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1. 发明申请

WO2006087893A1 基板処理方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板加工方法和基板加工装置
公开(公告)号：WO2006087893A1
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/JP2006/301338
申请日：2006-01-27
申请人：株式会社日立国際電気 , 水野謙和 , 佐藤武敏 , 境正憲 , 奥田和幸
发明人：水野謙和 , 佐藤武敏 , 境正憲 , 奥田和幸
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C23C16/45546 , C23C16/345 , C23C16/50 , H01L21/0217 , H01L21/0228 , H01L21/3141
摘要：　基板を処理する空間を成す処理室に対し複数の処理ガスを交互に供給、排出して、基板に所望の薄膜を形成する基板処理方法であって、薄膜中に存在し薄膜の膜ストレスがその存在量に依存する化学種の量を複数の処理ガスの内の一つの処理ガスの供給時間を制御することによって制御し、これにより薄膜の膜ストレスを制御する基板処理方法が開示されている。
摘要翻译：一种基板处理方法，其中通过向具有用于处理基板的处理空间的处理室交换和排出多个处理气体而在基板上形成期望的薄膜。在基板处理方法中，通过控制处理气体中的一种处理气体的供给时间来控制存在于薄膜中的化学物质的量和薄膜的膜应力依赖于该膜，因此膜控制薄膜的应力。

2. 发明申请

WO2005088692A1 基板処理装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：基板加工装置及制造半导体装置的方法
公开(公告)号：WO2005088692A1
公开(公告)日：2005-09-22
申请号：PCT/JP2005/004299
申请日：2005-03-11
申请人：株式会社日立国際電気 , 境正憲 , 吉村智浩
发明人：境正憲 , 吉村智浩
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01L21/0228 , C23C16/345 , C23C16/45525 , C23C16/45544 , C23C16/45546 , C23C16/45563 , C23C16/4584 , C23C16/509 , C23C16/52 , H01L21/0217 , H01L21/67017 , H01L21/67109 , H01L21/67253
摘要： A substrate processing apparatus is provided with a reaction chamber (201), a substrate rotating mechanism (267) for rotating a wafer (200), and a gas supplying part for supplying the wafer (200) with gas. At least two types of gases A and B are alternately supplied a plurality of times, and a desired film is formed on the wafer (200). A control part (321) is provided to control a rotation cycle of the wafer (200) so as not to synchronize a gas supply cycle, which is prescribed by a period between a time when the gas A is flowed and a time when the gas A is flowed subsequently, with the rotation cycle of the wafer (200), at least for a time the alternate gas supply is performed prescribed times. The thickness uniformity of a film formed by an ALD method within the substrate plane is prevented from deteriorating.
摘要翻译：基板处理装置设置有反应室（201），用于旋转晶片（200）的基板旋转机构（267）和用于向晶片（200）供应气体的气体供给部。至少两种类型的气体A和B交替地供给多次，并且在晶片（200）上形成期望的膜。提供控制部件（321）以控制晶片（200）的旋转周期，以便不使气体供应循环同步，该气体供给循环是在气体A流动的时间与气体流动时间之间的时间段 A随着晶片（200）的旋转周期，至少在交替气体供应执行规定时间的时间之后流动。防止在基板平面内由ALD法形成的膜的厚度均匀性劣化。

3. 发明申请

WO2004044970A1 基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理装置
公开(公告)号：WO2004044970A1
公开(公告)日：2004-05-27
申请号：PCT/JP2003/014162
申请日：2003-11-06
申请人：株式会社日立国際電気 , 境正憲 , 嶋信人 , 奥田和幸
发明人：境正憲 , 嶋信人 , 奥田和幸
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： C23C16/4405 , C23C16/45536
摘要：　基板処理装置は、基板１を収容し、複数の反応ガスが供給され前記基板に所望の処理を行う空間を形成する反応容器１１と、反応容器１１に開口し、反応容器１１内を排気するための排気口１６と、反応容器１１へ少なくとも複数の反応ガスを供給するガス供給システム７０Ａ、７０Ｂとを有し、ガス供給システム７０Ａ、７０Ｂは、基板１に所望の処理を行うことによって反応容器１１内に付着する付着物を除去するクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ユニットと、クリーニングガスを供給して付着物を除去した後に反応容器１１内に残留するクリーニングガスに含まれた元素を除去することが可能な後処理用ガスを供給する後処理用ガス供給ユニットとを含み、後処理用ガスは、基板に所望の処理を行なう際に用いる前記反応ガスの全てを含む。
摘要翻译：基板处理装置包括反应容器（11），形成容纳基板（1）的空间，并适于提供多个反应气体以执行基板的所需处理;形成在反应容器中的排气口（16）（11），用于向反应容器（11）供给至少多个反应气体的气体供给系统（70A，70B），所述气体供给系统（70A，70B）包括：清洁气体供应单元，用于供应清洁气体以进行所述基板（1）的所需处理，从而去除所述反应容器（11）中的附着物;以及后处理气体供应单元，用于提供能够去除所述基板在通过供给清洁气体去除附着物之后残留在反应容器（11）中的清洁气体中所含的元素，后处理气体含有用于进行基质的所需加工的所有反应气体 TE。

