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1. 发明申请

WO2010057455A2 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERCHIP 审中-公开
标题翻译：领先的半导体激光芯片
公开(公告)号：WO2010057455A2
公开(公告)日：2010-05-27
申请号：PCT/DE2009/001482
申请日：2009-10-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LAUER, Christian , KÖNIG, Harald , REILL, Wolfgang , STRAUSS, Uwe
发明人： LAUER, Christian , KÖNIG, Harald , REILL, Wolfgang , STRAUSS, Uwe
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/02284 , H01S5/0655 , H01S5/10 , H01S5/1017 , H01S5/1053 , H01S5/1064 , H01S5/1228 , H01S5/1234 , H01S5/1237 , H01S5/2036 , H01S5/2205 , H01S5/4012 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/18
摘要： Kantenemittierender Halbleiterlaserchip (1) mit - einem Halbleiterkörper (100), der zumindest eine aktive Zone (14) umfasst, in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung (10) erzeugt wird, - zumindest einem Kontaktstreifen (2), der auf einer Deckfläche (1a) an einer Oberseite des Halbleiterkörpers (100) angeordnet ist, und - zumindest zwei Begrenzungsstrukturen (4) zur Begrenzung der Stromaufweitung zwischen dem Kontaktstreifen (2) und der aktiven Zone (14), wobei - die Begrenzungsstrukturen (4) beidseitig vom Kontaktstreifen (2) angeordnet sind.
摘要翻译：
（1）具有的边发射半导体激光器芯片 - 一个Halbleiterk＆OUML;主体（100），包括至少一个有源区（14），其中，所述半导体激光器芯片（1）的电磁辐射（10）的操作过程中产生，在半导体＆oUML的上表面枝（1A）;用于限制电流的接触带（2）之间扩展的至少两个限制结构（4） - - 形成的至少一个接触片（2）上的Deckfl BEAR布置rpers（100），和（14），其中 - 所述边界结构（4）布置在所述接触条（2）的两侧上。

2. 发明申请

WO2011032841A2 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2011032841A2
公开(公告)日：2011-03-24
申请号：PCT/EP2010/062812
申请日：2010-09-01
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro , GRÖNNINGER, Günther , LAUER, Christian , KÖNIG, Harald
发明人： GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro , GRÖNNINGER, Günther , LAUER, Christian , KÖNIG, Harald
CPC分类号： H01S5/20 , B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/34313 , H01S2301/16 , H01S2301/166
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einer aktiven, Strahlungserzeugenden Zone (1), und einem Gesamtwellenleiter (8) offenbart, der dazu geeignet ist, die in der aktiven Zone (1) erzeugte Strahlung innerhalb des Halbleiterlasers zu führen. Der Gesamtwellenleiter (8) umfasst eine erste n-dotierte Schicht (4) und eine zweite n- dotierte Schicht (5), die zwischen der ersten n-dotierten Schicht (4) und der aktiven Zone (1) angeordnet ist, wobei der Brechungsindex n2 der zweiten n-dotierten Schicht (5) um einen Betrag dn größer ist als der Brechungsindex n 1 der ersten n-dotierten Schicht (4).
摘要翻译：有一个边发射半导体激光器具有活性，产生辐射的区域（1），并且公开了一种总波导（8），其适于引导在半导体激光器内的活性区（1）所产生的辐射。总波导（8）包括（4）和第二n型掺杂的层设置在所述第一n掺杂层（4）和所述有源区（1），其中，所述折射率（5）之间的第一n掺杂层所述第二n型掺杂层（5）的n2是更大的量的dn比第一n掺杂层（4）的折射率n1。

