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1. 发明申请

WO2008059701A9 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2008059701A9
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/JP2007/070751
申请日：2007-10-24
申请人：パナソニック株式会社 , 藤井覚 , 高木剛 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 島川一彦
发明人：藤井覚 , 高木剛 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 島川一彦
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
摘要：本発明の不揮発性記憶素子は、第1電極(103)と、第２電極(105)と、第1電極(103)と第２電極(104)との間に介在させ、両電極(103),(105)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(104)とを備え、この抵抗変化層(104)は少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をＴａＯｘと表した場合に、０＜ｘ＜２．５を満足するように抵抗変化層(104)が構成されている。

2. 发明申请

WO2008059701A1 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储器元件，非易失性存储器件，非易失性半导体器件以及制造非易失性存储器元件的方法
公开(公告)号：WO2008059701A1
公开(公告)日：2008-05-22
申请号：PCT/JP2007/070751
申请日：2007-10-24
申请人：松下電器産業株式会社 , 藤井覚 , 高木剛 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 島川一彦
发明人：藤井覚 , 高木剛 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 島川一彦
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：本発明の不揮発性記憶素子は、第1電極(103)と、第２電極(105)と、第1電極(103)と第２電極(104)との間に介在させ、両電極(103),(105)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(104)とを備え、この抵抗変化層(104)は少なくともタンタル酸化物を含み、当該タンタル酸化物をＴａＯｘと表した場合に、０＜ｘ＜２．５を満足するように抵抗変化層(104)が構成されている。
摘要翻译：本发明提供了一种非易失性存储元件，包括设置在第一和第二电极（103,105）之间的第一电极（103），第二电极（105）和电阻变化层（104），用于经历可逆变化基于施加在第一和第二电极（103,105）上的电信号的电阻值。电阻变化层（104）至少包括其中0

3. 发明申请

WO2008023637A1 記憶素子およびメモリ装置並びに半導体集積回路审中-公开
标题翻译：存储元件，存储器件和半导体集成电路
公开(公告)号：WO2008023637A1
公开(公告)日：2008-02-28
申请号：PCT/JP2007/066009
申请日：2007-08-17
申请人：松下電器産業株式会社 , 村岡俊作 , 藤井覚 , 三谷覚 , 小佐野浩一
发明人：村岡俊作 , 藤井覚 , 三谷覚 , 小佐野浩一
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C11/5685 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/55 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2436 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/147 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要：　記憶素子は、第１電極と、第２電極と、第１電極と第２電極とに接続するように両電極間に介在させ、両電極間の電圧に基づいて抵抗値が変化する抵抗変化膜２とを備え、抵抗変化膜２はＦｅ３０４からなる層２ａおよびＦｅ２Ｏ３またはＭＦｅ２Ｏ４で表されるスピネル構造酸化物（ＭはＦｅを除く金属元素）からなる層２ｂを含み、Ｆｅ３０４からなる層２ａが前記Ｆｅ２Ｏ３または前記スピネル構造酸化物からなる層２ｂより厚く形成されてなる。
摘要翻译：存储元件设置有第一电极，第二电极和电阻变化膜（2），其布置在第一电极和第二电极之间以与两个电极连接，并且基于两个电极之间的电压来改变电阻值两个电极。电阻变化膜（2）包括由Fe 3 O 4 S 4构成的层（2a）和由表示为Fe的尖晶石型氧化物构成的层（2b）（M是除了Fe之外的金属元素），或者是M 2 O 3。由Fe 3 O 4构成的层（2a）形成得比由Fe 2 O 3 3组成的层（2b）厚或尖晶石型氧化物。

