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1. 发明申请

WO2004034456A1 配線形成方法审中-公开
标题翻译：形成接线方法
公开(公告)号：WO2004034456A1
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/JP2003/007301
申请日：2003-06-09
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 佐藤浩 , 鄭基市
发明人：佐藤浩 , 鄭基市
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/7684
摘要：　表面に凹部又は開口部を有する基板上に金属膜を形成する。基板上に金属膜を形成した後、段差を有する金属膜上に金属微粒子分散液を塗布し、金属微粒子分散液に含まれる溶媒を蒸発させて、金属微粒子膜を形成する。その後、凹部内又は開口部内の部分を除いた金属膜及び金属微粒子膜を研磨により除去する。これにより、金属膜の段差を効果的に緩和することができ、凹部内或いは開口部内の金属膜の削れを低減させることができる。
摘要翻译：一种形成布线的方法，包括以下步骤：在其表面上具有凹陷部分或开口部分的基底上形成金属膜，在金属膜上施加金属颗粒扩散液，将金属颗粒扩散液中包含的溶剂蒸发至形成金属颗粒膜，并且通过抛光除去凹部或开口部分中的部分的金属膜和金属颗粒膜，从而可以有效地缓解金属膜上的步骤，并且切割可以减少凹部或开口部中的金属膜。

2. 发明申请

WO2005074034A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2005074034A1
公开(公告)日：2005-08-11
申请号：PCT/JP2005/001245
申请日：2005-01-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 鈴木健二 , 鄭基市 , 大久保和哉
发明人：鈴木健二 , 鄭基市 , 大久保和哉
IPC分类号： H01L29/423
CPC分类号： C23C16/30 , C23C16/42 , H01L21/28088 , H01L29/4966
摘要：　本発明は、半導体基板（１）と、この基板の上に形成されたゲート絶縁膜、例えばゲート酸化膜（２）と、この絶縁膜の上に形成されたゲート電極（３）とを備えた半導体装置に関する。ゲート電極（３）は、金属化合物膜（３ａ）を有する。この金属化合物膜（３ａ）は、金属カルボニルを含有する原料、例えばＷ（ＣＯ）６ガスと、Ｓｉを含有するガスおよびＮを含有するガスのうち少なくとも１つとを用いたＣＶＤにより形成される。このようにして形成される金属化合物膜（３ａ）は、そのＳｉおよび／またはＮの含有量によって、その仕事関数の値を制御することができる。
摘要翻译：公开了一种半导体器件，包括半导体衬底（1），形成在衬底上的栅极氧化膜（2）等栅极绝缘膜和形成在绝缘膜上的栅电极（3）。栅电极（3）具有金属化合物膜（3a），其通过使用诸如含有羰基金属的W（CO）6气体的原料和含Si气体和N 含气体。可以通过改变其中所含的Si和/或N的量来控制金属化合物膜（3a）的功函数。

3. 发明申请

WO2003014413A1 処理装置およびそのクリーニング方法审中-公开
标题翻译：处理设备及其清洁方法
公开(公告)号：WO2003014413A1
公开(公告)日：2003-02-20
申请号：PCT/JP2002/008089
申请日：2002-08-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 川村剛平 , 三好秀典 , 鄭基市 , 大島康弘 , 高橋宏幸
发明人：川村剛平 , 三好秀典 , 鄭基市 , 大島康弘 , 高橋宏幸
IPC分类号： C23C16/44
CPC分类号： H01J37/32009 , H01J37/3244 , H01J37/32541
摘要： After an SiOC:H film is formed, the cleaning of the interior of a chamber (11) starts. NF 3 and O 2 fed from an NF 3 source (S1) and an O 2 source (S2) are turned into plasma inside an activator (12) on a cleaning gas line (L1), and radicals in the plasma is selectively fed into the chamber (11). Fluorine and oxygen radicals in the cleaning gas remove an Si−containing matter and a C−containing matter deposited to the interior of the chamber (11).
摘要翻译：在形成SiOC：H膜之后，开始清洁室（11）的内部。来自NF 3 源（S1）和O 2 源（S2）的NF 3 和O 2 在清洁气体管线（L1）上的活化剂（12）内变成等离子体，并且等离子体中的自由基被选择性地进料到室（11）中。清洁气体中的氟和氧自由基除去沉积到室（11）内部的含Si物质和含C物质。

