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1. 发明申请

WO2009050861A1 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件及其制造方法和使用非易失性存储元件的非易失性半导体器件
公开(公告)号：WO2009050861A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：PCT/JP2008/002838
申请日：2008-10-08
申请人：パナソニック株式会社 , 三谷覚 , 藤井覚 , 高木剛
发明人：三谷覚 , 藤井覚 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , H01L21/82 , H01L21/822 , H01L27/04 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L27/11502 , H01L27/2409 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：本発明の不揮発性記憶素子は、第１電極(103)と、第２電極(105)と、第１電極(103)と第２電極(105)との間に介在し、両電極(103),(105)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(104)とを備え、抵抗変化層(104)は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、電気的信号として第１の極性の電圧パルスを第１電極(103)および第２電極(105)間に印加することにより第１電極(103)および第２電極(105)間の抵抗値が高くなり、電気的信号として第２の極性の電圧パルスを第１電極(103)および第２電極(105)間に印加することにより第１電極(103)および第２電極(105)間の抵抗値が低くなり、第１の極性と前記第２の極性とが互いに逆の極性であり、第１の極性の電圧パルスの電圧の絶対値が第２の極性の電圧パルスの電圧の絶対値より大きい。
摘要翻译：非易失性存储元件包括介于第一电极（103）和第二电极（105）之间的第一电极（103），第二电极（105）和电阻变化层（104），并且电阻值可根据施加在两个电极（103）和（105）之间的电信号。电阻变化层（104）包括缺氧氧化铪。通过在第一电极（103）和第二电极（105）之间施加第一极性电压脉冲作为电信号，第一电极（103）和第二电极（105）之间的电阻值增加，并且通过在第一电极（103）和第二电极（105）之间施加第二极性电压脉冲作为电信号。第一和第二极性具有相互相反的极性，并且第一极性电压脉冲的绝对电压值大于第二极性电压脉冲的绝对电压值。

2. 发明申请

WO2008149484A1 不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件及其制造方法和非易失性存储元件的非线性半导体器件
公开(公告)号：WO2008149484A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/000745
申请日：2008-03-26
申请人：パナソニック株式会社 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 藤井覚 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 三谷覚 , 宮永良子 , 高木剛 , 島川一彦
发明人：神澤好彦 , 片山幸治 , 藤井覚 , 村岡俊作 , 小佐野浩一 , 三谷覚 , 宮永良子 , 高木剛 , 島川一彦
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C13/004 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2213/32 , G11C2213/71 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L27/2409 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675 , Y10S438/90
摘要：　本発明の不揮発性記憶素子は、第１電極層(103)と、第２電極層(107)と、第１電極層(103)と第２電極層(107)との間に介在し、両電極(103),(107)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(106)とを備え、この抵抗変化層(106)は、ＴａＯｘ（但し、０≦ｘ＜２.５）で表される組成を有する第１のタンタル含有層と、少なくともＴａＯｙ（但し、ｘ＜ｙ）で表される組成を有する第２のタンタル含有層とが積層された積層構造を有している。
摘要翻译：非易失性存储元件设置有介于第一电极层（103）和第二电极层（107）之间的第一电极层（103），第二电极层（107）和电阻变化层（106）并且具有基于在两个电极（103）和（107）之间给出的电信号可逆地改变的电阻值。该电阻变化层（106）具有层叠结构，其中具有由TaOx（其中，0 = x <2.5）表示的组成的第一含钽层和具有由TaOy表示的组成的第二含钽层（其中， x

