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1. 发明申请

WO2004085703A1 処理装置及び処理方法审中-公开
标题翻译：加工设备和加工方法
公开(公告)号：WO2004085703A1
公开(公告)日：2004-10-07
申请号：PCT/JP2004/003412
申请日：2004-03-15
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 石坂忠大 , 吉井直樹 , 川村剛平 , 福田幸夫 , 重岡隆 , 小島康彦 , 大島康弘 , 荒見淳一 , 五味淳
发明人：石坂忠大 , 吉井直樹 , 川村剛平 , 福田幸夫 , 重岡隆 , 小島康彦 , 大島康弘 , 荒見淳一 , 五味淳
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45542 , C23C16/34 , C23C16/452 , C23C16/45561 , Y10T137/86558 , Y10T137/86566 , Y10T137/86638 , Y10T137/86726 , Y10T137/86743 , Y10T137/86751 , Y10T137/86871
摘要：処理装置は、還元ガスのプラズマを連続して生成しながら、原料ガスと還元ガスの供給を交互に切り替えながら供給することができる。励起装置（１２）は供給された還元ガスを励起する。励起された還元ガスは処理容器（２）に供給される。切り替え機構（２０）が、励起装置（１２）と処理容器（２）との間に設けられる。バイパスライン（２２）が、切り替え機構（２０）に接続される。切り替え機構（２０）は、励起された還元ガスの励起装置（１２）からの流れを、処理容器（２）とバイパスライン（２２）とのいずれか一方に切り替える。
摘要翻译：公开了能够在连续地形成还原气体的等离子体的同时交替地切换原料气体和还原气体的供给的处理装置。励磁装置（12）激发供给到其中的还原气体，并将被激发的还原气体供给到处理室（2）。在励磁装置（12）和处理室（2）之间设置有切换机构（20），旁通管路（22）与切换机构（20）连接。切换机构（20）切换来自处理室（2）和旁通管线（22）之间的激发装置（12）的被激发的还原气体的流动。

2. 发明申请

WO2004112114A1 成膜方法、半導体装置の製造方法、半導体装置および成膜装置审中-公开
标题翻译：沉积膜的工艺，制造半导体器件的工艺，用于沉积膜的半导体器件和系统
公开(公告)号：WO2004112114A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/006060
申请日：2004-04-27
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 石坂忠大 , 大島康弘 , 吉井直樹 , 重岡隆 , 川村剛平 , 福田幸夫 , 小島康彦
发明人：石坂忠大 , 大島康弘 , 吉井直樹 , 重岡隆 , 川村剛平 , 福田幸夫 , 小島康彦
IPC分类号： H01L21/285
CPC分类号： C23C16/34 , C23C16/45529 , C23C16/45542 , H01L21/28562 , H01L21/76846 , H01L21/7685 , H01L2221/1078
摘要：処理容器内の被処理基板に成膜する成膜方法であって、ハロゲン元素を含まない有機金属化合物からなる第１の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第１の原料ガスを前記処理容器内から除去する第１の工程と、水素または水素化合物を含む第２の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第２の原料ガスを前記処理容器内から除去する第２の工程とを繰り返してなる第１の膜成長工程と、金属ハロゲン化物からなる第３の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第３の原料ガスを前記被処理基板から除去する第３の工程と、水素または水素化合物を含む第４の原料ガスを前記処理容器内に供給した後、前記第４の原料ガスを前記処理容器内から除去する第４の工程とを繰り返してなる第２の膜成長工程からなる成膜方法を用いた。
摘要翻译：一种用于在被处理的基板上沉积薄膜的方法，放置在处理容器中，包括第一薄膜沉积步骤，重复第一步骤，用于将不含卤素元素的有机金属化合物的第一原料气体供应到处理容器中，从处理容器的内部的原料气体和向处理容器供给含有氢或氢化合物的第二原料气体，然后从处理容器的内部除去第二原料气体的第二工序，以及第二成膜工序重复第三步骤，将金属卤化物的第三原料气体供应到处理容器中，然后从被处理的基板中除去第三原料气体;第四步骤，将含有氢或氢化合物的第四材料气体供应到处理容器中，然后从处理配件的内部去除第四原料气体 TAINER。

3. 发明申请

WO2004079042A1 薄膜の形成方法、薄膜の形成装置、プログラム及びコンピュータ読取り可能情報記録媒体审中-公开
标题翻译：形成薄膜的方法，薄膜成型装置，程序和计算机可读信息记录介质
公开(公告)号：WO2004079042A1
公开(公告)日：2004-09-16
申请号：PCT/JP2004/002243
申请日：2004-02-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大島康弘 , 小島康彦 , 重岡隆 , 河南博 , 石坂忠大
发明人：大島康弘 , 小島康彦 , 重岡隆 , 河南博 , 石坂忠大
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45523 , C23C16/34 , C23C16/45525 , H01L21/28556 , H01L21/28562 , H01L21/76843
摘要：原料となるガスを交互に供給することにより成膜を行なう薄膜の形成であって高品質の薄膜を迅速に形成する方法に関し、、原料ガスであるTiCl 4 ガスを基板上或いは基板に吸着しているTiCl 4 の分子上に吸着させ、反応ガスであるＮＨ３ガスを処理容器内に供給し、このＮＨ３とTiCl 4 とを反応させてTiNを成膜する工程を有し、これらの工程を繰り返し実施することによりTiN薄膜を形成する方法において、更にTiCl 4 ガスが基板上に吸着する前に、還元性を有するＨ２ガスを処理容器３０内に供給し、TiCl 4 を基板に吸着し易い状態（例えば、TiCl 3 ）に変化させる工程を設ける。
摘要翻译：通过交替进料原料气体，通过成膜快速形成高质量的薄膜的方法。特别是形成TiN薄膜的方法，其特征在于，包括使作为原料气体的TiCl 4气体吸附在基板上的重复操作或吸附在基板上的TiCl 4分子，将NH 3气体作为反应气体供给到处理室中，以实现TiCl 4和NH 3的反应，导致TiN膜的形成，该方法还包括在将TiCl 4气体吸附在衬底上之前，在处理室（30）中进料还原H 2气体以改变TiCl 4 达到在底物上吸附的可能性增加的状态（例如，TiCl 3）。

