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1. 发明申请

WO2004109807A2 PARAMETRIERTE HALBLEITERVERBUNDSTRUKTUR MIT INTEGRIERTEN DOTIERUNGSKANÄLEN, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ANWENDUNG DAVON 审中-公开
标题翻译：具有集成的筹资渠道参数半导体复合结构，方法生产及其用途
公开(公告)号：WO2004109807A2
公开(公告)日：2004-12-16
申请号：PCT/DE2004/001070
申请日：2004-05-18
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , FINK, Dietmar , HOPPE, Kurt , PETROV, Alexander , FAHRNER, Wolfgang , ULYASHIN, Alexander , STANSKI, Bernhard
发明人： FINK, Dietmar , HOPPE, Kurt , PETROV, Alexander , FAHRNER, Wolfgang , ULYASHIN, Alexander , STANSKI, Bernhard
IPC分类号： H01L29/00
CPC分类号： H01L51/0508 , B82Y10/00 , G01N27/129 , H01L21/31695 , H01L29/772 , H01L29/86 , H01L51/0046 , H01L51/0078 , H01L51/428 , Y02E10/549 , Y02P70/521
摘要： Bekannte parametrierte Halbleiterverbundstrukturen arbeiten monofunktionell. Zur Erzielung größter Flexibilität bei gleichzeitig maximaler Universalität weist die parametrierte Halbleiterverbundstruktur nach der Erfindung (TEMPOS) als Dotierungskanäle nanoskalierte Poren (VP) und einen hochohmigen Belag aus elektrisch leitfähigem Material (ECM) auch zwischen den Poren (VP) auf der Oberfläche der Schicht (EIL) aus einem elektrisch isolierenden Material auf, wobei ein elektrischer Widerstand erzeugt wird, der eine Migration von zusätzlichen Ladungsträgern vertikal in der Halbleiterverbundstruktur (PSC) unterstützt, horizontal zwischen den gleichseitigen Elektroden (o,w) aber verhindert. Wesentliche Parameter zur Funktionseinstellung der Halbleiterverbundstruktur (TEMPOS), die auch ein differenziell negatives Widerstandsverhalten (NERPOS) umfassen kann, beziehen sich auf die Ausgestaltung der Poren (VP) und des elektrisch leitfähigen Materials (ECM). Bevorzugt können die Poren (VP) durch lonenbestrahlung mit anschließender Ätzung erzeugt werden, wobei die Ätzdauer die Porentiefe und den Porendurchmesser bestimmt. Das leitfähige Material (ECM) kann bevorzugt aus leitenden Nanoclustern (DNP) oder feuchteempfindlichen Fullerenen (MOSBIT) bestehen. Anwendungen beziehen sich auf elektronische, optoelektronische, hygroelektronische und sensorische Halbleiterbauelemente mit aktivem und passivem, thermischem, resistivem, kapazitivem, frequenzabhängigem, chemischem und/oder strahlungsresistentem Verhalten in analoger und digitaler Ausführung.
摘要翻译：已知的参数化半导体的复合材料结构的工作单官能的。为了实现与最大普遍性最大的灵活性，根据本发明（TEMPO）作为掺杂剂通道纳米尺度的孔（VP）和导电材料（ECM）的高电阻涂层还该层的表面上的孔（VP）之间的参数化半导体复合结构（EIL ）电绝缘材料，其特征在于，产生一个电阻，它支持的额外电荷载流子垂直迁移（在半导体复合结构PSC），水平（在电极之间的等边O，W）但阻止。用于半导体复合结构的功能设置（TEMPO）基本参数，其也可以包括差分负电阻特性（NERPOS），指的是孔（VP）和导电材料（ECM）的配置。优选地，所述孔（VP）可通过离子轰击以及随后的腐蚀，其中腐蚀时间确定的孔的深度和孔直径来制造。导电材料（ECM）可以（MOSBIT）优选由导电的纳米团簇（DNP）或水分敏感的富勒烯。应用涉及电子，光电，和感官hygroelektronische半导体器件具有有源和无源的，热的电阻，电容，依赖于频率的，在模拟和数字版本的化学和/或耐辐射的行为。