3. 发明申请

WO2010021134A1 抵抗変化型不揮発性記憶装置およびメモリセルの形成方法审中-公开
标题翻译：可变电阻非易失性存储器件和存储器单元形成方法
公开(公告)号：WO2010021134A1
公开(公告)日：2010-02-25
申请号：PCT/JP2009/003969
申请日：2009-08-20
申请人：パナソニック株式会社 , 村岡俊作 , 神澤好彦 , 三谷覚 , 片山幸治 , 島川一彦 , 藤井覚 , 高木剛
发明人：村岡俊作 , 神澤好彦 , 三谷覚 , 片山幸治 , 島川一彦 , 藤井覚 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/147 , G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/009 , G11C2213/15 , G11C2213/32 , G11C2213/34 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1675
摘要：　半導体基板（３０１）と、下部電極（３０９ａ）と上部電極（３０９ｃ）と両電極間に与えられる極性の異なる電圧信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層（３０９ｂ）とからなる抵抗変化素子（３０９）と、半導体基板（３０１）の主面に構成されたＮ型ＭＯＳトランジスタ（３１７）とを備え、抵抗変化層（３０９ｂ）は、下部電極（３０９ａ）と接してＭＯ x なる組成の酸素不足型の遷移金属の酸化物層（３０９ｂ－１）と、上部電極（３０９ｃ）と接してＭＯ y （但し、ｘ＜ｙ）なる組成の酸素不足型の遷移金属の酸化物層（３０９ｂ－２）とを有し、抵抗変化層（３０９ｂ）を高抵抗化させる極性の電圧信号がトランジスタ（３１７）と抵抗変化素子（３０９）に印加されたとき、トランジスタ（３１７）に基板バイアス効果が発生しないように、ドレインとなるＮ型拡散層領域（３０２ｂ）と下部電極（３０９ａ）とを接続してメモリセル（３００）が構成される。
摘要翻译：存储单元（300）被配置为配备有半导体衬底（301）; 可变电阻元件（309），其由下电极（309a），上电极（309c）和可变电阻层（309b）组成，其电阻值基于施加不同极性的电压信号而可逆地变化横跨两个电极; 以及配置在所述半导体衬底（301）的主表面上的N型MOS晶体管（317），其中所述可变电阻层（309b）包括与所述下电极接触的贫氧过渡金属氧化物层（309b-1）（309a），由MOx构成，和与上部电极（309c）接触并且由MOy（其中x

4. 发明申请

WO2010087211A1 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、不揮発性半導体装置、および不揮発性記憶素子の製造方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储器元件，非易失性存储器件，非易失性半导体器件和非易失性存储元件制造方法
公开(公告)号：WO2010087211A1
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：PCT/JP2010/000617
申请日：2010-02-02
申请人：パナソニック株式会社 , 藤井覚 , 有田浩二 , 三谷覚 , 三河巧
发明人：藤井覚 , 有田浩二 , 三谷覚 , 三河巧
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/146 , H01L27/2418 , H01L27/2436 , H01L27/2481 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273
摘要：　本発明の不揮発性記憶素子は、第１電極(103)と、第２電極(105)と、第１電極(103)と第２電極(105)との間に介在し、両電極(103,105)間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層(104)とを備え、この抵抗変化層(104)は、第１のタンタル酸化物を含む第１のタンタル酸化物層(107)と第１のタンタル酸化物と酸素含有率が異なる第２のタンタル酸化物を含む第２のタンタル酸化物層(108)とが積層されて構成され、且つ第１のタンタル酸化物をＴａＯｘと表した場合に０＜ｘ＜２．５を満足し、且つ第２のタンタル酸化物をＴａＯｙと表した場合にｘ＜ｙ≦２．５を満足するように構成されており、第２電極(105)が第２のタンタル酸化物層(108)と接触しており、且つ第２電極(105)が白金とタンタルとで構成されている。
摘要翻译：所公开的非易失性存储元件设置有存在于第一电极（103）和第二电极（105）之间的第一电极（103），第二电极（105）和电阻变化层（104），并且其电阻值基于设置在两个电极（103,105）之间的电信号而可逆地改变。电阻变化层（104）通过层压第一钽氧化物层（107）而构成，第一钽氧化物层（107）包括第一钽氧化物和第二钽氧化物层（108），第二钽氧化物层包括氧含量不同于第一钽氧化物的第二钽氧化物并且被配置为满足0x并满足x y。第二电极（105）与第二钽氧化物层（108）接触，第二电极（105）由铂和钽构成。

5. 发明申请

WO2010086916A1 抵抗変化素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：电阻变化元件及其生产方法
公开(公告)号：WO2010086916A1
公开(公告)日：2010-08-05
申请号：PCT/JP2009/003448
申请日：2009-07-22
申请人：パナソニック株式会社 , 三谷覚 , 村岡俊作 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 宮永良子 , 藤井覚 , 高木剛
发明人：三谷覚 , 村岡俊作 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 宮永良子 , 藤井覚 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1625 , H01L45/1641
摘要：　本発明の抵抗変化素子は、第１電極（１０３）と第２電極（１０７）と、第１電極（１０３）と第２電極（１０７）との間に介在させ、第１電極（１０３）と第２電極（１０７）と接するように設けられており、第１電極（１０３）と第２電極（１０７）間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に変化する抵抗変化層とを備える抵抗変化素子において、抵抗変化層は酸素不足型の遷移金属の酸化物層から成り、第２電極（１０７）が微小突起（１０８）を有する白金からなることを特徴とする。
摘要翻译：本发明的电阻变化元件包括：第一电极（103）; 第二电极（107）; 以及介于所述第一电极（103）和所述第二电极（107）之间并且被设置为连接到所述第一电极（103）和所述第二电极（107）并且基于电信号可逆地改变的电阻变化层，设置在第一电极（103）和第二电极（107）之间的不同极性，其中电阻变化层由缺氧过渡金属氧化物层构成，第二电极（107）由含铂的微小突起（108））。

