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1. 发明申请

WO2007013464A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007013464A1
公开(公告)日：2007-02-01
申请号：PCT/JP2006/314687
申请日：2006-07-25
申请人：株式会社日立国際電気 , 井ノ口泰啓 , 森谷敦 , 山本克彦 , 橋場祥晶 , 横川貴史
发明人：井ノ口泰啓 , 森谷敦 , 山本克彦 , 橋場祥晶 , 横川貴史
IPC分类号： H01L21/205 , H01L29/78
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/24 , C30B25/02 , C30B29/06 , H01L21/02381 , H01L21/02532 , H01L21/0262 , H01L21/02636
摘要：　表面の少なくとも一部にシリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を有し、かつシリコン表面が露出したシリコン基板を処理室内に挿入し、処理室内に少なくともシラン系のガスを導入する第１ステップと、少なくともエッチングガスを導入する第２ステップとを交互に複数回繰り返して、シリコン表面に選択的にエピタキシャル膜を成長させる半導体装置の製造方法であって、第１ステップより第２ステップが先行して、交互の繰り返し処理を開始する。
摘要翻译：在制造半导体器件的方法中，通过多次重复第一步骤和第二步骤，在硅表面上选择性地沉积外延膜。在第一步骤中，至少在表面的一部分上具有氮化硅膜或氧化硅膜并具有硅表面露出的硅衬底被插入到处理室中，并且至少硅烷类气体被引入处理室。在第二步骤中，至少引入蚀刻气体。在第一步骤之前执行第二步骤以开始交替重复这些步骤的过程。

2. 发明申请

WO2004027849A1 半導体装置の製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：制造半导体器件和衬底加工设备的方法
公开(公告)号：WO2004027849A1
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：PCT/JP2003/011988
申请日：2003-09-19
申请人：株式会社日立国際電気 , 堀田將 , 中田靖則 , 関雅夫 , 堀井貞義 , 宮博信 , 橋場祥晶
发明人：堀田將 , 中田靖則 , 関雅夫 , 堀井貞義 , 宮博信 , 橋場祥晶
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/02238 , H01L21/02255 , H01L21/31662 , H01L21/6715
摘要：酸化膜形成装置（１０）の導入管（１８）には、オゾン（３２）を生成するオゾナイザ（３１）と、脱イオン水（３５）が貯留されオゾナイザ（３１）のオゾン（３２）を供給するオゾン供給管（３３）が脱イオン水（３５）の中に浸漬されてバブリングされるバブラ（３４）と、オゾン（３２）のバブリングで生成したＯＨ＊を含む酸化剤（３７）を供給する供給管（３６）とを備えた酸化剤供給装置（３０）が、接続されている。オゾンを水中でバブリングして生成したＯＨ＊を含む酸化剤は強力な酸化力を有するので、ウエハに酸化膜を比較的に低温下で短時間に形成できる。プラズマを使用せずに済むので、ウエハに先に形成された半導体素子や回路パターン等にプラズマダメージを与えるのを未然に回避できる。酸化膜形成装置のスループットや性能および信頼性を向上できる。
摘要翻译：氧化剂供给单元（30）包括用于产生臭氧的臭氧发生器（31），保持去离子水（35）的起泡器（34）和用于从臭氧发生器（32）供应臭氧的臭氧供应管（33）（31）浸入去离子水（35）中以形成臭氧气泡;以及供给管（36），用于供给由臭氧气泡产生的包含OH *的氧化剂（37）。单元（30）连接到氧化膜形成装置（10）的进料管（18）。由于在水中由臭氧气泡产生的OH *的氧化剂具有强的氧化能力，所以可以在短时间内在相对低的温度下在晶片上形成氧化膜。由于不使用等离子体，因此可以防止预先形成在晶片上的半导体器件或电路图案被等离子体损坏。因此，氧化膜形成装置的生产能力，性能和可靠性得到提高。

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