2. 发明申请

WO2006110048A1 SURFACE PASSIVATION OF SILICON BASED WAFERS 审中-公开
标题翻译：硅基陶瓷的表面钝化
公开(公告)号：WO2006110048A1
公开(公告)日：2006-10-19
申请号：PCT/NO2006/000139
申请日：2006-04-12
申请人： RENEWABLE ENERGY CORPORATION ASA , UNIVERSITETETET I OSLO , INSTITUTT FOR ENERGITEKNIKK , ULYASHIN, Alexander , BERNTZEN, Andreas , SVENSSON, Bengt , HOLT, Arve , SAUAR, Erik
发明人： ULYASHIN, Alexander , BERNTZEN, Andreas , SVENSSON, Bengt , HOLT, Arve , SAUAR, Erik
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0216
CPC分类号： H01L31/02167 , H01L31/028 , H01L31/1804 , H01L31/1864 , H01L31/1868 , Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： The surface recombination velocity of a silicon sample is reduced by deposition of a thin hydrogenated amorphous silicon or hydrogenated amorphous silicon carbide film, followed by deposition of a thin hydrogenated silicon nitride film. The surface recombination velocity is further decreased by a subsequent anneal. Silicon solar cell structures using this new method for efficient reduction of the surface recombination velocity is claimed.
摘要翻译：通过沉积薄的氢化非晶硅或氢化非晶碳化硅膜，沉积薄的氢化氮化硅膜来降低硅样品的表面复合速度。通过随后的退火进一步降低表面复合速度。要求使用这种用于有效降低表面复合速度的新方法的硅太阳能电池结构。

3. 发明申请

WO2009075585A1 METHOD OF DEPOSITING A DOPED ZINC OXIDE FILM, A CONDUCTIVE ZINC OXIDE FILM AND USE OF THE DOPED ZINC OXIDE FILM 审中-公开
标题翻译：沉积氧化锌膜，导电氧化锌膜和掺杂氧化锌膜的使用方法
公开(公告)号：WO2009075585A1
公开(公告)日：2009-06-18
申请号：PCT/NO2008/000441
申请日：2008-12-10
申请人： UNIVERSITETET I OSLO , NILSEN, Ola , FJELLVÅG, Helmer , ULYASHIN, Alexander
发明人： NILSEN, Ola , FJELLVÅG, Helmer , ULYASHIN, Alexander
IPC分类号： C23C16/40 , C23C16/455 , C30B25/02 , H01L21/365
CPC分类号： C23C16/45525 , C23C16/407 , C30B25/14 , C30B29/16 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02554 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L21/02631
摘要： A method for growing a doped zinc oxide film on a surface of a substrate by an ALD method using only two types of precursor sources is described. The method comprises a) reacting a precursor vapour mixture comprising a zinc precursor and a dopant precursor with the surface; b) purging with an inert gas; c) reacting a pulse of H20 with the surface; and d) purging with an inert gas, thereby obtaining a doped zinc oxide film, where the dopant is different from boron. Further the use of this method for obtaining optoelectronic devices comprising transparent and conductive zinc oxide films are disclosed. Also transparent conductive zinc oxide thin film doped with Al where the Al atoms are substantially equally distributed on an atomic layer are described.
摘要翻译：描述了通过仅使用两种前体源的ALD方法在衬底表面上生长掺杂的氧化锌膜的方法。该方法包括：a）使包含锌前体和掺杂剂前体的前体蒸汽混合物与表面反应; b）用惰性气体吹扫; c）使H 2 O脉冲与表面反应; 和d）用惰性气体吹扫，从而得到掺杂剂与硼不同的掺杂氧化锌膜。此外，公开了用于获得包括透明和导电氧化锌膜的光电器件的该方法的使用。还描述了掺杂有Al的透明导电氧化锌薄膜，其中Al原子基本上均匀地分布在原子层上。

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