6. 发明申请

WO2010064410A1 不揮発性記憶素子审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件
公开(公告)号：WO2010064410A1
公开(公告)日：2010-06-10
申请号：PCT/JP2009/006515
申请日：2009-12-01
申请人：パナソニック株式会社 , 神澤好彦 , 三谷覚 , 魏志強 , 高木剛 , 片山幸治
发明人：神澤好彦 , 三谷覚 , 魏志強 , 高木剛 , 片山幸治
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：　本発明の不揮発性記憶素子は、第１電極（１０３）と、第２電極（１０９）と、第１電極と第２電極との間に配設され、第１電極と第２電極との間に印加される電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層（１０６）と、第１電極と第２電極との少なくとも一方は白金を含む白金含有層（１０７）を備え、抵抗変化層は少なくとも、白金含有層と物理的に接触しない第１の酸素不足型遷移金属酸化物層（１０４）と、第１の酸素不足型遷移金属酸化物層と白金含有層との間に配設され白金含有層と物理的に接触する第２の酸素不足型遷移金属酸化物層（１０５）とを備え、第１の酸素不足型遷移金属酸化物層に含まれる酸素不足型遷移金属酸化物をＭＯｘ、第２の酸素不足型遷移金属酸化物層に含まれる酸素不足型遷移金属酸化物をＭＯｙと表したとき、ｘ＜ｙを満たし、白金含有層は膜厚が１ｎｍ以上２３ｎｍ以下であって抵抗変化層と物理的に接触している。
摘要翻译：公开了一种设置有第一电极（103），第二电极（109）和可变电阻层（106）的非易失性存储元件，可变电阻层（106）被放置在第一电极和第二电极之间并且具有可逆的变化施加在第一电极和第二电极之间的电信号。第一电极和/或第二电极设置有含有铂的含铂层（107）。可变电阻层设置有至少一个不与含铂层物理接触的第一贫氧过渡金属氧化物层（104）和与第二贫氧过渡金属氧化物层（105）物理接触的第二贫氧过渡金属氧化物层（104）并且位于第一贫氧过渡金属氧化物层和含铂层之间。当第一贫氧过渡金属氧化物层中含有的贫氧过渡金属氧化物以MOx表示，并且第二贫氧过渡金属氧化物层中所含的贫氧过渡金属氧化物以MOy表示时， y，并且含铂层具有至少1nm且不大于23nm的膜厚度，并且与可变电阻层物理接触。

7. 发明申请

WO2009136467A1 不揮発性記憶素子、不揮発性記憶装置、および不揮発性記憶素子へのデータ書込方法审中-公开
标题翻译：非易失性存储元件，非易失存储器件以及将数据写入非易失性存储元件的方法
公开(公告)号：WO2009136467A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/JP2009/001682
申请日：2009-04-13
申请人：パナソニック株式会社 , 三谷覚 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 魏志強 , 高木剛
发明人：三谷覚 , 神澤好彦 , 片山幸治 , 魏志強 , 高木剛
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：　第１電極（５０３）と第２電極（５０５）と、第１電極と第２電極との間に介在する抵抗変化層（５０４）とを備え、第１電極および第２電極間に与えられる正負両極性の電気的信号によって可逆的に第１電極および第２電極間の抵抗値が変化する不揮発性記憶素子であって、抵抗変化層は、酸素不足型のハフニウム酸化物を含み、第１電極および第２電極は、異なる元素から構成され、第１電極を構成する元素の標準電極電位Ｖ１と、第２電極を構成する元素の標準電極電位Ｖ２と、ハフニウムの標準電極電位Ｖ０との関係が、Ｖ１＜Ｖ２かつＶ０＜Ｖ２を満足する、不揮発性記憶素子。
摘要翻译：提供了一种非易失性存储元件，包括：第一电极（503），第二电极（505）和布置在第一电极和第二电极之间的电阻变化层（504）。通过施加在第一电极和第二电极之间的正极性和负极性的电信号可逆地改变第一电极和第二电极之间的电阻值。电阻变化层含有氧缺氧铪氧化物。第一电极和第二电极由不同的化学元素形成。构成第一电极的元件的标准电极电位V1，构成第二电极的元件的标准电极电位V2和铪的标准电极电位VO的关系满足：V1

