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1. 发明申请

WO2012007165A1 VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR PLASMABEHANDLUNG FLACHER SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：方法和装置的等离子体处理平面基板的
公开(公告)号：WO2012007165A1
公开(公告)日：2012-01-19
申请号：PCT/EP2011/003516
申请日：2011-07-14
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , GEISLER, Michael , GRABOSCH, Günter , ZEUNER, Arndt , MERZ, Thomas , BECKMANN, Rudolf
发明人： GEISLER, Michael , GRABOSCH, Günter , ZEUNER, Arndt , MERZ, Thomas , BECKMANN, Rudolf
IPC分类号： C23C16/46 , H01J37/32 , H01L21/02
CPC分类号： C23C16/46 , H01J37/32091 , H01J37/32724
摘要： Das Verfahren zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, wobei das Substrat zwischen einer Elektrode einer planen Aufladefläche, die einer Gegenelektrode zugeordnet ist, angeordnet wird und dabei mit seiner Vorderseite der Elektrode und mit seiner Rückseite der Auflagefläche zugewandt ist, zeichnet sich aus durch - Haltern des Substrats an der Auflagefläche - thermisches Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats - Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters - Anregung der Plasmaentladung mittels einer HF-Spannung. Die Erfindung betrifft außerdem eine Vorrichtung zur Plasmabehandlung eines flachen Substrats, wobei das Substrat zwischen einer Elektrode einer planen Aufladefläche, die einer Gegenelektrode zugeordnet ist, angeordnet werden kann und dabei mit seiner Vorderseite der Elektrode und mit seiner Rückseite der Auflagefläche zugewandt ist, welche sich auszeichnet durch - Mitteln zum Haltern des Substrats an der Auflagefläche - einer Einrichtung zum thermischen Erzeugen einer mechanischen Vorspannung im Substrat, die einer aus Richtung der Elektrode gesehen konkaven Wölbung des Substrats mit von der Auflagefläche beabstandeten Randseiten des Substrats entspricht mittels Temperierung von Vorderseite und/ oder Rückseite des Substrats - Mitteln zum Beaufschlagen der Randseiten mit lokalen Kräften zum Erreichen eines flachen Anliegen der Rückseitenfläche des Substrats an der Auflagefläche mittels zumindest eines Niederhalters Mitteln zur Anregung der Plasmaentladung mittels einer HF-Spannung.
摘要翻译：用于等离子处理的平的基底的方法，其中其与反电极相关联的布置和平面充电表面的电极之间的衬底与具有支撑表面的背面侧的电极和它的前侧朝向所述的方法，其特征在于 - 支撑衬底于支撑面 - 热产生在衬底上，其对应于从所述基板的电极凹曲率的方向观察，通过控制前部和/或背侧的基板的温度从所述衬底的所述支撑表面的边缘侧间隔开的机械偏置 - 将压力施加到与当地力边缘侧实现由至少一个压紧装置的衬底支撑表面的背面的平坦关注 - 等离子体放电的通过RF电压来激励。本发明还涉及一种用于在平坦的基底，其特征在于，其与反电极相关联的平面的充电表面的电极之间的衬底，可被布置的等离子体处理的装置，并且面临着与支撑表面的背面侧的电极和它的前侧，其特点是通过 - 装置，用于在所述接触表面支撑衬底 - 一个设备，用于热生成在衬底上，其对应于从所述基板的电极凹曲率的方向观察，通过控制前部和/或背侧的温度从所述衬底的所述支撑表面的边缘侧间隔开的机械偏置衬底的 - 用于作用在与本地力边缘侧，以实现所述衬底以通过至少一个坯料夹持器的支撑表面的背面的平坦关注由HF-S的装置，用于等离子体放电的激发 oltage。

