einer Projektionsvorrichtung (12) eingesetzt werden.
摘要翻译：提供了一种用于在可见波长范围内发射的单色辐射的光电模块（11）。所述模块（11）具有多个LED芯片（1），其产生UV辐射。的UV辐射转换为光在可见光范围内，例如，在绿色光的波长转换器（2）的。通过使用两个选择性地反射和透射滤光器（3，4）优化模块（11）的光输出。这个模块（11）可被用作在一个投影装置（12）的光源。

10. 发明申请

WO2009067983A1 LED MIT STROMAUFWEITUNGSSCHICHT 审中-公开
标题翻译： LED具有电流扩展层
公开(公告)号：WO2009067983A1
公开(公告)日：2009-06-04
申请号：PCT/DE2008/001882
申请日：2008-11-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , SABATHIL, Matthias , PETER, Matthias
发明人： SABATHIL, Matthias , PETER, Matthias
IPC分类号： H01L33/00 , H01S5/343 , H01S5/323
CPC分类号： H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/32341 , H01S2301/173 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine LED, die eine strahlungsemittierende aktive Schicht (7), einen n-Kontakt (10), einen p-Kontakt (9) und eine Stromaufweitungsschicht (4) aufweist, angegeben. Die Stromaufweitungsschicht (4) ist zwischen der aktiven Schicht (7) und dem n-Kontakt (10) angeordnet. Ferner weist die Stromaufweitungsschicht (4) eine sich mehrfach wiederholende Schichtfolge auf, die mindestens eine n-dotierte Schicht (44), eine undotierte Schicht (42) und eine Schicht aus Al x Ga 1-x N (43), mit 0 x Ga 1-x N (43) weist einen Konzentrationsgradienten des Al-Gehalts auf.
摘要翻译：它包括一个发射辐射的有源层（7），n接触（10），p接触（9）和一个电流扩散层（4）表示的LED。活性层之间的电流扩散层（4）（7）和设置成n接触（10）。此外，电流扩散层（4）具有层的多次重复的序列，包括至少一个n型掺杂层（44），未掺杂层（42）和的AlxGa1-Xn中的一个层（43）中，用0 X嘎1-X N（43）具有Al含量的浓度梯度。

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