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1. 发明申请

WO2011080249A1 LICHTEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：半导体芯片
公开(公告)号：WO2011080249A1
公开(公告)日：2011-07-07
申请号：PCT/EP2010/070761
申请日：2010-12-27
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , WALTER, Alexander , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , BUTENDEICH, Rainer , HERTKORN, Joachim
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , WALTER, Alexander , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , BUTENDEICH, Rainer , HERTKORN, Joachim
IPC分类号： H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0079 , H01L33/04 , H01L33/14 , H01L33/22 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/382 , H01L2224/16225 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Halbleiterchip (1) angegeben, der einen Halbleiterkörper (2) mit einer Halbleiterschichtenfolge aufweist, wobei ein zur Erzeugung von Strahlung vorgesehener aktiver Bereich (20) zwischen einer n-leitenden Mehrschichtstruktur (21) und einer p-leitenden Halbleiterschicht (22) angeordnet ist. In der n-leitenden Mehrschichtstruktur ist ein Dotierprofil ausgebildet, das zumindest eine Dotierspitze (4) aufweist.
摘要翻译：公开的是（1）和具有半导体层序列的半导体主体（2）的半导体芯片，其特征在于，对于n型多层结构（21）和p型半导体层之间产生所提供的辐射激活区（20）（22）布置。在n型多层结构，掺杂分布形成具有至少一个Dotierspitze（4）。

2. 发明申请

WO2011009923A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERKÖRPER MIT EINER QUANTENTOPFSTRUKTUR 审中-公开
标题翻译： WITH A量子阱结构光电子半导体本体
公开(公告)号：WO2011009923A1
公开(公告)日：2011-01-27
申请号：PCT/EP2010/060658
申请日：2010-07-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , BUTENDEICH, Rainer , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , MEYER, Tobias
发明人： PETER, Matthias , BUTENDEICH, Rainer , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen , WALTER, Alexander , MEYER, Tobias
IPC分类号： H01S5/34 , H01S5/347 , H01S5/343 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01L33/00
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01L33/06 , H01L33/32 , H01S5/305 , H01S5/3063 , H01S5/3213 , H01S5/3215 , H01S5/34 , H01S5/347
摘要： Es wird ein optoelektronischer Halbleiterkörper angegeben, der ein Halbleitermaterial enthält, das aus einer ersten Komponente und einer von der ersten Komponente verschiedenen zweiten Komponente zusammengesetzt ist. Der Halbleiterkörper weist eine Quantentopfstruktur auf, die zwischen einer n-leitenden Schicht (1) und einer p-leitenden Schicht (5) angeordnet ist. Die Quantentopfstruktur besteht aus folgenden Elementen: einer einzelnen Quantentopfschicht (31) oder einem Schichtstapel (3), der aus einer Mehrzahl von Quantentopfschichten (31) und mindestens einer Barriereschicht (32) besteht, wobei zwischen jeweils zwei aufeinander folgenden Quantentopfschichten (31) eine Barriereschicht (32) angeordnet ist, die an beide Quantentopfschichten (31) angrenzt; einer n-seitigen Abschlussschicht (2), die an die n-leitende Schicht (1) und an die einzelne Quantentopfschicht (31) bzw. den Schichtstapel (3) angrenzt; und einer p-seitigen Abschlussschicht (4), die zwischen der p-leitenden Schicht (5) und der einzelnen Quantentopfschicht (31) bzw. dem Schichtstapel (3) angeordnet ist und an den Schichtstapel (3) bzw. die einzelne Quantentopfschicht (31) angrenzt.
摘要翻译：本发明提供含有由第一组分和从第一部件的第二部件不同的方向上的半导体材料的光电子半导体本体。半导体本体具有一个n型层（1）和p型层（5）之间的量子阱结构。量子阱结构由以下元件组成：单量子阱层（31）或层（3）由多个量子阱层（31）和至少一个阻挡层（32）的，其中，每两个相邻的量子阱层（31）之间包括阻挡层的堆叠（32）被布置成两个量子阱层（31）相邻; 形成在n型层上的n侧间隙层（2）（1）和所述单一量子阱层（31）或层堆叠（3）邻近; 和p侧帽层（4），其被布置在所述p型层（5）和单量子阱层（31）或层堆叠之间（3）和所述层堆叠（3）或单量子阱层（31 ）毗邻。

