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1. 发明申请

WO2010029607A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2010029607A1
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：PCT/JP2008/066229
申请日：2008-09-09
申请人：株式会社東芝 , 青木伸也 , 久保光一 , 塚本隆之 , 平井隆大 , 鎌田親義 , 中居司
发明人：青木伸也 , 久保光一 , 塚本隆之 , 平井隆大 , 鎌田親義 , 中居司
IPC分类号： H01L27/10 , G11B9/04 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/1233 , G11B9/04 , G11C13/0011 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/085 , H01L45/146
摘要：　第１金属元素を含む第１酸化物と、第１酸化物と同じ結晶構造を有し、第１金属元素と異なる第２金属元素を含む第２酸化物と、の混晶を含む第１化合物を含む第１層を有する記録層と、前記記録層への電圧の印加、及び、前記記録層への電流の通電、の少なくともいずれかによって、前記記録層に状態変化を発生させて情報を記録する駆動部と、を備え、前記第１金属元素及び前記第２金属元素のうちイオン半径の小さい方の組成比は、前記結晶構造に基づく、前記第１金属元素のイオン及び前記第２金属元素のイオンがつくる格子の浸透しきい値以上であることを特徴とする情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：信息记录/再现装置设有记录层和驱动部分。记录层具有含有第一化合物的第一层。第一化合物包含含有第一金属元素的第一氧化物和具有与第一氧化物相同的晶体结构的第二氧化物的混合晶体，并且含有与第一金属元素不同的第二金属元素。驱动部通过至少向记录层施加电压或向记录层传送电流来改变记录层的状态来记录信息。具有较小离子半径的第一金属元素或第二金属元素的组成比是基于晶体的第一金属元素的离子和第二金属元素的离子或更高的离子形成的晶格的渗透的阈值结构体。

2. 发明申请

WO2009122571A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2009122571A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2008/056498
申请日：2008-04-01
申请人：株式会社東芝 , 中居司 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 久保光一 , 平岡俊郎 , 山口豪
发明人：中居司 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 久保光一 , 平岡俊郎 , 山口豪
IPC分类号： G11B9/04
CPC分类号： G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/149 , G11B11/002 , G11B11/08 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C16/0483 , G11C2211/565 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1266 , H01L45/147
摘要：　高記録密度及び低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置を提供する。　本発明の情報記録再生装置は、異なる電気抵抗率の２以上の状態が記録される記録層と、記録層に電圧又は電流を与えて記録層の状態を変化させるときに陽極側となる記録層の一端に配置される導電性酸化物層とを備える。導電性酸化物層の電気抵抗率は、記録層の電気抵抗率の最小値よりも小さい。導電性酸化物層は、(i) ZnO、SnO 2 、CoO、TiO s (1≦s≦2)、In 2 O 3 、IrO 2 、RuO 2 のグループから選択される主成分としての第１材料と、(ii) Ga 2 O 3 、Al 2 O 3 、Nb 2 O 5 、SnO 2 、Ta 2 O 5 、Sb 2 O 3 、ZnO、TiO s (1≦s≦2)のグループから選択されるドーパントとしての第２材料との混合体から構成される。
摘要翻译：本发明提供一种能够实现高记录密度和低功耗的非易失性信息记录/再现装置。信息记录/再现装置包括其上记录有两个或多个不同电阻状态的记录层和设置在记录层一端的导电氧化物层，当将电压或电流施加到记录层时，改变记录层的状态，在阳极一侧。导电氧化物层的电阻小于记录层的电阻的最小值。导电氧化物层由（i）第一材料作为主要成分的混合物形成，所述第一材料选自ZnO，SnO 2，CoO，TiO（其中1 = s = 2），In 2 O 3，IrO 2和RuO 2，和（ii）选自由Ga 2 O 3，Al 2 O 3，Nb 2 O 5，SnO 2，Ta 2 O 5，Sb 2 O 3，ZnO和TiO（其中1 = s = 2）组成的组中的掺杂剂的第二材料。

