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1. 发明申请

WO2008045545A3 DEFORMATION-BASED CONTACT LITHOGRAPHY SYSTEMS, APPARATUS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：基于变形的接触光刻系统，装置和方法
公开(公告)号：WO2008045545A3
公开(公告)日：2008-10-09
申请号：PCT/US2007021850
申请日：2007-10-12
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , STEWART DUNCAN , WALMSLEY ROBERT G , HARTWELL PETER , WU WEI
发明人： STEWART DUNCAN , WALMSLEY ROBERT G , HARTWELL PETER , WU WEI
IPC分类号： G03F7/00 , G03F1/14
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F1/38 , G03F1/50
摘要： A pattern tool (200 or 200a) and/or substrate (300 or 300a) including one or more strain control regions (208 or 308) to prevent deformation-related misalignment.
摘要翻译：包括一个或多个应变控制区域（208或308）的图案工具（200或200a）和/或衬底（300或300a）以防止与变形有关的未对准。

2. 发明申请

WO2009008923A3 METHODS OF MAKING NANO-SCALE STRUCTURES HAVING CONTROLLED SIZE, NANOWIRE STRUCTURES AND METHODS OF MAKING THE NANOWIRE STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：纳米结构纳米结构的制备方法，纳米结构和纳米结构的制备方法
公开(公告)号：WO2009008923A3
公开(公告)日：2009-08-20
申请号：PCT/US2008004423
申请日：2008-04-02
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , KOBAYASHI NOBUHIKO , WU WEI , STEWART DUNCAN , SHARMA SHASHANK , WANG SHIH-YUAN , WILLIAMS R STANLEY
发明人： KOBAYASHI NOBUHIKO , WU WEI , STEWART DUNCAN , SHARMA SHASHANK , WANG SHIH-YUAN , WILLIAMS R STANLEY
IPC分类号： B82B3/00 , B82B1/00
CPC分类号： H01L31/035281 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , H01L29/0665 , H01L29/0673 , H01L29/068 , H01L31/036 , H01L31/09 , H01L31/101 , H01L31/105 , Y02E10/50 , Y10S977/762 , Y10S977/814
摘要： Methods of making nanometer-scale semiconductor structures with controlled size are disclosed. Semiconductor structures (200, 300, 400, 500, 600. 700) that include one or ore nanowires (104, 204, 304, 404, 504, 604, 704) are also disclosed. The nanowires can include a passivation layer or have a hollow tube structure.
摘要翻译：公开了制造具有可控尺寸的纳米级半导体结构的方法。还公开了包括一个或多个纳米线（104,204,304,404,504,604,704）的半导体结构（200,300,400,500,600,700）。纳米线可以包括钝化层或具有中空管结构。

3. 发明申请

WO2008048215A3 CONTACT LITHOGRAPHY APPARATUS, SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：联系人地平线设备，系统和方法
公开(公告)号：WO2008048215A3
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：PCT/US2006028299
申请日：2006-07-21
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , STEWART DUNCAN , WU WEI
发明人： STEWART DUNCAN , WU WEI
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/7035 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： A contact lithography apparatus (100,220), system (200) and method (300) use a deformation (320) to facilitate pattern transfer (300). The apparatus (100,220), system (200) and method 300 include a spacer (120,226) that provides a spaced apart parallel and proximal orientation 310 of lithographic elements, such as a mask (110,228a,222) and a substrate (130,228b,224), when in mutual contact with the spacer (120,226). One or more of the mask (110,228a,222), the substrate (130,228b,224) and the spacer (120,226) is deformable, such that deformation (320) thereof facilitates the pattern transfer (300).
摘要翻译：接触光刻设备（100,220），系统（200）和方法（300）使用变形（320）以便于图案转印（300）。设备（100,220），系统（200）和方法300包括间隔物（120,226），其提供光刻元件的间隔开的平行和近端取向310，例如掩模（110,228a，222）和基底（130,228b， 224），当与间隔物（120,226）相互接触时。掩模（110,228a，222），基板（130,228b，224）和间隔件（120,226）中的一个或多个可变形，使得其变形（320）有助于图案转印（300）。

