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1. 发明申请

WO2008066173A1 アモルファスカーボン膜、半導体装置、成膜方法、成膜装置及び記憶媒体审中-公开
标题翻译：非晶碳膜，半导体器件，薄膜成型方法，成膜装置和储存介质
公开(公告)号：WO2008066173A1
公开(公告)日：2008-06-05
申请号：PCT/JP2007/073228
申请日：2007-11-30
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 菊地良幸 , 小林保男 , 川村剛平 , 野沢俊久 , 石川拓
发明人：菊地良幸 , 小林保男 , 川村剛平 , 野沢俊久 , 石川拓
IPC分类号： H01L21/314 , C23C16/26 , H01L21/31 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L23/5329 , C23C16/26 , H01L21/0276 , H01L21/31144 , H01L21/3146 , H01L21/76811 , H01L21/76834 , H01L21/76835 , H01L23/53238 , H01L23/53295 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　本発明は、比誘電率を低く抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率が小さいアモルファスカーボン膜及びその膜を備えた半導体装置、並びにアモルファスカーボン膜を成膜する技術を提供する。　成膜時にＳｉ（シリコン）の添加量を制御しながらアモルファスカーボン膜を成膜する。このため、比誘電率を３．３以下の低い値に抑えながら、弾性率が高く、また熱収縮率の小さいアモルファスカーボン膜を得ることができる。従ってこのアモルファスカーボン膜を、半導体装置を構成する膜として用いた場合に膜剥がれなどの不具合が抑えられる。
摘要翻译：提供具有高弹性和具有抑制的介电常数的低热收缩率的非晶碳膜，设置有该膜的半导体器件和用于形成无定形碳膜的技术。无定形碳膜通过在成膜期间控制Si（硅）的添加量而形成。因此，具有高的弹性和低的热收缩率，具有抑制的比介电常数为3.3以下的无定形碳膜。因此，当将非晶碳膜用作构成半导体器件的膜时，可以抑制诸如膜剥离的问题。

2. 发明申请

WO2008096717A1 載置台構造、これを用いた処理装置及びこの装置の使用方法审中-公开
标题翻译：放置床结构，使用结构处理设备，以及使用设备的方法
公开(公告)号：WO2008096717A1
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：PCT/JP2008/051792
申请日：2008-02-04
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 川村剛平 , 小林保男 , 野沢俊久 , 石橋清隆
发明人：川村剛平 , 小林保男 , 野沢俊久 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68742 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/50 , H01J37/3244 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/6875
摘要：　開示される載置台構造は、基板に対して所定の処理が行われる真空引き可能に構成された処理容器内で基板を支持する載置台構造であって、基板が載置される載置台本体と、基板を載置台本体に降ろし、載置台から持ち上げるように構成された昇降ピン機構と、載置台本体上に載置された基板の裏面周縁部が、処理容器に供給される処理ガスに晒されるように載置台本体に形成された段部と、を有する。
摘要翻译：公开了一种用于将基材支撑在处理容器中的放置床结构，其中基板经受预定处理并且可以被抽真空地构成。放置床结构包括用于将基板放置在其上的放置床体，提升销机构，其构造成使基板向下放置在放置床体上;以及台阶部，形成在放置床体中，使得周缘部放置在放置床体上的基板的背面可能暴露于供给到处理容器的处理气体。

3. 发明申请

WO2005017990A1 成膜方法、半導体装置の製造方法、半導体装置、基板処理システム审中-公开
标题翻译：成膜方法，制造半导体器件的方法，半导体器件和衬底处理系统
公开(公告)号：WO2005017990A1
公开(公告)日：2005-02-24
申请号：PCT/JP2004/010484
申请日：2004-07-23
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 川村剛平 , 小林保男 , 西澤賢一 , 寺井康浩 , 浅野明
发明人：川村剛平 , 小林保男 , 西澤賢一 , 寺井康浩 , 浅野明
IPC分类号： H01L21/314
CPC分类号： H01L21/0212 , C23C16/26 , C23C16/56 , H01L21/02274 , H01L21/0234 , H01L21/3127
摘要：　成膜方法は、F添加カーボン膜を、CとFとを含む原料ガスを使って形成する工程と、形成された前記F添加カーボン膜を、ラジカルにより改質する工程と、前記F添加カーボン膜を改質する工程とを含み、前記原料ガスは、原料ガス分子中におけるF原子数とC原子数との比F／Cが、１よりも大きく２よりも小さいことを特徴とする。
摘要翻译：一种膜的形成方法，其特征在于，其包括通过使用含有C和F的原料气体形成F添加碳膜的步骤，通过基团改性上述F添加碳膜的工序，以及改性上述F添加碳膜的工序，其中原料气体的F原子数与其中所含的C原子数之比（F / C）大于1且小于2。