3. 发明申请

WO2010103609A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2010103609A1
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：PCT/JP2009/054462
申请日：2009-03-09
申请人：株式会社東芝 , 平井隆大 , 中居司 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也
发明人：平井隆大 , 中居司 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/00
CPC分类号： H01L27/0688 , G11C13/0007 , G11C2213/71 , G11C2213/77 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1675
摘要：　本発明の例に係わる情報記録再生装置は、半導体基板３１と、半導体基板３１上に形成される第一内部接続層ＩＣＡ１と、第一内部接続層ＩＣＡ１上に形成される第一メモリセルアレイ層ＭＡＬ１と、第一メモリセルアレイ層ＭＡＬ１上に形成される第二内部接続層ＩＣＡ２とを備える。第一メモリセルアレイ層ＭＡＬ１は、アライメントマーク２２Ｂを有する絶縁層２１と、絶縁層２１上に形成され、記録層２５及び電極層２６を含む積層構造とから構成され、積層構造内の全ての層は、可視光の透過率が１％以上の材料から構成される。
摘要翻译：信息记录/再现装置设置有半导体基板（31），形成在半导体基板（31）上的第一内部连接层（ICA1），形成在第一内部连接层上的第一存储单元阵列层（MAL1） ICA1）和形成在第一存储单元阵列层（MAL1）上的第二内部连接层（ICA2）。第一存储单元阵列层（MAL1）由具有对准标记（22B）的绝缘层（21）和形成在绝缘层（21）上并包括记录层（25）和多层结构电极层（26）。多层结构中的所有层由可见光透过率为1％以上的材料构成。

4. 发明申请

WO2009122568A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2009122568A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2008/056493
申请日：2008-04-01
申请人：株式会社東芝 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
发明人：久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
IPC分类号： G11B9/04
CPC分类号： B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/1481 , G11B9/149 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/101
摘要：　第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に挟持され、前記第１の層と前記第２の層とを介して供給される電流により、抵抗が低い第１の状態と抵抗が高い第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を備え、前記記録層は、少なくとも２種類の陽イオン元素を有する化合物であって、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素である第１化合物を含む第１化合物層と、少なくとも１種類の電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素を有する化合物であって、前記陽イオン元素を収容可能な空隙サイトを有する第２化合物を含む第２化合物層と、を有することを特徴とする情報記録再生装置が提供される。高記録密度かつ低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种可实现高记录密度和低功耗的非易失性信息记录/再现装置。信息记录/再现装置的特征在于，信息记录/再现装置包括第一层，第二层和保持在第一层和第二层之间的记录层，其在低电阻第一状态以及高电阻第二状态，并且所述记录层包括第一化合物层，所述第一化合物层包含第一化合物，所述第一化合物是含有至少两个阳离子元素的化合物，其中至少一个是具有未完全充满电子的轨道的过渡元素和包含第二化合物的第二化合物层，其包含至少一个具有未完全充满电子的轨道的过渡元素，并具有能够存储阳离子元素的间隙位点。

5. 发明申请

WO2009122567A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2009122567A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2008/056492
申请日：2008-04-01
申请人：株式会社東芝 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
发明人：久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 中居司 , 平岡俊郎
IPC分类号： H01L27/10 , G11B9/04 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/149 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/51 , G11C2213/53 , G11C2213/55 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/147
摘要：　第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に挟持され、前記第１の層と前記第２の層とを介して供給される電流により、抵抗が低い第１の状態と抵抗が高い第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を備え、前記記録層は、少なくとも２種類の陽イオン元素を有する化合物であって、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素であり、前記陽イオン元素の少なくともいずれかは周期表の１族～４族の元素及び１２族～１７族の元素から選択される元素である第１化合物を含む第１化合物層と、周期表の１族～４族の元素及び１２族～１７族の元素から選択される元素からなる第３化合物を含む絶縁層と、を有することを特徴とする情報記録再生装置が提供される。高記録密度かつ低消費電力で、熱安定性が高く、安定動作可能な不揮発性の情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：本发明提供了一种包括第一层，第二层和记录层的信息记录/再现装置，其被保持在第一层和第二层之间，并且在通过第一层和第二层的电流供应经历电阻从低电阻第一状态到高电阻第二状态的可逆转变，反之亦然。信息记录/再现装置的特征在于，记录层包括第一化合物层和绝缘层，第一化合物层含有含有至少两个阳离子元素的第一化合物，至少一个阳离子元素是具有轨道未完全填充电子，至少一个阳离子元素是选自元素周期表的第1至4族元素和第12至17族元素的元素，并且绝缘层包含第三种化合物，其包含选自组1的元素到元素周期表的4个元素和第12到17个元素。信息记录/再现装置可以实现高密度记录，低功耗，高热稳定性和稳定运行，是非易失性的。