2. 发明申请

WO2010051982A8 METHOD AND DEVICE FOR PLASMA TREATMENT OF A FLAT SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：等离子体处理平板基板的方法和装置
公开(公告)号：WO2010051982A8
公开(公告)日：2010-08-19
申请号：PCT/EP2009007905
申请日：2009-11-04
申请人： FRAUNHOFER GES FORSCHUNG , LEYBOLD OPTICS GMBH , UNIV RUHR BOCHUM , BECKMANN RUDOLF , GEISLER MICHAEL , ZEUNER ARNDT , FIEDLER MARKS , GRABOSCH GUENTER , PFLUG ANDREAS , CZARNETZKI UWE , BRINKMANN RALF-PETER , SIEMERS MICHAEL
发明人： BECKMANN RUDOLF , GEISLER MICHAEL , ZEUNER ARNDT , FIEDLER MARKS , GRABOSCH GUENTER , PFLUG ANDREAS , CZARNETZKI UWE , BRINKMANN RALF-PETER , SIEMERS MICHAEL
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32165 , H01J37/32091
摘要： Method and device for the plasma treatment of a substrate in a plasma device, wherein - the substrate (110) is arranged between an electrode (112) and a counter-electrode (108) having a distance d between a surface area of the substrate to be treated and the electrode, - a capacitively coupled plasma discharge is excited, forming a DC self-bias between the electrode (112) and the counter-electrode (108), - in an area of the plasma discharge between the surface area to be treated and the electrode having a quasineutral plasma bulk (114), a quantity of at least one activatable gas species, to which a surface area of the substrate to be treated is subjected, is present - it is provided that a plasma discharge is excited, - wherein the distance d has a value comparable to s = se+sg, where se denotes a thickness of a plasma boundary layer (119) in front of the electrode, and sg denotes a thickness of a plasma boundary layer (118) in front of the substrate surface to be treated or - wherein the quasineutral plasma bulk (114) between the surface area to be treated and the electrode has a linear extension dp, where dp
摘要翻译：一种用于在等离子体装置的基板的等离子体处理方法和装置，其特征在于， - 一个电极（112）和带之间的距离d的对置电极（108）之间的所述衬底（110）被放置在基板和电极表面区域被处理， - 所述间电极（112）和对置电极（108）与DC赛义夫的形成的电容耦合等离子体放电 - 偏压被激励时， - 在所述表面之间的等离子体放电的区域来进行处理区域和所述电极与准中性等离子体散装（114）的至少一个的量活化Gasspezie存在时，与其中待处理表面被施加在衬底的区域中， - 它提供了一个等离子体放电被激发， - 其中所述距离d具有值这与S = S + SG，其中知的厚度的在电极前面的等离子体边缘层（119）和等离子体边缘层（118）的厚度，称为或之前的经处理的基材表面 - 在其中间的准中性等离子体散装（114）要被处理的表面区域和所述电极具有线性膨胀DP DP <1 / 3D，DP

3. 发明申请

WO2005008717A3 HIGH FREQUENCY CELL FOR PRODUCING A PLASMA JET FORMED BY MAGNETIC FIELDS, AND METHOD FOR IRRADIATING A SURFACE 审中-公开
标题翻译：高频率源用于产生磁场场由成形束等离子体和方法用于表面照射
公开(公告)号：WO2005008717A3
公开(公告)日：2005-05-26
申请号：PCT/EP2004007615
申请日：2004-07-09
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , BECKMANN RUDOLF , OECHSNER HANS
发明人： BECKMANN RUDOLF , OECHSNER HANS
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32357 , H01J37/32623 , H01J37/3266 , H01J37/32678 , H01J37/32688
摘要： The invention relates to a high frequency plasma jet source (23) comprising a plasma chamber (6) for a plasma, electrical means for igniting and obtaining a plasma, and an outlet comprising an extraction grid (5) for extracting a plasma jet (3) from the plasma chamber (6). According to the invention, a device is provided for producing a magnetic field (7, 8) by which means the plasma jet (3) can be diverged. The invention also relates to a vacuum chamber (22) comprising a housing (21), a surface (K) to be irradiated, and a high frequency plasma jet source (23) by which means a divergent plasma jet (3) can be produced. The invention further relates to a method for irradiating a surface by means of a high frequency plasma jet source (23), using a divergent plasma jet (3).
摘要翻译：本发明涉及与等离子体室的高频等离子束源（23）（6）一种用于等离子体和用于点燃和维持等离子体的电装置，和一个出口与引出栅（5）一种用于等离子体喷射（3）的从等离子体空间中的萃取（6）其中用于产生磁场的装置（7,8）设置，与所述等离子束（3）的发散实现。此外，本发明涉及一种真空腔室（22），其具有壳体（21），一被照射面（K）和具有发散等离子体射流（3）可以制造的高频等离子束源（23）。本发明的另一个方面是用于照射表面的高频等离子束源（23），其特征在于，发散等离子体射流（3）使用如下方法。

