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1. 发明申请

WO2006088062A1 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：半导体器件和衬底加工器件的生产方法
公开(公告)号：WO2006088062A1
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/JP2006/302659
申请日：2006-02-15
申请人：株式会社日立国際電気 , 宮博信 , 豊田一行 , 水野謙和 , 佐藤武敏 , 境正憲 , 浅井優幸 , 奥田和幸 , 堀田英樹
发明人：宮博信 , 豊田一行 , 水野謙和 , 佐藤武敏 , 境正憲 , 浅井優幸 , 奥田和幸 , 堀田英樹
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： C23C16/403 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45546 , C23C16/509 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/3141 , H01L21/3162 , H01L21/3185
摘要：　処理室内に収容された基板に第１の反応物質を供給し、前記基板の表面に存在する反応サイトとしての配位子と、該第１の反応物質の配位子とを、配位子交換反応させる第１の工程と、前記処理室から余剰な前記第１の反応物質を除去する第２の工程と、前記基板に第２の反応物質を供給し、前記第１の工程により交換された後の配位子を反応サイトへ配位子交換反応させる第３の工程と、前記処理室から余剰な前記第２の反応物質を除去する第４の工程と、前記基板にプラズマにより励起された第３の反応物質を供給し、前記第３の工程で反応サイトへと交換反応が行われなかった配位子を、反応サイトへ配位子交換反応させる第５の工程と、を含み、前記基板表面に所望の厚さの膜が形成されるまで前記第１～第５の工程を所定回数繰り返す半導体デバイスの製造方法が開示されている。
摘要翻译：一种半导体器件的制造方法，包括：第一步骤，将第一反应材料供给到容纳在处理室中的基板上以进行配体取代反应，所述配体作为存在于所述基板的表面上的反应位点和所述配体的配体第一反应材料，从处理室除去过量的第一反应材料的第二步骤，向基板供给第二反应材料以使经取代第一步的配体经受相对于反应的配体取代反应的第三步骤从处理室中除去过量的第二反应物质的第四步骤，以及将由等离子体激发的第三反应物质供给到基板上的第五步骤，以使受体没有相对于反应部位进行取代反应的配体在第三步中，涉及相对于反应位点的配体取代反应，其中步骤1-5是重复的施加指定次数，直到在基板表面上形成所需厚度的膜。

2. 发明申请

WO2006038659A1 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：基板处理装置和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2006038659A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2005/018469
申请日：2005-10-05
申请人：株式会社日立国際電気 , 宮博信 , 野田孝暁 , 水野謙和 , 境正憲 , 佐藤武敏
发明人：宮博信 , 野田孝暁 , 水野謙和 , 境正憲 , 佐藤武敏
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/345 , C23C16/452 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185 , H01L21/67017 , H01L21/67109
摘要：　基板処理装置は、処理室２０１と、保持部材２１７と、加熱部材２０７と、処理室内に第１と第２の反応物質を交互に供給する供給部材２３２ａ、２３２ｂとを有し、第１の反応物質を供給し基板上に第１の反応物質を吸着させた後、余剰な第１の反応物質を除去し、次いで第２の反応物質を供給し基板上に吸着した後第１の反応物質と反応させることで基板上に薄膜を形成する基板処理装置であって、保持部材に保持される製品用基板の枚数が、保持部材が保持可能な製品用基板の最大保持枚数未満の場合、製品用基板の枚数が不足した状態で薄膜を形成する処理を実行させる制御部を有している。
摘要翻译：基板处理装置设置有处理室（201），保持部件（217），加热部件（207）和用于向处理室交替地供给第一和第二反应物质的供给部件（232a，232b）。提供基板处理装置，用于通过供给第一反应物质使第一反应物质吸附在基板上，在基板上形成薄膜，除去过量的第一反应物质，然后供给第二反应物质使其吸附在并使其与第一反应物质反应。基板处理装置设置有控制部件，用于允许设备在产品基板数量不足的状态下进行薄膜形成处理，在由保持部件保持的产品基板的片材数为小于可由保持构件保持的产品基板的最大数量。

