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1. 发明申请

WO2003085716A1 プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置审中-公开
标题翻译：等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻装置
公开(公告)号：WO2003085716A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/JP2003/004410
申请日：2003-04-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社東芝 , 松山昇一郎 , 本田昌伸 , 永関一也 , 林久貴
发明人：松山昇一郎 , 本田昌伸 , 永関一也 , 林久貴
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01J37/3266 , H01L21/3065
摘要：本発明は、チャンバー内に一対の電極を対向して配置し、両電極の間にシリコン膜と無機材料膜とを隣接して有する被処理基板が配置されるように、一方の電極によって当該被処理基板を支持させる配置工程と、少なくとも一方の電極に高周波電力を印加して前記一対の電極間に高周波電界を形成するとともに、チャンバー内に処理ガスを供給し、前記電界により処理ガスのプラズマを形成し、該プラズマにより前記被処理基板の前記シリコン膜をプラズマエッチングするエッチング工程と、を備え、前記エッチング工程において、前記少なくとも一方の電極に印加する高周波電力の周波数が、５０～１５０ＭＨｚであることを特徴とするプラズマエッチング方法である。
摘要翻译：一种等离子体蚀刻方法，其特征在于包括将一对电极布置在室中的布置步骤，将待处理的基板放置在电极之间，并且将电极之间相邻放置硅膜和无机材料膜，支撑基板和蚀刻步骤，向至少一个电极施加高频电力，以在该对电极之间产生高频电场，将工艺气体供应到腔室中以产生处理气体的等离子体通过电场等离子体蚀刻衬底的硅膜，并且在蚀刻步骤中，施加到至少一个电极的高频功率的频率在50至150的范围内兆赫。

2. 发明申请

WO2003073489A1 プラズマ処理装置及び給電ユニット审中-公开
标题翻译：等离子体加工装置和进料装置
公开(公告)号：WO2003073489A1
公开(公告)日：2003-09-04
申请号：PCT/JP2003/002381
申请日：2003-02-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 林大輔 , 永関一也 , 檜森慎司 , 松浦淳 , 野中龍
发明人：林大輔 , 永関一也 , 檜森慎司 , 松浦淳 , 野中龍
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/32082 , H01J37/32532
摘要： A plasma processing device for introducing a processing gas into an air-tightly-formed processing container, applying a high-frequency power to generate plasma, and plasma-processing an element to be processed disposed in the container. The device comprises an electrode unit provided in the container and having an electrode for applying the high-frequency power, and a space provided in the electrode unit, for insulating the electrode from the container, the space communicating with the atmosphere outside the container.
摘要翻译：一种等离子体处理装置，用于将处理气体引入到气密形成的处理容器中，施加高频电力以产生等离子体，以及等离子体处理设置在容器中的待处理元件。该装置包括设置在容器中并具有用于施加高频电力的电极的电极单元和设置在电极单元中的用于使电极与容器绝缘的空间，与容器外部的大气连通的空间。

3. 发明申请

WO2003019639A1 処理ガスを用いる処理装置およびその運転方法审中-公开
标题翻译：使用处理气体处理装置及其操作方法
公开(公告)号：WO2003019639A1
公开(公告)日：2003-03-06
申请号：PCT/JP2002/008829
申请日：2002-08-30
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 永関一也 , 平山祐介
发明人：永関一也 , 平山祐介
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67017 , C23F4/00 , H01J37/3244 , H01J37/32844 , H01J37/32862 , H01L21/67098 , Y02C20/30 , Y02P70/605
摘要： A treating device (10) includes a treating vessel (11) for effecting a treatment, such as etching, using a treating gas therein, and a gas feeding mechanism (15) for feeding the treating gas into the treating vessel (11). Further, the treating device (10) includes a gas discharging mechanism (14) for discharging the gas after treatment from the treating vessel (11), and a gas circulating mechanism (21) for returning part of the gas being discharged by this gas discharging mechanism (14) into the treating vessel (11). The gas discharging mechanism (14) and gas circulating mechanism (21) are provided with heaters (22A, 22B) for heating them to prevent accumulation of impurities.
摘要翻译：处理装置（10）包括处理容器（11），用于使用其中的处理气体进行诸如蚀刻的处理，以及用于将处理气体供给到处理容器（11）中的气体供给机构（15）。此外，处理装置（10）具有用于从处理容器（11）排出处理后的气体的排气机构（14），以及用于使通过该气体排出排出的部分气体返回的气体循环机构机构（14）进入处理容器（11）。气体排出机构（14）和气体循环机构（21）设置有用于加热它们的加热器（22A，22B），以防止杂质积聚。

