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1. 发明申请

WO2012062575A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INDIUMOXID-HALTIGEN SCHICHTEN 审中-公开
标题翻译：用于生产含氧化铟层
公开(公告)号：WO2012062575A1
公开(公告)日：2012-05-18
申请号：PCT/EP2011/068736
申请日：2011-10-26
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： H01L21/02628 , C23C18/1216 , H01L21/288 , H01L29/22 , H01L29/43
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigphasen-Verfahren zur Herstellung Indiumoxid- haltiger Schichten, bei dem eine aus einem Gemisch enthaltend mindestens einen Indiumoxid- Precursor und mindestens ein Lösemittel bzw. Dispersionsmedium herstellbare Beschichtungszusammensetzung in der Reihenfolge der Punkte a) bis d) a) auf ein Substrat aufgebracht, b) die auf dem Substrat aufgebrachte Zusammensetzung mit elektromagnetischer Strahlung bestrahlt, c) ggf. getrocknet und d) thermisch in eine Indiumoxid-haltige Schicht konvertiert wird, wobei der Indiumoxid-Precursor ein Indium-Halogen-Alkoxid der generischen Formel lnX(OR)2 mit R = Alkylrest und/oder Alkoxyalkylrest und X = F, Cl, Br oder I ist und die Bestrahlung mit elektromagnetischer Strahlung mit signifikanten Anteilen von Strahlung im Bereich von 170 - 210 nm und von 250 - 258 nm durchgeführt wird, die mit dem Verfahren herstellbaren Indiumoxid-haltigen Schichten und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种液相方法含有层制造氧化铟的方法，其中一个从含有至少一种氧化铟前体和在点a）至d的顺序的至少一种溶剂或分散介质可产生的涂料组合物）a）一种混合物到施加的基底，b）施加到所述底物组合物上的力被照射用电磁辐射，c）任选地干燥和d）被热转化成的含铟层，其中所述氧化铟前体的通式LNX的铟 - 卤代烷氧基化合物（ OR）2，其中R =烷基和/或烷氧基烷基和X = F，Cl，Br或I，和与在范围170-210纳米和250-258纳米的辐射的显著水平电磁辐射的照射下进行，所述由该方法含氧化铟层和它们的使用产生的。

2. 发明申请

WO2012010464A1 INDIUMOXOALKOXIDE FÜR DIE HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN 审中-公开
标题翻译： INDIUMOXOALKOXIDE用于制造铟含有层
公开(公告)号：WO2012010464A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/061867
申请日：2011-07-12
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12
CPC分类号： C07F5/003 , C07C31/28 , C09D1/00 , C23C18/1216
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft halogenhaltige Indiumoxoalkoxide der generischen Formel ln 7 O 2 (OH)(OR) 12 X 4 (ROH) x mit R = C1-C15-Alkyl, C1-C15-Alkenyl, C1-C15-Alkinyl, C1-C15-Alkoxyalkyl, C6-C15-Aryl- oder C7-C15-Alkoxyaryl, X = F, Cl, Br, I und x = 0 bis 10, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及Indiumoxoalkoxide通式ln7O2（OH）（OR）12×4（ROH）x，其中R = C1-C15烷基，C1-C15链烯基，C1-C15炔基，C1-C15烷氧基烷基，C6含卤素 C15芳基或C7-C15烷氧基芳基，X = F，氯，溴，I，和x = 0到10，它们的制备方法和它们的用途。

