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1. 发明申请

WO2008149484A1 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件及其制造方法和非易失性存储元件的非线性半导体器件
公开(公告)号：WO2008149484A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/000745
申请日：2008-03-26
申请人：パナソニック株式会社 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 藤井覚 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 三谷覚 , 宮永良子 , 高木剛 , 島川一彦
发明人：神澤好彦 , 片山幸治 , 藤井覚 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 三谷覚 , 宮永良子 , 高木剛 , 島川一彦
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
摘要：　本発明の不揮発性記憶素子は、第１電極層(103)と、第２電極層(107)と、第１電極層(103)と第２電極層(107)との間に介在し、両電極(103),(107)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(106)とを備え、この抵抗変化層(106)は、ＴａＯｘ（但し、０≦ｘ＜２.５）で表される組成を有する第１のタンタル含有層と、少なくともＴａＯｙ（但し、ｘ＜ｙ）で表される組成を有する第２のタンタル含有層とが積層された積層構造を有している。
摘要翻译：非易失性存储元件设置有介于第一电极层（103）和第二电极层（107）之间的第一电极层（103），第二电极层（107）和电阻变化层（106）并且具有基于在两个电极（103）和（107）之间给出的电信号可逆地改变的电阻值。该电阻变化层（106）具有层叠结构，其中具有由TaOx（其中，0 = x <2.5）表示的组成的第一含钽层和具有由TaOy表示的组成的第二含钽层（其中， x

2. 发明申请

WO2010021134A1 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびメモリセルの形成方法审中-公开
标题翻译：可变电阻非易失性存储器件和存储器单元形成方法
公开(公告)号：WO2010021134A1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/JP2009/003969
申请日：2009-08-20
申请人：パナソニック株式会社 , 村岡俊作 , 神澤好彦 , 三谷覚 , 片山幸治 , 島川一彦 , 藤井覚 , 高木剛
发明人：村岡俊作 , 神澤好彦 , 三谷覚 , 片山幸治 , 島川一彦 , 藤井覚 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要：　半導体基板（３０１）と、下部電極（３０９ａ）と上部電極（３０９ｃ）と両電極間に与えられる極性の異なる電圧信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層（３０９ｂ）とからなる抵抗変化素子（３０９）と、半導体基板（３０１）の主面に構成されたＮ型ＭＯＳトランジスタ（３１７）とを備え、抵抗変化層（３０９ｂ）は、下部電極（３０９ａ）と接してＭＯ x なる組成の酸素不足型の遷移金属の酸化物層（３０９ｂ－１）と、上部電極（３０９ｃ）と接してＭＯ y （但し、ｘ＜ｙ）なる組成の酸素不足型の遷移金属の酸化物層（３０９ｂ－２）とを有し、抵抗変化層（３０９ｂ）を高抵抗化させる極性の電圧信号がトランジスタ（３１７）と抵抗変化素子（３０９）に印加されたとき、トランジスタ（３１７）に基板バイアス効果が発生しないように、ドレインとなるＮ型拡散層領域（３０２ｂ）と下部電極（３０９ａ）とを接続してメモリセル（３００）が構成される。
摘要翻译：存储单元（300）被配置为配备有半导体衬底（301）; 可变电阻元件（309），其由下电极（309a），上电极（309c）和可变电阻层（309b）组成，其电阻值基于施加不同极性的电压信号而可逆地变化横跨两个电极; 以及配置在所述半导体衬底（301）的主表面上的N型MOS晶体管（317），其中所述可变电阻层（309b）包括与所述下电极接触的贫氧过渡金属氧化物层（309b-1）（309a），由MOx构成，和与上部电极（309c）接触并且由MOy（其中x