4. 发明申请

WO2004061928A1 有機系材料膜をプラズマエッチングするための方法および装置审中-公开
标题翻译：用于等离子体有机材料薄膜的方法和装置
公开(公告)号：WO2004061928A1
公开(公告)日：2004-07-22
申请号：PCT/JP2003/016818
申请日：2003-12-25
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社東芝 , 本田昌伸 , 松山昇一郎 , 永関一也 , 林久貴
发明人：本田昌伸 , 松山昇一郎 , 永関一也 , 林久貴
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31138 , H01J37/32522 , H01J37/32633 , H01J37/32642 , H01J37/32688 , H01J2237/3341
摘要： A support electrode (2) and a counter electrode (16) constituting parallel flat-plate electrodes are disposed in a process container (1). A substrate (W) having an organic material film formed thereon is supported on the support electrode (2). High-frequency power, for forming plasma, having a frequency of at least 40 MHz is applied to this support electrode (2) to form a high-frequency field between the support electrode (2) and the counter electrode (16). A process gas is supplied into the process container (1) to form process gas plasma by means of the high-frequency field. This plasma is used to plasma-etch the organic material film on the substrate (W) with an inorganic material film as a mask. The process gas includes an ionization promoting gas, such as Ar, having an ionization energy from a normal state or an ionization energy from a metastable state of up to 10 eV and a maximum ionized sectional area of at least 2x10 cm .
摘要翻译：构成平行平板电极的支撑电极（2）和对置电极（16）设置在处理容器（1）中。在其上形成有有机材料膜的基板（W）被支撑在支撑电极（2）上。用于形成具有至少40MHz频率的等离子体的高频功率被施加到该支撑电极（2），以在支撑电极（2）和对电极（16）之间形成高频场。将处理气体供给到处理容器（1）中，以通过高频场形成工艺气体等离子体。该等离子体用无机材料膜作为掩模对基板（W）上的有机材料膜进行等离子体蚀刻。工艺气体包括具有来自正常状态的电离能的电离促进气体例如Ar，或者来自亚稳态的电离能高达10eV，最大电离截面积至少为2×10 16 cm 2 >。

5. 发明申请

WO2003067636A1 表面処理装置及び表面処理方法审中-公开
标题翻译：表面处理器件和表面处理方法
公开(公告)号：WO2003067636A1
公开(公告)日：2003-08-14
申请号：PCT/JP2003/000457
申请日：2003-01-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 永関一也 , 大西正 , 村上幸一 , 林大輔 , 上郡明子 , 本多稔
发明人：永関一也 , 大西正 , 村上幸一 , 林大輔 , 上郡明子 , 本多稔
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/67161 , G03F7/40 , H01J2237/31 , H01L21/67115 , H01L21/67248 , H01L21/68742 , H01L21/68785
摘要： Installed in a vacuum chamber (1) is a table (2) for supporting semiconductor wafer (W), which is a treatment subject substrate, with an electron beam irradiation mechanism (6) mounted on the ceiling of the vacuum chamber (1) for generating electron beams (EB). The table (2) is adapted to be vertically moved by a lifting/lowering device (3), allowing the distance between the electron beam irradiating mechanism (6) and the semiconductor wafer (W) to be set at a desired value. This makes it possible to effect a uniform satisfactory treatment over the entire surface of the treatment subject substrate.
摘要翻译：安装在真空室（1）中的是用于支撑作为处理对象衬底的半导体晶片（W）的工作台（2），其中安装有真空室（1）的顶板上的电子束照射机构（6）产生电子束（EB）。工作台（2）适于通过提升/降低装置（3）垂直移动，允许将电子束照射机构（6）和半导体晶片（W）之间的距离设定为期望值。这使得可以对处理对象基板的整个表面实现均匀令人满意的处理。