3. 发明申请

WO2011018273A1 ELEKTRISCH GEPUMPTER OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：电泵浦光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2011018273A1
公开(公告)日：2011-02-17
申请号：PCT/EP2010/059291
申请日：2010-06-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
发明人： PETER, Matthias , MEYER, Tobias , OFF, Jürgen , TAKI, Tetsuya , HERTKORN, Joachim , SABATHIL, Matthias , LAUBSCH, Ansgar , BIEBERSDORF, Andreas
IPC分类号： H01L33/32 , H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： In mindestens einer Ausführungsform des elektrisch gepumpten optoelektronischen Halbleiterchips (1) weist dieser mindestens zwei strahlungsaktive Quantentröge (2) auf, wobei die strahlungsaktiven Quantentröge (2) InGaN umfassen oder hieraus bestehen. Weiterhin beinhaltet der optoelektronische Halbleiterchip (1) zumindest zwei Deckschichten (4), die AlGaN umfassen oder hieraus bestehen. Jede der Deckschichten (4) ist genau einem der strahlungsaktiven Quantentröge (2) zugeordnet. Die Deckschichten (4) befinden sich je an einer p-Seite des zugeordneten strahlungsaktiven Quantentrogs (2). Ein Abstand zwischen dem strahlungsaktiven Quantentrog (2) und der zugeordneten Deckschicht (4) beträgt höchstens 1,5 nm.
摘要翻译：在电泵浦光电子半导体芯片的至少一个实施例中（1）包括所述至少两个辐射活性量子阱（2），其中所述辐射 - 活性量子阱（2）或由InGaN构成。此外，光电子半导体芯片（1）包括至少两个覆盖层（4）包含或由AlGaN构成。（4）所述覆盖层中的每一个分配给所述辐射活性量子阱（2）中的一个。外层（4）分别在相关联的辐射活性量子的p侧孔（2）。良好的放射线活性量子之间的距离（2）和相关联的层（4）为至多1.5纳米。

4. 发明申请

WO2012049031A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER HALBLEITERSCHICHTENFOLGE, STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP UND OPTOELEKTRONISCHES BAUTEIL 审中-公开
标题翻译：制造方法的半导体层序列，发射辐射的半导体芯片和光电子器件
公开(公告)号：WO2012049031A1
公开(公告)日：2012-04-19
申请号：PCT/EP2011/067154
申请日：2011-09-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen
发明人： HERTKORN, Joachim , TAKI, Tetsuya , OFF, Jürgen
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/22 , H01L33/16
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/22 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschichtenfolge auf Basis von Nitrid-Verbindungshalbleitermaterial und mit einer mikrostrukturierten Außenfläche sowie ein damit hergestellter Halbleiterchip und ein optoelektronisches Bauteil mit einem derartigen Halbleiterchip angegeben. Das Verfahren umfasst folgende Schritte: A) Aufwachsen zumindest einer ersten Halbleiterschicht der Halbleiterschichtenfolge auf einem Substrat; B) Aufbringen einer Ätzstoppschicht auf der ersten Halbleiterschicht; C) Aufwachsen zumindest einer weiteren Halbleiterschicht auf der in Schritt B) erhaltenen Schichtenfolge; D) Trennen der Halbleiterschichtenfolge vom Substrat, indem dem eine Trennzone der Halbleiterschichtenfolge zumindest teilweise entfernt wird; E) Ätzen der erhaltenen Trennfläche der Halbleiterschichtenfolge mittels eines Ätzmittels, so dass eine Mikrostrukturierung der ersten Halbleiterschicht erfolgt und die mikrostrukturierte Außenfläche gebildet wird.
摘要翻译：本发明提供用于制造基于氮化物化合物半导体材料的半导体层序列和具有微结构化的外表面，和一个这样制造的半导体芯片，并具有这样的半导体芯片的光电装置的方法。该方法包括以下步骤：a。至少一个基板上的半导体层序列的第一半导体层生长）; B）沉积在第一半导体层上形成蚀刻停止层; C）生长在步骤B中获得的化合物）层序列中的至少一个另外的半导体层; D）由半导体层序列的分离区分离基底的半导体层序列的至少部分除去; 携带E）蚀刻通过蚀刻剂的装置所获得的半导体层序列的分离区，从而形成所述第一半导体层和所述微结构化的外表面的微图案化。