3. 发明申请

WO2008146461A1 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置审中-公开
标题翻译：非易失存储器件，其制造方法和使用非易失性存储器件的非易失性半导体器件
公开(公告)号：WO2008146461A1
公开(公告)日：2008-12-04
申请号：PCT/JP2008/001230
申请日：2008-05-16
申请人：パナソニック株式会社 , 藤井覚 , 神澤好彦 , 高木剛 , 島川一彦
发明人：藤井覚 , 神澤好彦 , 高木剛 , 島川一彦
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/145 , H01L45/1625
摘要：　本発明の不揮発性半導体装置は、(103)と、第２電極(105)と、第1電極(103)と第２電極(105)との間に介在し、両電極(103),(105)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(104)とを備え、この抵抗変化層(104)はタンタルと窒素とを含む酸化物を含む。
摘要翻译：公开了一种非易失性半导体器件，包括：第一电极（103），第二电极（105）和布置在第一电极（103）和第二电极（105）之间的可变电阻层（104），并且具有可逆地改变的电阻涉及施加在电极（103,105）之间的电信号。可变电阻层（104）含有含有钽和氮的氧化物。

4. 发明申请

WO2010086916A1 抵抗変化素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：电阻变化元件及其生产方法
公开(公告)号：WO2010086916A1
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：PCT/JP2009/003448
申请日：2009-07-22
申请人：パナソニック株式会社 , 三谷覚 , 村岡俊作 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 宮永良子 , 藤井覚 , 高木剛
发明人：三谷覚 , 村岡俊作 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 宮永良子 , 藤井覚 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
摘要：　本発明の抵抗変化素子は、第１電極（１０３）と第２電極（１０７）と、第１電極（１０３）と第２電極（１０７）との間に介在させ、第１電極（１０３）と第２電極（１０７）と接するように設けられており、第１電極（１０３）と第２電極（１０７）間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に変化する抵抗変化層とを備える抵抗変化素子において、抵抗変化層は酸素不足型の遷移金属の酸化物層から成り、第２電極（１０７）が微小突起（１０８）を有する白金からなることを特徴とする。
摘要翻译：本发明的电阻变化元件包括：第一电极（103）; 第二电极（107）; 以及介于所述第一电极（103）和所述第二电极（107）之间并且被设置为连接到所述第一电极（103）和所述第二电极（107）并且基于电信号可逆地改变的电阻变化层，设置在第一电极（103）和第二电极（107）之间的不同极性，其中电阻变化层由缺氧过渡金属氧化物层构成，第二电极（107）由含铂的微小突起（108））。

5. 发明申请

WO2010064410A1 不揮発性記憶素子审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件
公开(公告)号：WO2010064410A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/JP2009/006515
申请日：2009-12-01
申请人：パナソニック株式会社 , 神澤好彦 , 三谷覚 , 魏志強 , 高木剛 , 片山幸治
发明人：神澤好彦 , 三谷覚 , 魏志強 , 高木剛 , 片山幸治
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：　本発明の不揮発性記憶素子は、第１電極（１０３）と、第２電極（１０９）と、第１電極と第２電極との間に配設され、第１電極と第２電極との間に印加される電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層（１０６）と、第１電極と第２電極との少なくとも一方は白金を含む白金含有層（１０７）を備え、抵抗変化層は少なくとも、白金含有層と物理的に接触しない第１の酸素不足型遷移金属酸化物層（１０４）と、第１の酸素不足型遷移金属酸化物層と白金含有層との間に配設され白金含有層と物理的に接触する第２の酸素不足型遷移金属酸化物層（１０５）とを備え、第１の酸素不足型遷移金属酸化物層に含まれる酸素不足型遷移金属酸化物をＭＯｘ、第２の酸素不足型遷移金属酸化物層に含まれる酸素不足型遷移金属酸化物をＭＯｙと表したとき、ｘ＜ｙを満たし、白金含有層は膜厚が１ｎｍ以上２３ｎｍ以下であって抵抗変化層と物理的に接触している。
摘要翻译：公开了一种设置有第一电极（103），第二电极（109）和可变电阻层（106）的非易失性存储元件，可变电阻层（106）被放置在第一电极和第二电极之间并且具有可逆的变化施加在第一电极和第二电极之间的电信号。第一电极和/或第二电极设置有含有铂的含铂层（107）。可变电阻层设置有至少一个不与含铂层物理接触的第一贫氧过渡金属氧化物层（104）和与第二贫氧过渡金属氧化物层（105）物理接触的第二贫氧过渡金属氧化物层（104）并且位于第一贫氧过渡金属氧化物层和含铂层之间。当第一贫氧过渡金属氧化物层中含有的贫氧过渡金属氧化物以MOx表示，并且第二贫氧过渡金属氧化物层中所含的贫氧过渡金属氧化物以MOy表示时， y，并且含铂层具有至少1nm且不大于23nm的膜厚度，并且与可变电阻层物理接触。