3. 发明申请

WO2009082999A2 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERCHIP MIT EINEM STRUKTURIERTEN KONTAKTSTREIFEN 审中-公开
标题翻译：具有结构化接触条的边缘主导半导体激光芯片
公开(公告)号：WO2009082999A2
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/DE2008/002131
申请日：2008-12-18
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KOENIG, Harald , LAUER, Christian , BRICK, Peter , SCHMID, Wolfgang , FEHSE, Robin , STRAUSS, Uwe
发明人： KOENIG, Harald , LAUER, Christian , BRICK, Peter , SCHMID, Wolfgang , FEHSE, Robin , STRAUSS, Uwe
IPC分类号： H01S5/042
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S5/0421 , H01S5/1053 , H01S5/16 , H01S5/162 , H01S5/2036 , H01S5/3095 , H01S5/4031 , H01S2301/206
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip angegeben, mit - einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird und - zumindest einem strukturierten Kontaktstreifen (2), der derart strukturiert ist, dass eine Ladungsträgerinjektion in die aktive Zone (14) zu einer Seite des Halbleiterlaserchips (1) hin abnimmt, an der sich eine Auskoppelfacette (3) des Halbleiterlaserchips (1) befindet.
摘要翻译：
本发明提供一种边发射的半导体激光器芯片，其具有 - 一个有源区（14），其中，所述半导体激光器芯片的操作过程中产生的（1）电磁辐射，和 - 至少一个图案化的接触带（2）中，构造成是在向半导体激光器芯片（1）的半导体激光器芯片（1）的去耦面（3）存在的一侧朝向有源区域（14）的电荷载流子注入减少，

4. 发明申请

WO2009082995A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASERCHIP MIT ZUMINDEST EINER STROMBARRIERE 审中-公开
标题翻译：边缘发射半导体激光器芯片与至少一个电流势垒
公开(公告)号：WO2009082995A1
公开(公告)日：2009-07-09
申请号：PCT/DE2008/002085
申请日：2008-12-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , KÖNIG, Harald , LAUER, Christian , MÜLLER, Martin , REUFER, Martin , MAYER, Bernd
发明人： KÖNIG, Harald , LAUER, Christian , MÜLLER, Martin , REUFER, Martin , MAYER, Bernd
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/20
CPC分类号： H01S5/0425 , H01S3/08072 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/1014 , H01S5/168 , H01S5/2004 , H01S5/2205 , H01S5/2231 , H01S5/3095 , H01S5/4031 , H01S5/4081 , H01S2301/18
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaserchip (1) angegeben, mit - zumindest einem Kontaktstreifen (2), wobei der Kontaktreifen (2) eine Breite B aufweist, - einer aktiven Zone (14), in der im Betrieb des Halbleiterlaserchips (1) elektromagnetische Strahlung erzeugt wird, - zumindest zwei Strombarrieren (4), die auf unterschiedlichen Seiten des Kontaktstreifens (2) angeordnet sind und sich längs des Kontaktstreifens (2) erstrecken, wobei der größte Abstand V zwischen zumindest einer der Strombarrieren (4) und dem Kontaktstreifen (3) derart gewählt ist, dass das Verhältnis von größtem Abstand V zur Breite B V/B > 1 ist.
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器芯片（1），具有： - 至少一个接触片（2），其中，所述接触轮胎（2）具有宽度B， - 有源区（14），在半导体激光芯片的操作产生的（1）的电磁辐射是 - 被布置在所述接触带（2）的不同侧并且沿着接触片延伸的至少两个流动屏障（4）（2），其特征在于，当前的障碍的至少一个之间的最大距离V（4）和所述接触片（3）被选择为使得最大距离V与宽度BV / B> 1的比率。

