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    • 3. 发明申请
    • HALBLEITERSTRUKTUR
    • 半导体结构
    • WO2011032949A1
    • 2011-03-24
    • PCT/EP2010/063496
    • 2010-09-14
    • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V.LIM, TaekAIDAM, RolfKIRSTE, LutzQUAY, Rüdiger
    • LIM, TaekAIDAM, RolfKIRSTE, LutzQUAY, Rüdiger
    • H01L29/778
    • H01L29/778H01L27/0605H01L29/2003H01L29/66431H01L29/7786
    • Eine Halbleiterstruktur (110) umfasst eine Barriereschicht (110), eine Abstandshalterstruktur (120) und eine Kanalschicht (130). Die Barriereschicht (110) weist ein Gruppe-III-Nitrid auf. Die Abstandshalterstruktur (120) umfasst eine erste Aluminiumnitridschicht (122), eine Zwischenschicht (124) und eine zweite Aluminiumnitridschicht (126). Die Zwischenschicht (124) weist ein Gruppe-III-Nitrid auf und ist zwischen der ersten Aluminiumnitridschicht (122) und der zweiten Aluminiumnitridschicht (126) angeordnet. Des Weiteren weist die Zwischenschicht (124) an einer Grenzfläche zu der zweiten Aluminiumnitridschicht (126) eine erste freie Ladungsträgerdichte auf. Die Abstandshalterstruktur (120) ist zwischen der Barriereschicht (110) und der Kanalschicht (130) angeordnet. Die Kanalschicht (130) weist ein Gruppe-III-Nitrid auf und weist an einer Grenzfläche zu der ersten Aluminiumnitridschicht (122) der Abstandshalterstruktur (120) eine zweite freie Ladungsträgerdichte auf. Die erste Aluminiumnitridschicht (122), die Zwischenschicht (124) und die zweite Aluminiumnitridschicht (126) weisen Schichtdicken auf, so dass die erste freie Ladungsträgerdichte kleiner als 10 % der zweiten freien Ladungsträgerdichte ist.
    • 一种半导体结构(110)包括阻挡层(110),间隔物结构(120)和沟道层(130)。 阻挡层(110)包括一III族氮化物。 间隔件结构(120)包括:第一氮化铝层(122),中间层(124)和第二氮化铝层(126)。 该中间层(124)包括一III族氮化物和氮化铝是第一(122)和设置在第二氮化铝层(126)之间。 此外,在所述第二氮化铝层(126)到第一自由电荷载流子密度的界面,中间层(124)。 间隔件结构(120)被布置在势垒层(110)和沟道层(130)之间。 沟道层(130)包括一III族氮化物并且具有在与间隔件结构(120)的第一氮化铝层(122)的接口包括一个第二自由电荷载流子密度。 第一氮化铝层(122),中间层(124)和所述第二氮化铝层(126)具有的膜厚,使得第一自由载流子密度是第二自由载流子密度小于10%。