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1. 发明申请

WO2006087958A1 窒化物半導体材料および窒化物半導体結晶の製造方法审中-公开
标题翻译：氮化物半导体材料和制造氮化物半导体晶体的方法
公开(公告)号：WO2006087958A1
公开(公告)日：2006-08-24
申请号：PCT/JP2006/302179
申请日：2006-02-08
申请人：三菱化学株式会社 , 清見和正 , 堀江秀善 , 石渡俊男 , 藤村勇夫
发明人：清見和正 , 堀江秀善 , 石渡俊男 , 藤村勇夫
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/34 , H01L33/00
CPC分类号： C23C16/34 , C30B25/18 , C30B29/406 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/02581 , H01L21/0262 , H01L33/007
摘要：　半導体または誘電体基板上に、第一窒化物半導体層群を有する窒化物半導体材料であって、前記第一窒化物半導体層群の表面は、ＲＭＳが５ｎｍ以下であり、Ｘ線の半値幅の変動が±３０％以内であり、表面の光の反射率は１５％以上であり、その変動は±１０％以下であり、且つ、前記第一窒化物半導体層群の厚みが２５μｍ以上であることを特徴とする窒化物半導体材料。この窒化物半導体材料は、均一性や安定性に優れており、製造コストが安く、窒化物半導体系デバイス用基板として有用である。
摘要翻译：其中在半导体衬底或电介质衬底上设置第一氮化物半导体层组的氮化物半导体材料的特征在于，第一氮化物半导体组的表面具有5nm或更小的RMS，X射线半值波动在± 30％，表面光反射率为15％以上，其波动为±10％以下，第一氮化物半导体组的厚度为25μm以上。氮化物半导体材料具有优异的均匀性和稳定性，以低制造成本制造并且可用作氮化物半导体器件的衬底。

2. 发明申请

WO2004023614A1 半導体発光素子および半導体発光素子モジュール审中-公开
标题翻译：半导体发光器件和半导体发光器件模块
公开(公告)号：WO2004023614A1
公开(公告)日：2004-03-18
申请号：PCT/JP2003/011351
申请日：2003-09-05
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善
发明人：堀江秀善
IPC分类号： H01S5/20
CPC分类号： H01S5/20
摘要：　光ファイバー等との容易な光学的結合が可能で、高出力動作特性に優れている半導体発光素子を開示する。この半導体発光素子は、クラッド層や光ガイド層の厚みと屈折率の関係を制御したりすることにより提供される。
摘要翻译：可以容易地与光纤等光学连接并且具有优异的高输出性能特性的半导体发光器件。通过控制包覆层或导光层的厚度和折射率之间的关系来提供半导体发光器件。

3. 发明申请

WO2009057655A1 半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2009057655A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/069682
申请日：2008-10-29
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善 , 平澤浩彦
发明人：堀江秀善 , 平澤浩彦
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/44 , H01L33/38
摘要：　発光素子１０は、バッファ層２２、第一導電型半導体層、活性構造２５および第二導電型半導体層を含む薄膜結晶層を有している。薄膜結晶層は、少なくとも第二導電型半導体層の一部が絶縁膜で覆われている。絶縁膜は、薄膜結晶層の結晶性を回復させる結晶品質改善層３０を有する。
摘要翻译：发光元件（10）设置有包括缓冲层（22），第一导电型半导体层，有源结构（25）和第二导电类型半导体层的薄膜晶体层。在薄膜晶体层中，第二导电型半导体层的至少一部分被绝缘膜覆盖。绝缘膜具有用于回收薄膜晶体层的结晶性的晶体质量改善层（30）。

4. 发明申请

WO2007126091A1 エッチング方法、エッチングマスクおよびそれを用いた半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：蚀刻方法，蚀刻掩模和使用其制造半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2007126091A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/059273
申请日：2007-04-30
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善
发明人：堀江秀善
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C14/06 , H01L21/308 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/0332
摘要：　本発明のエッチング方法は、半導体層２上に形成されるエッチングマスク３の少なくとも一部として、金属フッ化物層を１５０°C以上の温度で形成する工程と、この金属フッ化物層をパターンニングする工程と、パターニングされた金属フッ化物層３をマスクとして、前記半導体層をエッチングする工程とを有する。このエッチング方法によれば、比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能である。
摘要翻译：公开了一种蚀刻方法，其包括在不低于150℃的温度下在半导体层（2）上形成作为蚀刻掩模（3）的至少一部分的金属氟化物层的步骤; 图案化金属氟化物层的步骤; 以及通过使用图案化的金属氟化物层（3）作为掩模来蚀刻半导体层的步骤。该蚀刻方法能够通过相对简单的工艺容易地蚀刻诸如III-V族氮化物半导体层的半导体层，其难以通过常规方法蚀刻。