4. 发明申请

WO2004086483A1 プラズマ成膜方法及びプラズマ成膜装置审中-公开
标题翻译：等离子体成膜方法和等离子体成膜装置
公开(公告)号：WO2004086483A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/JP2004/004070
申请日：2004-03-24
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 小林保男 , 川村剛平 , 浅野明 , 寺井康浩 , 西澤賢一
发明人：小林保男 , 川村剛平 , 浅野明 , 寺井康浩 , 西澤賢一
IPC分类号： H01L21/314
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/511 , H01J37/3244 , H01L21/0212 , H01L21/02274 , H01L21/3127
摘要： A plasma film-forming method and apparatus in which an upper opening of a vacuum chamber is closed with a dielectric and a planar antenna member is provided on the top of the dielectric. A coaxial waveguide is provided on the top of the planar antenna member. Microwave generator means is connected to the coaxial waveguide. A multitude of slits having a length equal to, e.g., half the wavelength of the microwave are provided concentrically in the planar antenna member. For example, a circularly polarized microwave is emitted through these slits into a process atmosphere to produce a plasma from a material gas. The electron temperature the plasma defined by mean-square velocity is 3 eV or less, and the electron density is 5x10 /cm or more. Thus, a fluorine-added carbon film is formed. It is preferable that the process pressure is 19.95 Pa or less.
摘要翻译：在电介质的顶部设置等离子体成膜方法和装置，其中用电介质封闭真空室的上部开口和平面天线构件。同轴波导设置在平面天线构件的顶部。微波发生器装置连接到同轴波导。具有等于例如微波波长的一半长度的多个狭缝同心地设置在平面天线构件中。例如，通过这些狭缝将圆偏振微波发射到工艺气氛中，以从材料气体产生等离子体。由均方速度定义的等离子体的电子温度为3eV以下，电子密度为5×10 11 / cm 3以上。因此，形成氟加成碳膜。处理压力优选为19.95Pa以下。

5. 发明申请

WO2004085703A1 処理装置及び処理方法审中-公开
标题翻译：加工设备和加工方法
公开(公告)号：WO2004085703A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/JP2004/003412
申请日：2004-03-15
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 石坂忠大 , 吉井直樹 , 川村剛平 , 福田幸夫 , 重岡隆 , 小島康彦 , 大島康弘 , 荒見淳一 , 五味淳
发明人：石坂忠大 , 吉井直樹 , 川村剛平 , 福田幸夫 , 重岡隆 , 小島康彦 , 大島康弘 , 荒見淳一 , 五味淳
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45561 , Y10T137/86558 , Y10T137/86566 , Y10T137/86638 , Y10T137/86726 , Y10T137/86743 , Y10T137/86751 , Y10T137/86871
摘要：処理装置は、還元ガスのプラズマを連続して生成しながら、原料ガスと還元ガスの供給を交互に切り替えながら供給することができる。励起装置（１２）は供給された還元ガスを励起する。励起された還元ガスは処理容器（２）に供給される。切り替え機構（２０）が、励起装置（１２）と処理容器（２）との間に設けられる。バイパスライン（２２）が、切り替え機構（２０）に接続される。切り替え機構（２０）は、励起された還元ガスの励起装置（１２）からの流れを、処理容器（２）とバイパスライン（２２）とのいずれか一方に切り替える。
摘要翻译：公开了能够在连续地形成还原气体的等离子体的同时交替地切换原料气体和还原气体的供给的处理装置。励磁装置（12）激发供给到其中的还原气体，并将被激发的还原气体供给到处理室（2）。在励磁装置（12）和处理室（2）之间设置有切换机构（20），旁通管路（22）与切换机构（20）连接。切换机构（20）切换来自处理室（2）和旁通管线（22）之间的激发装置（12）的被激发的还原气体的流动。