4. 发明申请

WO2008013778A3 COMPENSATION FOR DISTORTION IN CONTACT LITHOGRAPHY 审中-公开
标题翻译：补偿联系人LITHOGRAPHY的失败
公开(公告)号：WO2008013778A3
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/US2007016580
申请日：2007-07-24
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , STEWART DUNCAN , WANG SHIH-YUAN , WILLIAMS R STANLEY
发明人： WU WEI , STEWART DUNCAN , WANG SHIH-YUAN , WILLIAMS R STANLEY
IPC分类号： G03F7/00 , B29C59/02
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00
摘要： A method of contact lithography includes predicting distortions likely to occur in transferring a pattern from a mold (110) to a substrate (130) during a contact lithography process: and modifying the mold (110) to compensate for the distortions. A contact lithography system includes a design subsystem (210) configured to generate data describing a lithography pattern: an analysis subsystem (220) configured to identify one or more distortions likely to occur when using a mold (110) created from the data; and a mold modification subsystem (230) configured to modify the data to compensate for the one or more distortions identified by the analysis subsystem (220).
摘要翻译：接触光刻的方法包括预测在接触光刻过程期间将图案从模具（110）转移到衬底（130）时可能发生的变形;以及修改模具（110）以补偿变形。接触光刻系统包括设计子系统（210），其被配置为生成描述光刻图案的数据：分析子系统（220），其被配置为识别当使用由所述数据创建的模具（110）时可能发生的一个或多个失真; 以及模具修改子系统（230），其被配置为修改所述数据以补偿由所述分析子系统（220）识别的所述一个或多个失真。

5. 发明申请

WO2008013886A3 APPARATUS AND METHOD FOR ALIGNMENT USING MULTIPLE WAVELENGTHS OF LIGHT 审中-公开
标题翻译：使用多波长光进行对准的装置和方法
公开(公告)号：WO2008013886A3
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：PCT/US2007016793
申请日：2007-07-25
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , TONG WILLIAM , GAO JUN , PICCIOTTO CARL
发明人： WU WEI , TONG WILLIAM , GAO JUN , PICCIOTTO CARL
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7069 , G03F9/7065 , G03F9/7088
摘要： A method and system are disclosed for aligning a lithography template (120) having a pattern with a sunstrate (130) in preparation for transferring the pattern to a surface of the substrate (130). The system includes an optical imaging system (100) adapted to image a first alignbment structure formed on a top surface of the template (120) using light of a first wavelength and a second alignment structure formed on a top surface of the substrate (130) using light of a second wavelength.
摘要翻译：公开了一种用于将具有图案的光刻模板（120）与太阳光（130）对准以准备将图案转印到基板（130）的表面的方法和系统。该系统包括适于使用第一波长的光和形成在基板（130）的顶表面上的第二对准结构对在模板（120）的顶表面上形成的第一对准结构进行成像的光学成像系统（100）使用第二波长的光。

6. 发明申请

WO2009011878A2 OPTICAL DEVICE INCLUDING WAVEGUIDE GRATING STRUCTURE 审中-公开
标题翻译：包括波导光栅结构的光学器件
公开(公告)号：WO2009011878A2
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/US2008008715
申请日：2008-07-16
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , FATTAL DAVID , SANTORI CHARLES , BICKNELL ROBERT N , WANG SHIH-YUAN , WILLIAMS R STANLEY , QUITORIANO NATHANIEL J
发明人： WU WEI , FATTAL DAVID , SANTORI CHARLES , BICKNELL ROBERT N , WANG SHIH-YUAN , WILLIAMS R STANLEY , QUITORIANO NATHANIEL J
IPC分类号： G02B6/34
CPC分类号： G02B6/12007 , G02B6/124 , G02F1/0126 , G02F1/3515 , G02F2201/307
摘要： Optical devices (100) including waveguide grating structures (102) are described. In accordance with one embodiment, an optical device (100) is provided comprising a horizontal waveguide grating structure (102) having at least one waveguiding layer (104) and at least one subwavelength periodic grating layer (106). The optical device (100) further comprises upper and lower cladding layers (108, 110) immediately adjoining respective upper and lower surfaces (209, 205) of the waveguide grating structure and having refractive indices lower than a lowest-index one of the waveguiding layers, incident radiation propagating (IN) through one of the upper and lower cladding layers (108, 110) toward the waveguide grating structure. The waveguide grating structure (102) is configured for peak reflection of the incident radiation at a peak reflection frequency. A cumulative thickness of the waveguiding layers (104) is less than one tenth of a free space wavelength of the incident radiation at the peak reflection frequency divided by an average refractive index of the waveguiding layers.
摘要翻译：描述了包括波导光栅结构（102）的光学器件（100）。根据一个实施例，提供了一种光学器件（100），其包括具有至少一个波导层（104）和至少一个亚波长周期光栅层（106）的水平波导光栅结构（102）。光学器件（100）还包括紧邻波导光栅结构的相应上表面和下表面（209,205）的上和下包层（108,110），其折射率低于波导层中的最低折射率通过上包层和下包覆层（108,110）中的一个朝向波导光栅结构传播的入射辐射（IN）。波导光栅结构（102）被配置为以峰值反射频率对入射辐射进行峰值反射。波导层（104）的累积厚度小于峰值反射频率处入射的辐射的自由空间波长除以波导层的平均折射率的十分之一。

