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1. 发明申请

WO2007142282A1 サービス登録処理システム、カード画像提供装置、カード画像提供方法、及びカード画像提供プログラム审中-公开
标题翻译：服务注册处理系统，卡片图像提供设备，卡片图像提供方法和卡片图像提供程序
公开(公告)号：WO2007142282A1
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/JP2007/061512
申请日：2007-06-07
申请人：楽天株式会社 , 山田善久 , 和田俊弘 , 残田晋 , 有木祐二 , 中谷康宏 , 林大輔 , 谷岳 , 中村正梓
发明人：山田善久 , 和田俊弘 , 残田晋 , 有木祐二 , 中谷康宏 , 林大輔 , 谷岳 , 中村正梓
IPC分类号： G06Q30/00
CPC分类号： G06Q30/00
摘要： Provided are a service registration processing system, a card image providing device, a card image providing method and a card image providing program, which are enabled to allow a user browsing a card image to easily grasp a point to be given (or scheduled to be given) to the user and a point actually given to the user, by displaying first mark information indicating the point to be given (or scheduled to be given) to the user, and second mark information indicating an actually given point, in a display area formed in the card image, while considering a registration step for receiving services and a step of fixing the services.
摘要翻译：提供了一种服务注册处理系统，卡片图像提供装置，卡片图像提供方法和卡片图像提供程序，其能够允许用户浏览卡片图像以容易地掌握要给予的点（或被安排为给予用户和实际给予用户的点，通过在显示区域中显示指示要给予（或调度为给定）的点的第一标记信息和指示实际给定点的第二标记信息形成在卡片图像中，同时考虑接收服务的注册步骤和修复服务的步骤。

2. 发明申请

WO2003067636A1 表面処理装置及び表面処理方法审中-公开
标题翻译：表面处理器件和表面处理方法
公开(公告)号：WO2003067636A1
公开(公告)日：2003-08-14
申请号：PCT/JP2003/000457
申请日：2003-01-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 永関一也 , 大西正 , 村上幸一 , 林大輔 , 上郡明子 , 本多稔
发明人：永関一也 , 大西正 , 村上幸一 , 林大輔 , 上郡明子 , 本多稔
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67161 , G03F7/40 , H01J2237/31 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68785
摘要： Installed in a vacuum chamber (1) is a table (2) for supporting semiconductor wafer (W), which is a treatment subject substrate, with an electron beam irradiation mechanism (6) mounted on the ceiling of the vacuum chamber (1) for generating electron beams (EB). The table (2) is adapted to be vertically moved by a lifting/lowering device (3), allowing the distance between the electron beam irradiating mechanism (6) and the semiconductor wafer (W) to be set at a desired value. This makes it possible to effect a uniform satisfactory treatment over the entire surface of the treatment subject substrate.
摘要翻译：安装在真空室（1）中的是用于支撑作为处理对象衬底的半导体晶片（W）的工作台（2），其中安装有真空室（1）的顶板上的电子束照射机构（6）产生电子束（EB）。工作台（2）适于通过提升/降低装置（3）垂直移动，允许将电子束照射机构（6）和半导体晶片（W）之间的距离设定为期望值。这使得可以对处理对象基板的整个表面实现均匀令人满意的处理。

3. 发明申请

WO2003046969A1 処理装置，ガス放電抑制部材审中-公开
标题翻译：加工装置，以及排气减压器
公开(公告)号：WO2003046969A1
公开(公告)日：2003-06-05
申请号：PCT/JP2002/012349
申请日：2002-11-27
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 檜森慎司 , 遠藤昇佐 , 永関一也 , 窪田知也 , 林大輔
发明人：檜森慎司 , 遠藤昇佐 , 永関一也 , 窪田知也 , 林大輔
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/6831 , H01J2237/2001 , H01L21/67069
摘要： A processing device capable of preventing thermal transfer gas from discharging and accurately controlling the temperature of a treated body, wherein a thermal transfer gas feed part 120 for feeding the thermal transfer gas for controlling the treated body to a specified temperature to a minute space S between an electrostatic chuck 112 for attractingly holding the treated body and the treated body is formed of a thermal transfer gas feed pipe 162 inclined relative to the direction of a magnetic field produced by a high frequency power fed to electrodes and a block part 164 for feeding the thermal transfer gas in a plasma etching device 100 for applying a specified treatment to the surface of the treated body by applying the high frequency power to a lower electrode 110 among a pair of electrodes installed in an airtight processing container 102 opposedly to each other for bringing the processing gas introduced between the electrodes into plasma state.
摘要翻译：一种能够防止热转印气体排出并精确地控制处理体的温度的处理装置，其中，传热气体供给部分120用于将用于控制处理过的主体的热传递气体输送到指定温度至微小的空间S，用于吸引保持处理体和处理体的静电吸盘112由相对于由供给到电极的高频电力产生的磁场的方向倾斜的热传递气体供给管162和用于供给等离子体蚀刻装置100中的热传递气体，用于通过向安装在彼此相对的气密处理容器102中的一对电极中的下电极110施加高频功率而对处理体的表面施加指定的处理，在电极之间引入的处理气体进入等离子体状态。