6. 发明申请

WO2009136467A1 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶素子へのデータ書込方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件，非易失存储器件以及将数据写入非易失性存储元件的方法
公开(公告)号：WO2009136467A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/JP2009/001682
申请日：2009-04-13
申请人：パナソニック株式会社 , 三谷覚 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 魏志強 , 高木剛
发明人：三谷覚 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 魏志強 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：　第１電極（５０３）と第２電極（５０５）と、第１電極と第２電極との間に介在する抵抗変化層（５０４）とを備え、第１電極および第２電極間に与えられる正負両極性の電気的信号によって可逆的に第１電極および第２電極間の抵抗値が変化する不揮発性記憶素子であって、抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、第１電極および第２電極は、異なる元素から構成され、第１電極を構成する元素の標準電極電位Ｖ１と、第２電極を構成する元素の標準電極電位Ｖ２と、ハフニウムの標準電極電位Ｖ０との関係が、Ｖ１＜Ｖ２かつＶ０＜Ｖ２を満足する、不揮発性記憶素子。
摘要翻译：提供了一种非易失性存储元件，包括：第一电极（503），第二电极（505）和布置在第一电极和第二电极之间的电阻变化层（504）。通过施加在第一电极和第二电极之间的正极性和负极性的电信号可逆地改变第一电极和第二电极之间的电阻值。电阻变化层含有氧缺氧铪氧化物。第一电极和第二电极由不同的化学元素形成。构成第一电极的元件的标准电极电位V1，构成第二电极的元件的标准电极电位V2和铪的标准电极电位VO的关系满足：V1

7. 发明申请

WO2009050833A1 不揮発性記憶素子、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置审中-公开
标题翻译：非易失性存储器元件和非易失性存储器元件的非易失性半导体器件
公开(公告)号：WO2009050833A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/JP2008/000827
申请日：2008-03-31
申请人：パナソニック株式会社 , 神澤好彦 , 村岡俊作 , 三谷覚 , 魏志強 , 高木剛
发明人：神澤好彦 , 村岡俊作 , 三谷覚 , 魏志強 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：　本発明の不揮発性記憶素子は、第１電極(503)と、第２電極(505)と、第１電極(503)と第２電極(505)との間に介在され、かつ、第１電極(503)と第２電極(505)の間に接するように構成され、両電極(503),(505)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(504)とを備える不揮発性素子において、前記第１電極と前記第２電極が異なる元素からなる材料によって構成されている。
摘要翻译：非易失性存储元件由非易失性元件组成，其包括第一电极（503），第二电极（505）和电阻变化层（504），所述电阻变化层介于第一电极（503）和第二电极（505），并且被配置为与第一电极（503）和第二电极（505）接触，并且基于施加在电极（503,505）之间的电信号可逆地改变其电阻值。在非挥发性元件中，第一电极和第二电极由不同元件组成的材料形成。

8. 发明申请

WO2010004705A1 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置审中-公开
标题翻译：非易失性存储器元件，用于制造非易失性存储元件的方法和使用非易失性存储器元件的非易失性半导体器件
公开(公告)号：WO2010004705A1
公开(公告)日：2010-01-14
申请号：PCT/JP2009/003055
申请日：2009-07-01
申请人：パナソニック株式会社 , 三谷覚 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 高木剛
发明人：三谷覚 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0069 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/71 , G11C2213/79 , H01L27/101 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：　本発明の不揮発性記憶素子は、第１電極（１０３）と、第２電極（１０８）と、第１電極（１０３）と第２電極（１０７）との間に介在され、両電極（１０３），（１０８）間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層（１０７）とを備え、この抵抗変化層（１０７）は、ＨｆＯｘ（但し、０．９≦ｘ≦１．６）で表される組成を有する第１のハフニウム含有層と、ＨｆＯｙ（但し、１．８＜ｙ＜２．０）で表される組成を有する第２のハフニウム含有層とが積層された積層構造を少なくとも有している。
摘要翻译：公开了一种非易失性存储元件，包括介于第一电极（103）和第二电极（108）之间的第一电极（103），第二电极（108）和电阻变化层（107），并且经历可逆响应于施加在两个电极（103,108）上的电信号而改变电阻值。电阻变化层（107）至少具有包含由HfO x表示的组成的第一含铪层（其中0.9 = x = 1.6）和具有由HfOy表示的组成的第二含铪层的叠层结构，其中1.8