6. 发明申请

WO2010029634A1 抵抗変化素子及び情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：电阻变化元件和信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2010029634A1
公开(公告)日：2010-03-18
申请号：PCT/JP2008/066471
申请日：2008-09-11
申请人：株式会社東芝 , 中居司 , 塚本隆之 , 鎌田親義 , 青木伸也 , 平井隆大 , 久保光一
发明人：中居司 , 塚本隆之 , 鎌田親義 , 青木伸也 , 平井隆大 , 久保光一
IPC分类号： H01L27/10 , G11B9/04 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11B9/04 , B82Y10/00 , G11C11/56 , G11C13/003 , G11C16/0483 , G11C2211/565 , G11C2213/17 , G11C2213/35 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/24 , H01L45/04 , H01L45/145
摘要：　印加される電圧及び通電される電流の少なくともいずれかによって電気抵抗率の異なる複数の状態を呈する第１抵抗変化層と、前記第１抵抗変化層に積層して設けられ、前記第１抵抗変化層とは異なる組成を有し、印加される電圧及び通電される電流の少なくともいずれかによって電気抵抗率の異なる複数の状態を呈する第２抵抗変化層と、を有する抵抗変化部と、前記抵抗変化部の膜面に垂直に電圧の印加及び電流の通電の少なくともいずれかを行う電極層と、を備え、前記第１抵抗変化層における異なる複数の状態どうしの間を遷移する電圧及び電流の少なくともいずれかと、前記第２抵抗変化層における異なる複数の状態どうしの間を遷移する電圧及び電流の少なくともいずれかとが互いに異なっていることを特徴とする抵抗変化素子が提供される。
摘要翻译：提供了一种电阻变化元件，其包括电阻变化部分，该电阻变化部分包括通过施加电压和施加电流中的至少一个呈现出不同电阻率的多个状态的第一电阻变化层和第二电阻变化部分层通过施加的电压和施加的电流中的至少一个而显示出不同的电阻率的多个状态。还包括用于执行与电阻变化部分的膜面垂直的电压施加和电流施加中的至少一个的电极层。电阻变化元件的特征在于，在第一电阻变化层中的多个不同状态之间要传输的电压和电流中的至少一个以及多个不同状态之间的电压和电流之间的至少一个到第二电阻变化层彼此不同。

7. 发明申请

WO2009122572A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录和更换设备
公开(公告)号：WO2009122572A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2008/056499
申请日：2008-04-01
申请人：株式会社東芝 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 山口豪 , 中居司 , 平井隆大 , 青木伸也 , 久保光一
发明人：鎌田親義 , 塚本隆之 , 山口豪 , 中居司 , 平井隆大 , 青木伸也 , 久保光一
IPC分类号： G11B9/04
CPC分类号： G11B11/002 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/149 , G11B11/08 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C16/0483 , G11C2211/565 , G11C2213/31 , G11C2213/53 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/78 , G11C2213/79
摘要：　本発明の例に係わる情報記録再生装置は、拡散イオンとしての典型元素を含み、典型元素の移動により異なる電気抵抗率の２以上の状態が記録される記録層と、記録層の一端に配置され、記録層に電圧又は電流を与える電極層とを備える。そして、電極層は、記録層に接する領域において記録層内の典型元素の濃度よりも高い濃度の典型元素を含んでいる。
摘要翻译：一种信息记录和重放装置，包括：记录层，其包括作为可扩散离子的典型元件，其移动导致记录具有不同电阻的两个或更多个状态;以及电极层，设置在记录层的一端以施加电压或电流到记录层。在与记录层相邻的区域中的电极层包括浓度高于记录层中的典型元素。

8. 发明申请

WO2009122569A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录和更换设备
公开(公告)号：WO2009122569A1
公开(公告)日：2009-10-08
申请号：PCT/JP2008/056494
申请日：2008-04-01
申请人：株式会社東芝 , 塚本隆之 , 山口豪 , 鎌田親義 , 中居司 , 平井隆大 , 青木伸也 , 久保光一
发明人：塚本隆之 , 山口豪 , 鎌田親義 , 中居司 , 平井隆大 , 青木伸也 , 久保光一
IPC分类号： H01L27/10 , G11B9/04
CPC分类号： G11B9/04 , B82Y10/00 , G11B9/149 , G11B11/002 , G11B11/08 , G11C11/5678 , G11C11/5685 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C13/003 , G11C16/0483 , G11C2211/565 , G11C2213/32 , G11C2213/56 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/78 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/06 , H01L45/08 , H01L45/085 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/144 , H01L45/147 , H01L45/16 , H01L45/1675
摘要：　第１の層と、第２の層と、前記第１の層と前記第２の層との間に挟持され、前記第１の層と前記第２の層とを介して供給される電流により、抵抗が低い第１の状態と抵抗が高い第２の状態との間を可逆的に遷移可能な記録層と、を備え、前記第１の層及び前記第２の層のいずれか一方は、前記第１の層、前記第２の層、及び前記記録層の積層方向に対して垂直な面内において、抵抗率が相対的に低い低抵抗率部分と、抵抗率が相対的に高い高抵抗率部分と、を有する抵抗率分布層であり、前記低抵抗率部分及び前記高抵抗率部分は、少なくとも１種類の同一の遷移元素を含むことを特徴とする情報記録再生装置が提供される。高記録密度かつ低消費電力で、安定動作可能な不揮発性の情報記録再生装置が提供される。
摘要翻译：一种信息记录和重放装置，包括夹在第一和第二层之间的第一层，第二层和记录层，其可以通过电流在低电阻的第一状态和高电阻的第二状态之间可以转移通过第一层和第二层提供，其中第一层和第二层中的任一层是分布电阻层，其具有具有相对低电阻的低电阻部分和在平面内具有相对较高电阻的高电阻部分垂直于第一层，第二层和记录层的层叠方向，低电阻部分和高电阻部分都包括至少一种相同的过渡元素。提供了具有高记录密度和低功耗的稳定可操作的非易失性信息记录和重放装置。