3. 发明申请

WO2011072887A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INDIUMCHLORDIALKOXIDEN 审中-公开
标题翻译：用于生产INDIUMCHLORDIALKOXIDEN
公开(公告)号：WO2011072887A1
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/059376
申请日：2010-07-01
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , MERKULOV, Alexey , FRÜHLING, Dennis , HOPPE, Arne , BRAUSCH, Nicole
发明人： STEIGER, Jürgen , MERKULOV, Alexey , FRÜHLING, Dennis , HOPPE, Arne , BRAUSCH, Nicole
IPC分类号： C07F5/00 , H01L33/42
CPC分类号： C07F5/003
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung von Indium(lll)halogendialkoxiden der generischen Formel lnX(OR) 2 mit X = F, Cl, Br, I und R = Alkylrest, Alkyloxyalkylrest, bei dem eine Zusammensetzung (A) umfassend ein Indiumtrihalogenid InX 3 mit X = F, Cl, Br und/oder I und mindestens einen Alkohol der generischen Formel ROH mit R = Alkylrest, Alkyloxyalkylrest mit einer Zusammensetzung (B) umfassend mindestens ein sekundäres Amin der generischen Formel R' 2 NH mit R' = Alkylrest umgesetzt wird, die nach dem Verfahren herstellbaren Indium(lll)halogendialkoxide und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产铟（III）halogendialkoxiden通式LNX（OR）2，其中X =氟，氯，Br，I和R =烷基，Alkyloxyalkylrest，其中所述包含一个Indiumtrihalogenid InX3的组合物（A）包含至少一种通式的仲胺与R“=烷基与X = F，Cl，Br和/或I，其中R =烷基的通式ROH的至少一种醇反应R'2NH，Alkyloxyalkylrest与组合物（B）该进程铟（III）halogendialkoxide和它们的用途而获得。

4. 发明申请

WO2010097270A2 DRUCKVERFAHREN ZUR HERSTELLUNG INDIVIDUALISIERTER ELEKTRISCHER UND/ODER ELEKTRONISCHER STRUKTUREN 审中-公开
标题翻译：高压工艺制作个性化的电气和/或电子结构
公开(公告)号：WO2010097270A2
公开(公告)日：2010-09-02
申请号：PCT/EP2010/051224
申请日：2010-02-02
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , HOPPE, Arne , NETTELNBREKER, Hans-Jürgen , NIEMANN, Björn , DREXLER, Adrian , STOLZENBURG, Stephan
发明人： STEIGER, Jürgen , HOPPE, Arne , NETTELNBREKER, Hans-Jürgen , NIEMANN, Björn , DREXLER, Adrian , STOLZENBURG, Stephan
IPC分类号： H05K3/12
CPC分类号： H05K3/046 , B41F16/00 , B41F19/062 , B41P2219/51 , H05K1/0269 , H05K2203/013 , H05K2203/0522 , H05K2203/0534 , H05K2203/1476 , H05K2203/1545
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Druckverfahren zur Herstellung elektrischer und/oder elektronischer Strukturen, auf einem Bedruckstoff, bei dem der Bedruckstoff durch mehrere hintereinander angeordnete Druckwerke einer Druckmaschine bewegt wird, und nachfolgend i) in mindestens einem ersten Druckwerk ein Sujet der zu druckenden elektrischen und/oder elektronischen Struktur mit mindestens einer Klebestoffkomponente (A) i auf den Bedruckstoff unter Erzeugung einer Sujet-förmigen Klebstoff-Struktur aufgetragen wird, und ii) der mit dem Klebstoff partiell bedruckte Bedruckstoff mindestens einem zweiten Druckwerk zugeführt wird, in welchem auf die mit Klebstoff bedruckten Bereiche des Bedruckstoffs mindestens ein leitfähiges Material (B) aufgetragen wird, wobei vor Schritt ii) eine individualisierende Modifikation mindestens eines Klebstoffbestandteils erfolgt, sowie mit dem Verfahren individualisierte elektrische und/oder elektronische Strukturen.
摘要翻译：本发明涉及一种打印方法，用于在衬底，其特征在于，所述印刷基板通过多个印刷机的连续排列的印刷单元的移动上产生的电和/或电子结构，并且随后I）电对中的至少一个第一印刷单元印刷的受试者和/ 或具有电子结构的至少一个粘合剂组分（a）i被施加到印刷基板上以形成主体形粘合结构，以及ii）部分地与要被打印被提供给在其中印刷在粘合剂的至少一个第二打印单元中的粘合材料印刷印刷基板上的至少一种导电材料（B）的区域被施加，其中在步骤ii）中个体化至少一种粘合性组分的变形发生，以及个性化的电气和/或电子结构的方法。