5. 发明申请

WO2011051013A1 KANTENEMITTIERENDER HALBLEITERLASER 审中-公开
标题翻译：边发射半导体激光器
公开(公告)号：WO2011051013A1
公开(公告)日：2011-05-05
申请号：PCT/EP2010/062416
申请日：2010-08-25
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH , LAUER, Christian , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
发明人： LAUER, Christian , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/20 , H01S5/042 , H01S5/32 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/0655 , H01S5/02284 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1082 , H01S5/2004 , H01S5/2018 , H01S5/2036 , H01S5/2081 , H01S5/2086 , H01S5/209 , H01S5/3211 , H01S5/3213 , H01S5/323 , H01S5/4031 , H01S2301/166 , H01S2301/176 , H01S2301/18
摘要： Es wird ein kantenemittierender Halbleiterlaser mit einem Halbleiterkörper (10) angegeben, der einen Wellenleiterbereich (4) aufweist, wobei der Wellenleiterbereich (4) eine erste Wellenleiterschicht (2A), eine zweite Wellenleiterschicht (2B) und eine zwischen der ersten Wellenleiterschicht (2A) und der zweiten Wellenleiterschicht (2B) angeordnete aktive Schicht (3) zur Erzeugung von Laserstrahlung (17) aufweist, der Wellenleiterbereich (4) zwischen einer ersten Mantelschicht (1A) und einer dem Wellenleiterbereich (4) in Wachstumsrichtung des Halbleiterkörpers (10) nachfolgenden zweiten Mantelschicht (1B) angeordnet ist, in dem Halbleiterkörper (10) eine Phasenstruktur (6) zur Selektion lateraler Moden der von der aktiven Schicht (3) emittierten Laserstrahlung ausgebildet ist, wobei die Phasenstruktur (6) mindestens eine Ausnehmung (7) umfasst, die sich von einer Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) in die zweite Mantelschicht (1B) hinein erstreckt, in die zweite Mantelschicht (1B) mindestens eine erste Zwischenschicht (11) aus einem von dem Halbleitermaterial der zweiten Mantelschicht (1B) verschiedenen Halbleitermaterial eingebettet ist, und sich die Ausnehmung (7) von der Oberfläche (5) des Halbleiterkörpers (10) zumindest teilweise bis in die erste Zwischenschicht (11) erstreckt.
摘要翻译：提供了一种边发射半导体激光器包括具有波导区域的半导体主体（10）（4），其中，所述波导区（4）包括第一波导层（2A），第二波导层（2B）与第一波导层之间（2A）和具有第二波导层（2B）（3）为第二包覆层之下产生激光辐射（17），一个第一包层（1A）和在半导体本体（10）的生长方向的波导区域（4）之间的波导区域（4）布置的有源层（1B）被布置在所述半导体主体（10），一个相结构（6）（3）形成所发射的激光辐射的有源层的横向模式的选择中，所述相位结构（6）包括（7）延伸的至少一个凹部从表面（5）在所述第二包覆层（1B）的半导体主体（10）的，延伸到第二Mantelschich 吨第二包层（1B）不同的半导体材料的半导体材料中的一个的（1B）嵌入在至少一个第一中间层（11）和所述凹部（7）的表面（5）的半导体主体（10）至少部分地进入所述的第一中间层（11）。

6. 发明申请

WO2018091527A1 HALBLEITERLASER 审中-公开
公开(公告)号：WO2018091527A1
公开(公告)日：2018-05-24
申请号：PCT/EP2017/079315
申请日：2017-11-15
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LAUER, Christian , SWIETLIK, Tomasz
IPC分类号： H01S5/32
摘要： Es wird ein Halbleiterlaser (10) mit einer aktiven Zone (1) und einem Wellenleiter (2) angegeben, bei dem die aktive Zone eine aktive Schicht (13) aufweist, die im Betrieb des Halbleiterlasers zur Erzeugung elektromagnetischer Strahlung eingerichtet ist. Der Wellenleiter ist zur Führung der im Betrieb des Halbleiterlasers erzeugten elektromagnetischen Strahlung innerhalb des Halbleiterlasers eingerichtet. Der Wellenleiter weist eine Teilregion (210, 220) auf, die aus einem Verbindungshalbleitermaterial gebildet ist, wobei ein Anteil eines Materials des Verbindungshalbleitermaterials in der gesamten Teilregion entlang der vertikalen Richtung zur aktiven Zone hin graduell ansteigt, wodurch ein Brechungsindex der Teilregion zur aktiven Zone hin graduell abnimmt.

