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1. 发明申请

WO2007119745A1 薬液または純水供給装置、基板処理システム、基板処理装置または基板処理方法审中-公开
标题翻译：用于药物溶液或超声波水，板处理系统，板处理设备或板处理方法
公开(公告)号：WO2007119745A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/057971
申请日：2007-04-11
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , リアライズ・アドバンストテクノロジ株式会社 , 大見忠弘 , 寺本章伸 , 山中二朗 , 水谷信崇 , 中村修 , 松岡孝明 , 大蔵領一
发明人：大見忠弘 , 寺本章伸 , 山中二朗 , 水谷信崇 , 中村修 , 松岡孝明 , 大蔵領一
IPC分类号： H01L21/304 , F16L11/06
CPC分类号： H01L21/67051 , H01L21/6708
摘要： By softening PVDF, which is a fluorinated resin, by adding a perfluoro monomer thereto, the oxygen permeation level can be remarkably lowered and a flexible fluorinated resin tube can be obtained. By providing a nylon tube as an outer layer, the oxygen permeation level can be lowered too. These tubes are employed between a feeder (111) for drug solution(s) or ultrapurified water and a washing device or a device (101) for utilizing drug solution(s) or ultrapurified water such as a wet etching device.
摘要翻译：通过使氟化树脂软化PVDF，通过向其中加入全氟单体，可以显着降低氧渗透水平，并且可以获得柔性的氟化树脂管。通过提供尼龙管作为外层，氧渗透水平也可以降低。这些管被用在药液供给器（111）或超纯水之间，洗涤装置或用于利用药物溶液或超级水如湿蚀刻装置的装置（101）。

2. 发明申请

WO2008047541A1 膜塗布装置および膜塗布方法审中-公开
标题翻译：电影涂装和胶片涂布方法
公开(公告)号：WO2008047541A1
公开(公告)日：2008-04-24
申请号：PCT/JP2007/068757
申请日：2007-09-27
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 大蔵領一 , 中村修 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 大蔵領一 , 中村修 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/04 , B05C11/10 , B05D3/00 , B05D3/04 , G03F7/16
CPC分类号： G11B7/266 , B05D1/002 , G11B5/842
摘要：　被塗布基板を内部に導入して、この基板に膜塗布を行うための塗布容器と、塗布液を保持する塗布液容器と、前記塗布液容器から塗布液を前記塗布容器に輸送する液輸送系とを含む膜塗布装置において、塗布された膜内における酸素及び水分の内の少なくとも一方の含有を抑制する手段を有する。
摘要翻译：涂膜装置设置有涂布容器，其在待涂布的基材内部引入并涂覆基材; 用于储存涂布溶液的涂布溶液容器; 以及用于从涂布液容器将涂布液输送到涂布容器的液体输送系统。膜涂装置还具有抑制所施加的膜中至少氧或水的含量的装置。

3. 发明申请

WO2008041625A1 塗布膜コーティング装置审中-公开
标题翻译：电影涂装
公开(公告)号：WO2008041625A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2007/068936
申请日：2007-09-28
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 大蔵領一 , 中村修 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 大蔵領一 , 中村修 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L21/027 , B05C11/00 , B05C11/08 , B05D1/40 , G03F7/16 , G11B5/84 , G11B7/26
CPC分类号： G11B5/84 , G03F7/162 , G11B7/261 , H01L21/6715 , H01L21/6838
摘要：　音速ノズルより、ウェーハの裏面に向かってガスを噴出させる。ウェーハの裏面に沿って外周側へと流れるガスの流速が、ウェーハの裏面と第２カップとの間で速められ、ベルヌーイ効果により保持される。これによって、ウェーハのバタツキが抑えられる。また、裏面へレジスト液が回り込むのを防止することができる。
摘要翻译：从声波喷嘴向晶片的后表面喷射气体。沿着晶片的后表面流动到外周侧的气体的流速在晶片的后表面和第二杯之间增加，并且保持由伯努利的作用。因此，晶片的摇摆被抑制。此外，防止抗蚀剂溶液流到背面。