4. 发明申请

WO2004091264A3 HIGH FREQUENCY PLASMA JET SOURCE AND METHOD FOR IRRADIATING A SURFACE 审中-公开
标题翻译：高频等离子束源和方法用于表面照射
公开(公告)号：WO2004091264A3
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：PCT/EP2004003796
申请日：2004-04-08
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , BECKMANN RUDOLF
发明人： BECKMANN RUDOLF
IPC分类号： H01J37/32 , H05H1/54
CPC分类号： H01J37/32357 , H05H1/54
摘要： The invention relates to a high frequency plasma jet source (1) comprising a space (3) for accommodating a plasma, electrical means (8, 9) for applying a voltage to said high frequency plasma jet source (1) so as to ignite and obtain the plasma, means (4) for extracting a plasma jet (I) from the plasma space (3), and an outlet port which is separated from the vacuum chamber (7) by means of an extraction grid (4). The plasma jet (I) emerges from the high frequency plasma jet source (1) with essentially divergent radiation characteristics. The invention further relates to a method for irradiating a surface with a plasma jet (I) of a high frequency plasma jet source, said plasma jet (I) being divergent.
摘要翻译：本发明涉及包含等离子体空间中的高频等离子体射流源（1）（3）的等离子体，电气装置（8,9），用于点燃和维持等离子体提取装置施加电压的高频等离子体射流源（1）（4 ）（对于（从等离子体室3）和出口开口，其中被分离（通过提取栅格4）（真空室7的）中提取等离子束I）。等离子体射流（I）与来自高频等离子体射流源（1）基本上发散辐射特性退出。此外，本发明涉及用于照射表面用等离子体喷射（I）的高频等离子束源，其中，所述等离子流（I）是发散的方法。

5. 发明申请

WO2004091264A2 HOCHFREQUENZ-PLASMASTRAHLQUELLE UND VERFAHREN ZUM BESTRAHLEN EINER OBERFLÄCHE 审中-公开
标题翻译：高频等离子束源和方法用于表面照射
公开(公告)号：WO2004091264A2
公开(公告)日：2004-10-21
申请号：PCT/EP2004/003796
申请日：2004-04-08
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , BECKMANN, Rudolf
发明人： BECKMANN, Rudolf
IPC分类号： H05H
CPC分类号： H01J37/32357 , H05H1/54
摘要： Die Erfindung betrifft eine Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle (1) mit einem Plasmaraum (3) für ein Plasma, elektrischen Mitteln (8, 9) zum Anlegen einer elektrischen Spannung an die Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle (1) zum Zünden und Erhalten des Plasmas, Extraktionsmitteln (4) zum Extrahieren eines Plasmastrahls (I) aus dem Plasmaraum (3) sowie eine Austrittsöffnung, welche durch ein Extraktionsgitter (4) von der Vakuumkammer (7) getrennt ist. Der Plasmastrahl (I) tritt mit im wesentlichen divergenter Strahlungscharakteristik aus der Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle (1) aus. Ferner betrifft die Erfindung ein Verfahren zum Bestrahlen einer Oberfläche mit einem Plasmastrahl (I) einer Hochfrequenz-Plasmastrahlquelle, wobei der Plasmastrahl (I) divergent ist.
摘要翻译：本发明涉及包含等离子体空间中的高频等离子体射流源（1）（3）的等离子体，电气装置（8,9），用于点燃和维持等离子体提取装置施加电压的高频等离子体射流源（1）（4 ）（对于（从等离子体室3）和出口开口，其中被分离（通过提取栅格4）（真空室7的）中提取等离子束I）。等离子体射流（I）与来自高频等离子体射流源（1）基本上发散辐射特性退出。此外，本发明涉及用于照射表面用等离子体喷射（I）的高频等离子束源，其中，所述等离子流（I）是发散的方法。

