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1. 发明申请

WO2008053627A1 ＳｉＣ半導体用オーミック電極、ＳｉＣ半導体用オーミック電極の製造方法、半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：用于SiC半导体的OHMIC电极，用于制造用于SiC半导体的OHMIC电极的方法，半导体器件及其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2008053627A1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/JP2007/065816
申请日：2007-08-13
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋 , 玉祖秀人
发明人：藤川一洋 , 玉祖秀人
IPC分类号： H01L21/28
CPC分类号： H01L21/0485 , H01L29/45 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　ＳｉとＮｉとを含むＳｉＣ半導体用オーミック電極（２）、またはＳｉとＮｉとを含み、さらにＡｕまたはＰｔを含むＳｉＣ半導体用オーミック電極（２）である。また、これらのＳｉＣ半導体用オーミック電極（２）の製造方法、これらのＳｉＣ半導体用オーミック電極（２）を用いた半導体装置およびその半導体装置の製造方法である。
摘要翻译：公开了一种用于SiC半导体的欧姆电极（2），包括Si和Ni，或用于SiC半导体的欧姆电极（2），包括Si和Ni，另外包含Au或Pt; 一种用于制造欧姆电极（2）的方法; 使用欧姆电极（2）的半导体器件; 以及半导体装置的制造方法。

2. 发明申请

WO2008072482A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2008072482A1
公开(公告)日：2008-06-19
申请号：PCT/JP2007/073078
申请日：2007-11-29
申请人：住友電気工業株式会社 , 玉祖秀人 , 藤川一洋 , 原田真
发明人：玉祖秀人 , 藤川一洋 , 原田真
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/28 , H01L29/417 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/0465 , H01L29/1608 , H01L29/66068
摘要：　半導体（１０２）の表面の一部にイオン注入マスク（１０３）を形成する第１工程と、イオン注入マスク（１０３）が形成されている領域以外の半導体（１０２）の表面の露出領域の少なくとも一部に第１ドーパントのイオンを注入して第１ドーパント注入領域（１０６）を形成する第２工程と、第１ドーパント注入領域（１０６）の形成後にイオン注入マスク（１０３）の一部を除去して半導体（１０２）の表面の露出領域を拡大する第３工程と、拡大した半導体（１０２）の表面の露出領域の少なくとも一部に第２ドーパントのイオンを注入して第２ドーパント注入領域（１０７）を形成する第４工程と、を含む、半導体装置の製造方法である。
摘要翻译：一种半导体器件制造方法，包括在半导体（102）的表面的部分区域中形成离子注入掩模（103）的第一步骤，将第一掺杂剂的离子注入暴露的第一掺杂剂的至少一部分的第二步骤除了形成离子注入掩模（103）的区域以外的半导体（102）的表面的区域，形成第一掺杂剂注入区（106），第三步骤，去除部分离子注入掩模（103）在形成第一掺杂剂注入区域（106）以扩大半导体（102）的表面的暴露区域之后，以及第四步骤，将第二掺杂剂的离子注入至半导体（102）的表面以形成第二掺杂剂注入区（107）。

3. 发明申请

WO2004112150A1 電界効果トランジスタ审中-公开
标题翻译：场效应晶体管
公开(公告)号：WO2004112150A1
公开(公告)日：2004-12-23
申请号：PCT/JP2004/007397
申请日：2004-05-21
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋 , 原田真 , 松波弘之 , 木本恒暢
发明人：藤川一洋 , 原田真 , 松波弘之 , 木本恒暢
IPC分类号： H01L29/808
CPC分类号： H01L29/66901 , H01L29/0634 , H01L29/1608 , H01L29/808
摘要：ＳｉＣ単結晶基板（１）上に、電界緩和層（１２）およびｐ-型バッファ層（２）が形成されている。電界緩和層（１２）は、ｐ-型バッファ層（２）とＳｉＣ単結晶基板（１）との間においてＳｉＣ単結晶基板（１）と接するように形成されている。ｐ-型バッファ層（２）上にはｎ型半導体層（３）が形成されている。ｎ型半導体層（３）上にはｐ型半導体層（１０）が形成されている。ｐ型半導体層（１０）の中には、所定の間隔を隔ててｎ+型ソース領域層（４）およびｎ+型ドレイン領域層（５）が形成されている。ｎ+型ソース領域層（４）とｎ+型ドレイン領域層（５）とによって挟まれたｐ型半導体層（１０）の領域の部分には、ｐ+型ゲート領域層（６）が形成されている。
摘要翻译：在SiC单晶衬底（1）上形成电场调节层（12）和p型缓冲层（2）。在p型缓冲层（2）和与SiC单晶衬底（1）接触的SiC单晶衬底（1）之间形成电场调节层（12）。在p型缓冲层（2）上形成n型半导体层（3）。在n型半导体层（3）上形成p型半导体层（10）。在p型半导体层（10）内以一定的距离形成n +型源极区（4）和n +型漏极区（5）。在位于n +型源区域层（4）和n +型源区域层（4）之间的p型半导体层（10）的一部分中形成p +型栅极区域层（6）型漏极区域层（5）。