7. 发明申请

WO2021165095A1 HALBLEITERLASER UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2021165095A1
公开(公告)日：2021-08-26
申请号：PCT/EP2021/053059
申请日：2021-02-09
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： SWIETLIK, Tomasz , VIERHEILIG, Clemens , ROTH, Michael , LAUER, Christian , FUCHS, Peter
IPC分类号： H01S5/10 , H01S5/028 , H01S5/00
摘要： Es wird ein Halbleiterlaser (10) beschrieben, umfassend eine Halbleiterschichtenfolge (20) mit einer aktiven Schicht (4), die in einem Laserresonator (14) angeordnet ist, wobei der Laserresonator (14) durch einen ersten Resonatorspiegel (11) und einen zweiten Resonatorspiegel (12) begrenzt ist und eine Temperaturabhängigkeit der Emissionswellenlänge (λ) einer von dem Halbleiterlaser (10) emittierten Laserstrahlung (13) durch eine Einstellung der optischen Verluste des Laserresonators (14) minimiert ist. Weiterhin wird ein Verfahren zur Herstellung des Halbleiterlasers (10) beschrieben.

8. 发明申请

WO2013079346A1 HALBLEITERLASERDIODE 审中-公开
标题翻译：激光二极管半导体
公开(公告)号：WO2013079346A1
公开(公告)日：2013-06-06
申请号：PCT/EP2012/073004
申请日：2012-11-19
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： LAUER, Christian , KÖNIG, Harald , STRAUSS, Uwe , BACHMANN, Alexander
IPC分类号： H01S5/024 , H01S5/10 , H01S5/20 , H01S5/042 , H01S5/022
CPC分类号： H01S5/02469 , H01S5/0224 , H01S5/024 , H01S5/02461 , H01S5/0425 , H01S5/10 , H01S5/1064 , H01S5/2036 , H01S5/2054
摘要： Es wird eine Halbleiterlaserdiode mit den folgenden Merkmalen angegeben : eine Halbleiterschichtenfolge (2) mit vertikal übereinander aufgebrachten Halbleiterschichten (21, 22, 23, 25, 26) mit einer aktiven Schicht (23), die einen aktiven Bereich (24) mit einer Breite von größer oder gleich 30 μm aufweist, der im Betrieb Laserstrahlung über eine Strahlungsauskoppelfläche (11) abstrahlt, wobei die Strahlungsauskoppelfläche (11) durch eine Seitenfläche der Halbleiterschichtenfolge (2) gebildet wird und mit einer gegenüberliegenden Rückseitenfläche (12) einen Resonator mit lateraler Gewinnführung in einer longitudinalen Richtung bildet und wobei die Halbleiterschichtenfolge (2) durch den Betrieb in einem thermischen Einflussbereich (29) erwärmt wird, eine Metallisierungsschicht (3) in direktem Kontakt mit einer Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2), wobei die Oberseite (20) durch eine Halbleiterdeckschicht (25) gebildet wird, und eine strukturierte Wärme ableitende Schicht (4) auf der Oberseite (20) der Halbleiterschichtenfolge (2), wobei die strukturierte Wärme ableitende Schicht (4) zumindest die Metallisierungsschicht (3) aufweist, wobei die Metallisierungsschicht (3) eine kumulierte Breite (B1) aufweist und das Verhältnis der kumulierten Breite (B1) zu einer Breite (B2) des thermischen Einflussbereichs (29) in Abhängigkeit von einem Abstand zur Strahlungsauskoppelfläche (11) variiert, wobei die strukturierte Wärme ableitende Schicht (4) eine Wärmeableitung aus dem aktiven Bereich (24) ermöglicht, die entlang einer longitudinalen und/oder lateralen Richtung variiert.
摘要翻译：提供了一种具有以下特征的半导体激光二极管：半导体层序列（2）与具有具有一个宽度的有源层（23），有源区（24）上下重叠淀积的半导体层（21，22，23，25，26）包括大于或等于30妈妈，其通过辐射（11），其中形成穿过所述半导体层序列（2）的一个侧表面上的辐射（11）和相对的后表面在操作发射激光辐射（12）包括具有在侧向增益引导的谐振器形式纵向方向，并且其中所述半导体层序列（2）通过操作在热影响区（29），金属化层加热（3）与该半导体层序列的上表面（20）（2），其中，所述顶表面（20）通过直接接触形成在半导体层（25），并且图案化的散热在半导体层序列（2）的顶部（20），其中，在金属化层构图的散热层（4）至少（3），所述金属化层（3）具有的累积宽度（B1）和之比层（4）累积宽度（B1）到的热影响区（29）的宽度（B2）响应于来自所述辐射去耦合表面的距离（11）而变化，其中该图案化散热层（4），能够使散热从有源区域（24）沿纵向和/或横向方向上变化。

