专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明申请

WO2007079726A2 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN VON SCHICHTEN TRANSPARENTER LEITENDER OXIDE AUF EINE UNTERLAGE AUS ORGANISCHEM HALBLEITERMATERIAL ODER KOHLENSTOFFMODIFIKATIONEN 审中-公开
标题翻译：申请的程序LAYERS透明导电氧化物到文档由有机半导体材料或碳变
公开(公告)号：WO2007079726A2
公开(公告)日：2007-07-19
申请号：PCT/DE2007/000031
申请日：2007-01-10
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , FOSTIROPOULOS, Konstantinos , MOHR, Martina , ELLMER, Klaus , LUX-STEINER, Martha, Christina
发明人： FOSTIROPOULOS, Konstantinos , MOHR, Martina , ELLMER, Klaus , LUX-STEINER, Martha, Christina
CPC分类号： H01L51/442 , H01L51/4253 , H01L51/5234 , H01L2251/5315 , H01L2251/5323 , Y02E10/549
摘要： Dem Stand der Technik nach bekannt sind Verfahren zum Aufbringen von TCO-Schichten, bei denen zusätzliche Pufferschichten, die für die Funktion eines photovoltaischen Bauelements an sich nicht gebraucht werden, als „Opferschicht" zur Realisierung der gewünschten Funktion aufgebracht werden. Dadurch wird wegen der zusätzlichen Grenzflächen die Fehlerhäufigkeit erhöht, denn dort können wegen schlechter Bandanpassung für den Ladungstransport störende Potentialbarrieren entstehen, die wiederum durch zusätzliche Pufferschichten verhindert werden müssten. Gemäß der Erfindung wird deshalb vorgeschlagen, das Material des transparenten leitenden Oxids direkt auf die Unterlage zu sputtern. Das Sputtern erfolgt vorzugsweise bei einer Sputterleistung von weniger als 100 Watt, einem Druck zwischen 2*10 -3 und 10 -2 mbar und einer Substrattemperatur, die durch die Stabilität der organischen Struktur der Unterlage begrenzt ist. Von Vorteil hat sich erwiesen, eine hoch strukturierte Unterlage zu verwenden.
摘要翻译：根据已知的方法用于施加TCO层，其中该不需要用于在自身的光电转换装置的功能附加的缓冲层，被施加以实现期望的功能为“牺牲层”的现有技术的状态。因此，误差率是由于附加的接口增加，因为有干扰的潜在障碍可能由于频带调整差为电荷传输，这将反过来通过附加缓冲层来防止。根据本发明，因此，建议以溅射在基底上的透明导电氧化物的材料。溅射是优选在低于100瓦的溅射功率下进行，压力2之间×10 ^{-3 和10 ^{-2 毫巴和由有机的稳定性的基板温度垫的结构是有限的。优势已发现使用高度结构化的表面。}}

2. 发明申请

WO2006094574A1 VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINER NANOSTRUKTUR AUF EINEM SUBSTRAT 审中-公开
标题翻译：用于生产纳米结构上的衬底
公开(公告)号：WO2006094574A1
公开(公告)日：2006-09-14
申请号：PCT/EP2006/000335
申请日：2006-01-16
申请人： FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. , HAHN-MEITNER INSTITUT BERLIN GMBH , BRÜNGER, Wilhelm H. , FINK, Dietmar
发明人： BRÜNGER, Wilhelm H. , FINK, Dietmar
IPC分类号： H01L21/768
CPC分类号： H01L21/76838 , C23C18/1608 , C23C18/1612 , C23C18/2006 , C23C18/204
摘要： Bei einem Verfahren zum Herstellen einer Nanostruktur auf einem Substrat (18) wird zunächst die herzustellende Nanostruktur (22a, 22b, 22c) durch einen Ionenstrahl auf der Oberfläche des Substrats (18) definiert, wobei die Bestrahlung eine selektive Veränderung der Oberflächeneigenschaften des Substrats (18) erzeugt. Anschließend wird ein chemischer Abscheideprozess auf das bestrahlte Substrat (18) angewendet, indem das Substrat (18) in eine übersättigte Lösung (20) oder in eine Gasphase eingebracht wird. Nachdem das Material selektiv auf dem definierten Bereich (18a, 18b, 18c) stromlos abgeschieden wurde, wird das Substrat wieder aus der Lösung bzw. aus der Gasphase entfernt.
摘要翻译：在用于在基板（18）上产生纳米结构最初产生的纳米结构（22A，22B，22C）通过离子束在衬底（18）的表面上所定义的方法，其中所述衬底的所述表面性质的照射选择性修饰（18 ）生成。然后，照射衬底（18）上的化学沉积由基板施加（18）被引入到过饱和溶液（20）中或在气相中进行。选择性地在规定的区域的材料之后（18A，18B，18C）的电沉积，将基板从该溶液中或从气相除去。