4. 发明申请

WO2004097914A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2004097914A1
公开(公告)日：2004-11-11
申请号：PCT/JP2004/005649
申请日：2004-04-20
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋 , 原田真
发明人：藤川一洋 , 原田真
IPC分类号： H01L21/265
CPC分类号： H01L21/266 , H01L21/046 , H01L21/0465
摘要：高温下、イオンを高エネルギで加速して行なうイオン注入を可能とし、半導体基板（１，１０１）、特にＳｉＣ半導体基板への領域選択的で、十分な深さの不純物注入を簡便に行なうことのできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。このため、本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板（１，１０１）の表面に、ポリイミド樹脂膜（２）、または、ＳｉＯ2膜（１０７ａ，１０７ｂ）と金属薄膜（１０５）を備えるマスク層を形成する工程と、不純物イオンの注入を行なう工程を備えることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种制造半导体器件的方法，其能够在高温下执行离子注入，其中离子由高能量加速。该方法能够简单地进行选择性且足够深的杂质注入到半导体衬底（1,101）中，特别是进入SiC半导体衬底。制造装置的方法的特征在于包括在半导体衬底（1,101）的表面上形成掩模层的步骤，该掩模层由聚酰亚胺树脂膜（2）或SiO 2膜（107a，107b）组成）和金属薄膜（105），以及用于注入杂质离子的步骤。

5. 发明申请

WO2009104299A1 半導体装置および半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件及制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2009104299A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2008/068013
申请日：2008-10-03
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋 , 原田真
发明人：藤川一洋 , 原田真
IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L29/04 , H01L29/201 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812
CPC分类号： H01L29/808 , H01L21/047 , H01L29/045 , H01L29/0634 , H01L29/1608 , H01L29/6606 , H01L29/812
摘要：　六方晶ＳｉＣの基板の主表面の、（０００１）面に直交する面とのなす最小角度が１°以下である方向、たとえば（０００１）方向に垂直な［０００１］方向とのなす最小角度が１°以下である方向を向くように準備する。以上のようにして準備した基板の一方の主表面上に、横型の半導体装置を形成する。このことにより、六方晶ＳｉＣの基板の主表面が（０００１）方向に沿った方向を向いた横型の半導体装置に比べ、耐電圧の値を大きく改善することができた。
摘要翻译：制备六方晶系SiC基片，使主表面垂直于与（0001）面相交的面的最小角度为1°或更小。主表面转向与垂直于（0001）方向的[0001]方向的最小角度为1°或更小的方向。通过这样的布置，与六边形SiC衬底的主表面转向沿（0001）方向的方向的横向半导体器件相比，可以显着提高击穿电压。