6. 发明申请

WO2006109735A1 成膜方法及び成膜装置审中-公开
标题翻译：薄膜成型方法和薄膜成型装置
公开(公告)号：WO2006109735A1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：PCT/JP2006/307475
申请日：2006-04-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 亀嶋隆季 , 川村剛平 , 小林保男
发明人：亀嶋隆季 , 川村剛平 , 小林保男
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4404 , C23C16/4581 , H01L21/02167 , H01L21/02274 , H01L21/3185
摘要：　本発明は、金属酸化物が含有されているセラミックスからなる載置台が内部に配置された処理容器内に、無機シランガスを含む処理ガスを導入して、前記載置台表面を含む前記処理容器内壁にシリコンを含む非金属の薄膜をプリコートする工程と、前記非金属の薄膜がプリコートされた載置台の上に被処理基板を載置する工程と、前記処理容器内に、有機シランガスを含む処理ガスを導入して、前記載置台上に載置された前記被処理基板の表面にシリコンを含む非金属の薄膜を成膜する工程と、を備えたことを特徴とする成膜方法である。
摘要翻译：成膜方法的特征在于，该方法具有将包含无机硅烷气体的处理气体引入处理室的步骤，在该处理室中配置由包含金属氧化物的陶瓷构成的放置台，所述处理室包括具有包含硅的非金属薄膜的所述放置台的表面; 将待处理的基板放置在预先涂覆有非金属薄膜的放置台上的步骤; 以及将包括有机硅烷气体的处理气体引入处理室的步骤，以及在放置台上的基板的表面上形成包含硅的非金属薄膜。

7. 发明申请

WO2005109483A1 電子装置用基板およびその処理方法审中-公开
标题翻译：用于电子设备的基板及其处理方法
公开(公告)号：WO2005109483A1
公开(公告)日：2005-11-17
申请号：PCT/JP2005/008506
申请日：2005-05-10
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 小林保男 , 川村剛平
发明人：小林保男 , 川村剛平
IPC分类号： H01L21/314
CPC分类号： H01L21/3146 , H01L21/31058 , H01L21/312
摘要：　本発明は，半導体装置などの電子装置用の基板，およびその処理方法に関する。その基板の処理方法においては、まず電子装置用の基板を準備し，この基板の表面上に，フッ素添加カーボン（ＣＦ）からなる絶縁膜（Ｉ）を形成する。次に，例えばクリプトン（Ｋｒ）ガスのプラズマ中で生成された活性種（Ｋｒ＋）を絶縁膜（Ｉ）の表面に衝突させることによって，絶縁膜（Ｉ）の表面に露出しているフッ素（Ｆ）原子を当該絶縁膜から離脱させる。その際，少なくとも，絶縁膜を形成する工程の直後から，フッ素原子を離脱させる工程の完了までの間は，基板に水分が接触しないように維持する。
摘要翻译：公开了一种用于诸如半导体器件的电子器件的衬底及其处理方法。在处理方法中，首先制备电子器件用基板，在基板表面上形成由碳氟化合物（CF）构成的绝缘膜（I）。然后，通过用例如在氪（氪）中产生的活化物质（Kr +）轰击绝缘膜（I）的表面，去除在绝缘膜（I）的表面中暴露的氟（F）原子 Kr）气体等离子体。在这一点上，至少从绝缘膜形成步骤之后直到完成氟原子去除步骤，基板与水分保持脱离接触。

