会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 5. 发明申请
    • CYCLOPENTADIENYLPHOSPHAZENE COMPLEXES (CpPN COMPLEXES) OF METALS OF THE THIRD AND FOURTH GROUP AND OF THE LANTHANOIDS
    • 第三和第四组金属的环戊二烯基膦基苯配合物(CpPN配合物)和第三和第四族的金属
    • WO2009068000A2
    • 2009-06-04
    • PCT/DE2008001942
    • 2008-11-25
    • UNIV MARBURG PHILIPPSSUNDERMEYER JOERGRUFANOV KONSTANTINPETROV ALEXANDERELFFERDING MICHAELWINKENSTETTE MANUEL
    • SUNDERMEYER JOERGRUFANOV KONSTANTINPETROV ALEXANDERELFFERDING MICHAELWINKENSTETTE MANUEL
    • C07F17/00C07F9/6581C08F4/00
    • C07F17/00C07F9/5352C07F9/5355C08F4/65908C08F4/65912C08F10/00C08F110/02C08F2420/01C08F4/6592C08F4/52
    • The invention relates to cyclopentadienylphosphazene complexes (CpPN complexes) of metals of the III. and VI. group and of the lanthanoids except for lutetium. The complexes of the invention are isolobal and isoelectric with respect to the [(CpSiN)TiR2] complexes. There is exactly one CpPN moiety in the complexes of the invention. The cyclopentadienyl moiety of CpPN represents a monodentate, anionic ligand of the metal atom in all complexes of the invention. The metal atom is also bound to other anionic ligands. In a preferred embodiment, both the cyclopenadienyl moiety and the nitrogen atom within CpPN bind to the metal atom so that CpPN represents a bidentate ligand. Complexes in which CpN represents a bidentate ligand are CpPN Constrained Geometry Complexes (CpPN-CGC). The invention also relates to methods for producing the complexes in situ. The CpPN complexes can be electrically neutral or be present as cationic complexes. Cationic complexes are formed when one of the other anionic ligands of the metal atom is replaced by a neutral ligand; counterions of the cationic CpPN complexes are preferably fluoroborate, tetraphenyl borate, tetrakis-(3,5-trifluormethylphenyl)borate. The complexes are produced in situ by reacting a metal halide with a protonated cyclopentadienylphosphazene CpPNH and an alkaline or alkaline earth salt of the desired other anionic ligand. The complexes according to the invention can be used as catalysts for the hydroamination and polymerization of polyolefins.
    • 本发明涉及III族金属的环戊二烯基磷腈络合物(CpPN络合物)。 和IV。族以及除l以外的镧系元素。 本发明的配合物是等容和等电子的[(CpSiN)TiR 2]配合物。 在根据本发明的配合物中,恰好存在一个CpPN单元。 在本发明的所有配合物中,CpPN的环戊二烯基部分是金属原子的单齿阴离子配体,金属原子也与其它阴离子配体连接。 在一个优选的实施方案中,环戊二烯基部分和CpPN内的氮原子都与金属原子结合,使得CpPN表示二齿配体。 其中CpN代表双齿配体的本发明配合物是CpPN约束几何配合物(CpPN-CGC)。 此外,提供了原位制备本发明配合物的方法。 CpPN配合物可以是电中性的或者以阳离子配合物存在。 出现阳离子配合物,其中金属原子的其他阴离子配体之一被中性配体取代; 阳离子CpPN配合物的平衡离子优选为氟硼酸盐,四苯基硼酸盐,四 - (3,5-三氟甲基苯基)硼酸盐。 该制备通过使金属卤化物与质子化的环戊二烯基磷腈CpPNH和所需的其他阴离子配体的碱金属或碱土金属盐反应而原位进行。 本发明的络合物可以用作烯烃的加氢胺化和聚合的催化剂。