6. 发明申请

WO2008111269A1 第１電極と第２電極とを備える半導体装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：具有第一电极和第二电极的半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008111269A1
公开(公告)日：2008-09-18
申请号：PCT/JP2007/073033
申请日：2007-11-29
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋 , 星野孝志
发明人：藤川一洋 , 星野孝志
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/28 , H01L21/337 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/739 , H01L29/749 , H01L29/78 , H01L29/80 , H01L29/808 , H01L29/861
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0839 , H01L29/1095 , H01L29/4236 , H01L29/66348
摘要：　ＩＧＢＴ（９１）は、基板（Ｓ）と、基板（Ｓ）の上面（Ｓａ）側に形成されたエミッタ電極（１７）と、基板（Ｓ）の下面（Ｓｂ）側に形成されたコレクタ電極（１５）と、エミッタ電極（１７）とコレクタ電極（１５）との間を流れる電流を制御するための制御機構（ｐ型ベース領域（７）、ｎ + 不純物領域（１１）、絶縁膜（１３）、およびゲート電極（１９））とを備えている。ｎ - ドリフト領域（１）が基板（Ｓ）内に形成されている。これにより、オン抵抗を小さくすることができる。
摘要翻译： IGBT（91）包括基板（S），形成在基板（S）的上表面（Sa）侧的发射电极（17），形成在基板（S）的下表面（Sb）侧的集电极基板（S），控制机构（p型基极区域（7），n + +杂质区域（11），绝缘膜（13）和栅极电极（19））。在衬底（S）中形成n +漂移区（1）。这使得可以降低导通电阻。

7. 发明申请

WO2006061942A1 双方向型電界効果トランジスタおよびマトリクスコンバータ审中-公开
标题翻译：双向场效应晶体管和矩阵转换器
公开(公告)号：WO2006061942A1
公开(公告)日：2006-06-15
申请号：PCT/JP2005/018137
申请日：2005-09-30
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋
发明人：藤川一洋
IPC分类号： H01L21/337 , H01L29/808
CPC分类号： H01L29/812 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66901 , H01L29/808
摘要：　単一のデバイスで双方向に流れる電流を制御できる双方向型電界効果トランジスタおよびこれを用いたマトリクスコンバータを提供する。　双方向型電界効果トランジスタは、半導体基板１と、半導体基板１上に設けられ、該基板１の主面に平行なチャネルと該チャネルのコンダクタンスを制御するためのゲート電極１３ａとを含むゲート領域と、チャネルの第１端側に設けられた第１領域と、チャネルの第２端側に設けられた第２領域とを備え、第１領域の第１電極１１ａからチャネルを介して第２領域の第２電極１２ａへ流れる順方向電流および第２電極１２ａからチャネルを介して第１電極１１ａへ流れる逆方向電流が、ゲート電極１３ａに印加されるゲート電圧によって制御される。
摘要翻译：一种双向场效应晶体管，其能够通过单个器件和采用它的矩阵转换器来控制在两个方向上流动的电流。所述双向场效应晶体管包括半导体衬底（1），设置在所述半导体衬底（1）上并且包括与所述衬底（1）的主表面平行的沟道的栅极区域和用于控制所述栅极电极通道的导通，设置在通道的第一端侧的第一区域和设置在通道的第二端侧的第二区域。在第一区域中从第一区域中的第一电极（11a）流过第二区域中的第二电极（12a）的正向电流和从第二电极（12a）通过沟道流向第一电极 11a）由施加到栅电极（13a）的栅极电压控制。

8. 发明申请

WO2008053628A1 炭化ケイ素半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：制造碳化硅半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2008053628A1
公开(公告)日：2008-05-08
申请号：PCT/JP2007/065817
申请日：2007-08-13
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋 , 増田健良
发明人：藤川一洋 , 増田健良
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/265 , H01L21/337 , H01L29/808
CPC分类号： H01L29/808 , H01L21/0465 , H01L29/1608 , H01L29/66068 , H01L29/66901 , Y10S438/931
摘要：　ＳｉＣ単結晶（４）の表面の少なくとも一部にドーパントをイオン注入する工程と、イオン注入後のＳｉＣ単結晶（４）の表面上にＳｉ膜（８）を形成する工程と、Ｓｉ膜（８）が形成されたＳｉＣ単結晶（４）をＳｉ膜（８）の溶融温度以上の温度に加熱する工程と、を含む、ＳｉＣ半導体装置の製造方法である。
摘要翻译：公开了一种用于制造SiC半导体器件的方法，其包括用于将掺杂剂离子注入到SiC单晶（4）的至少一部分表面中的步骤，用于在SiC单晶（4）上形成Si膜（8）的步骤离子注入后的SiC单晶（4）的表面，以及将具有Si膜（8）的SiC单晶（4）加热到Si膜（8）的熔融温度以上的温度的工序，。