7. 发明申请

WO2006036433A3 IMPRINT LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHOD EMPLOYING AN EFFECTIVE PRESSURE 审中-公开
标题翻译：印刷机的设备和使用有效压力的方法
公开(公告)号：WO2006036433A3
公开(公告)日：2006-08-10
申请号：PCT/US2005030880
申请日：2005-08-30
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , TONG WILLIAM M , GAO JUN , PICCIOTTO CARL E
发明人： WU WEI , TONG WILLIAM M , GAO JUN , PICCIOTTO CARL E
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： An imprint apparatus (100, 100', 200, 220) and method 300 employ an effective pressure P eff in imprint lithography. The imprint apparatus (100, 100', 200, 220) includes a compressible chamber (111) that encloses an imprint mold (120, 228a) having a mold pattern (122) and a sample (130, 228b) to be imprinted (300). The chamber (111) is compressed (330, 340, 350) to imprint (360) the mold pattern (122) on the sample (130, 228b). The mold (120, 228a) is pressed (350) against the sample (130, 228b) with the effective pressure P eff . The effective pressure P eff is controlled by a selected ratio A cavity /A contact of a cavity area A cavity of the chamber (111) to a contact area A contact between the mold (120, 228a) and the sample (130, 228b).
摘要翻译：压印装置（100,100'，200,220）和方法300在压印光刻中采用有效压力P eff。压印装置（100,100'，200,220）包括可压缩室（111），其包围具有模具图案（122）和要印刷的样品（130,228b）的压印模具（120,228a）（300 ）。腔室（111）被压缩（330,340,350）以在样品（130,228b）上印模（360）模具图案（122）。模具（120,228a）以有效压力P eff被压制（350）抵靠样品（130,228b）。有效压力P eff通过空腔区域A腔的选定比例A / A 来控制，（111）的位置与模具（120,228a）和样品（130,228b）之间的接触区域A _接触。

8. 发明申请

WO2008016651A3 METHOD OF PERFORMING LITHOGRAPHY AND LITHOGRAPHY SYSTEM 审中-公开
标题翻译：执行算术和图像系统的方法
公开(公告)号：WO2008016651A3
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/US2007017195
申请日：2007-07-30
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , PICCIOTTO CARL , GAO JUN , WU WEI , YU ZHAONING
发明人： PICCIOTTO CARL , GAO JUN , WU WEI , YU ZHAONING
IPC分类号： G03F9/00
CPC分类号： G03F9/7092 , G03F9/7038 , G03F9/7042 , G03F9/7088
摘要： Methods of performing lithography include calculating a displacement vector (74) for a lithography tool (50) using an image (60) of a portion of the lithography tool (50) and a portion of a substrate (10) and an additional image (28) of a portion of an additional lithography tool (30) and a portion of the substrate (10). Methods of aligning objects include positioning a second object (30) proximate a first object (10) and acquiring a first image (38) illustrating a feature (32) on a surface of the second object (30) and a feature (18) on a surface of the first object (10). As additional object (50) is positioned proximate the first object (10), and an additional image (60) is acquired that illustrates a feature (52) on a surface of the additional object (50) and the feature (18) on the surface of the first object (10). The additional image (60) is compared with the first image (38). Imprint molds (30, 50) include at least one non-marking reference feature (32, 52) on animprinting surface of the imprint molds (30, 50).
摘要翻译：执行光刻的方法包括使用光刻工具（50）的一部分的图像（60）和基底（10）的一部分和附加图像（28）来计算光刻工具（50）的位移矢量（74））附加光刻工具（30）的一部分和基底（10）的一部分。对准对象的方法包括定位邻近第一物体（10）的第二物体（30）并且获取第二图像（38），该第一图像（38）示出在第二物体（30）的表面上的特征（32）第一物体（10）的表面。随着附加物体（50）被定位在第一物体（10）附近，并且获取附加图像（60），其示出了附加物体（50）的表面上的特征（52）和第一物体（10）的表面。将附加图像（60）与第一图像（38）进行比较。压印模具（30,50）包括在压印模具（30,50）的印模表面上的至少一个非标记参考特征（32,52）。