    • 9. 发明申请
    • PARAMETRIERTE HALBLEITERVERBUNDSTRUKTUR MIT INTEGRIERTEN DOTIERUNGSKANÄLEN, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ANWENDUNG DAVON
    • 具有集成的筹资渠道参数半导体复合结构,方法生产及其用途
    • WO2004109807A2
    • 2004-12-16
    • PCT/DE2004/001070
    • 2004-05-18
    • HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBHFINK, DietmarHOPPE, KurtPETROV, AlexanderFAHRNER, WolfgangULYASHIN, AlexanderSTANSKI, Bernhard
    • FINK, DietmarHOPPE, KurtPETROV, AlexanderFAHRNER, WolfgangULYASHIN, AlexanderSTANSKI, Bernhard
    • H01L29/00
    • H01L51/0508B82Y10/00G01N27/129H01L21/31695H01L29/772H01L29/86H01L51/0046H01L51/0078H01L51/428Y02E10/549Y02P70/521
    • Bekannte parametrierte Halbleiterverbundstrukturen arbeiten monofunktionell. Zur Erzielung größter Flexibilität bei gleichzeitig maximaler Universalität weist die parametrierte Halbleiterverbundstruktur nach der Erfindung (TEMPOS) als Dotierungskanäle nanoskalierte Poren (VP) und einen hochohmigen Belag aus elektrisch leitfähigem Material (ECM) auch zwischen den Poren (VP) auf der Oberfläche der Schicht (EIL) aus einem elektrisch isolierenden Material auf, wobei ein elektrischer Widerstand erzeugt wird, der eine Migration von zusätzlichen Ladungsträgern vertikal in der Halbleiterverbundstruktur (PSC) unterstützt, horizontal zwischen den gleichseitigen Elektroden (o,w) aber verhindert. Wesentliche Parameter zur Funktionseinstellung der Halbleiter­verbundstruktur (TEMPOS), die auch ein differenziell negatives Widerstands­verhalten (NERPOS) umfassen kann, beziehen sich auf die Ausgestaltung der Poren (VP) und des elektrisch leitfähigen Materials (ECM). Bevorzugt können die Poren (VP) durch lonenbestrahlung mit anschließender Ätzung erzeugt werden, wobei die Ätzdauer die Porentiefe und den Porendurchmesser bestimmt. Das leitfähige Material (ECM) kann bevorzugt aus leitenden Nanoclustern (DNP) oder feuchteempfindlichen Fullerenen (MOSBIT) bestehen. Anwendungen beziehen sich auf elektronische, optoelektronische, hygroelektronische und sensorische Halbleiterbauelemente mit aktivem und passivem, thermischem, resistivem, kapazitivem, frequenzabhängigem, chemischem und/oder strahlungsresistentem Verhalten in analoger und digitaler Ausführung.
    • 已知的参数化半导体的复合材料结构的工作单官能的。 为了实现与最大普遍性最大的灵活性,根据本发明(TEMPO)作为掺杂剂通道纳米尺度的孔(VP)和导电材料(ECM)的高电阻涂层还该层的表面上的孔(VP)之间的参数化半导体复合结构(EIL )电绝缘材料,其特征在于,产生一个电阻,它支持的额外电荷载流子垂直迁移(在半导体复合结构PSC),水平(在电极之间的等边O,W)但阻止。 用于半导体复合结构的功能设置(TEMPO)基本参数,其也可以包括差分负电阻特性(NERPOS),指的是孔(VP)和导电材料(ECM)的配置。 优选地,所述孔(VP)可通过离子轰击以及随后的腐蚀,其中腐蚀时间确定的孔的深度和孔直径来制造。 导电材料(ECM)可以(MOSBIT)优选由导电的纳米团簇(DNP)或水分敏感的富勒烯。 应用涉及电子,光电,和感官hygroelektronische半导体器件具有有源和无源的,热的电阻,电容,依赖于频率的,在模拟和数字版本的化学和/或耐辐射的行为。