5. 发明申请

WO2014206634A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INDIUMALKOXID-VERBINDUNGEN, DIE NACH DEM VERFAHREN HERSTELLBAREN INDIUMALKOXID-VERBINDUNGEN UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：过程对于与过程生产醇铟化合物及其用途根据PRODUCING醇铟CONNECTIONS
公开(公告)号：WO2014206634A1
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：PCT/EP2014/059957
申请日：2014-05-15
申请人： EVONIK INDUSTRIES AG , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , NEUMANN, Anita , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne , FRÜHLING, Dennis
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , NEUMANN, Anita , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne , FRÜHLING, Dennis
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12 , H01L21/285
CPC分类号： C07F5/003 , C07F5/00 , C23C18/1216 , C23C18/1291 , C23C18/14 , H01L21/288
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft Indiumalkoxid-Verbindungen, die herstellbar sind durch Umsetzen eines Indiumtrihalogenids InX 3 mit X = F, Cl, Br, I mit einem sekundären Amin der Formel R' 2 NH mit R' =Alkyl, im molaren Verhältnis von 8:1 bis 20:1 in Bezug auf das Indiumtrihalogenid in Gegenwart eines Alkohols der generischen Formel ROH mit R = Alkyl, ein Verfahren zu ihrer Herstellung sowie ihre Verwendung zur Herstellung Indiumoxid-haltiger bzw. (halb)leitender Schichten.
摘要翻译：本发明涉及铟醇盐化合物，其可以通过一个Indiumtrihalogenids InX3其中X =氟，氯，溴，我与R中的式R'2NH的仲胺“=烷基反应来制备，在8:1的摩尔比：1至20 ：1与在通式ROH的，R =烷基，它们的制备方法以及它们用于含氧化铟的或（半）导电层的制备中使用的处理的醇的存在对于Indiumtrihalogenid。

6. 发明申请

WO2013050221A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON HOCHPERFORMANTEN UND ELEKTRISCH STABILEN, HALBLEITENDEN METALLOXIDSCHICHTEN, NACH DEM VERFAHREN HERGESTELLTE SCHICHTEN UND DEREN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：用于生产高性能的，电动STABLE，HALF官员金属氧化物，直制备的层及其用途
公开(公告)号：WO2013050221A1
公开(公告)日：2013-04-11
申请号：PCT/EP2012/067804
申请日：2012-09-12
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , NEUMANN, Anita , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , NEUMANN, Anita , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78696 , C23C18/1208 , C23C18/1225 , C23C18/1279 , C23C18/14 , H01L21/02472 , H01L21/02483 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02614 , H01L21/02628 , H01L21/02664 , H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/7869
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterlaminats, das eine erste und eine zweite Metalloxid-Schicht sowie eine Dielektrikum-Schicht umfasst, wobei die erste Metalloxid-Schicht zwischen der zweiten Metalloxid-Schicht und der Dielektrikum-Schicht angeordnet ist. Die erste und die zweite Metalloxid-Schicht werden entsprechend aus einer ersten und einer zweiten flüssigen Phase ausgebildet. Ebenfalls betrifft die vorliegende Erfindung ein Halbleiterlaminat, das nach einem solchen Verfahren erhältlich ist sowie elektronische Bauteile, die ein solches Halbleiterlaminat umfassen.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制造半导体层叠体，其包括第一和第二金属氧化物层和介电层，其中所述第二金属氧化物层和介电层之间的第一金属氧化物层配置。第一和第二金属氧化物层被形成在根据第一和第二液相。另外，本发明涉及一种半导体层叠体，其是通过这样的方法以及电子元件，包括这种半导体层叠体获得。

