基本信息:
- 专利标题： シリコン単結晶の引上げ方法
- 专利标题（英）：Method for pulling silicon single crystal
- 专利标题（中）：拉丝硅单晶的方法
- 申请号：PCT/JP2008/000976 申请日：2008-04-14
- 公开(公告)号：WO2008146439A1 公开(公告)日：2008-12-04
- 发明人： 添田聡 , 森昌洋
- 申请人： 信越半導体株式会社 , 添田聡 , 森昌洋
- 申请人地址： 〒1000004 東京都千代田区大手町二丁目6番2号 Tokyo JP
- 专利权人： 信越半導体株式会社,添田聡,森昌洋
- 当前专利权人： 信越半導体株式会社,添田聡,森昌洋
- 当前专利权人地址： 〒1000004 東京都千代田区大手町二丁目６番２号 Tokyo JP
- 代理机构： 好宮幹夫
- 优先权： JP2007-137073 20070523
- 主分类号： C30B29/06
- IPC分类号： C30B29/06 ; C30B15/00
摘要：
本発明は、種結晶を融液に接触させて引上げることでシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法において、前記種結晶を融液に接触させた後種結晶の下部にネッキング部を形成し、その後拡径して前記ネッキング部の下部にシリコン単結晶を形成する際、前記ネッキング部形成時の引上げ速度を２ｍｍ／ｍｉｎ以下とし、前記拡径したシリコン単結晶は肩部の抵抗率が１．５ｍΩ・ｃｍ以下のボロンドープシリコン単結晶としてシリコン単結晶を引上げることを特徴とするシリコン単結晶の引上げ方法である。これにより、チョクラルスキー法により製造された低抵抗率のボロンドープシリコン単結晶インゴットをウェーハに加工した場合に、ウェーハの表面に傷などの欠陥が発生することのないシリコン単結晶の引上げ方法が提供される。
摘要（中）：
提供了一种通过使晶种与熔体接触并拉动晶体来生长硅单晶的切克劳斯基法。 在该方法中，在使晶种与熔融物接触之后，在晶种的下部形成颈缩部，直径增大，并且在颈缩部的下部形成硅单晶 。 在形成颈缩部时，将拉拔速度设定为2mm / min以下，直径增大的单晶硅作为电阻率为1.5mO以上的硼掺杂硅单晶而被拉伸， 肩部。 因此，当通过切克劳斯基法（Czochralski）制造的低电阻率掺杂硼的硅单晶锭被加工成晶片时，在晶片的表面上不产生划痕等缺陷。