4. 发明申请

WO2009037991A1 クリーニング方法及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：清洁方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2009037991A1
公开(公告)日：2009-03-26
申请号：PCT/JP2008/066218
申请日：2008-09-09
申请人：株式会社日立国際電気 , 関東電化工業株式会社 , 宮博信 , 竹林雄二 , 境正憲 , 佐々木伸也 , 山崎裕久 , 須田敦彦 , 谷岡貴
发明人：宮博信 , 竹林雄二 , 境正憲 , 佐々木伸也 , 山崎裕久 , 須田敦彦 , 谷岡貴
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44 , H01L21/316
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/0035 , H01L21/67109 , H01L21/67757 , H01L21/67769
摘要：　成膜する為の原料ガスを供給して基板上に所望の膜を形成する基板処理装置の処理室内に付着した膜を除去するクリーニング方法であって、前記処理室内にハロゲン含有ガスを供給する工程と、前記ハロゲン含有ガスの供給を開始後、前記処理室内に前記ハロゲン含有ガスを供給しつつフッ素含有ガスを供給する工程と、を有し、前記フッ素含有ガスを供給する工程では、前記処理室内に供給されるガス全体に対する前記ハロゲン含有ガスの供給流量比を２０～２５％の範囲内とするクリーニング方法が開示されている。
摘要翻译：提供了一种清洁方法，用于通过提供用于成膜的材料气体来除去附着在用于在基板上形成期望的膜的基板处理装置的处理室内的膜。该方法具有向处理室供给含卤素气体的步骤，以及在开始供给含卤素气体之后，在供给含卤素气体的同时向处理室供给含氟气体的步骤。在供给含氟气体的步骤中，含卤素气体与供给到处理室的全部气体的供给流量比在20〜25％的范围内。

5. 发明申请

WO2005017987A1 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：基板处理装置及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2005017987A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/JP2004/009820
申请日：2004-07-09
申请人：株式会社日立国際電気 , 境正憲 , 加賀谷徹 , 山崎裕久
发明人：境正憲 , 加賀谷徹 , 山崎裕久
IPC分类号： H01L21/205
CPC分类号： H01L21/3162 , C23C16/403 , C23C16/45546 , C23C16/4557 , C23C16/45578 , C23C16/46 , H01L21/02164 , H01L21/02178 , H01L21/02181 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/67109
摘要：　基板処理装置は、反応管２０３と、シリコンウエハ２００を加熱するヒータ２０７とを有し、トリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）とオゾン（Ｏ３）とを、反応管２０３内に交互に供給してウエハ２００の表面にＡｌ２Ｏ３膜を生成する基板処理装置であって、オゾンとＴＭＡとをそれぞれ流す供給管２３２ａ、２３２ｂと、反応管２０３内にガスを供給するノズル２３３と、を備え、２つの供給管２３２ａ、２３２ｂを、反応管２０３内のウエハ２００付近の温度よりも低い温度の領域で、ヒータ２０７の内側に配置されたノズル２３３に連結させて、オゾンとＴＭＡをノズル２３３を介して反応管２０３内にそれぞれ供給する。
摘要翻译：一种基板处理装置，包括反应管（203）和加热硅晶片（200）的加热器（207），其中三甲基铝（TMA）和臭氧（O 3）被交替地供给到反应管（203）中以产生Al 2 O 3 薄膜在晶片（200）的表面上。该设备还包括用于使臭氧和TMA流动的供应管（232a）和（232b）和向反应管（203）供应气体的喷嘴（233）。两个供给管（232a）和（232b）连接到设置在加热器（207）内部的喷嘴（233）内，反应管（203）内的温度低于晶片（200）附近的温度，并且臭氧和TMA通过喷嘴（233）供应到反应管（203）中。