9. 发明申请

WO2008153005A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2008153005A1
公开(公告)日：2008-12-18
申请号：PCT/JP2008/060562
申请日：2008-06-09
申请人：株式会社東芝 , 塚本隆之 , 久保光一 , 鎌田親義 , 平井隆大 , 青木伸也 , 平岡俊郎
发明人：塚本隆之 , 久保光一 , 鎌田親義 , 平井隆大 , 青木伸也 , 平岡俊郎
IPC分类号： G11B9/04 , G11C13/00 , H01L21/8247 , H01L27/10 , H01L27/115 , H01L29/788 , H01L29/792
CPC分类号： G11C13/003 , B82Y10/00 , G11B9/04 , G11B9/1436 , G11B9/1481 , G11B9/149 , G11C13/0004 , G11C13/0007 , G11C2213/17 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/51 , G11C2213/56 , G11C2213/72 , G11C2213/75 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/147 , H01L45/1625
摘要：　本発明の例に関わる情報記録再生装置は、記録層と、前記記録層に電圧を印加して前記記録層に相変化を発生させて情報を記録する手段とを具備し、前記記録層は、少なくとも、化学式１：A x M y X 4 (0.１≦x≦2.2、1.5≦y≦2)で表されるスピネル構造を有する第１化合物を含むように構成されることを特徴とする。但し、Aは、Zn, Cd, Hgのグループから選択される少なくとも1種類の元素であり、Mは、Cr, Mo, W, Mn, Reのグループから選択される少なくとも１種類の遷移元素であり、Xは、Oである。
摘要翻译：信息记录/再现装置设有记录层，以及用于通过向记录层施加电压而在记录层中产生相变来记录信息的装置。记录层至少含有由化学式（1）表示的具有尖晶石结构的第一化合物：AxMyX4（0.1 = x = 2.2,1.5 = y = 2），其中A是选自以下的至少一种元素：由Zn，Cd和Hg组成的组，M是选自Cr，Mo，W，Mn和Re中的至少一种的过渡元素，X是O.

10. 发明申请

WO2009116139A1 情報記録再生装置审中-公开
标题翻译：信息记录/再现设备
公开(公告)号：WO2009116139A1
公开(公告)日：2009-09-24
申请号：PCT/JP2008/055001
申请日：2008-03-18
申请人：株式会社東芝 , 久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 平岡俊郎
发明人：久保光一 , 鎌田親義 , 塚本隆之 , 青木伸也 , 平井隆大 , 平岡俊郎
IPC分类号： G11B9/04
CPC分类号： G11B9/04
摘要：　高記録密度及び低消費電力の不揮発性の情報記録再生装置を提供する。　本発明の情報記録再生装置は、記録層に含まれる第１化合物が２種類以上の陽イオン元素を有する複合化合物から構成され、前記２種類以上の陽イオン元素の少なくとも１つは、電子が不完全に満たされたｄ軌道を有する遷移元素であり、隣接する陽イオン元素間の最短距離は、0.32nm以下であり、前記記録層は、相変化により少なくとも低抵抗状態と高抵抗状態の２値を有する。本発明の情報記録再生装置は、さらに、前記記録層に直接的或いは間接的に付加され、前記記録層の前記高抵抗状態の電気抵抗率よりも大きな電気抵抗率を有する抵抗層を備える。
摘要翻译：本发明提供一种能够实现高记录密度和低功耗的非易失性信息记录/再现装置。在信息记录/再现装置中，包含在记录层中的第一化合物包括具有两个或更多个阳离子元素的复合化合物。两个或更多个阳离子元素中的至少一个是具有不完全填充有电子的d轨道的过渡元素。相邻阳离子元素之间的最短距离不大于0.32nm，并且记录层具有取决于相变的低电阻状态和高电阻状态的至少两个值。此外，信息记录/再现装置直接或间接添加到记录层，并且在记录层的高电阻状态下设置有比电阻高的电阻层。

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