6. 发明申请

WO2003043072A1 エッチング方法及びプラズマエッチング装置审中-公开
标题翻译：蚀刻方法和等离子体蚀刻
公开(公告)号：WO2003043072A1
公开(公告)日：2003-05-22
申请号：PCT/JP2002/011844
申请日：2002-11-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 株式会社東芝 , 本田昌伸 , 永関一也 , 木田花子 , 八田浩一 , 伊藤洋文 , 稲沢剛一郎 , 林久貴
发明人：本田昌伸 , 永関一也 , 木田花子 , 八田浩一 , 伊藤洋文 , 稲沢剛一郎 , 林久貴
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32082 , H01L21/31116
摘要： A plasma etching method for setting a large etching ratio and forming a properly shaped hole, and a plasma etcher. For etching an etching target film (204) with a patterned organic film (202) as a mask, a treatment gas is introduced into a hermetic treatment container (104). A lower electrode (106) is provided with a high−frequency power source (122) of e.g. 40MHz and a high−frequency source (128) of 3.2MHz to impress two different high−frequency powers on the lower electrode. A suitable combination of the sizes of the high−frequency powers enables etching treatment by a low plasma electron density (Ne) and high self−bias voltage (Vdc).
摘要翻译：用于设定大蚀刻比率并形成适当形状的孔的等离子体蚀刻方法和等离子体蚀刻器。为了蚀刻具有图案化有机膜（202）作为掩模的蚀刻目标膜（204），将处理气体引入密封处理容器（104）中。下电极（106）设置有例如高压电源（122）。 40MHz和3.2MHz的高频源（128），以在下电极上施加两个不同的高频功率。高频功率尺寸的合适组合可以通过低等离子体电子密度（Ne）和高自偏压（Vdc）进行蚀刻处理。

7. 发明申请

WO2002067313A1 プラズマエッチング方法及び装置审中-公开
标题翻译：等离子体蚀刻方法和装置
公开(公告)号：WO2002067313A1
公开(公告)日：2002-08-29
申请号：PCT/JP2002/001627
申请日：2002-02-22
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 瀬川澄江 , 伝宝一樹 , 石原博之 , 永関一也
发明人：瀬川澄江 , 伝宝一樹 , 石原博之 , 永関一也
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32082
摘要： Plasma of an etching gas and a dilute gas is generated between an upper electrode and a lower electrode, and neutral particles, ionized by a charge exchange reaction between ions in the plasma and neutral particles, are implanted into a semiconductor wafer (W) for etching. During etching, a mixture ratio between helium gas and argon gas that are used as the dilute gas is changed according to how a shield ring provided around the upper electrode is used to thereby enhance the in-plane uniformity of an etching rate. A parallel flat-plate etching device which generates plasma of the above etching gas by applying a high-frequency voltage to between first and second electrodes and allowing the etching gas to flow in, and which uses the plasma to etch a semiconductor wafer disposed on the second electrode, wherein the first electrode is so formed as to gradually approach the second electrode as it extends in a radially outward direction to thereby control plasma density distribution characteristics in the radial direction of a substrate to be treated.
摘要翻译：在上部电极和下部电极之间产生蚀刻气体和稀释气体的等离子体，并且通过等离子体和中性粒子中的离子之间的电荷交换反应离子化的中性粒子被注入用于蚀刻的半导体晶片（W）。在蚀刻期间，根据如何使用设置在上电极周围的屏蔽环来改变用作稀释气体的氦气和氩气之间的混合比，从而提高蚀刻速率的面内均匀性。一种平行平板蚀刻装置，其通过在第一和第二电极之间施加高频电压并允许蚀刻气体流入并使用等离子体蚀刻设置在第一和第二电极上的半导体晶片，从而产生上述蚀刻气体的等离子体第二电极，其中第一电极形成为当其沿径向向外的方向延伸时逐渐接近第二电极，从而控制待处理的基板的径向方向上的等离子体密度分布特性。