5. 发明申请

WO2003026029A1 STAHLUNGSEMITTIERENDES HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译： STAHLUNGSEMITTIERENDES半导体部件与方法研究
公开(公告)号：WO2003026029A1
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003199
申请日：2002-08-30
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , BADER, Stefan , DUMITRU, Viorel , HÄRLE, Volker , KUHN, Bertram , LELL, Alfred , OFF, Jürgen , SCHOLZ, Ferdinand , SCHWEIZER, Heinz
发明人： BADER, Stefan , DUMITRU, Viorel , HÄRLE, Volker , KUHN, Bertram , LELL, Alfred , OFF, Jürgen , SCHOLZ, Ferdinand , SCHWEIZER, Heinz
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/40 , H01L33/14 , H01L33/30 , H01L33/32 , H01L2924/0002 , H01S5/0421 , H01S5/3063 , H01S5/32341 , H01L2924/00
摘要： Die Erfindung beschreibt ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterkörper (1), der eine strahlungserzeugende aktive Schicht (9) und eine p-leitende Kontaktschicht (2) aufweist, die InGaN oder AlInGaN enthält und auf die eine Kontaktmetallisierung (3) aufgebracht ist. Weiterhin beschreibt die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines solchen Halbleiterbauelements.
摘要翻译：本发明涉及一种发射辐射的半导体元件，在有源层，其包括半导体本体（1），设置有（9）产生辐射和一个p类型传导接触层（2），其含有的InGaN或AlInGaN层和其上施加了接触金属化（3）。本发明因此涉及用于制造搜索的半导体部件的方法。

6. 发明申请

WO2014177367A1 HALBLEITERSCHICHTENFOLGE FÜR OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT 审中-公开
标题翻译：半导体层序列的光电子器件
公开(公告)号：WO2014177367A1
公开(公告)日：2014-11-06
申请号：PCT/EP2014/057414
申请日：2014-04-11
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： MEYER, Tobias , OFF, Jürgen
IPC分类号： H01L33/06 , H01S5/34 , H01L33/08
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/32 , H01S5/1096 , H01S5/3086 , H01S5/3408 , H01S5/34333 , H05B33/0803
摘要： Die Halbleiterschichtenfolge (2) weist eine n-leitende Schicht (21), eine p-leitende Schicht (22) und eine dazwischen liegende aktive Zone (3) auf. Die aktive Zone (3) umfasst N Quantentöpfe mit N ≥ 2. In einem ersten Arbeitspunkt (W1) bei einer ersten Stromdichte weisen die Quantentöpfe (33) eine erste Emissionswellenlänge auf und in einem zweiten Arbeitspunkt (W2) bei einer zweiten Stromdichte eine zweite Emissionswellenlänge. Mindestens zwei der ersten Emissionswellenlängen sind voneinander verschieden und die zweiten Emissionswellenlängen unterscheiden sich mindestens zum Teil von den ersten Emissionswellenlängen. Die erste Stromdichte ist kleiner als die zweite Stromdichte und es unterscheiden sich die Stromdichten um mindestens einen Faktor 2 voneinander. Im ersten Arbeitspunkt ist mindestens eine der ersten Emissionswellenlängen eines bestimmten ersten Quantentopfs größer als eine andere der ersten Emissionswellenlängen eines anderen, zweiten Quantentopfs. Im zweiten Arbeitspunkt gilt, dass die zweite Emissionswellenlänge dieses ersten Quantentopfs kleiner als oder gleich der zweiten Emissionswellenlängen des zweiten Quantentopfs ist, sodass eine Differenz zwischen diesen ersten und zweiten Emissionswellenlängen dieser ersten und zweiten Quantentöpfe im oder hin zum zweiten Arbeitspunkt verschwindet oder das Vorzeichen wechselt.
摘要翻译：半导体层序列（2）具有的n型层（21），p型层（22）和中间有源区（3）。活性区（3）包括N个量子阱与N-≥2.在第一工作点（W1）在具有第一发射波长的第一电流密度显示出量子阱（33）和在第二电流密度的第二工作点（W2），第二发射波长，至少两个所述第一发射波长的不同彼此和第二发射波长从所述第一发射波长不同的至少部分。所述第一电流密度小于所述第二电流密度和电流密度由至少一个彼此的2因素不同。在第一操作特定的第一量子阱的第一发射波长的至少一个阱是比其他另一个，第二量子阱的第一发射波长的更大。在第二工作点应用于的该第一量子阱的第二发射波长小于或等于所述第二量子阱的第二发射波长以及，使得所述第一和第二发射波长，所述在或朝着第二操作消失或改变其符号的第一和第二量子阱之间的差。