3. 发明申请

WO2007083651A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007083651A1
公开(公告)日：2007-07-26
申请号：PCT/JP2007/050571
申请日：2007-01-17
申请人：株式会社日立国際電気 , 宮博信 , 浅井優幸 , 水野謙和
发明人：宮博信 , 浅井優幸 , 水野謙和
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/31608 , C23C16/402 , C23C16/45527 , C23C16/45542 , C23C16/45546 , H01L21/02164 , H01L21/02274 , H01L21/0228
摘要：　半導体装置の製造方法は、表面にタングステン膜が形成された少なくとも１枚の基板を処理室内に搬入する工程と、前記基板を４００°Cに加熱しながら、シリコン原子を含む第１の反応物質を前記処理室内に供給する工程と、前記基板を４００°Cに加熱しながら、第２の反応物質である水と、水素とを、前記水素に対する前記水の比率を２×１０－１以下として前記処理室内に供給する工程と、を交互に複数回繰り返して、前記タングステン膜を含む基板表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、を備える。
摘要翻译：公开了一种用于制造半导体器件的方法，该方法包括将至少一个基板在其表面上形成钨膜的工艺室中的步骤，以及在该基板的表面上形成氧化硅膜的步骤具有钨膜的步骤中，其中将含有硅原子的第一反应物的子步骤在400℃下加热基板的同时被供给到处理室中，并且其中将作为第二反应物的水和氢作为第二反应物供入到在400℃下加热基板的同时，水与氢的比例为2×10 -1以下的处理室交替重复多次。

4. 发明申请

WO2009037991A1 クリーニング方法及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：清洁方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2009037991A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/JP2008/066218
申请日：2008-09-09
申请人：株式会社日立国際電気 , 関東電化工業株式会社 , 宮博信 , 竹林雄二 , 境正憲 , 佐々木伸也 , 山崎裕久 , 須田敦彦 , 谷岡貴
发明人：宮博信 , 竹林雄二 , 境正憲 , 佐々木伸也 , 山崎裕久 , 須田敦彦 , 谷岡貴
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/316
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/0035 , H01L21/67109 , H01L21/67757 , H01L21/67769
摘要：　成膜する為の原料ガスを供給して基板上に所望の膜を形成する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、前記処理室内にハロゲン含有ガスを供給する工程と、前記ハロゲン含有ガスの供給を開始後、前記処理室内に前記ハロゲン含有ガスを供給しつつフッ素含有ガスを供給する工程と、を有し、前記フッ素含有ガスを供給する工程では、前記処理室内に供給されるガス全体に対する前記ハロゲン含有ガスの供給流量比を２０～２５％の範囲内とするクリーニング方法が開示されている。
摘要翻译：提供了一种清洁方法，用于通过提供用于成膜的材料气体来除去附着在用于在基板上形成期望的膜的基板处理装置的处理室内的膜。该方法具有向处理室供给含卤素气体的步骤，以及在开始供给含卤素气体之后，在供给含卤素气体的同时向处理室供给含氟气体的步骤。在供给含氟气体的步骤中，含卤素气体与供给到处理室的全部气体的供给流量比在20〜25％的范围内。

5. 发明申请

WO2004040630A1 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和衬底处理系统的方法
公开(公告)号：WO2004040630A1
公开(公告)日：2004-05-13
申请号：PCT/JP2003/013606
申请日：2003-10-24
申请人：株式会社日立国際電気 , 堀井貞義 , 宮博信
发明人：堀井貞義 , 宮博信
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/45527 , C23C16/405 , C23C16/4486
摘要：複数の反応物の供給工程を複数回繰り返すことにより基板を処理するものにおいて、反応物である原料を無駄に捨てることなく、基板処理のスループットを向上させる。　基板処理装置は、反応物として液体原料を気化した原料ガスを含み、その原料ガスの処理室１内への供給と、その後に行う原料ガスとは異なる反応物の処理室１への供給を複数回繰り返すことにより、基板を処理するものである。液体原料の流量制御は吐出駆動制御機構６によって制御する。吐出駆動制御機構６は、気化器３内に一体的に組込まれた弁体３３を制御することにより、気化器３や気化器３に接続される外部配管ではなく、気化器３中の気化部へ直接流れ込む液体原料の１回の吐出動作における流量を固定化し、液体原料を気化部３１に間欠的に吐出させるようにする。
摘要翻译：其中多次反复进行多次反应的步骤的基板处理系统不会浪费用作反应物的原料，并且提高了基板处理的生产量。基板处理系统使用含有作为蒸发的液体材料的原料气体的反应物，并且通过重复将材料气体供应到处理室（1）中并且随后将除材料气体之外的反应物供应到处理室（1）多次。液体材料的流量由排出驱动控制机构（6）控制。通过控制一体地结合在蒸发器（3）中的阀构件（33），排出驱动控制机构（6）通过单次排出操作将直接流入蒸发器（3）的蒸发部分的液体材料的量，而不是流入蒸发器（3）的那些或连接到蒸发器（3）的外部管道。液体材料被间歇地排放到蒸发部分31中。