4. 发明申请

WO2008155978A1 液晶パネルおよび液晶表示装置审中-公开
标题翻译：液晶面板和液晶显示装置
公开(公告)号：WO2008155978A1
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：PCT/JP2008/059683
申请日：2008-05-27
申请人：日東電工株式会社 , 喜多川丈治 , 林大輔 , 石田英樹 , 西部剛史 , 村上奈穗
发明人：喜多川丈治 , 林大輔 , 石田英樹 , 西部剛史 , 村上奈穗
IPC分类号： G02F1/13363 , G02B5/30 , G02F1/1335
CPC分类号： G02F1/133634 , G02F2001/133565
摘要：　全方位で色付のないニュートラルな表示が可能な液晶パネルを提供する。　第１の偏光子１４ａ、第２の偏光子１４ｂおよび液晶セル１３を有し、前記第１の偏光子１４ａが、前記液晶セル１３の視認側に配置され、前記第２の偏光子１４ｂが、前記液晶セル１３のバックライト側に配置された液晶パネルであって、さらに、第１の位相差層１１および第２の位相差層１２を含み、前記第１の位相差層１１の屈折率楕円体は、ｎｘ＝ｎｙ＞ｎｚの関係を示し、前記第２の位相差層１２の屈折率楕円体は、ｎｘ＞ｎｙ≧ｎｚの関係を示し、前記第１の位相差層１１および前記第２の位相差層１２は、前記液晶セル１３および前記第２の偏光子１４ｂの間に配置されていることを特徴とする。
摘要翻译：提供了一种液晶面板，用于使得可以在所有方向上进行中性显示而不着色。一种设置有第一偏振器（14a），第二偏振器（14b）和液晶单元（13）的液晶面板，其中第一偏振器（14a）设置在液晶单元（13）的观看侧，并且第二偏振器（14b）设置在液晶单元（13）的背光源侧，还包括第一延迟层（11）和第二延迟层（12），其特征在于，所述第一偏振器延迟层（11）具有如下关系：nx = ny> nz，第二延迟层（12）的折射椭球表现出关系：nx> ny = nz，第一延迟层（11）和第二延迟层 12）设置在液晶单元（13）和第二偏振器（14b）之间。

5. 发明申请

WO2007072708A1 基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工设备
公开(公告)号：WO2007072708A1
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：PCT/JP2006/324747
申请日：2006-12-12
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 戸澤茂樹 , 村木雄介 , 飯野正 , 林大輔
发明人：戸澤茂樹 , 村木雄介 , 飯野正 , 林大輔
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/02
CPC分类号： H01L21/02057 , H01L21/6719 , H01L21/67207 , H01L21/823807 , H01L21/823814 , H01L29/165 , H01L29/66636 , H01L29/7848
摘要：【課題】チャンバーの内面等にフッ化水素が付着することを防止できる基板処理装置を提供する。【解決手段】基板Ｗをチャンバー内に収納して処理する装置において、チャンバー４０内にフッ化水素ガスを供給するフッ化水素ガス供給路６１を備え、チャンバー４０の内面の一部又は全部が、表面酸化処理が施されていないＡｌ又はＡｌ合金によって形成されている構成とした。チャンバー４０は、チャンバー本体５１の上部開口を閉塞する蓋体５２を備え、少なくとも蓋体５２の内面が、アルマイト処理が施されていないＡｌ又はＡｌ合金によって形成されている構成とした。
摘要翻译：公开了一种能够防止氟化氢粘附到室等的内表面上的基板处理装置。具体公开了将基板W保持在室内并进行处理的装置。该装置包括用于将氟化氢气体供应到室（40）中的氟化氢气体供给通道（61），并且室（40）的内表面的一部分或全部由Al或Al合金制成，不进行表面氧化处理。所述室（40）包括用于封闭室主体（51）的上开口的盖构件（52），并且所述盖构件（52）的至少所述内表面由Al或Al合金制成进行耐氧化铝处理。