7. 发明申请

WO2012010427A1 INDIUMOXOALKOXIDE FÜR DIE HERSTELLUNG INDIUMOXID-HALTIGER SCHICHTEN 审中-公开
标题翻译： INDIUMOXOALKOXIDE用于制造铟含有层
公开(公告)号：WO2012010427A1
公开(公告)日：2012-01-26
申请号：PCT/EP2011/061493
申请日：2011-07-07
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
IPC分类号： C07F5/00 , C23C18/12
CPC分类号： C07F5/00 , C07F5/069 , C23C18/1216 , C23C18/1254
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft halogenhaltige Indiumoxoalkoxide der generischen Formel ln 6 O 2 X 6 (OR) 6 (R'CH(0)COOR") 2 (HOR) x (HNR"' 2 ) y mit X = F, Cl, Br und/oder I, R = C1-C15- Alkyl, C1-C15-Alkenyl, C1-C15-Alkinyl, C1-C15-Alkoxyalkyl, C6-C15-Aryl- und/oder C7-C15- Alkoxyaryl, R' = C1-C15-Alkyl, C1-C15-Alkenyl, C1-C15-Alkinyl, C1-C15-Alkoxyalkyl, C6- C15-Aryl- und/oder C7-C15-Alkoxyaryl, R" = C1-C15-Alkyl, C1-C15-Alkenyl, C1-C15-Alkinyl, C1-C15-Alkoxyalkyl, C6-C15-Aryl- und/oder C7-C15-Alkoxyaryl, R'" = C1-C15-Alkyl, C1- C15-Alkenyl, C1-C15-Alkinyl, C1-C15-Alkoxyalkyl, C6-C15-Aryl- und/oder C7-C15- Alkoxyaryl, x = 0 bis 10 und y = 0 bis 10, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及Indiumoxoalkoxide通式ln6O2X6（OR）含卤素的6（R'CH（0）COOR '）2（HOR）×（HNR'“2）y，其中X = F，Cl，Br和/或I，R = C1-C15烷基，C1-C15链烯基，C1-C15炔基，C1-C15烷氧基烷基，C6-C15芳基和/或C7-C15烷氧基芳基，R“= C 1 -C 15 - 烷基，C1 -C15链烯基，C1-C15炔基，C1-C15烷氧基烷基，C6-C15芳基和/或C7-C15烷氧基芳基，R“= C 1 -C 15 - 烷基，C 1 -C 15 - 链烯基，C1-C15 炔基，C1-C15烷氧基烷基，C6-C15芳基和/或C7-C15烷氧基芳基，R““= C 1 -C 15烷基，C 1 -C 15链烯基，C1-C15炔基，C1-C15 烷氧基烷基，C6-C15芳基和/或C 7 -C 15烷氧基芳基，x = 0到10和y = 0〜10，它们的制备方法和它们的用途。

8. 发明申请

WO2011073005A2 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON INDIUMOXID-HALTIGEN SCHICHTEN, NACH DEM VERFAHREN HERGESTELLTE INDIUMOXID-HALTIGE SCHICHTEN UND IHRE VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：用于生产含氧化铟层根据所述方法铟含有层及其用途
公开(公告)号：WO2011073005A2
公开(公告)日：2011-06-23
申请号：PCT/EP2010/068185
申请日：2010-11-25
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
发明人： STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , THIEM, Heiko , MERKULOV, Alexey , HOPPE, Arne
CPC分类号： H01L51/0032 , C23C18/06 , C23C18/1216 , C23C18/125 , C23C18/14 , H01L21/02565 , H01L21/02628
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Flüssigphasen-Verfahren zur Herstellung Indiumoxidhaltiger Schichten aus nichtwässriger Lösung, bei dereine wasserfreie Zusammensetzung enthaltend mindestens ein Indium-Halogen-Alkoxid der generischen Formel InX(OR) 2 mit R = Alkylrest und/oder Alkoxyalkylrest und X = F, Cl, Br oder I und mindestens ein Lösemittel bzw. Dispersionsmedium in der Reihenfolge der Punkte a) bis d) in wasserfreier Atmosphäre a) auf ein Substrat aufgebracht, b) die auf dem Substrat aufgebrachte Zusammensetzung mit elektromagnetischer Strahlung einer Wellenlänge ≤ 360 nm bestrahlt und c) ggf. getrocknet wird, und dann d) thermisch in eine Indiumoxid-haltige Schicht konvertiert wird, die nach dem Verfahren herstellbaren Schichten und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种液相方法制备非水溶液，whereina含有通式中的至少一个铟 - 卤代烷氧基化合物的无水组合物的Indiumoxidhaltiger层INX（OR）2，其中R =烷基和/或烷氧基烷基，并且X =氟，氯，Br或I，并且在点A）的顺序的至少一种溶剂或分散介质施加至d）在无水气氛a）基底，b）施加到所述底物组合物上的力照射360nm的具有一个波长的电磁辐射=和c ）任选地干燥，然后d）的热转化成由处理层和它们的使用而得到的含铟层。