4. 发明申请

WO2004051760A1 焦電体素子及びその製造方法並びに赤外線センサ审中-公开
标题翻译：光电器件，其制造方法和红外传感器
公开(公告)号：WO2004051760A1
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/JP2003/015564
申请日：2003-12-04
申请人：松下電器産業株式会社 , 友澤淳 , 藤井覚 , 藤井映志 , 鳥井秀雄 , 高山良一
发明人：友澤淳 , 藤井覚 , 藤井映志 , 鳥井秀雄 , 高山良一
IPC分类号： H01L37/02
CPC分类号： G01J5/34 , H01L37/025
摘要：基板上に、Ｔｉ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｍｇ、Ｆｅ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｍｎ、Ｂａ及びＡｌ並びにこれらの酸化物の群から選ばれた少なくとも１種の添加物を含有する貴金属からなる第１の電極層と、膜厚が０．５～５μｍであり、化学組成が、(Ｐｂ（１−ｙ）Ｌａｙ )Ｔｉ（１−ｙ/４）Ｏ３、（０＜ｙ≦０．２）、または、(Ｐｂ（１−ｙ）Ｌａｙ )（ＺｒｘＴｉ（１−ｘ））（１−ｙ/４）Ｏ３、（０＜ｘ≦０．２または０．５５≦ｘ＜０．８、０＜ｙ≦０．２）、で示されたペロブスカイト型結晶構造の焦電体層と、第２の電極層とをこの順序で形成し、焦電体素子とする。
摘要翻译：热电装置包括第一电极层，具有钙钛矿晶体结构的热电层和依次形成在基板上的第二电极层。第一电极层由含有选自Ti，Co，Ni，Mg，Fe，Ca，Sr，Mn，Ba，Al及其氧化物中的至少一种添加剂的贵金属构成。热电层的厚度为0.5-5μm，其化学组成由下式表示：（Pb（1-y）Lay）Ti（1-y / 4）O 3（其中0

5. 发明申请

WO2002080299A1 高分子電解質型薄膜燃料電池およびその運転方法审中-公开
标题翻译：高分子电解质薄膜燃料电池及其驱动方法
公开(公告)号：WO2002080299A1
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/JP2002/002938
申请日：2002-03-26
申请人：松下電器産業株式会社 , 藤井覚 , 羽藤一仁 , 保坂正人 , 湯浅浩次 , 野口康孝 , 渋谷聡 , 田中あおい , 北條伸彦 , 岡田行広
发明人：藤井覚 , 羽藤一仁 , 保坂正人 , 湯浅浩次 , 野口康孝 , 渋谷聡 , 田中あおい , 北條伸彦 , 岡田行広
IPC分类号： H01M8/24
CPC分类号： H01M8/04552 , H01M4/921 , H01M8/0247 , H01M8/04171 , H01M8/04197 , H01M8/04291 , H01M8/0488 , H01M8/0687 , H01M8/1004 , H01M8/1009 , H01M8/1097 , H01M8/2404 , H01M8/241 , H01M8/2418 , H01M8/249 , H01M2250/20 , Y02E60/521 , Y02T90/32
摘要： The miniaturization of a conventional fuel cell enough to mount on a mobile device is difficult only by just an analogous scale-down. A semiconductor process of this invention provides a small-sized fuel cell comprising a high-polymer electrolyte thin film. A high-polymer electrolyte type thin film fuel cell of this invention comprises a substrate having openings, an electrolyte film-electrode coupling consisting of a first catalyst electrode layer, a hydrogen ion conductive high-polymer electrolyte film, and a second catalyst electrode layer, which are successively formed over the substrate so as to coat each opening, and a fuel/oxidizer supply means for supplying a fuel and an oxidizer gas through the openings to the first catalyst electrode layer and the oxidizer gas or the fuel to the second catalyst electrode layer.
摘要翻译：传统的燃料电池足够小以安装在移动设备上的小型化仅仅通过类似的缩小比例是困难的。本发明的半导体工艺提供了包括高分子电解质薄膜的小型燃料电池。本发明的高分子电解质型薄膜燃料电池包括具有开口的基板，由第一催化剂电极层，氢离子传导性高分子电解质膜和第二催化剂电极层构成的电解质膜 - 电极耦合体，其连续地形成在基板上，以覆盖每个开口;以及燃料/氧化剂供应装置，用于通过开口将燃料和氧化剂气体供应到第一催化剂电极层和氧化剂气体或燃料到第二催化剂电极层。