6. 发明申请

WO2012156062A1 VERFAHREN ZUR PLASMABEHANDLUNG EINES SUBSTRATS IN EINER PLASMAVORRICHTUNG 审中-公开
标题翻译：方法用于基材在等离子体设备等离子体处理
公开(公告)号：WO2012156062A1
公开(公告)日：2012-11-22
申请号：PCT/EP2012/002044
申请日：2012-05-11
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , BECKMANN, Rudolf , BINDER, Sabine , MOOTZ, Falko
发明人： BECKMANN, Rudolf , BINDER, Sabine , MOOTZ, Falko
IPC分类号： H01J37/32 , C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/54
CPC分类号： C23C16/24 , C23C16/509 , C23C16/52 , C23C16/545 , H01J37/32 , H01J37/32091 , H01J37/32165
摘要： Das erfindungsgemäße Verfahren zur Beschichtung eines Substrats in einer Plasmavorrichtung, wobei das Substrat zwischen zumindest einer Elektrode und zumindest einer Gegenelektrode angeordnet wird, zwischen der Elektrode und der Gegenelektrode mittels einer RF-Spannung, welche zumindest zwei Frequenzkomponenten aufweist, eine Plasmaentladung angeregt wird, wobei die Frequenz der niedrigeren Frequenzkomponente mindestens 1 MHz und die Frequenz der zumindest einen höheren Frequenzkomponente mindestens das Doppelte der Frequenz der unteren Frequenzkomponente beträgt, zeichnet sich dadurch aus, dass der zu behandelnde Oberflächenbereich zumindest 1 m 2 und die mittlere Leistung der niedrigeren Frequenzkomponente maximal 70% der mittleren Leistung der höheren Frequenzkomponente beträgt und eine Beschichtungshomogenität einer auf das Substrat aufgebrachten Schicht in Abhängigkeit von einem Leistungsverhältnis LV = (mittlere Leistung der höheren Frequenz/mittlere Leistung der niedrigeren Frequenz mittlere Leistung der höheren Frequenz) eingestellt wird. Die Erfindung betrifft ferner eine Vorrichtung zur Ausführung des Verfahrens.
摘要翻译：在等离子体装置，其中至少一个电极和至少一个反电极之间的基板设置涂覆衬底的本发明方法，等离子体放电是在电极和通过RF电压来对电极，其具有至少两个频率分量，其中，所述间兴奋较低频率分量的频率至少为1兆赫和至少一个较高频率分量的频率的至少两倍的低频分量的频率，其特征在于，所述待处理表面的至少1m 2的面积和最大的平均值的70％的较低频率分量的平均功率是较高频率分量的功率和所施加的层的涂层均匀性的衬底作为功率比LV =（所述niedri的较高频率/平均功率的平均功率的函数杰伦频率更高的频率的平均功率）被设定。本发明还涉及一种用于执行该方法。