8. 发明申请

WO2005050726A1 プラズマ処理方法およびプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：等离子体处理方法和等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2005050726A1
公开(公告)日：2005-06-02
申请号：PCT/JP2004/017272
申请日：2004-11-19
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 小林保男 , 川村剛平
发明人：小林保男 , 川村剛平
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/26 , C23C16/4404 , C23C16/4405 , H01J37/32192 , H01J37/3222 , H01J37/32238 , H01J37/3244
摘要：　アンテナ（７）の平面アンテナ部材から誘電体プレート（６）を通じてマイクロ波を処理容器（１）内に放射する。これにより、ガス供給部材（３）から処理容器（１）内へ供給されるＣ 5 Ｆ 8 ガスをプラズマ化（活性化）して、半導体ウエハ（Ｗ）上に一定の厚さのフッ素添加カーボン膜を成膜する。ウエハを１枚について成膜工程を行う毎に、クリーニング工程およびプリコーティング工程を行う。クリーニング工程においては、酸素ガスおよび水素ガスのプラズマにより処理容器内をクリーニングする。プリコーティング工程においては、Ｃ 5 Ｆ 8 ガスをプラズマ化して、成膜工程で成膜されるフッ素添加カーボン膜よりも薄いフッ素添加カーボンのプリコート膜を形成する。
摘要翻译：微波通过电介质板（6）从天线（7）的平面天线构件发射到处理容器（1）中。由此，将从气体供给部件（3）供给到处理容器（1）的C5F8气体变更（激活）为等离子体，以在半导体晶片（W）上形成一定厚度的氟化碳膜）。每次进行在一个晶片上形成薄膜的成膜步骤时，进行清洗步骤和预涂步骤。在清洗工序中，用氧气和氢气等离子体清洗处理容器的内部。在预涂布步骤中，将C5F8气体变成等离子体，并且形成比在成膜步骤中形成的加氟碳膜薄的氟加成碳的预涂膜。

9. 发明申请

WO2004086480A1 プラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：清洗等离子体处理装置和等离子体处理装置的方法
公开(公告)号：WO2004086480A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/JP2004/004016
申请日：2004-03-24
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 石川拓 , 川村剛平 , 小林保男
发明人：石川拓 , 川村剛平 , 小林保男
IPC分类号： H01L21/31
CPC分类号： H01J37/32862 , H01J37/321 , H01L21/31116
摘要：本発明は，処理容器内にてＣＦ膜の成膜処理を行い，その後処理容器内に付着したＣＦ膜をクリーニングするにあたり，先ず処理容器内に酸素のプラズマを発生させ，処理容器内に付着したＣＦ膜をこのプラズマによって分解して，分解生成物であるＦとＣの大部分を除去する。次いで処理容器内にて水素のプラズマを発生させ，処理容器内に付着したＣとＯとを含む有機物をこのプラズマによって分解して除去する。ＣＦ膜が酸素プラズマによって分解され，ＣとＯとを含む有機物が水素プラズマによって分解されるので，高いクリーニング速度を確保しつつ，確実に処理容器内のクリーニングを行うことが可能である。
摘要翻译：公开了一种用于清洁附着在等离子体处理室的内表面上的CF膜的方法，其中进行用于在物体上形成CF膜的工艺。首先，在处理室内产生氧的等离子体，用于分解附着在处理室的内表面的CF膜，并且除去作为分解产物的F和C的大部分。然后在处理室内产生氢的等离子体，用于分解和除去附着在处理室的内表面上的含有C和O的有机物质。由于CF膜被氧等离子体分解，并且含有C和O的有机物被氢等离子体分解，所以可以确保清洗处理室，同时确保高的清洗率。

10. 发明申请

WO2003014413A1 処理装置およびそのクリーニング方法审中-公开
标题翻译：处理设备及其清洁方法
公开(公告)号：WO2003014413A1
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：PCT/JP2002/008089
申请日：2002-08-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 川村剛平 , 三好秀典 , 鄭基市 , 大島康弘 , 高橋宏幸
发明人：川村剛平 , 三好秀典 , 鄭基市 , 大島康弘 , 高橋宏幸
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32541
摘要： After an SiOC:H film is formed, the cleaning of the interior of a chamber (11) starts. NF 3 and O 2 fed from an NF 3 source (S1) and an O 2 source (S2) are turned into plasma inside an activator (12) on a cleaning gas line (L1), and radicals in the plasma is selectively fed into the chamber (11). Fluorine and oxygen radicals in the cleaning gas remove an Si−containing matter and a C−containing matter deposited to the interior of the chamber (11).
摘要翻译：在形成SiOC：H膜之后，开始清洁室（11）的内部。来自NF 3 源（S1）和O 2 源（S2）的NF 3 和O 2 在清洁气体管线（L1）上的活化剂（12）内变成等离子体，并且等离子体中的自由基被选择性地进料到室（11）中。清洁气体中的氟和氧自由基除去沉积到室（11）内部的含Si物质和含C物质。

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