9. 发明申请

WO2021214174A1 HALBLEITERLASER UND LIDAR-SYSTEM SOWIE LASER-SYSTEM MIT DEM HALBLEITERLASER 审中-公开
公开(公告)号：WO2021214174A1
公开(公告)日：2021-10-28
申请号：PCT/EP2021/060440
申请日：2021-04-21
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： FUCHS, Peter , JENTZSCH, Bruno , HALBRITTER, Hubert , BEHRINGER, Martin Rudolf , GOMEZ-IGLESIAS, Alvaro , LAUER, Christian , SCHOKE, Dean Maximilian , SWIETLIK, Tomasz
IPC分类号： H01S5/028 , H01S5/18 , H01S5/30 , H01S5/40 , H01S5/10
摘要： Gemäß Ausführungsformen umfasst ein Halbleiterlaser (10) eine Halbleiterschichtanordnung (112), die eine aktive Zone (115) zur Strahlungserzeugung aufweist. Der Halbleiterlaser (10) weist ferner einen ersten Resonatorspiegel (125), einen zweiten Resonatorspiegel (130) und einen zwischen dem ersten und dem zweiten Resonatorspiegel (125, 130) angeordneten optischen Resonator (131) auf, der sich in einer Richtung parallel zu einer Hauptoberfläche (111) der Halbleiterschichtanordnung (112) erstreckt. Ein Reflexionsvermögen R1 des ersten Resonatorspiegels ist wellenlängenabhängig, so dass R1 oder ein Produkt R aus R1 und dem Reflexionsvermögen R2 des zweiten Resonatorspiegels in einem Wellenlängenbereich von einer Zielwellenlänge λ0 des Lasers bis λ0 + ∆λ von einem Wert R0 abnimmt, wobei ∆λ in Abhängigkeit von einer temperaturabhängigen Verschiebung einer Emissionswellenlänge ausgewählt wird.

10. 发明申请

WO2021144377A1 OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING AN OPTOELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE 审中-公开
公开(公告)号：WO2021144377A1
公开(公告)日：2021-07-22
申请号：PCT/EP2021/050722
申请日：2021-01-14
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： FUCHS, Peter , RUSSELL, Ann , FALCK, Thomas , HALBRITTER, Hubert , JENTZSCH, Bruno , LAUER, Christian
IPC分类号： H01S5/40 , H01S5/42 , H01S5/185 , H01S5/02257 , H01S5/00 , H01S5/10 , H01S5/028 , H01S5/30 , H01S5/183 , H01S3/10061 , H01S5/005 , H01S5/0281 , H01S5/0287 , H01S5/1085 , H01S5/18338 , H01S5/18355 , H01S5/18361 , H01S5/18369 , H01S5/18386 , H01S5/18397 , H01S5/3095 , H01S5/4018 , H01S5/4087 , H01S5/423
摘要： An optoelectronic semiconductor device comprises a plurality of laser devices. Each of the laser devices is configured to emit electromagnetic radiation. The laser devices are horizontally arranged. A first laser device of the plurality of laser devices is configured to emit electromagnetic radiation having a first wavelength different from the wavelength of a further laser device of the plurality of laser devices. A difference between the first wavelength and the wavelength of the further laser device is less than 20 nm.

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