6. 发明申请

WO2004027849A1 半導体装置の製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和衬底加工设备的方法
公开(公告)号：WO2004027849A1
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：PCT/JP2003/011988
申请日：2003-09-19
申请人：株式会社日立国際電気 , 堀田將 , 中田靖則 , 関雅夫 , 堀井貞義 , 宮博信 , 橋場祥晶
发明人：堀田將 , 中田靖則 , 関雅夫 , 堀井貞義 , 宮博信 , 橋場祥晶
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L21/6715
摘要：酸化膜形成装置（１０）の導入管（１８）には、オゾン（３２）を生成するオゾナイザ（３１）と、脱イオン水（３５）が貯留されオゾナイザ（３１）のオゾン（３２）を供給するオゾン供給管（３３）が脱イオン水（３５）の中に浸漬されてバブリングされるバブラ（３４）と、オゾン（３２）のバブリングで生成したＯＨ＊を含む酸化剤（３７）を供給する供給管（３６）とを備えた酸化剤供給装置（３０）が、接続されている。オゾンを水中でバブリングして生成したＯＨ＊を含む酸化剤は強力な酸化力を有するので、ウエハに酸化膜を比較的に低温下で短時間に形成できる。プラズマを使用せずに済むので、ウエハに先に形成された半導体素子や回路パターン等にプラズマダメージを与えるのを未然に回避できる。酸化膜形成装置のスループットや性能および信頼性を向上できる。
摘要翻译：氧化剂供给单元（30）包括用于产生臭氧的臭氧发生器（31），保持去离子水（35）的起泡器（34）和用于从臭氧发生器（32）供应臭氧的臭氧供应管（33）（31）浸入去离子水（35）中以形成臭氧气泡;以及供给管（36），用于供给由臭氧气泡产生的包含OH *的氧化剂（37）。单元（30）连接到氧化膜形成装置（10）的进料管（18）。由于在水中由臭氧气泡产生的OH *的氧化剂具有强的氧化能力，所以可以在短时间内在相对低的温度下在晶片上形成氧化膜。由于不使用等离子体，因此可以防止预先形成在晶片上的半导体器件或电路图案被等离子体损坏。因此，氧化膜形成装置的生产能力，性能和可靠性得到提高。

7. 发明申请

WO2008010546A1 半導体デバイスの製造方法及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和衬底加工设备的方法
公开(公告)号：WO2008010546A1
公开(公告)日：2008-01-24
申请号：PCT/JP2007/064236
申请日：2007-07-19
申请人：株式会社日立国際電気 , 信越化学工業株式会社 , 宮博信 , 平原和弘 , 濱田吉隆 , 須田敦彦
发明人：宮博信 , 平原和弘 , 濱田吉隆 , 須田敦彦
IPC分类号： H01L21/316 , H01L21/31
CPC分类号： H01L21/3141 , C23C16/40 , C23C16/45527 , C23C16/45546 , H01L21/02164 , H01L21/02181 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/31612 , H01L21/31645
摘要：　少なくとも１枚の基板を処理室内に搬入する工程と、第１の原料である金属化合物あるいはケイ素化合物と、第２の原料である酸素原子を含む酸化原料と、第３の原料である水素化原料とを、前記処理室内に所定回数繰り返し供給して前記基板表面に金属酸化膜あるいはケイ素酸化膜を形成する工程と、前記基板を前記処理室内から搬出する工程と、を有する半導体デバイスの製造方法が開示されている。
摘要翻译：公开了一种半导体器件的制造方法，其包括将至少一个衬底引入到处理室中的步骤，通过重复地供给在衬底表面上形成金属氧化物膜或氧化硅膜的步骤，时间，作为第一原料的金属化合物或硅化合物，作为第二原料含有氧原子的氧化材料和作为第三原料的氢化材料进入处理室，以及将基板从处理室。

8. 发明申请

WO2007086393A1 基板処理システム审中-公开
标题翻译：基板加工系统
公开(公告)号：WO2007086393A1
公开(公告)日：2007-08-02
申请号：PCT/JP2007/051038
申请日：2007-01-24
申请人：株式会社日立国際電気 , 堀田智樹 , 平原和弘 , 宮博信 , 須田敦彦 , 山崎裕久
发明人：堀田智樹 , 平原和弘 , 宮博信 , 須田敦彦 , 山崎裕久
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4407 , C23C16/4481 , C23C16/455
摘要：　基板を処理する処理室と、液体原料を気化させる気化ユニットと、前記気化ユニットで気化された原料ガスを前記処理室へ供給する供給系と、前記処理室内の雰囲気を排出する排出系と、前記気化ユニットへ第１の洗浄液と第２の洗浄液とを供給する洗浄液供給系と、を備える基板処理システムが開示されている。
摘要翻译：基板处理系统设置有用于处理基板的处理室; 用于蒸发液体材料的蒸发单元; 用于向处理室供应由蒸发单元蒸发的原料气体的供应系统; 用于从处理室排出气氛的排气系统; 以及用于向蒸发单元供应第一清洁溶液和第二清洁溶液的清洁溶液供应系统。

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