3. 发明申请

WO2005055359A3 PHOTOELEKTROCHEMISCHE SOLARZELLE MIT EINEM DETERGENS AUF LIPIDBASIS 审中-公开
公开(公告)号：WO2005055359A3
公开(公告)日：2005-06-16
申请号：PCT/DE2004/002505
申请日：2004-11-10
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , FIECHTER, Sebastian , MARUTHAMUTHU, Pichai , TRIBUTSCH, Helmut
发明人： FIECHTER, Sebastian , MARUTHAMUTHU, Pichai , TRIBUTSCH, Helmut
IPC分类号： H01M14/00
摘要： Merkmal photoelektrochemischer Solarzellen ist die Präzenz einer Kompositschicht, die die Möglichkeit eröffnet, nanokristalline Halbleiter, Polymere sowie Farbstoffe als Absorbermaterialien zu verwenden. Damit verbinden sich bei verbesserter Leistungseffizienz preisgünstige Herstellungsmethoden aber auch potenzielle Korrosions- und Stromleitungsprobleme, die ausgelöst werden durch den festen, flüssigen oder gelartigen Charakter der bekannten Elektrolytschichten, die in der Regel als Kompositschicht eingesetzt werden. Die photoelektrochemische Solarzelle (PEC) nach der Erfindung ist deshalb gekennzeichnet durch eine pastöse Materialzusammensetzung der Kompositschicht (PL) aus zumindest ein gemischt elektronisch-ionisches Leitmaterial (MC) und ein molekulares Shuttlematerial (MS) sowie ein oberflächenmodifiziertes Elektronenleitmaterial (SC) in jeweiliger Teilchenkonsistenz dispergiert sind. Die pastöse und damit einfach zu verarbeitende Kompositschicht (PL) ist somit eine Dispersion mit Makromizellen, die nicht - wie bei einer Elektrolytschicht - eine Lösbarkeit der einzelnen Komponenten erfordert. Dadurch kann zur Konzeption einer photoelektrochemischen Solarzelle (PEC) hoher Umwandlugnseffizienz und Langzeitstabilität in Analogie zur natürlichen Photosynthesemembran eine Vielzahl von unterschiedlichen, umweltfreundlichen und kostengünstigen Materialien in leicht herstellbarer Teilchenform zur Einsatz kommen.