8. 发明申请

WO2004019398A1 マグネトロンプラズマ用磁場発生装置审中-公开
标题翻译： MAGNETRON等离子体使用磁场产生装置
公开(公告)号：WO2004019398A1
公开(公告)日：2004-03-04
申请号：PCT/JP2003/010583
申请日：2003-08-21
申请人：信越化学工業株式会社 , 東京エレクトロン株式会社 , 宮田浩二 , 手塚一幸 , 達下弘一 , 小野博夫 , 永関一也 , 檜森慎司
发明人：宮田浩二 , 手塚一幸 , 達下弘一 , 小野博夫 , 永関一也 , 檜森慎司
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/31116 , H01J37/32623 , H01J37/3266 , H01J37/32688 , H01L21/31138 , H01L21/32137 , H01L21/67069
摘要：　　被処理基板を収容して所定の処理を施すための処理室の外側に設けられ、複数の磁石セグメントを有し、処理室内の被処理基板の周囲に所定のマルチポール磁場を形成するマグネトロンプラズマ用磁場発生装置に関し、処理室内のマルチポール磁場強度を制御できるようにすることによって、プラズマ処理プロセスの違いに応じて適切なマルチポール磁場の状態を設定することができ、更に、被処理基板のサイズに合わせてマルチポール磁場を形成することができる。
摘要翻译：一种磁控管等离子体使用磁场产生装置，设置在处理室的外侧，用于容纳待处理的基板进行指定的处理，具有多个磁体段，并在基板周围形成指定的多极磁场在处理室中进行处理，其中控制处理室中的多极磁场强度的能力可以根据等离子体处理过程中的差异设置适当的多极磁场条件，并且进一步形成多极磁与要处理的基板的尺寸一致。

9. 发明申请

WO2004003988A1 プラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2004003988A1
公开(公告)日：2004-01-08
申请号：PCT/JP2003/007960
申请日：2003-06-24
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 山口智代 , 布瀬暁志 , 藤本究 , 本田昌伸 , 永関一也 , 高明輝 , 榎本隆 , 伊藤弘治 , 北村彰規
发明人：山口智代 , 布瀬暁志 , 藤本究 , 本田昌伸 , 永関一也 , 高明輝 , 榎本隆 , 伊藤弘治 , 北村彰規
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/312
摘要：プラズマ処理方法は、表面に有機層を有する被処理体プラズマ処理方法は、表面に有機層を有する被処理体を準備する工程と、前記被処理体に対して、Ｈ２のプラズマを照射して前記有機層の耐プラズマ性を向上させる工程とを有する。
摘要翻译：一种等离子体处理方法，包括提供其表面上具有有机层的待处理元件的步骤，以及将H 2等离子体施加到被处理元件以提高有机层的等离子体电阻的步骤。

10. 发明申请

WO2003050862A1 プラズマエッチング方法审中-公开
标题翻译：等离子体蚀刻法
公开(公告)号：WO2003050862A1
公开(公告)日：2003-06-19
申请号：PCT/JP2002/012867
申请日：2002-12-09
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 永関一也 , 三村高範 , 宮島弘樹
发明人：永関一也 , 三村高範 , 宮島弘樹
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , H01J37/32623 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3083
摘要： An etching method for forming a recess (220) having an opening dimension (R) of millimeter order in an object (212) to be etched such as a semiconductor wafer. A mask (214) having an opening corresponding to the recess (220) is formed on the object (212). The object (212) with the mask (214) is placed in a processing vessel for plasma etching and etched in it using a plasma. The material of the portion around the opening of the mask (214) is the same as the material, for example, silicon of the object (212). Hence, the recess (220) can be so formed as not to form a sub−trench shape (a shape formed by etching the periphery of which is deeper than the center) substantially in the bottom (222).
摘要翻译：一种蚀刻方法，用于在被蚀刻的物体（212）中形成具有毫米级的开口尺寸（R）的凹部（220），例如半导体晶片。在物体（212）上形成具有对应于凹部（220）的开口的面罩（214）。将具有掩模（214）的物体（212）放置在用于等离子体蚀刻的处理容器中，并使用等离子体蚀刻在其中。掩模（214）的开口周围部分的材料与物体（212）的材料（例如硅）相同。因此，凹部（220）可以形成为不形成基本上在底部（222）中形成副沟槽形状（通过蚀刻其周边比中心更深的形状形成的形状）。

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