7. 发明申请

WO2014048907A1 OPTOELEKTRONISCHES BAUELEMENT UND VERFAHREN ZU SEINER HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：光电子器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2014048907A1
公开(公告)日：2014-04-03
申请号：PCT/EP2013/069816
申请日：2013-09-24
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LEIRER, Christian , MEYER, Tobias , PETER, Matthias , OFF, Jürgen , HERTKORN, Joachim , LÖFFLER, Andreas , WALTER, Alexander , SCHIAVON, Dario
IPC分类号： H01L33/06
CPC分类号： H01L33/06 , H01L33/0025 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/025 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32 , H01L33/58
摘要： Ein optoelektronisches Bauelement umfasst eine Schichtstruktur mit einer leuchtaktiven Schicht. Dabei weist die leuchtaktive Schicht in einem ersten lateralen Bereich eine höhere Dichte an V-Defekten auf als in einem zweiten lateralen Bereich.
摘要翻译：一种光电子器件，包括具有发光活性层的层结构。在这种情况下，发光活性层中的V缺陷上更高密度的第一横向区域中比在第二横向区域。

8. 发明申请

WO2021089264A1 OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP UND HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR OPTOELEKTRONISCHE HALBLEITERCHIPS 审中-公开
公开(公告)号：WO2021089264A1
公开(公告)日：2021-05-14
申请号：PCT/EP2020/078010
申请日：2020-10-06
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： CHEN, Xiaojun , WANG, Heng , NA, Jong Ho , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro , OFF, Jürgen , DRECHSEL, Philipp , LEHNHARDT, Thomas
IPC分类号： H01L33/02 , H01L33/06 , H01L33/00 , H01L33/14 , H01L33/24 , H01L33/32
摘要： In einer Ausführungsform umfasst der optoelektronische Halbleiterchip (1) eine Halbleiterschichtenfolge (2), die einen ersten Halbleiterbereich (21) eines ersten Leitfähigkeitstyps, eine aktive Zone (3) zur Strahlungserzeugung mit einer Multiquantentopfstruktur (33), die aus mehreren Quantentopfschichten (31) und Barriereschichten (32) zusammengesetzt ist, sowie einen zweiten Halbleiterbereich (22) eines zweiten Leitfähigkeitstyps beinhaltet. Eine Vielzahl von Kanälen (4) läuft durch die aktive Zone (3). Der zweite Halbleiterbereich (22) füllt die Kanäle (4) aus und ist für eine seitliche Stromeinprägung in die aktive Zone (3) eingerichtet. Im ersten Halbleiterbereich (21) weisen die Kanäle (4) einen ersten halben Öffnungswinkel (B) auf und in der aktiven Zone (3) einen zweiten halben Öffnungswinkel (A). Der zweite halbe Öffnungswinkel (A) ist größer als 0 und kleiner als der erste halbe Öffnungswinkel (B).