6. 发明申请

WO2004001831A1 マグネトロンプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译： MAGNETRON等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2004001831A1
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：PCT/JP2003/007802
申请日：2003-06-19
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 佐東英範 , 林大輔
发明人：佐東英範 , 林大輔
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32834 , H01J37/3266
摘要：マグネトロンプラズマ処理装置は、処理室（１）内で処理空間（Ｓ）内にプラズマを閉じ込めるように、処理空間（Ｓ）と排気口（１１）との間に介在するバッフルプレート（１０）を有する。バッフルプレート（１０）は処理空間（Ｓ）と排気口（１１）とを連通させる複数の貫通孔（１０ｂ）を有する。バッフルプレート（１０）は、バッフルプレート（１０）の存在位置における磁界の磁力線に沿って配置される。
摘要翻译：磁控管等离子体处理装置具有介于处理空间（S）和排出口（11）之间的挡板（10），以便在处理室（1）中的处理空间（S）中封闭等离子体。挡板（10）具有在处理空间（S）和排出口（11）之间连通的通孔（10b）。挡板（10）沿着板所在的位置处的磁场的磁力线设置。

7. 发明申请

WO2003073489A1 プラズマ処理装置及び給電ユニット审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置和进料装置
公开(公告)号：WO2003073489A1
公开(公告)日：2003-09-04
申请号：PCT/JP2003/002381
申请日：2003-02-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 林大輔 , 永関一也 , 檜森慎司 , 松浦淳 , 野中龍
发明人：林大輔 , 永関一也 , 檜森慎司 , 松浦淳 , 野中龍
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32532
摘要： A plasma processing device for introducing a processing gas into an air-tightly-formed processing container, applying a high-frequency power to generate plasma, and plasma-processing an element to be processed disposed in the container. The device comprises an electrode unit provided in the container and having an electrode for applying the high-frequency power, and a space provided in the electrode unit, for insulating the electrode from the container, the space communicating with the atmosphere outside the container.
摘要翻译：一种等离子体处理装置，用于将处理气体引入到气密形成的处理容器中，施加高频电力以产生等离子体，以及等离子体处理设置在容器中的待处理元件。该装置包括设置在容器中并具有用于施加高频电力的电极的电极单元和设置在电极单元中的用于使电极与容器绝缘的空间，与容器外部的大气连通的空间。

8. 发明申请

WO2002065531A1 半導体処理用のフォーカスリング及びプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：用于半导体处理和等离子体处理装置的聚焦环
公开(公告)号：WO2002065531A1
公开(公告)日：2002-08-22
申请号：PCT/JP2002/001101
申请日：2002-02-08
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 根津崇明 , 堀口克己 , 林大輔 , 塚原利也
发明人：根津崇明 , 堀口克己 , 林大輔 , 塚原利也
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32642 , H01J37/32623
摘要： A focus ring for plasma treatment device, comprising an inside area (12a), an intermediate area (12b), and an outside area (12c) positioned in that order from the inside so as to surround a treated substrate (W), wherein the surfaces of the inside area (12a) and the outside area (12c) on the side exposed to plasma are substantially formed of a dielectric and the surface of the intermediate area (12b) is substantially formed of a conductor, and the intermediate area (12b) is disposed so as to move the specific peak of the density of the plasma formed substantially just above the outer peripheral edge of the treated substrate (W) when the intermediate area (12b) is absent from the outer peripheral edge of the treated substrate (W) to the outside.
摘要翻译：一种用于等离子体处理装置的聚焦环，包括内部区域（12a），中间区域（12b）和外部区域（12c），该外部区域（12c）以从内侧依次定位成围绕经处理的基板（W），其中暴露于等离子体的一侧的内部区域（12a）和外部区域（12c）的表面基本上由电介质形成，并且中间区域（12b）的表面基本上由导体形成，并且中间区域（12b ）被设置为当中间区域（12b）不存在于经处理的基板的外周边缘时，移动基本上刚好在处理的基板（W）的外周边缘的上方形成的等离子体的密度的特定峰值（ W）到外面