9. 发明申请

WO2008048491A3 CONTACT LITHOGRAPHY APPARATUS, SYSTEM AND METHOD 审中-公开
标题翻译：接触光刻设备，系统和方法
公开(公告)号：WO2008048491A3
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/US2007021813
申请日：2007-10-12
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , WANG SHIH-YUAN , LI ZHIYONG , WALMSLEY ROBERT
发明人： WU WEI , WANG SHIH-YUAN , LI ZHIYONG , WALMSLEY ROBERT
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/0002 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/7035
摘要： A contact lithography system (100, 200) includes a patterning tool (110, 228a, 510) bearing a pattern (112); a substrate chuck (214) for chucking a substrate (130, 228b) to receive the pattern (112) from the patterning tool (110, 228a, 510); where the system (100, 200) deflects a portion of either the patterning tool (110, 228a, 510) or the substrate (130, 228b) to bring the patterning tool (110, 228a, 510) and a portion of the substrate (130, 228b) into contact; and a stepper (260) for repositioning either or both of the patterning tool (110, 228a, 510) and substrate (130, 228b) to align the pattern (112) with an additional portion of the substrate (130, 228b) to also receive the pattern (112). A method of performing contact lithography comprising: deflecting a portion of either a patterning tool (110, 228a, 510) or a substrate (130, 228b) to bring the patterning tool (110, 228a, 510) and a portion of the substrate (130, 228b) into contact; and repositioning either or both of the patterning tool (110, 228a, 510) and substrate (130, 228b) to align a pattern (112) on the patterning tool (110, 228a, 510) with an additional portion of the substrate (130, 228b) to also receive the pattern (112).
摘要翻译：一种接触光刻系统（100,200）包括承载图案（112）的图案化工具（110,228a，510）; 衬底卡盘（214），其用于夹持衬底（130,228b）以从图案化工具（110,228a，510）接收图案（112）; 其中系统（100,200）使图案化工具（110,228a，510）或衬底（130,228b）的一部分偏转以使图案化工具（110,228a，510）和部分衬底 130，228b）接触; 和步进器（260），其用于重新定位图案形成工具（110,228a，510）和衬底（130,228b）中的任一个或两者以使图案（112）与衬底（130,228b）的另外部分对准接收模式（112）。一种执行接触光刻的方法，包括：使图案化工具（110,228a，510）或衬底（130,228b）的一部分偏转，以使图案化工具（110,228a，510）和衬底的一部分 130，228b）接触; 以及重新定位图案化工具（110,228a，510）和衬底（130,228b）中的任一者或两者以使图案形成工具（110,228a，510）上的图案（112）与衬底（130,228b）的另外部分，228b）也接收图案（112）。

10. 发明申请

WO2007146031A3 IMPRINT LITHOGRAPHY APPARATUS AND METHODS 审中-公开
公开(公告)号：WO2007146031A3
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/US2007013374
申请日：2007-06-06
申请人： HEWLETT PACKARD DEVELOPMENT CO , WU WEI , WANG SHIH-YUAN , YU ZHAONING , WILLIAMS R STANLEY
发明人： WU WEI , WANG SHIH-YUAN , YU ZHAONING , WILLIAMS R STANLEY
IPC分类号： G03F7/00
CPC分类号： B29C37/005 , B29C2035/0827 , B29C2059/023 , B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/0002
摘要： An apparatus for forming a pattern in a curable material carried on a substrate (108) having one or more components with coefficients of thermal expansion that are substantially equal to the coefficient of thermal expansion of the substrate (108).
摘要翻译：在具有一个或多个具有基本上等于衬底（108）的热膨胀系数的热膨胀系数的一个或多个部件的衬底（108）上形成可固化材料的图案形成装置。

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