9. 发明申请

WO2017144512A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES STRAHLUNGSEMITTIERENDEN HALBLEITERCHIPS UND STRAHLUNGSEMITTIERENDER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：生产辐射发射型半导体芯片和辐射发射型半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2017144512A1
公开(公告)日：2017-08-31
申请号：PCT/EP2017/054016
申请日：2017-02-22
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BERGBAUER, Werner , LEHNHARDT, Thomas , OFF, Jürgen , LAHOURCADE, Lise , DRECHSEL, Philipp
IPC分类号： H01L33/00 , H01L33/24
CPC分类号： H01L33/24 , H01L33/007 , H01L33/0075
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips mit den folgenden Schrittenangegeben: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1), - epitaktisches Aufwachsen einer Pufferschicht (3) auf das Aufwachssubstrat (1), wobei in der Pufferschicht (3) eine Vielzahl an V-Pits (4) erzeugt wird, - epitaktisches Aufwachsen einer strahlungserzeugenden aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) auf die Pufferschicht (3), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die aktive Halbleiterschichtenfolge (5) fortsetzt, - epitaktisches Aufwachsen einer weiteren Schichtenfolge (9) auf die aktive Halbleiterschichtenfolge (5), wobei sich die Struktur der V-Pits (4) in die weitere Schichtenfolge (9) fortsetzt, - Selektives Entfernen der weiteren Schichtenfolge (9) von den Facetten (8) der V-Pits (4), wobei die weitere Schichtenfolge (9) auf der Hauptfläche (12) der aktiven Halbleiterschichtenfolge (5) verbleibt, und - epitaktisches Aufwachsen einer p-dotierten Halbleiterschicht (15), die die V-Pits (4) vollständig oder teilweise ausfüllt. Weiterhin wird ein Halbleiterchip angegeben, der mit diesem Verfahren hergestellt werden kann.
摘要翻译：
一种用于制造发射辐射的半导体芯片，包括以下步骤指示的方法，包括： - 提供在生长衬底（1）， - 在生长衬底（1）上外延生长的缓冲层（3），（在缓冲层 3）多个V凹点（4）中产生， - 外延生长产生辐射的有源半导体层序列（5）的缓冲层（3），其中，所述V凹点（4）的结构继续在有源半导体层序列中（5）上 - 选择性地去除从晶面上的另外的层序列（9）的 - 在有源半导体层序列（5），其中，所述V凹点（4）的结构继续到另一系列的层（9）的，另外的层序列（9）的外延生长（8）V凹点（4），其中，层的进一步序列（9）在有源半导体层序列（5）的主试BEAR表面（12）上保持，以及 - 外延生长p掺杂哈尔导体层（15），V型凹坑（4）完全或部分填充。此外，指定了一个半导体芯片，可以用这种方法生产。

10. 发明申请

WO2015121399A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES OPTOELEKTRONISCHEN HALBLEITERCHIPS UND OPTOELEKTRONISCHER HALBLEITERCHIP 审中-公开
标题翻译：方法用于制造光电子半导体芯片和光电子半导体芯片
公开(公告)号：WO2015121399A1
公开(公告)日：2015-08-20
申请号：PCT/EP2015/053051
申请日：2015-02-13
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： BERGBAUER, Werner , LEHNHARDT, Thomas , OFF, Jürgen , HERTKORN, Joachim
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/12 , H01L33/00 , H01L21/02
CPC分类号： H01L31/1852 , H01L21/0243 , H01L21/02458 , H01L21/02488 , H01L21/0254 , H01L21/02639 , H01L21/02647 , H01L31/03044 , H01L31/1856 , H01L33/0066 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/12 , H01L33/22 , H01L33/32 , H01L2933/0033
摘要： Es wird ein Verfahren zur Herstellung eines elektronischen Halbleiterchips (100) angegeben mit den Schritten: - Bereitstellen eines Aufwachssubstrats (1) mit einer Aufwachsoberfläche (10), die durch eine ebene Fläche (11) mit einer Vielzahl dreidimensional ausgeformter Oberflächenstrukturen (12) auf der ebenen Fläche (11) gebildet wird, - großflächiges Aufbringen einer Nukleationsschicht (2) aus sauerstoffhaltigem AlN unmittelbar auf der Aufwachsoberfläche (10), - Aufwachsen einer Nitrid-basierten Halbleiterschichtenfolge (3) auf der Nukleationsschicht (2), wobei die Halbleiterschichtenfolge (3) selektiv von der ebenen Fläche (11) her aufgewachsen wird. Weiterhin wird ein elektronischer Halbleiterchip angegeben.
摘要翻译：在由平坦表面（11）中所定义提供具有生长表面（10）的生长衬底（1），具有多个三维成型的表面结构（12） - ：一种用于制造通过以下步骤指示的电子的半导体芯片（100）的方法平坦表面（11）形成， - 成核层的大面积应用（2）由氮化铝直接在生长表面（10），含氧的 - 生长的氮化物系半导体层序列（3）在成核层（2）上，其中，所述半导体层序列（3）选择性地从所述平面表面（11）被所述的生长。此外，电子的半导体芯片被指定。

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