9. 发明申请

WO2009057386A1 光学フィルム、液晶パネル、および液晶表示装置审中-公开
标题翻译：光学膜，液晶面板和液晶显示器
公开(公告)号：WO2009057386A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/066227
申请日：2008-09-09
申请人：日東電工株式会社 , 村上奈穗 , 喜多川丈治 , 林大輔 , 石田英樹 , 西部剛史
发明人：村上奈穗 , 喜多川丈治 , 林大輔 , 石田英樹 , 西部剛史
IPC分类号： G02B5/30 , B32B7/02 , B32B27/00 , B32B27/30 , G02F1/1335 , G02F1/13363
CPC分类号： G02F1/133528 , G02B5/3025 , G02F1/13363 , G02F2001/133635 , G02F2201/50 , G02F2413/08
摘要：　全方位において色つきのないニュートラルな表示と高コントラストを与える液晶表示装置を提供できる光学フィルムであってクニック欠陥を抑制した光学フィルム、該光学フィルムを用いた液晶パネル、および該液晶パネルを用いた液晶表示装置を提供する。　本発明の光学フィルムは、透明保護フィルム、偏光子、Ｎｚ＝（ｎｘ－ｎｚ）／（ｎｘ－ｎｙ）で定義されるＮｚ係数が１＜Ｎｚ≦２の関係を有する環状オレフィン系フィルムからなる複屈折層をこの順に含み、該偏光子と該複屈折層が金属化合物コロイドを含有するポリビニルアルコール系接着剤を介して直接に積層されてなる。
摘要翻译：本发明提供一种光学膜，其可以实现在所有方位角和高对比度下能够实现无色中性显示的液晶显示器，并且几乎没有缺陷缺陷; 使用薄膜制成的液晶面板; 以及使用面板制成的液晶显示器。一种光学膜，其包括透明保护膜，偏振器和由环烯烃膜制成的双折射层，并且满足以下关系：1 2 [其中Nz =（nx-nz）/（nx-ny）] 并且其中偏振器和双折射层与在两者之间含有金属化合物胶体的聚乙烯醇基粘合剂直接层压。

10. 发明申请

WO2003049170A1 プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置
公开(公告)号：WO2003049170A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/JP2002/012736
申请日：2002-12-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 林大輔 , 小野博夫 , 速水利泰
发明人：林大輔 , 小野博夫 , 速水利泰
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/32623 , H01J37/3266
摘要： A plasma processing device, wherein magnetic segments (22) are installed on an annularly formed rotary body (30), an annular gear (32) for self−rotating is installed adjacent to and coaxially with the rotary body (30), when the rotary body (30) and the gear (32) for self−rotating are rotated relative to each other, pinion gears (35) and gears (34) are rotated by gear teeth (32b) provided along the inner peripheral part of the gear (32) for self−rotating to self−rotating the magnetic segments (22) relative to the rotary body (30) and, when the rotary body (30) and the gear (32) for self−rotating are rotated in synchronism with each other, the magnetic segments (22) are not rotated relative to the rotary body (30) and rotated around a process chamber so as to be revolved together with the rotary body (30), whereby the proper status of magnetic field can be easily controlled and set according to the type of a plasma processing process, and an excellent processing can be easily performed.
摘要翻译：一种等离子体处理装置，其中磁环（22）安装在环形旋转体（30）上，用于自转的环形齿轮（32）安装在旋转体（30）的邻近并同轴的位置，当旋转体主体（30）和用于自转的齿轮（32）相对于彼此旋转，小齿轮（35）和齿轮（34）由沿着齿轮（32）的内周部分设置的齿轮齿（32b）旋转），用于相对于旋转体（30）自旋转磁段（22），并且当用于自旋转的旋转体（30）和齿轮（32）彼此同步地旋转时，磁段（22）不相对于旋转体（30）旋转并且围绕处理室旋转以与旋转体（30）一起旋转，由此可以容易地控制和设置磁场的适当状态根据等离子体处理工艺的类型，可以容易地进行优良的加工 erformed。

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