6. 发明申请

WO2008081742A1 抵抗変化型素子、抵抗変化型記憶装置、および抵抗変化型装置审中-公开
标题翻译：电阻可变元件，电阻可变存储器件和电阻变化器件
公开(公告)号：WO2008081742A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/JP2007/074559
申请日：2007-12-20
申请人：松下電器産業株式会社 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 藤井覚
发明人：村岡俊作 , 小佐野浩一 , 藤井覚
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/1625 , G11C13/00 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147
摘要：　第１電極（２）と、第２電極（４）と、第１電極（２）と第２電極（４）との間に配設され第１電極（２）と第２電極（４）とに電気的に接続された抵抗変化層（３）とを備え、抵抗変化層（３）が（ＮｉｘＦｅ１－ｘ）Ｆｅ２Ｏ４の化学式で表されるスピネル構造を有する材料を含み、Ｘが０．３５以上０．９以下であり、第１電極（２）と第２電極（４）との間に第１の電圧を有する第１電圧パルスを印加することで第１電極（２）と第２電極（４）との間の電気抵抗が低下し、第１電極（２）と第２電極（４）との間に第１の電圧と極性が異なる第２の電圧を有する第２電圧パルスを印加することで第１電極（２）と第２電極（４）との間の電気抵抗が上昇する性質を有する抵抗変化型素子（１０）、抵抗変化型記憶装置、および抵抗変化型装置である。
摘要翻译：电阻可变元件（10），电阻可变存储器件和电阻可变器件设置有第一电极（2）; 第二电极（4）; 和设置在第一电极（2）和第二电极（4）之间并与第一电极（2）和第二电极（4）电连接的电阻变化层（3）。电阻变化层（3）包括由以下化学式表示的材料：（Ni x Fe x Fe 1-x N）Fe 2 O 2 O 4，其中X为0.35以上且不大于0.9，并且具有尖晶石结构。电阻可变元件，电阻变量存储器件和电阻可变器件具有这样的特性，即当具有第一电压的第一电压脉冲施加在第一电极之间时，第一电极（2）和第二电极（4）之间的电阻降低第一电极（2）和第二电极（4），并且当具有与第一电极（2）的极性不同的第二电压的第二电压脉冲时，第一电极（2）和第二电极（4）之间的电阻增加在第一电极（2）和第二电极（4）之间施加电压。

7. 发明申请

WO2008081741A1 抵抗変化型素子および抵抗変化型記憶装置审中-公开
标题翻译：电阻可变元件和电阻可变存储器件
公开(公告)号：WO2008081741A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/JP2007/074556
申请日：2007-12-20
申请人：松下電器産業株式会社 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 藤井覚
发明人：村岡俊作 , 小佐野浩一 , 藤井覚
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C2213/31 , G11C2213/72 , H01L27/2409 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/147 , H01L45/1625
摘要：　本発明の抵抗変化型素子およびこれを用いた抵抗変化型記憶装置は、第１電極と、第２電極と、第１電極（２）と第２電極（４）との間に配設され第１電極（２）と第２電極（４）とに電気的に接続された抵抗変化層（３）とを備え、抵抗変化層（３）が（ＺｎｘＦｅ１－ｘ）Ｆｅ２Ｏ４の化学式で表されるスピネル構造を有する材料を含み、第１電極（２）と第２電極（４）との間に第１の電圧パルスを印加することで第１電極（２）と第２電極（４）との間の電気抵抗が上昇し、第１電極（２）と第２電極（４）との間に第１の電圧パルスと極性の等しい第２の電圧パルスを印加することで第１電極（２）と第２電極（４）との間の電気抵抗が低下する性質を有する抵抗変化型素子（１０）およびこれを用いた抵抗変化型記憶装置である。
摘要翻译：电阻可变元件和使用这种电阻可变元件的电阻变量存储装置设置有第一电极; 第二电极; 和设置在第一电极（2）和第二电极（4）之间并与第一电极（2）和第二电极（4）电连接的电阻变化层（3）。电阻变化层（3）包括由化学式（Zn x Fe x Fe 1-x N）Fe 2 O 2表示的材料， O 4并且具有尖晶石结构。电阻可变元件（10）和使用电阻可变元件的电阻变量存储装置具有这样的特性，即当第一电压（I）和第二电极（4）之间施加第一电压脉冲时，第一电极（2）和第二电极电极（2）和第二电极（4）之间，并且当施加具有与第一电压脉冲相同极性的第二电压脉冲时，第一电极（2）和第二电极（4）之间的电阻降低第一电极（2）和第二电极（4）。

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