4. 发明申请

WO2005093120A1 成膜装置および成膜方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型装置和成膜方法
公开(公告)号：WO2005093120A1
公开(公告)日：2005-10-06
申请号：PCT/JP2005/005928
申请日：2005-03-29
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 松岡孝明
IPC分类号： C23C14/24
CPC分类号： C23C14/541 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/243 , C23C14/564 , F28D2021/0077 , F28F9/026 , F28F13/08
摘要：　成膜速度が早く、均一な成膜を可能にし、原料の無駄を省くことのできる成膜装置および成膜方法を提供することを目的として、蒸発した成膜材料を輸送ガスの流れによって基板表面に到達させるように、ガスの流れによって成膜条件を制御することができ、均一な薄膜を大面積の基板に堆積することができる。すなわち、気化した原料を基板へ向けて方向付けすることで成膜速度を上げ、均一な成膜が可能になる。
摘要翻译：公开了一种成膜装置和成膜方法，能够以高的成膜速度形成均匀的膜，同时消除原料的浪费。在这样的设备和方法中，通过运送气体的流动使蒸发的成膜材料到达基板的表面，从而可以通过气体的流动和均匀的膜来控制成膜条件可以沉积在具有大面积的基底上。也就是说，通过将蒸发的原料引导到基板上，可以在提高成膜速率的同时形成均匀的膜。

5. 发明申请

WO2009110404A1 回転マグネットスパッタ装置审中-公开
标题翻译：旋转磁铁溅射装置
公开(公告)号：WO2009110404A1
公开(公告)日：2009-09-11
申请号：PCT/JP2009/053815
申请日：2009-03-02
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
IPC分类号： C23C14/35 , C23C14/34 , H01L21/31
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3447 , H01J37/3455 , H01J37/3497
摘要：　プラズマ遮蔽部材とグランドに接続された外壁とを備え、プラズマ遮蔽部材と外壁間に、直列共振回路、及び、並列共振回路を有する回転マグネットスパッタ装置が得られる。直列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に低いインピーダンスを有し、並列共振回路は、共振周波数においてのみ非常に高いインピーダンスを有する。このような構造とすることにより、基板ＲＦ電力とプラズマ遮蔽部材との間のインピーダンスが非常に高くなり、被処理基板１０とプラズマ遮蔽部材との間でのプラズマ発生を抑制することができる。また、ターゲットとグランドとの間は、直列共振回路が設けられているため、被処理基板がターゲットの下を通過する領域のみに効率よくＲＦ電力が供給され、セルフバイアス電圧が発生する。
摘要翻译：旋转磁体溅射装置设置有等离子体阻挡构件和连接到地面的外壁，并且该装置在等离子体阻挡构件和外壁之间具有串联谐振电路和并联谐振电路。串联谐振电路仅具有谐振频率的极低阻抗，并联谐振电路只有谐振频率具有极高的阻抗。利用这种结构，衬底RF功率和等离子体阻挡构件之间的阻抗变得非常高，并且可以抑制待处理衬底（10）和等离子体阻挡构件之间的等离子体的产生。由于串联谐振电路配置在目标和地之间，所以RF功率仅被有效地提供给基板通过目标以下的区域，并且产生自偏压。