7. 发明申请

WO2008031604A1 VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN VON SCHICHTEN AUF SUBSTRATE MIT GEKRÜMMTEN OBERFLÄCHEN 审中-公开
标题翻译：申请的程序LAYERS与曲表面的基底
公开(公告)号：WO2008031604A1
公开(公告)日：2008-03-20
申请号：PCT/EP2007/008009
申请日：2007-09-14
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , BECKMANN, Rudolf , FUHR, Markus , KLOSCH, Michael
发明人： BECKMANN, Rudolf , FUHR, Markus , KLOSCH, Michael
IPC分类号： C23C16/513 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/4558 , C23C16/513
摘要： Die Erfindung betrifft Verfahren zur Abscheidung von Schichten mit gleichmäßiger Schichtdickenverteilung auf zumindest einer gekrümmten Oberfläche eines Substrates (6) mittels eines Plasma-CVD-Prozesses, bei welchem ein Plasma- oder lonenstrahl (1) in Richtung zur Substratoberfläche durch eine dem Substrat (6) gegenüberliegende Plasma- oder lonenstrahlquelle (7) erzeugt wird, ein Prozessgas über ein Gaszufuhrsystem (12) stromab der Plasma- oder lonenstrahlquelle (7) eingelassen wird, wobei das Prozessgas mittels des Gaszufuhrsystems (12) definiert an der Oberfläche (14) des Substrates (6) verteilt wird und ein Gasfluss des Anregungsgases und eine Plasmaleistung der Plasma- oder lonenstrahlquelle eingestellt werden, bei welchen die Prozessgasmenge durch das angeregte Anregungsgas des Plasma- oder lonenstrahls an der Oberfläche des Substrates nahezu vollständig umgesetzt wird.
摘要翻译：本发明涉及一种用于沉积由等离子体CVD法的装置具有在衬底（6）中的至少一个弯曲表面的均匀的膜厚分布层的方法，其中，等离子体或离子束（1）的方向与基片表面由基板（6）相对的等离子体或离子束源（7）被产生，经由气体供给系统的工艺气体（12）在等离子体或离子束源（7）被接纳，其中，所述处理气体由气体供给系统（12）在基板的表面（14）上的装置（限定的下游 6）是分布式的，并且激发气体的气体流量，等离子体或离子束源的等离子体功率被调整，其中工艺气体通过所述衬底的所述表面上的等离子体或离子束的激发激励气体量几乎完全反应。

8. 发明申请

WO2010049158A3 VHF ASSEMBLY 审中-公开
标题翻译： VHF-安排
公开(公告)号：WO2010049158A3
公开(公告)日：2010-07-01
申请号：PCT/EP2009007759
申请日：2009-10-29
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , GEISLER MICHAEL , MERZ THOMAS , BECKMANN RUDOLF
发明人： GEISLER MICHAEL , MERZ THOMAS , BECKMANN RUDOLF
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32009 , H01J37/32036 , H01J37/32541 , H01J37/32577
摘要： The invention relates to a VHF plasma electrode comprising a preferably prismatic, elongated electrode body (1) having an electrode surface that is or can be electrically connected to at least two connecting elements (3) for supplying electric power, at least one first connecting element (3A) being coupled to or in the vicinity of a first front face (50A) and at least one second connecting element being coupled to or in the vicinity of a second front face of the electrode body, and the electrode is preferably located in a potting compound (7) consisting of a dielectric material that does not cover the electrode surface. Preferably a shielding element (2) that does not cover the electrode surface and that surrounds the electrode together with the potting compound is provided. The electrode is characterised in that at least one of the connecting elements is designed as a VHF vacuum feedthrough element.
摘要翻译：具有优选棱柱形的，细长的电极体（1）具有电极表面电连接用于提供电力到至少两个连接元件（3）被连接到或，其中至少一个第一连接元件（3A）的VHF等离子体电极（7），其设置的介电材料的联接处或附近的第一端面（50A）和至少在或接近电极体的第二端面相对的第二端，并且优选地在电极面的电极留下清晰的嵌入部件，优选提供了一种电极面积在离开自由端屏蔽构件（2）与嵌入部件一起包围电极的特征在于，所述连接元件中的至少一个形成为一个VHF-真空馈通件。