6. 发明申请

WO2004034454A1 基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理设备
公开(公告)号：WO2004034454A1
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/JP2003/012786
申请日：2003-10-06
申请人：株式会社日立国際電気 , 境正憲 , 加賀谷徹 , 嶋信人
发明人：境正憲 , 加賀谷徹 , 嶋信人
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C23C16/455
摘要：本発明の基板処理装置は、基板（７）を処理する空間を形成する反応室（６）と、反応室（６）に接続され、基板（７）の処理用ガスを供給するガス供給配管及び、反応室（６）内を排気するガス排気配管とを有し、ガス供給配管の途中に、反応室（６）に供給するガスを溜めるガス溜め部（１０）と、そのガス溜め部（１０）をバイパスするバイパスライン（１１）とを並設し、基板（６）を処理するとき、ガス溜め部（１０）かバイパスライン（１１）のどちらか一方を使用して処理用ガスを反応室（６）に供給させる制御部（６０）を設けている。
摘要翻译：一种基板处理装置，包括形成用于处理基板（7）的空间的反应室（6）和与反应室（6）连接的气体储存部（10），具有用于供给处理气体的气体供给管所述基板（7）和用于排出所述反应室（6）内部的气体并且储存供给到所述反应室（6）的气体的排气管，并且将所述供给到所述反应室（6）的气体保留在所述反应室气体供给管和旁通燃气保持部（10）的旁通管路（11），气体接收部（10）与旁通管路平行配置;以及控制部（60），其将处理气体供给到反应室（6），当处理所述基板（7）时，使用所述气体储存部（10）和所述旁通管（11）中的任一个。

7. 发明申请

WO2011152352A1 半導体装置の製造方法及び基板処理装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和衬底加工设备的方法
公开(公告)号：WO2011152352A1
公开(公告)日：2011-12-08
申请号：PCT/JP2011/062381
申请日：2011-05-30
申请人：株式会社日立国際電気 , 齋藤達之 , 境正憲 , 加我友紀直 , 横川貴史
发明人：齋藤　達之 , 境　正憲 , 加我　友紀直 , 横川　貴史
IPC分类号： C23C16/455 , H01L21/285
CPC分类号： C23C16/4408 , C23C16/34 , C23C16/4412 , C23C16/45534 , C23C16/45544 , C23C16/52 , H01L21/02186 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/28562 , H01L21/76841
摘要：緻密で原料起因の不純物濃度が低く抵抗率の低い金属膜の形成を実現する。基板が収容された処理室に、第１の原料を供給して前記基板の表面に前記第１の原料を吸着させる第１の工程と、前記第１の原料が前記基板の表面で飽和吸着する前に、前記処理室に前記第１の原料とは異なる反応ガスを供給して、前記基板に吸着した第１の原料と反応させる第２の工程と、前記処理室内の雰囲気を除去する第３の工程と、前記処理室に前記第１の原料を改質する改質ガスを供給して、前記基板に吸着した前記第１の原料を改質する第４の工程と、を行うことで前記基板の表面に１原子層未満の膜を形成する半導体装置の製造方法が提供される。
摘要翻译：公开了一种形成致密金属膜的技术，该致密金属膜具有低起源材料的低电阻率和低浓度的杂质。具体公开了一种制造半导体器件的方法，其中通过执行在衬底的表面上形成小于一个原子层的膜：第一步骤，其中将第一起始材料供应到处理室中，其中衬底并且使基板的表面吸附第一起始材料; 第二步骤，其中在第一起始材料在基板表面上的吸附被饱和之前，将不同于第一原料的反应气体供应到处理室中，并且与吸附的第一起始材料反应基材; 第三步骤，其中处理室内的气氛被去除; 以及第四步骤，其中将用于改性第一起始材料的改性气体供应到处理室中，并且吸附在基板上的第一起始材料被改变。