6. 发明申请

WO2008050567A1 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：用气体释放孔组件烧结的淋浴板及其制造方法
公开(公告)号：WO2008050567A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/068613
申请日：2007-09-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
摘要：　プラズマの逆流防止のためにシャワープレートの縦孔内に配置されるガス放出孔部材（セラミックス部材あるいは多孔質ガス流通体）が隙間無く一体的に焼結結合され、シャワープレートの使用時に縦孔から脱落することがなく、また各縦孔からのガス放出量のバラツキがなく、プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる多数個の縦孔１０５内に、孔径が２０μｍ乃至７０μｍのガス放出孔を複数個有するセラミックス部材、および／または最大気孔径が７５μｍ以下のガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体を一体的に焼結結合して配置した。
摘要翻译：本发明提供了一种喷淋板，其包括通过一体烧结而没有任何空间结合的气体释放孔构件（陶瓷构件或多孔气体流动体），用于等离子体回流防止目的在淋浴板的垂直孔内。上述结构的优点在于，在淋浴板使用期间气体释放构件不从垂直孔脱落，从每个垂直孔释放的气体量没有变化，等离子体的反向流动可以更完全可以实现高效率的等离子体激发。喷淋板（105）设置在等离子体处理装置的处理室（102）中，等离子体激发气体释放到用于产生等离子体的处理室（102）中。具有多个直径为20μm至70μm的气体释放孔的陶瓷构件和/或具有气体流动方向上彼此连通的最大直径不大于75μm的孔的多孔气体流动体是通过与作为等离子体激发气体的释放路径的多个垂直孔（105）中的每一个的内部一体地烧结而结合。

7. 发明申请

WO2007029671A1 成膜装置、成膜装置系、成膜方法、及び電子装置または有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型装置，薄膜成型系统，薄膜成型方法和制造电子器件或有机电致发光元件的方法
公开(公告)号：WO2007029671A1
公开(公告)日：2007-03-15
申请号：PCT/JP2006/317499
申请日：2006-09-05
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社豊田自動織機 , 大見忠弘 , 松岡孝明 , 中山尚三 , 伊藤日藝
发明人：大見忠弘 , 松岡孝明 , 中山尚三 , 伊藤日藝
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/12 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： H01L51/001 , C23C14/12 , C23C14/243 , C23C14/568 , H01L51/56
摘要：　高価な有機ＥＬ原料を無駄なく利用すると共に、有機ＥＬ膜を長時間に亘って均一に成膜できる成膜装置及びそのための治具を提供する。　単一の原料容器部に対して、複数の吹き出し容器を備え、原料容器部の有機ＥＬ原料を気化してキャリアガスと共に各吹き出し容器に供給する配管系を他の吹き出し容器の配管系へ切り替える切替器を備えている。このように、複数の吹き出し容器に対して、単一の原料容器部から有機ＥＬ原料を切り替え供給することにより、有機ＥＬ原料の利用効率を改善できる。
摘要翻译：提供一种成膜装置，通过该成膜设备可以使用昂贵的有机EL材料而不浪费它，并且可以长时间均匀地形成有机EL膜，以及用于这种成膜装置的夹具。单个材料容器部分设置有多个吹出容器。提供了一种开关装置，用于切换管道系统，该管道系统使材料容器部分中的有机EL材料蒸发，并将每个吹出容器中的气化材料与载气供应到其它吹出容器的管道系统。通过切换从单一材料容器部分向吹出容器提供有机EL材料来改善有机EL材料的使用效率。

8. 发明申请

WO2006109562A1 成膜装置および成膜方法审中-公开
标题翻译：电影形成装置和电影形成方法
公开(公告)号：WO2006109562A1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：PCT/JP2006/306276
申请日：2006-03-28
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 株式会社豊田自動織機 , 大見忠弘 , 松岡孝明 , 中山尚三 , 伊藤日藝
发明人：大見忠弘 , 松岡孝明 , 中山尚三 , 伊藤日藝
IPC分类号： C23C14/24 , C23C14/12 , H01L51/50 , H05B33/10
CPC分类号： C23C14/564 , C23C14/12 , C23C14/228 , C23C14/24 , H01L51/0008 , H01L51/0081 , H01L51/56
摘要：　吹き出し容器に有機ＥＬ分子ガスを吹き出す構成を備えた成膜装置において、複数の有機ＥＬ原料容器と、複数の有機ＥＬ原料容器と吹き出し容器とを接続する配管系を有し、複数の有機ＥＬ原料容器は選択的に有機ＥＬ分子供給状態となり、当該配管系は、各有機ＥＬ原料容器内に、成膜時と非成膜時において同じ圧力となるように、輸送ガスを供給するように構成されている。非成膜時、輸送ガスは有機ＥＬ原料容器の一つから他の原料容器に流される。
摘要翻译：本发明提供了一种用于成膜的装置，包括具有吹出有机EL分子气体的结构的吹出容器。该装置包括多个有机EL材料容器和用于将多个有机EL材料容器连接到吹出容器的管道系统。多个有机EL材料容器被构造成选择性地进入有机EL分子进料状态。管道系统被构造成使得输送气体以这样的方式被供给到每个有机EL材料容器中，使得成膜期间的压力和非成膜期间的压力彼此相等。在非成膜期间，允许运输气体从有机EL材料容器之一流动到其他材料容器。