9. 发明申请

WO2010049158A2 VHF-ANORDNUNG 审中-公开
标题翻译： VHF-安排
公开(公告)号：WO2010049158A2
公开(公告)日：2010-05-06
申请号：PCT/EP2009/007759
申请日：2009-10-29
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , GEISLER, Michael , MERZ, Thomas , BECKMANN, Rudolf
发明人： GEISLER, Michael , MERZ, Thomas , BECKMANN, Rudolf
IPC分类号： H01J37/32
CPC分类号： H01J37/32091 , H01J37/32009 , H01J37/32036 , H01J37/32541 , H01J37/32577
摘要： Die VHF-Plasmaelektrode mit einem vorzugsweise prismatisch ausgebildeten, länglichen Elektrodenkörper, welcher eine Elektrodenfläche aufweist, die mit zumindest zwei Anschlusselementen zur Zuführung von elektrischer Leistung elektrisch verbunden ist oder verbindbar ist, wobei zumindest ein erstes Anschlusselement an oder nahe einer ersten Stirnseite und zumindest ein zweites Anschlusselement an oder nahe einer zweiten Stirnseite des Elektrodenkörpers angekoppelt und vorzugsweise die Elektrode in einer die Elektrodenfläche freilassenden Einbettungskomponente aus dielektrischem Material angeordnet sowie vorzugsweise ein die Elektrodenfläche freilassendes Schirmelement vorgesehen ist, das die Elektrode zusammen mit der Einbettungskomponente umschließt, zeichnet sich dadurch aus, dass zumindest eines der Anschlusselemente als VHF-Vakuumdurchführungselement ausgebildet ist.
摘要翻译：具有优选棱柱形的VHF等离子电极，细长电极体包括电极表面电连接到至少两个连接元件，用于供应电力连接或，其中至少处或附近的第一端面和至少一个第二的第一端子连接元件联接在或靠近电极体的第二端面，并且优选地，电极配置在一个电极面积留下介电材料的明确嵌入部件，并且优选地，提供了一种电极面积在离开自由端罩元件，其至少与所述嵌入部件的特征在于：一起包围电极所述连接元件中的一个被形成为VHF-真空馈通件。

10. 发明申请

WO2011012185A1 REINIGEN EINER PROZESSKAMMER 审中-公开
标题翻译：清洁处理室
公开(公告)号：WO2011012185A1
公开(公告)日：2011-02-03
申请号：PCT/EP2010/003247
申请日：2010-05-28
申请人： LEYBOLD OPTICS GMBH , BECKMANN, Rudolf , GEISLER, Michael , ROST, Harald
发明人： BECKMANN, Rudolf , GEISLER, Michael , ROST, Harald
IPC分类号： C23C16/44 , B08B7/00 , H01J37/32
CPC分类号： C23C16/4405 , B08B7/0071 , H01J37/32862
摘要： Das Verfahren zum Reinigen von zumindest einer im Innenbereich einer Plasma -Prozesskammer angeordneten Komponente mit einem Reinigungsgas, welches Fluorgas aufweist, wobei die Prozesskammer zumindest eine Elektrode und Gegenelektrode zum Erzeugen eines Plasmas zur Plasmabehandlung, insbesondere zur CVD - oder PECVD- Behandlung von flachen Substrate mit einer Oberfläche von mehr als 1m 2 , aufweist, zeichnet sich dadurch aus, dass der Innenbereich mit gasförmigen Fluorverbindungen mit einem Partialdruck von größer als 5 mbar beaufschlagt wird. Bei einem weiteren Verfahren V zum Reinigen von zumindest einer im Innenbereich einer Prozesskammer angeordneten Komponente mittels eines Reinigungsgases, welches Fluorgas aufweist, wobei die Prozesskammer zumindest eine Elektrode und Gegenelektrode zum Erzeugen eines Plasmas, insbesondere zur CVD - oder PECVD- Behandlung von flachen Substrate mit einer Oberfläche von mehr als 1m 2 , aufweist, ist vorgesehen, dass mittels eines Temperiermittels eine thermische Aktivierung des Fluorgases erfolgt, wobei die zu reinigende Komponente eine Temperatur
摘要翻译：用于净化至少一项所述的方法，用清洁气体包括其中氟气，配置在等离子体-Prozesskammer部件的内部，其中，所述处理室中的至少一个电极和用于产生等离子处理的等离子的反电极，特别是用于CVD - 或PECVD处理平坦基板的与的多于一个1平方米表面积，其特征在于，用具有大于5毫巴的分压气态氟化合物的内部区域被施加。在用于清洁的至少一个是由包括氟气的清洁气体的装置，被布置在处理腔室部件的内部的另一种方法V，其中，所述处理室中的至少一个电极和用于产生等离子体的反电极，特别是用于CVD - 或PECVD处理与平面基底的表面积大于1平方米其中，设想由氟气，其中所述组分待清洁的温度控制热激活装置具有温度<350℃更大

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