4. 发明申请

WO2005031846A3 ELEKTROCHEMISCHES ÄTZVERFAHREN ZUM SELEKTIVEN ENTFERNEN VON FREMDPHASEN AN DER OBERFLÄCHE EINES SULFIDHALTIGEN CHALKOPYRITHALBLEITERS 审中-公开
公开(公告)号：WO2005031846A3
公开(公告)日：2005-04-07
申请号：PCT/DE2004/001976
申请日：2004-09-05
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , BERENGUIER, Baptiste , LEWERENZ, Hans-Joachim
发明人： BERENGUIER, Baptiste , LEWERENZ, Hans-Joachim
IPC分类号： H01L21/465
摘要： Die Entfernung von Fremdphasen durch Ätzprozesse ist ein wichtiger Verfahrensschritt bei der Herstellung von Dünnschicht-Solarzellen auf der Basis von Chalkopyrithalbleitern. Das aus der DE 100 22 652 C2 bekannte Ätzverfahren wendet ein elektrochemisches Prinzip im kathodischen Potenzialbereich mit einem reduzierend wirkenden Leitelektrolyten an und kommt im Gegensatz zu dem nasschemischen Ätzverfahren mit hochtoxischem Kaliumzyanid ohne umweltbelastende Substanzen aus. Es konnten jedoch noch keine befriedigenden Wirkungsgrade in Solarzellen mit entsprechend geätzten Halbleiterschichten erreicht werden. Bei dem erfindungsgemäßen Ätzverfahren wird ein Redoxelektrolyt mit für die zu reinigenden Oberfläche oxidierenden Eigenschaften eingesetzt und ein komplexes Potenzialprofil im anodischen Potenzialbereich gefahren. Durch eine Optimierung des Potenzialprofils mittels Veränderung der Parameter anodischer Potenzialbereich, Maximal- und Minimalwerte und positive/negative Vorschubgeschwindigkeit des Potenzials sowie Intervalllänge und -anzahl kann die Oberfläche des sulfidhaltigen Chalkopyrithalbleiters optimal von Fremdphasen gereinigt werden, sodass sich im Solarzellenaufbau solche Wirkungsgrade einstellen, die bislang nur mit toxisch geätzten Halbleiterschichten erreicht wurden. Verschiedene in- und ex-situ-Kontrollmöglichkeiten des erreichten Reinigungszustandes sind möglich.

5. 发明申请

WO2005007932A2 PHOTOVOLTAIKSYSTEM FÜR DIE DIREKTE WASSERSTOFFERZEUGUNG UND -SAMMLUNG 审中-公开
标题翻译：用于直接制氢和收集的光伏系统
公开(公告)号：WO2005007932A2
公开(公告)日：2005-01-27
申请号：PCT/DE2004/001542
申请日：2004-07-13
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , TRIBUTSCH, Helmut
发明人： TRIBUTSCH, Helmut
IPC分类号： C25B1/00
CPC分类号： H01L31/0322 , C25B1/003 , F24S10/746 , F24S23/00 , H01L31/03928 , Y02E10/44 , Y02E10/541 , Y02E60/364 , Y02E60/368 , Y02P20/135
摘要： Ein bekanntes Photovoltaiksystem umfasst eine von Wasser umgebene und mit gesammeltem Sonnenlicht bestrahlte photoelektrochemisch aktive Photovoltaikstruktur ohne laterale stromsammelnde Elemente. Die Photovoltaikstruktur ist jedoch stark korrosionsgefährdet. Weiterhin ist eine Trennung der erzeugten Dissoziationsgase erforderlich. Der Lichteinfall erfolgt nur von einer Seite. Bei dem erfindungsgemässen Photovoltaiksystem ist eine vom Elektrolysestrom durchflossene, selbsttragende Photovoltaikmembran (PM) vorgesehen, die das umgebende Wasser in zwei getrennte Wasserkammern (WKA, WKK) unterteilt, wobei in der einen Wasserkammer (WKA) Sauerstoff und in der anderen Wasserkammer (WKK) Wasserstoff produziert wird. Beide Kammern werden mit Sonnenlicht bestrahlt. In der Wasserkammer (WKK) für die Wasserstoffproduktion ist die aktive Photovoltaikstruktur (PVS), insbesondere in Form einer vereinfachten CIS-Solarzelle, angeordnet. Die Photovoltaikmembran (PM) ist auf beiden Seiten mit einer elektrisch leitenden und lichtdurchlässigen Titandioxidschicht (TS) belegt ist. Beide Titandioxidschichten (TS) sind materialtechnisch modifiziert und weisen sauerstoff- bzw. wasserstoffkatalysierende Eigenschaften auf. Bevorzugt ist die Photovoltaikmembran (PM) flexibel ausgebildet und als axiale Trennwand in einen Schlauch (S) integriert, der einen lichtdurchlässigen Einsatz (LE) aufweist und eine einfache licht- und brennstoffsammelnde Struktur darstellt.
摘要翻译：
一个众所周知的光伏系统包括由水包围，并照射太阳光收集照片电化学活性光伏结构与没有横向电流收集元件。然而，光伏结构严重腐蚀。此外，需要分离所产生的解离气体。光入射只发生在一侧。 AUML在本发明＆亲吻光伏系统提供了一种载流，自支撑从电解电流的光伏膜（PM），其在两个分开的水室（WKA，CHP）周围的水被分开，其特征在于，在水腔室（WKA）氧气，并在其它水室（CHP ）产生氢气。两个房间都被阳光照射。在水室（CHP）的F导航用途r为产生氢的是活性光伏结构（PVS），以简化的CIS太阳电池的形式排列在特定。光电膜（PM）的两侧覆盖有导电和半透明的二氧化钛层（TS）。二氧化钛层（TS）都是材料技术上改性的并具有氧或氢催化性质。优选地，所述光伏膜（PM）形成的柔性和集成为一轴向分隔壁成管（S），包括一个半透明BEAR。具有插入物（LE）和拉尔表示简单且轻量的结构brennstoffsammelnde