8. 发明申请

WO2010038442A1 抵抗変化素子の駆動方法、初期処理方法、及び不揮発性記憶装置审中-公开
标题翻译：用于驱动电阻变化元件，初始处理方法和非易失性存储器件的方法
公开(公告)号：WO2010038442A1
公开(公告)日：2010-04-08
申请号：PCT/JP2009/005017
申请日：2009-09-30
申请人：パナソニック株式会社 , 村岡俊作 , 高木剛 , 三谷覚 , 片山幸治
发明人：村岡俊作 , 高木剛 , 三谷覚 , 片山幸治
IPC分类号： G11C13/00 , H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0033 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0073 , G11C2013/0083 , G11C2013/009 , G11C2213/31 , G11C2213/32 , G11C2213/34
摘要：　安定した動作が可能な抵抗変化素子の駆動方法及びその方法を実施する不揮発性記憶装置を提供する。第１の極性の書き込み電圧パルスを抵抗変化層（３）に与えて、抵抗変化層（３）の抵抗状態を高から低へ変化させる書き込み過程と、この第１の極性とは異なる第２の極性の消去電圧パルスを抵抗変化層（３）に与えて、抵抗変化層（３）の抵抗状態を低から高へ変化させる消去過程とを有し、第１回目から第Ｎ回目（Ｎは１以上）までの書き込み電圧パルスの電圧値をＶｗ１とし、第（Ｎ＋１）回目以降の書き込み電圧パルスの電圧値をＶｗ２とした場合に｜Ｖｗ１｜＞｜Ｖｗ２｜を満たし、且つ、第１回目から第Ｍ回目（Ｍは１以上）までの消去電圧パルスの電圧値をＶｅ１とし、第（Ｍ＋１）回目以降の消去電圧パルスの電圧値をＶｅ２とした場合に｜Ｖｅ１｜＞｜Ｖｅ２｜を満たしており、第Ｍ回目の消去過程の次に第（Ｎ＋１）回目の前記書き込み過程が続く。
摘要翻译：提供一种用于驱动能够稳定操作的电阻变化元件的方法和实现该方法的非易失性存储器件。该方法包括通过向电阻变化层（3）施加第一极性的写入电压脉冲来将电阻变化层（3）的电阻状态从高电阻状态改变为低电阻状态的写入步骤，以及擦除步骤，通过将不同于第一极性的第二极性的擦除电压脉冲施加到电阻变化层，将电阻变化层（3）的电阻状态从低电阻状态改变为高电阻状态 3），其中| Vw1 |> | Vw2 | 满足Vw1是第一至第N（N是一个或多个）写入电压脉冲的电压值，Vw2是第（N + 1）个和后续写入电压脉冲的电压值| Ve1 | > | Ve2的| 满足，其中Ve1是第一至第M的电压值（M是一个或多个）擦除电压脉冲，Ve2是第（M + 1）个和随后的擦除电压脉冲的电压值，并且（N + 1）写入步骤在第M擦除步骤之后。