9. 发明申请

WO2009147790A1 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性半導体装置审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件，非易失性存储器件和非易失性半导体器件
公开(公告)号：WO2009147790A1
公开(公告)日：2009-12-10
申请号：PCT/JP2009/002186
申请日：2009-05-18
申请人：パナソニック株式会社 , 神澤好彦 , 三谷覚 , 魏志強 , 高木剛
发明人：神澤好彦 , 三谷覚 , 魏志強 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C11/5685 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/52 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：　第１電極（１０３）と、第２電極（１０５）と、第１電極と第２電極との間に配設され第１電極を基準とする第２電極の電位である電極間電圧に基づいて可逆的に第１電極と第２電極との間の抵抗値である電極間抵抗値を変化させる可変抵抗層（１０４）と、を備え、可変抵抗層が酸素不足型の遷移金属酸化物を含み、第１電極側と第２電極側とで非対称の構造を有し、可変抵抗層の第１電極側と、可変抵抗層の第２電極側とが、それぞれ、低抵抗状態および高抵抗状態のいずれか一方を択一的にとることにより、３個以上の互いに異なる電極間抵抗値において、電極間電圧が所定の範囲で変化しても電極間抵抗値が変化しない安定状態を取る。
摘要翻译：非易失性存储元件具有设置在第一和第二电极之间的第一电极（103），第二电极（105）和可变电阻层（104），并且可逆地改变电极间电阻，即基于作为参考第一电极的第二电极的电位的电极间电压，第一和第二电极之间的电阻值。可变电阻层含有缺氧型过渡金属氧化物，并且在第一电极侧和第二电极侧具有不对称结构。由于可变电阻层的第一电极侧和可变电阻层的第二电极侧交替地实现低电阻状态或高电阻状态，即使电极间电压在规定范围内变化，三或更多的彼此不同的电极间电阻值，可以实现电极间电阻值不变化的稳定状态。

10. 发明申请

WO2009050861A1 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件及其制造方法和使用非易失性存储元件的非易失性半导体器件
公开(公告)号：WO2009050861A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/JP2008/002838
申请日：2008-10-08
申请人：パナソニック株式会社 , 三谷覚 , 藤井覚 , 高木剛
发明人：三谷覚 , 藤井覚 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/11502 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：本発明の不揮発性記憶素子は、第１電極(103)と、第２電極(105)と、第１電極(103)と第２電極(105)との間に介在し、両電極(103),(105)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(104)とを備え、抵抗変化層(104)は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、電気的信号として第１の極性の電圧パルスを第１電極(103)および第２電極(105)間に印加することにより第１電極(103)および第２電極(105)間の抵抗値が高くなり、電気的信号として第２の極性の電圧パルスを第１電極(103)および第２電極(105)間に印加することにより第１電極(103)および第２電極(105)間の抵抗値が低くなり、第１の極性と前記第２の極性とが互いに逆の極性であり、第１の極性の電圧パルスの電圧の絶対値が第２の極性の電圧パルスの電圧の絶対値より大きい。
摘要翻译：非易失性存储元件包括介于第一电极（103）和第二电极（105）之间的第一电极（103），第二电极（105）和电阻变化层（104），并且电阻值可根据施加在两个电极（103）和（105）之间的电信号。电阻变化层（104）包括缺氧氧化铪。通过在第一电极（103）和第二电极（105）之间施加第一极性电压脉冲作为电信号，第一电极（103）和第二电极（105）之间的电阻值增加，并且通过在第一电极（103）和第二电极（105）之间施加第二极性电压脉冲作为电信号。第一和第二极性具有相互相反的极性，并且第一极性电压脉冲的绝对电压值大于第二极性电压脉冲的绝对电压值。

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