9. 发明申请

WO2010094583A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG HALBLEITENDER INDIUMOXID-SCHICHTEN, NACH DEM VERFAHREN HERGESTELLTE INDIUMOXID-SCHICHTEN UND DEREN VERWENDUNG 审中-公开
标题翻译：用于生产半CHIEF铟层所述方法铟层及其用途
公开(公告)号：WO2010094583A1
公开(公告)日：2010-08-26
申请号：PCT/EP2010/051432
申请日：2010-02-05
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , HOPPE, Arne , MERKULOV, Alexey , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , DAMASCHEK, Yvonne , THIEM, Heiko
发明人： HOPPE, Arne , MERKULOV, Alexey , STEIGER, Jürgen , PHAM, Duy Vu , DAMASCHEK, Yvonne , THIEM, Heiko
IPC分类号： C23C18/12
CPC分类号： C23C18/1216
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung halbleitender Indiumoxid-Schichten, bei dem ein Substrat mit einer flüssigen, wasserfreien Zusammensetzung umfassend a) mindestens ein Indium-Alkoxid und b) mindestens ein Lösemittel beschichtet, optional getrocknet, und bei Temperaturen größer 250 °C thermisch behandelt wird, die nach diesem Verfahren herstellbaren Schichten und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于制备半导体的氧化铟层，一种方法，其中用液体，无水组合物：a）至少一个铟醇盐，和b）涂层，其包含至少一种溶剂，任选地进行干燥，并且热在温度高于250°C的处理的基板被处理时，其可以通过该处理层和它们的使用来制备。

10. 发明申请

WO2016037887A1 VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG STRUKTURIERTER BESCHICHTUNGEN 审中-公开
标题翻译：用于生产结构化涂料
公开(公告)号：WO2016037887A1
公开(公告)日：2016-03-17
申请号：PCT/EP2015/069884
申请日：2015-09-01
申请人： EVONIK DEGUSSA GMBH , ANSELMANN, Ralf , BRINKMÖLLER, Christian , HOPPE, Arne , MERKULOV, Sonja , RENNER, Gerhard
发明人： ANSELMANN, Ralf , BRINKMÖLLER, Christian , HOPPE, Arne , MERKULOV, Sonja , RENNER, Gerhard
IPC分类号： C03C17/00 , C09D183/04
CPC分类号： C03C17/007 , B05D1/322 , B05D2203/35 , C03C2217/40 , C03C2217/45 , C03C2217/485 , C03C2218/113 , C03C2218/33 , C03C2218/34 , C08K3/22 , C08K2003/2265 , C09D7/61 , C09D183/04 , C23C18/1212 , C23C18/122 , C23C18/1254 , C23C18/127 , G03F7/11 , G03F7/162 , G03F7/168 , G03F7/2004 , G03F7/32 , G03F7/426
摘要： Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung strukturierter Beschichtungen, bei dem eine Beschichtungszusammensetzung umfassend mindestens ein anorganisches Bindemittel, mindestens ein Oxid-Pigment, das nach Zugabe eines Gemisches bestehend aus 15 ml 1 M Oxalsäure und 15 ml 20 %iger wässriger Salzsäure bezogen auf 1 g Substanz bei Standardbedingungen zu einem Temperaturanstieg von mindestens 4 °C führt, und mindestens ein Lösemittel auf ein Substrat aufgebracht wird, der resultierende Beschichtungszusammensetzungsfilm partiell mit einem Fotolack beschichtet wird und das mit der Beschichtungszusammensetzung und dem Fotolack beschichtete Substrat mit einer Säure behandelt wird, die nach dem Verfahren erhältlichen strukturierten Schichten und ihre Verwendung.
摘要翻译：本发明涉及一种用于生产结构化的涂层，其中涂层组合物包含至少一种无机粘合剂，通过加入由盐酸水溶液相对酸20％的溶液1 -15 M草酸和15ml 1的混合物中的至少一种氧化物颜料标准条件到至少4℃的结果的温度升高下g物质，和至少一种溶剂被施加到基材上，得到的涂层组合物膜被部分地涂覆有光刻胶和涂有涂料组合物和抗蚀基板用酸处理通过该方法图案化的层和它们的用途而获得。

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