6. 发明申请

WO2004070735A1 QUANTENPUNKT AUS ELEKTRISCH LEITENDEM KOHLENSTOFF, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG UND ANWENDUNG 审中-公开
标题翻译：导电性的碳，加工过程用于生产和应用量子点
公开(公告)号：WO2004070735A1
公开(公告)日：2004-08-19
申请号：PCT/DE2004/000231
申请日：2004-02-05
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , WEIDINGER, Alois , HOFSÄSS, Hans , KRAUSER, Johann , MERTESACKER, Bernd , ZOLLONDZ, Jens-Hendrik
发明人： WEIDINGER, Alois , HOFSÄSS, Hans , KRAUSER, Johann , MERTESACKER, Bernd , ZOLLONDZ, Jens-Hendrik
IPC分类号： H01B1/04
CPC分类号： H01B1/04 , B82Y10/00 , H01L21/0405 , H01L28/22 , H01L29/127 , H01L29/1602 , H01L51/0045 , H01L51/0048 , H01L51/0052 , H01L51/0595
摘要： Quantenpunkte zeigen eine besonders in der Nanoelektronik vorteilhaft nutzbare Quantisierung ihrer elektrischen Eigenschaften. Der präzise Aufbau, die Herstellung und der Einbau von Quantenpunkten sind jedoch sehr kompliziert und gelingen nur ungenügend. Der erfindungsgemässe Quantenpunkt (QP) ist gekennzeichnet durch einen eingebetteten Aufbau als zylindrischer Bereich mit graphitartiger Struktur (GLC) in einer elektrisch isolierenden Kohlenstoffschicht (DLCQP) mit diamantartiger Struktur, die zwischen zwei elektrisch isolierenden, diese Eigenschaft auch nach einem lonendurchgang zeigenden Isolierschichten (IL 1 IL 2 ) angeordnet ist. Somit wird erstmals ein geometrisch und lokal genau definierter Quantenpunkt in dem für die Nanoelektronik sehr interessanten DLC-Material vorgestellt, der Abmasse von unter 8 nm aufweisen kann und besonders zur Realisierung eines Einzel-Elektron-Transistors (SET) geeignet ist. Durch integrierte Nanodrähte kann eine einfache Kontaktierung erfolgen. Die Herstellung erfolgt in einfacher Weise durch Bestrahlung eines Schichtenpakets (LS) mit einem lonenstrahl (IB). Der Quantenpunkt (QP) und die Nanodrähte (NW) entstehen dabei in der lonenspur (IT) durch Umwandlung des nicht-leitenden Kohlenstoffs (DLC) mit diamantartiger Struktur in leitenden Kohlenstoff (GLC) mit graphitartiger Struktur.
摘要翻译：量子点具有其电气特性的有利可用特别是在纳米电子学量化。然而，精确的施工，制造和安装的量子点是非常复杂的，只有成功不足。本发明的量子点（QP）的特征在于一个嵌入式结构为具有电绝缘性碳层（DLCQP）与类金刚石结构的石墨状结构（GLC）的圆筒形区域，两者之间电绝缘的，此属性（即使经过lonendurchgang面对绝缘层IL1 IL2 ）被布置。因此，一个几何精确定义和局部量子点设置在非常有趣的纳米电子学DLC材料首先介绍可以具有小于8纳米的身体比例，特别是为实现单电子晶体管（SET）合适的。通过集成的纳米线简单接触可制成。所述制剂以简单的方式通过用离子束（IB）的层分组（LS）的照射来进行。量子点（QP）和纳米线（NW）出现作为lonenspur（IT）由非导电性碳（DLC）的转换的结果而具有在导电碳（GLC）类金刚石结构具有类似于石墨的结构。