9. 发明申请

WO2010109876A1 抵抗変化素子の駆動方法及び不揮発性記憶装置审中-公开
标题翻译：驱动电阻变化元件的方法和非易失性存储器件
公开(公告)号：WO2010109876A1
公开(公告)日：2010-09-30
申请号：PCT/JP2010/002125
申请日：2010-03-25
申请人：パナソニック株式会社 , 村岡俊作 , 高木剛 , 三谷覚 , 片山幸治
发明人：村岡俊作 , 高木剛 , 三谷覚 , 片山幸治
IPC分类号： H01L27/10 , G11C13/00 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： G11C13/0007 , G11C13/0069 , G11C2013/0083 , G11C2213/72 , G11C2213/79 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：　第１の極性の書き込み電圧パルスを金属酸化物層（３）に与えて金属酸化物層（３）の抵抗状態を高から低へ変化させて書き込み状態にする書き込み過程と、第１の極性とは異なる第２の極性の消去電圧パルスを金属酸化物層（３）に与えて金属酸化物層（３）の抵抗状態を低から高へ変化させて消去状態にする消去過程と、第１回目の書き込み過程の前に、第２の極性の初期電圧パルスを金属酸化物層（３）に与えて金属酸化物３の初期状態の抵抗値を変化させる初期過程とを有し、金属酸化物層（３）の初期状態の抵抗値をＲ０、書き込み状態の抵抗値をＲＬ、消去状態の抵抗値をＲＨとし、初期電圧パルスの電圧値をＶ０、書き込み電圧の電圧値をＶｗ、消去電圧パルスの電圧値をＶｅとした場合に、Ｒ０＞ＲＨ＞ＲＬ、且つ｜Ｖ０｜＞｜Ｖｅ｜≧｜Ｖｗ｜を満たす。
摘要翻译：一种驱动电阻变化元件的方法，包括：将金属氧化物层（3）施加第一极性的写入电压脉冲以将金属氧化物层（3）的电阻状态从高变为低的写入处理以便设置写入状态; 将与第一极性不同的第二极性的擦除电压脉冲施加到金属氧化物层（3）的擦除处理，以将金属氧化物层（3）的电阻状态从低位改变为高，以将擦除状态; 以及在第一次执行写入处理之前将金属氧化物层（3）施加第二极性的初始电压脉冲的初始过程，以改变金属氧化物（3）的初始状态的电阻值）; 其中，在金属氧化物层（3）的初始状态的电阻值为R0的情况下，写入状态的电阻值为RL，擦除状态的电阻值为RH，初始电压脉冲的电压值为V0，写入电压的电压值为Vw，擦除电压脉冲的电压值为Ve，R0> RH> RL，| V0 |> | Ve | = | Vw | 满意

10. 发明申请

WO2009141857A1 抵抗変化型不揮発性記憶装置审中-公开
标题翻译：电阻变化非易失性存储器件
公开(公告)号：WO2009141857A1
公开(公告)日：2009-11-26
申请号：PCT/JP2008/003769
申请日：2008-12-15
申请人：パナソニック株式会社 , 島川一彦 , 神澤好彦 , 三谷覚 , 村岡俊作
发明人：島川一彦 , 神澤好彦 , 三谷覚 , 村岡俊作
IPC分类号： H01L27/10 , H01L45/00 , H01L49/00
CPC分类号： H01L27/101 , G11C13/0007 , G11C2213/32 , G11C2213/79 , H01L27/2436 , H01L45/08 , H01L45/1233 , H01L45/1253 , H01L45/146 , H01L45/1625
摘要：メモリセルのトランジスタのサイズを最適化可能とした抵抗変化型不揮発性記憶装置を提供する。下部電極（３０９ａ）と上部電極（３０９ｃ）と両電極間に与えられる極性の異なる電気的信号に基づいて可逆的に変化する抵抗変化層（３０９ｂ）とからなる抵抗変化素子（３０９）と、半導体基板（３０１）と２つのＮ型拡散層領域（３０２ａ、３０２ｂ）とからなるトランジスタ（３１７）とを直列に接続してなるメモリセル（３００）を備え、抵抗変化層（３０９ｂ）は酸素不足型の遷移金属の酸化物を含み、下部電極（３０９ａ）と上部電極（３０９ｃ）は、異なる元素からなる材料によって構成され、下部電極（３０９ａ）の標準電極電位Ｖ 1 と上部電極（３０９ｃ）の標準電極電位Ｖ 2 と前記遷移金属の標準電極電位Ｖ t とがＶ t ＜Ｖ 2 かつＶ 1 ＜Ｖ 2 なる関係を満足し、下部電極（３０９ａ）とＮ型拡散層領域（３０２ｂ）とが接続されている。
摘要翻译：提供一种能够优化存储单元的晶体管的尺寸的电阻变化非易失性存储器件。电阻变化非易失性存储器件包括通过串联连接包括下电极（309a），上电极（309c）和电阻变化层（309b）的电阻变化元件（309）构成的存储单元（300）根据施加在两个电极之间的不同极性的电信号，以及包括半导体衬底（301）和两个N型扩散层区域（302a，302b）的晶体管（317）而变化。电阻变化层（309b）含有过渡金属的氧缺乏氧化物，下部电极（309a）和上部电极（309c）由不同的元素构成的材料形成，下部电极的标准电极电位V1a ），上电极（309c）的标准电极电位V2和过渡金属的标准电极电位Vt满足Vt2和V12的关系，下电极（309a）和N型扩散层区域（302b））连接。

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