4. 发明申请

WO2004021415A1 処理装置及び処理方法审中-公开
标题翻译：处理装置和处理方法
公开(公告)号：WO2004021415A1
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：PCT/JP2003/010377
申请日：2003-08-15
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 河南博 , 石坂忠大 , 小島康彦 , 大島康弘 , 重岡隆
发明人：河南博 , 石坂忠大 , 小島康彦 , 大島康弘 , 重岡隆
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01L21/28562 , C23C16/34 , C23C16/45557
摘要：処理装置において、原料ガス（ＴｉＣｌ 4 ，ＮＨ 3 ）と不活性ガス（Ｎ 2 ）とを含む処理ガスを処理容器（２）内へ供給する。圧力計（６）により処理容器（２）内の圧力を検出し、検出結果に基づいて処理容器（２）内に供給される処理ガスの流量を制御する。原料ガスのパージを不活性ガスで行う。原料ガスの流量は一定とし、不活性ガスの流量を制御することにより、処理ガス全体としての流量を制御して、処理容器（２）内の圧力を一定に維持する。原料ガスの排気に要する時間が短縮されるため、原料ガスの切り替え時間が短縮される。また、処理中の基板表面の温度を一定に維持することができる。　　　　　　　　　　　　　　　　　　
摘要翻译：在处理装置中，将含有原料气体（TiCl 4和NH 3）和惰性气体（N 2）的处理气体进料到处理容器（2）中。通过压力表（6）检测处理容器（2）的内部压力，并根据检测结果控制进入处理容器（2）的处理气体的流量。用惰性气体吹扫原料气体。通过固定原料气体的流量和控制惰性气体的流量来控制处理气体的总流量，使得处理容器（2）的内部压力保持恒定。可以缩短排放原料气体所需的时间，从而可以缩短原料气体的切换时间。此外，处理期间的基板表面的温度可以保持恒定。

5. 发明申请

WO2004020695A1 基板処理装置、基板処理装置のクリーニングの終点検出方法、及び基板処理の終点検出方法审中-公开
标题翻译：基板处理单元，检测基板处理单元的清洁端点的方法以及检测基板处理的端点的方法
公开(公告)号：WO2004020695A1
公开(公告)日：2004-03-11
申请号：PCT/JP2003/010939
申请日：2003-08-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 河南博 , 石坂忠大 , 小島康彦 , 大島康弘 , 重岡隆
发明人：河南博 , 石坂忠大 , 小島康彦 , 大島康弘 , 重岡隆
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： C23C16/4412 , C23C16/4405 , C23C16/52 , H01L21/67028 , H01L21/67253 , H01L22/26
摘要：　本発明の基板処理装置は、基板を収容する処理容器と、前記処理容器内に前記処理容器内をクリーニングするためのクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給系と、前記処理容器内を排気する排気装置と、前記排気装置の作動状態を検出する作動状態検出器と、前記作動状態検出器の検出結果に基づいて前記クリーニングの終点を検出する終点検出器とを具備している。
摘要翻译：基板处理单元包括用于接收基板的处理容器，用于向处理容器提供清洁气体以清洁处理容器内部的清洁气体供应系统，用于排出处理容器的排气器，用于排出处理容器的操作状态检测器检测排气器的运行状态，以及终点检测器，用于根据来自运行状态检测器的检测结果来检测清洗的终点。

6. 发明申请

WO2003014413A1 処理装置およびそのクリーニング方法审中-公开
标题翻译：处理设备及其清洁方法
公开(公告)号：WO2003014413A1
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：PCT/JP2002/008089
申请日：2002-08-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 川村剛平 , 三好秀典 , 鄭基市 , 大島康弘 , 高橋宏幸
发明人：川村剛平 , 三好秀典 , 鄭基市 , 大島康弘 , 高橋宏幸
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32541
摘要： After an SiOC:H film is formed, the cleaning of the interior of a chamber (11) starts. NF 3 and O 2 fed from an NF 3 source (S1) and an O 2 source (S2) are turned into plasma inside an activator (12) on a cleaning gas line (L1), and radicals in the plasma is selectively fed into the chamber (11). Fluorine and oxygen radicals in the cleaning gas remove an Si−containing matter and a C−containing matter deposited to the interior of the chamber (11).
摘要翻译：在形成SiOC：H膜之后，开始清洁室（11）的内部。来自NF 3 源（S1）和O 2 源（S2）的NF 3 和O 2 在清洁气体管线（L1）上的活化剂（12）内变成等离子体，并且等离子体中的自由基被选择性地进料到室（11）中。清洁气体中的氟和氧自由基除去沉积到室（11）内部的含Si物质和含C物质。

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