7. 发明申请

WO2004051734A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER CHALKOGENID-HALBLEITERSCHICHT MIT OPTISCHER IN-SITU-PROZESSKONTROLLE UND VORRICHTUNG ZUR VERFAHRENSDURCHFÜHRUNG 审中-公开
标题翻译：制造用于实施硫族化合物半导体层光学原位方法控制方法及装置
公开(公告)号：WO2004051734A1
公开(公告)日：2004-06-17
申请号：PCT/DE2003/003891
申请日：2003-11-24
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , SCHEER, Roland , NEISSER, Axel
发明人： SCHEER, Roland , NEISSER, Axel
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： C23C14/548 , C23C14/547 , H01L31/0324
摘要： Bei dem nächstliegenden bekannten Verfahren wird Licht einer kohärenten Lichtquelle auf die aktuelle Schichtoberfläche geschickt und die diffuse Rückstreuung aufgrund von wachstumsabhängig veränderlichen Mikrorauigkeiten mit einem Detektor zeitabhängig detektiert. Somit kann über markante Punkte ein zeitlicher Zusammenhang zum Prozess hergestellt werden. Das bekannte Verfahren ohne Ortsauflösung ist jedoch nur auf ortsfeste Substrate is anwendbar. Daher ist bei dem erfindungsgemäßen Verfahren für Koverdampfungsprozesse im kontinuierlichem Betrieb, das besonders Anwendung in der Chalkopyrit-Dünnfilmtechnologie für Solarzellen findet, der Lichtstrahl (LLS) zyklisch und kontinuierlich über das bewegte Substrat (S) führbar, wobei die Abtastgeschwindigkeit des Lichtstrahls (LLS) deutlich höher ist als die Fortschrittsgeschwindigkeit des bewegten Substrats (S). Die Detektion des Rückstreulichts erfolgt in Abhängigkeit vom Auftreffort auf die aktuelle Schichtoberfläche. Durch Zuordnung gemessener markanter Punkte (1, 2, 2a, 3, 4) zum bekannten Abscheidungsprozess wird ein örtliches Streulichtprofil erstellt, mit dem eine Vorausschau auf die zu erwartende Schichtqualität zu jedem Zeitpunkt und Ort des Depositionsprozesses getroffen werden kann. Abweichungen können in-situ durch Änderung entsprechender Prozessparameter ausgeregelt werden.
摘要翻译：在与最接近的已知方法中，相干光源的光在当前层表面上发送，并检测漫背散射由于生长因变量微观粗糙度用检测器随时间变化的。因此，时间可以连接到进程上做出显着的部位。然而，如果没有空间分辨率的公知的方法只适用于静止的基片被。因此，在连续运转Koverdampfungsprozesse本发明的方法，其中发现在黄铜矿薄膜技术用于将光束（LLS）的太阳能电池具体应用循环地和连续地通过移动基板（S）的，其中所述光束的扫描速度（LLS）显著比移动基板（S）的前进速度更高。反向散射光的检测作为入射角的当前层表面上的功能进行。通过分配所测量的突出点（1，2，2A，3A，4）与已知的沉积工艺创建本地散射光轮廓，在任何时间的预期的膜质量和放置在沉积过程中的预测可以采取。偏差可以在原位通过改变合适的工艺参数进行补偿。