9. 发明申请

WO2008126811A1 マグネトロンスパッタ装置审中-公开
标题翻译： MAGNETRON喷射装置
公开(公告)号：WO2008126811A1
公开(公告)日：2008-10-23
申请号：PCT/JP2008/056819
申请日：2008-04-04
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , H01J37/3405 , H01J37/3455
摘要：　本発明の課題は、ターゲット上での瞬時瞬時のプラズマ密度を上昇させて成膜速度を向上させるようにしたマグネトロンスパッタ装置を提供することにある。　本発明のマグネトロンスパッタ装置は、被処理基板と被処理基板に対向して設置されたターゲットと、ターゲットの被処理基板とは反対側に設置された回転磁石とを有し、ターゲット表面に複数のプラズマループが形成されると共に、当該プラズマループが回転磁石の回転にしたがって回転磁石の軸方向に発生、移動、消滅するマグネトロンスパッタ装置である。
摘要翻译：一种磁控溅射装置，其能够通过增加目标上的瞬时等离子体密度来提高成膜速率。磁控管溅射装置包括待加工的基板，与要加工的基板相对的靶，以及设置在待加工基板上的靶的相反侧的旋转磁体。在靶的表面上形成等离子体环。等离子体回路沿着旋转磁体的轴线形成，当旋转磁体旋转时移动并消失。

10. 发明申请

WO2008114718A1 マグネトロンスパッタ装置审中-公开
标题翻译： MAGNETRON喷射装置
公开(公告)号：WO2008114718A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/054730
申请日：2008-03-14
申请人：国立大学法人東北大学 , 東京エレクトロン株式会社 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明
IPC分类号： C23C14/35 , H01L21/285
CPC分类号： H01J37/3455 , C23C14/35 , H01J37/32495 , H01J37/3405 , H01J37/3408 , H01J37/3441 , H01J37/345 , H01J37/3452
摘要：　本発明の課題は、回転磁石群によってターゲット表面の磁場パターンが時間と共に移動するように構成されたマグネトロンスパッタ装置において、プラズマ着火や消去の際に被処理基板の不良率が高くなる問題を解決し、被処理基板の不良率が従来よりも小さいマグネトロンスパッタ装置を提供することにある。　本発明のマグネトロンスパッタ装置はターゲットに対して回転磁石群と反対側にスリットを備えたプラズマ遮蔽部材を設け、当該プラズマ遮蔽部材と被処理基板との間の距離を電子の平均自由工程よりも短くするか、或いは、シース幅よりも短くする。更に、スリット幅及び長さを制御することにより、被処理基板にプラズマが当らないようにする。これによって、被処理基板の不良率を小さくすることができる。　
摘要翻译：本发明是为了解决在磁控管溅射装置中的等离子体点火或消光时提高待处理基板的百分比不良的问题，该磁控管溅射装置构成为目标表面的磁性图案随着时间旋转而移动从而提供一种磁控溅射装置，其中处理过的衬底的缺陷百分比低于现有技术。提供的磁控管溅射装置包括等离子体屏蔽构件，其在相对于靶的旋转磁体组的相对侧上具有狭缝，从而使等离子体屏蔽构件和处理过的衬底之间的距离比平均自由程电子或鞘宽。此外，控制狭缝宽度和长度以保护经处理的基板免受等离子体的轰击。因此，可以减少经处理的基材的百分比缺陷。

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