4. 发明申请

WO2005045916A1 基板処理方法审中-公开
标题翻译：处理基板的方法
公开(公告)号：WO2005045916A1
公开(公告)日：2005-05-19
申请号：PCT/JP2004/016541
申请日：2004-11-08
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 柏木勇作 , 大島康弘 , 香川恵永 , 鄭基市
发明人：柏木勇作 , 大島康弘 , 香川恵永 , 鄭基市
IPC分类号： H01L21/316
CPC分类号： H01L21/0234 , C23C16/401 , C23C16/56 , H01L21/02126 , H01L21/3121
摘要：　本発明は、有機シランガスを用いたプラズマＣＶＤ法により成膜される絶縁膜の低誘電率化と、機械的な強度の維持を可能とすることを目的としている。　そのため、本発明では、被処理基板に有機シランガスを含む第１の処理ガスを供給してプラズマを励起することで、当該被処理基板上に絶縁膜を成膜する成膜工程と、前記成膜工程の後、前記被処理基板にＨ 2 ガスを含む第２の処理ガスを供給してプラズマ励起することで、当該絶縁膜の処理を行う後処理工程と、を有する基板処理方法であって、前記後処理工程のプラズマ励起は、マイクロ波プラズマアンテナにより行われることを特徴とする基板処理方法を用いている。
摘要翻译：公开了一种处理衬底的方法，其使得能够通过使用有机硅烷气体的等离子体CVD方法形成的绝缘膜具有低介电常数并保持机械强度。一种处理衬底的方法，包括一种成膜步骤，其中通过将含有有机硅烷气体的第一工艺气体供应到衬底上并在其上激发等离子体，在待加工的衬底上形成绝缘膜，以及后处理步骤其中通过将含有H 2气体的第二处理气体供应到衬底上并激发等离子体来处理绝缘膜的成膜步骤的特征在于后处理步骤中的等离子体激发通过微波等离子天线

5. 发明申请

WO2004027114A1 無電解メッキ装置、および無電解メッキ方法审中-公开
标题翻译：电沉积装置和电镀法
公开(公告)号：WO2004027114A1
公开(公告)日：2004-04-01
申请号：PCT/JP2003/006498
申请日：2003-05-23
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 丸茂吉典 , 定免美保 , 小宮隆行 , 佐藤浩 , 鄭基市
发明人：丸茂吉典 , 定免美保 , 小宮隆行 , 佐藤浩 , 鄭基市
IPC分类号： C23C18/31
CPC分类号： C23C18/1619 , C23C18/1669 , C23C18/1678
摘要：　基板保持部に保持された基板とプレートとの間隔を近接させ、処理液吐出部から処理液を吐出することで、基板に無電解メッキを施す。処理液が基板とプレート間のギャップを流れることから、基板上に処理液の流れが生じ、基板上に新鮮な処理液を供給することが可能となる。この結果、処理液が少量の場合でも基板上に均一性良くメッキ膜を形成することが可能となる。
摘要翻译：将板放置在由基板保持部保持的基板附近。处理液从处理液喷射部喷出，由此无电解地镀覆基板。处理液体流过基板和板之间的间隙。因此，处理液的流动发生在基板上。结果，可以将新鲜的处理液体供应到基底上。因此，即使处理液的量少，也可以在基板上非常均匀地形成镀膜。

6. 发明申请

WO2003066238A1 塗布装置および塗布方法审中-公开
标题翻译：涂层设备和涂层方法
公开(公告)号：WO2003066238A1
公开(公告)日：2003-08-14
申请号：PCT/JP2003/001051
申请日：2003-02-03
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 鄭基市 , 田中道夫
发明人：鄭基市 , 田中道夫
IPC分类号： B05C11/08
CPC分类号： H01L21/6715 , H01L21/288 , H01L21/76819 , H01L21/7684
摘要： A coating device (10), comprising a substrate holding part (16) for holding a substrate having a step on the principal plane thereof, a coating part (31) for applying a plurality of liquids with different densities onto the substrate, and a control part (70) for controlling the coating part according to the disposition of the step, whereby the step of the substrate can be effectively compensated by applying the plurality of liquids with different viscosities according to the disposition of the step.
摘要翻译：一种涂布装置（10），包括用于保持在其主平面上具有台阶的基板的基板保持部（16），用于将不同密度的多种液体施加到基板上的涂布部（31）用于根据步骤的布置来控制涂布部分的部分（70），由此可以根据步骤的布置通过施加具有不同粘度的多种液体来有效地补偿基底的步骤。

7. 发明申请

WO2004033764A1 液処理装置及び液処理方法审中-公开
标题翻译：液体处理装置及液体处理方法
公开(公告)号：WO2004033764A1
公开(公告)日：2004-04-22
申请号：PCT/JP2003/007096
申请日：2003-06-04
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 佐藤浩 , 鄭基市
发明人：佐藤浩 , 鄭基市
IPC分类号： C25D17/00
CPC分类号： C25D17/008 , C25D17/001
摘要：　本発明の液処理装置は、隔膜の位置を部分的に変える隔膜位置可変機構を備えている。本発明の液処理装置によれば、隔膜の位置を部分的に変えることができる。それ故、基板における液処理の面内均一性を効果的に向上させることができる。
摘要翻译：一种液体处理装置，包括能够部分地改变隔膜位置的膜片位置改变装置。这种液体处理装置能够部分地改变隔膜的位置，从而可以有效地提高在基板上的液体处理的面内均匀性。

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