8. 发明申请

WO2006088062A1 半導体デバイスの製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：半导体器件和衬底加工器件的生产方法
公开(公告)号：WO2006088062A1
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/JP2006/302659
申请日：2006-02-15
申请人：株式会社日立国際電気 , 宮博信 , 豊田一行 , 水野謙和 , 佐藤武敏 , 境正憲 , 浅井優幸 , 奥田和幸 , 堀田英樹
发明人：宮博信 , 豊田一行 , 水野謙和 , 佐藤武敏 , 境正憲 , 浅井優幸 , 奥田和幸 , 堀田英樹
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： C23C16/403 , C23C16/345 , C23C16/45536 , C23C16/45546 , C23C16/509 , H01L21/0214 , H01L21/0217 , H01L21/02178 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/02332 , H01L21/0234 , H01L21/3141 , H01L21/3162 , H01L21/3185
摘要：　処理室内に収容された基板に第１の反応物質を供給し、前記基板の表面に存在する反応サイトとしての配位子と、該第１の反応物質の配位子とを、配位子交換反応させる第１の工程と、前記処理室から余剰な前記第１の反応物質を除去する第２の工程と、前記基板に第２の反応物質を供給し、前記第１の工程により交換された後の配位子を反応サイトへ配位子交換反応させる第３の工程と、前記処理室から余剰な前記第２の反応物質を除去する第４の工程と、前記基板にプラズマにより励起された第３の反応物質を供給し、前記第３の工程で反応サイトへと交換反応が行われなかった配位子を、反応サイトへ配位子交換反応させる第５の工程と、を含み、前記基板表面に所望の厚さの膜が形成されるまで前記第１～第５の工程を所定回数繰り返す半導体デバイスの製造方法が開示されている。
摘要翻译：一种半导体器件的制造方法，包括：第一步骤，将第一反应材料供给到容纳在处理室中的基板上以进行配体取代反应，所述配体作为存在于所述基板的表面上的反应位点和所述配体的配体第一反应材料，从处理室除去过量的第一反应材料的第二步骤，向基板供给第二反应材料以使经取代第一步的配体经受相对于反应的配体取代反应的第三步骤从处理室中除去过量的第二反应物质的第四步骤，以及将由等离子体激发的第三反应物质供给到基板上的第五步骤，以使受体没有相对于反应部位进行取代反应的配体在第三步中，涉及相对于反应位点的配体取代反应，其中步骤1-5是重复的施加指定次数，直到在基板表面上形成所需厚度的膜。

9. 发明申请

WO2006038659A1 基板処理装置および半導体デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：基板处理装置和半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2006038659A1
公开(公告)日：2006-04-13
申请号：PCT/JP2005/018469
申请日：2005-10-05
申请人：株式会社日立国際電気 , 宮博信 , 野田孝暁 , 水野謙和 , 境正憲 , 佐藤武敏
发明人：宮博信 , 野田孝暁 , 水野謙和 , 境正憲 , 佐藤武敏
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/52
CPC分类号： C23C16/45536 , C23C16/345 , C23C16/452 , H01L21/0217 , H01L21/02211 , H01L21/02274 , H01L21/0228 , H01L21/3141 , H01L21/3185 , H01L21/67017 , H01L21/67109
摘要：　基板処理装置は、処理室２０１と、保持部材２１７と、加熱部材２０７と、処理室内に第１と第２の反応物質を交互に供給する供給部材２３２ａ、２３２ｂとを有し、第１の反応物質を供給し基板上に第１の反応物質を吸着させた後、余剰な第１の反応物質を除去し、次いで第２の反応物質を供給し基板上に吸着した後第１の反応物質と反応させることで基板上に薄膜を形成する基板処理装置であって、保持部材に保持される製品用基板の枚数が、保持部材が保持可能な製品用基板の最大保持枚数未満の場合、製品用基板の枚数が不足した状態で薄膜を形成する処理を実行させる制御部を有している。
摘要翻译：基板处理装置设置有处理室（201），保持部件（217），加热部件（207）和用于向处理室交替地供给第一和第二反应物质的供给部件（232a，232b）。提供基板处理装置，用于通过供给第一反应物质使第一反应物质吸附在基板上，在基板上形成薄膜，除去过量的第一反应物质，然后供给第二反应物质使其吸附在并使其与第一反应物质反应。基板处理装置设置有控制部件，用于允许设备在产品基板数量不足的状态下进行薄膜形成处理，在由保持部件保持的产品基板的片材数为小于可由保持构件保持的产品基板的最大数量。

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