9. 发明申请

WO2003079455A1 横型接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：横向功能场效应晶体管及其制造方法
公开(公告)号：WO2003079455A1
公开(公告)日：2003-09-25
申请号：PCT/JP2002/012608
申请日：2002-12-02
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋 , 原田真 , 弘津研一 , 初川聡 , 星野孝志 , 松波弘之 , 木本恒暢
发明人：藤川一洋 , 原田真 , 弘津研一 , 初川聡 , 星野孝志 , 松波弘之 , 木本恒暢
IPC分类号： H01L29/808
CPC分类号： H01L29/0634 , H01L29/1058 , H01L29/1066 , H01L29/42316 , H01L29/66893 , H01L29/808
摘要：この横型接合型電界効果トランジスタによれば、第３半導体層（１３）中のソース／ドレイン領域層（６，８）の間には、第２半導体層（１２）および第３半導体層（１３）にまたがるように、下面が第２半導体層（１２）にまで延在するように設けられ、第２半導体層（１２）の不純物濃度よりも高いｐ型の不純物濃度を含む第１ゲート電極層（１８Ａ）が設けられている。また、第５半導体層（１５）中のソース／ドレイン領域層（６，８）の間には、下面が第４半導体層（１４）にまで延在するように設けられ、第１ゲート電極層（１８Ａ）とほぼ同じ不純物濃度を有し、かつ、同電位を有するｐ型の不純物を含む第２ゲート電極層（１８Ｂ）が設けられている。その結果、良好な耐圧性能を維持したままオン抵抗を低減可能とする構造を有する横型接合型電界効果トランジスタを提供することを可能とする。
摘要翻译：横向结型场效应晶体管具有第一栅电极层（18A）。具有比第二半导体层（12）的杂质浓度高的p型杂质浓度的该第一电极层设置在延伸到两者中的第三半导体层（13）中的源极/漏极区域（6,8）之间第二半导体层（12）和第三半导体层。第一电极层的下表面延伸到第二半导体层（12）中。在源极/漏极区域（6,8）之间设置第二栅极电极层（18B），其含有与第一栅电极层（18A）的杂质浓度几乎相同的p型荧光体和相同的电位，在第五半导体层（15）中。第二栅电极层的下表面延伸到第四半导体层（14）中。结果，提供了具有用于降低导通电阻同时保持良好的击穿电压性能的结构的横向结型场效应晶体管。

10. 发明申请

WO2009075124A1 半導体装置の製造方法および半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法和半导体器件
公开(公告)号：WO2009075124A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：PCT/JP2008/064862
申请日：2008-08-21
申请人：住友電気工業株式会社 , 藤川一洋 , 原田真 , 並川靖生 , 増田健良
发明人：藤川一洋 , 原田真 , 並川靖生 , 増田健良
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/336 , H01L29/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7802 , H01L21/046 , H01L21/67109 , H01L29/45 , H01L29/66068 , Y10T117/1068 , Y10T117/1088
摘要：　熱処理工程においてウェハの表面荒れを十分抑制することにより、当該表面荒れに起因した特性の低下を抑制することが可能な半導体装置の製造方法、および表面荒れに起因した特性の低下が抑制された半導体装置を提供する。　半導体装置としてのＭＯＳＦＥＴの製造方法は、炭化珪素からなるウェハ３を準備する工程と、ウェハ３を加熱することにより、活性化アニールを実施する活性化アニール工程とを備えている。そして、活性化アニール工程においては、ウェハ３が、ウェハ３とは別の発生源であるＳｉＣ片６１から発生した炭化珪素の蒸気を含む雰囲気中において加熱される。
摘要翻译：一种半导体器件制造方法，其能够通过充分防止热处理工序中的表面粗糙度，防止由于表面粗糙度而导致的表面粗糙度引起的特性劣化，以及防止由表面粗糙度引起的特性劣化的半导体器件。制造作为半导体器件的MOSFET的方法包括制备由碳化硅制成的晶片（3）的步骤和通过加热晶片（3）进行活化退火的活化退火步骤。在活化退火工序中，将晶片（3）在不同于晶片（3）的SiC源（61）产生的含有碳化硅蒸气的气氛中进行加热。

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