8. 发明申请

WO2003026034A1 TRANSISTORANORDNUNG UND VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG 审中-公开
标题翻译：晶体管装置和方法及其
公开(公告)号：WO2003026034A1
公开(公告)日：2003-03-27
申请号：PCT/DE2002/003191
申请日：2002-08-27
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , KÖNENKAMP, Rolf , CHEN, Jie
发明人： KÖNENKAMP, Rolf , CHEN, Jie
IPC分类号： H01L51/20
CPC分类号： H01L51/057 , H01L29/78642 , H01L51/0024 , H01L51/0508 , H01L2924/0002 , Y10S977/938 , H01L2924/00
摘要： Bei Dünnschichttransistoren auf flexiblen Substraten kommt es bei Biegung, Scherung oder Dehnung leicht zu Verletzungen der Halbleiterschichten und Ablösungen von der Substratschicht. Die erfindungsgemässe Transistoranordnung ist so aufgebaut, dass in Mikrolöchern (4) eines Folienverbundes, bestehend aus zwei Kunststofffolien (1, 3) mit zwischenliegender Metallschicht (2), vertikal Halbleitermaterial eingebracht ist, welches durch Metallisierung der Ober-und Unterseite des Folienverbundes mit Kontakten (6,7) versehen ist. Da die Folie bieg- und dehnbar ist, ist die Anordnung sehr robust.
摘要翻译：在柔性衬底上的薄膜晶体管中发生的弯曲，剪切或伸长容易侵犯从基材层的半导体层和分层的。构造根据本发明的晶体管布置，使得在微孔（4）由两个塑料膜的复合膜（1，3）与中间金属层（2），被引入垂直半导体材料，其（通过与接触膜复合材料的顶部和底部的金属化提供6.7）。由于薄膜是可弯曲的和可拉伸的，该装置是非常稳健的。

9. 发明申请

WO1997012714A3 DEVICE FOR THE SELECTIVE, CONTACTLESS SOLDERING AND UNSOLDERING OF COMPONENTS 审中-公开
公开(公告)号：WO1997012714A3
公开(公告)日：1997-04-10
申请号：PCT/DE1996001820
申请日：1996-09-18
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH
发明人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , GERLOFF, Ulrich
IPC分类号： B23K01/018

10. 发明申请

WO2007140763A3 EINSEITIG KONTAKTIERTE SOLARZELLE MIT DURCHKONTAKTIERUNGEN UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG 审中-公开
公开(公告)号：WO2007140763A3
公开(公告)日：2007-12-13
申请号：PCT/DE2007/001007
申请日：2007-06-02
申请人： HAHN-MEITNER-INSTITUT BERLIN GMBH , STANGL, Rolf , GALL, Stefan
发明人： STANGL, Rolf , GALL, Stefan
IPC分类号： H01L31/0224
摘要： Bekannte einseitig kontaktierte Solarzellen mit Durchkontaktierungen der Emitterschicht durch die Absorberschicht weisen Kontaktsysteme und funktionelle Solarzellenschichten auf, die aufwändige Isolierungs- und Strukturierungsschritte erforderlich machen. Die Solarzelle (HKS) nach der Erfindung weist eine große Ausführungsvielzahl bei immer gleich bleibender einfacher Herstellbarkeit und hoher Effizienz auf und kann gleichermaßen mit Vorderoder Rückseitenkontaktierung, Wafer- oder Dünnschichtbasierung, Substratoder Superstrat-Konfiguration und Emitter- oder Feldpassivierungsschicht-Wrap-Through-Durchkontaktierung (DK) durch die Absorberschicht (AS) ausgeführt werden. Das auf eine Seite der Absorberschicht (AS) aufgebrachte Kontaktgitter (KG) ist zumindest auf seiner Oberseite mit einer elektrisch nicht leitenden Isolationsschicht (IS) überzogen. Es befindet sich entweder zwischen der Absorberschicht (AS) und der Emitterschicht (ES) oder der Absorberschicht (AS) und einer Feldpassivierungsschicht (FSF/BSF), die jeweils unstrukturiert ganzflächig abgeschieden werden und die wiederum flächig von einer Kontaktschicht (KS) belegt werden. Damit befinden sich beide Kontaktsysteme (KG, KS) immer auf der Oberseite (OS) der Solarzelle (HKS). Die jeweils andere funktionale Solarzellenschicht wird durch die Absorberschicht (AS) hindurch zum Kontaktgitter (KG) über punkt-, linien- gitter- oder netzförmige Durchgangsöffnungen (DG) durchkontaktiert.

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式