5. 发明申请

WO2009057764A1 エッチング方法およびそれを用いた光／電子デバイスの製造方法审中-公开
标题翻译：用于制造使用该光学/电子器件的光学/电子器件的蚀刻方法和方法
公开(公告)号：WO2009057764A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：PCT/JP2008/069920
申请日：2008-10-31
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善 , 深田崇
发明人：堀江秀善 , 深田崇
IPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/306 , H01L33/00
CPC分类号： H01L21/3081 , H01L21/30621 , H01L21/32134 , H01L33/0062 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　比較的簡単なプロセスにより例えばＩＩＩ－Ｖ族窒化物半導体のようなエッチングが困難な半導体層でも容易にエッチングが可能な半導体エッチング方法が提供される。このエッチング方法は、基体（１，２）の表面に、エッチングマスクの少なくとも一部として、金属フッ化物層３を形成する工程と、前記金属フッ化物層を液体処理する工程と、前記金属フッ化物層をマスクとして、前記基体をエッチングする工程とを有することを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种半导体蚀刻方法，其能够通过相对简单的工艺容易地蚀刻由例如难以蚀刻的III-V族氮化物半导体构成的半导体层。该蚀刻方法的特征在于包括在作为蚀刻掩模的至少一部分的基底（1,2）的表面上形成金属氟化物层（3）的步骤，用液体处理金属氟化物层的步骤以及使用金属氟化物层作为掩模来蚀刻基底的步骤。

6. 发明申请

WO2007119433A1 ＩＩＩ－Ｖ族窒化物層およびその製造方法审中-公开
标题翻译： III-V族III族氮化物层及其制造方法
公开(公告)号：WO2007119433A1
公开(公告)日：2007-10-25
申请号：PCT/JP2007/055577
申请日：2007-03-19
申请人：財団法人神奈川科学技術アカデミー , 国立大学法人東京大学 , 三菱化学株式会社 , 藤岡洋 , 小林篤 , 堀江秀善 , 天内英隆 , 長尾哲
发明人：藤岡洋 , 小林篤 , 堀江秀善 , 天内英隆 , 長尾哲
IPC分类号： C30B29/38 , C30B23/08 , H01L21/205
CPC分类号： C23C14/0026 , C23C14/0617 , C23C14/28 , C30B23/02 , C30B23/025 , C30B29/403 , H01L21/02403 , H01L21/0243 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02658
摘要：　発光素子等の半導体装置の特性向上が可能な高品質な結晶性を有する六方晶系のＩＩＩ－Ｖ族窒化物層が開示される。この窒化物層は、格子定数が異なる基板上に成長することによって形成された六方晶系に属するＩＩＩ－Ｖ族窒化物層であって、成長面方位が｛１－１００｝面であり、成長面方位に対して垂直となる｛１－２１０｝面におけるＸ線回折強度の、成長面と平行な方向から入射するＸ線に対する角度依存性の半値全幅ｂ１が、０．０１°≦ｂ１ ≦０．５°、あるいは、｛０００１｝面におけるＸ線回折強度の、成長面と平行な方向から入射するＸ線に対する、角度依存性の半値全幅ｂ２が、０．０１°≦ｂ２ ≦０．５°等を満たす。
摘要翻译：具有能够提高诸如发光元件的半导体器件的特性的具有高质量结晶度的六方晶系III-V族氮化物层。属于通过在具有不同晶格常数的衬底上生长而形成的六方晶系的III-V族氮化物层具有{1-100}的生长面取向，其中半高的全宽b 1 < 在与生长面平行的X射线入射的X射线衍射强度对垂直于生长面取向的{1-210}面的角度依赖性满足关系式0.01°= b 1 = 或者从与生长面平行的方向入射的X射线，在{0001}面上的X射线衍射强度的角度依赖性的半峰值b 2满足关系0.01° = b _{2 = 0.5°。}

7. 发明申请

WO2007091432A1 発光素子审中-公开
标题翻译：发光元件
公开(公告)号：WO2007091432A1
公开(公告)日：2007-08-16
申请号：PCT/JP2007/051258
申请日：2007-01-26
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善
发明人：堀江秀善
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/38 , H01L33/20
摘要：　電源ラインの配線が容易で発光強度の面内均一性が良好な化合物発光素子を提供する。　ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体を含んでそれぞれ構成された第１導電型クラッド層、活性層構造、第２導電型クラッド層を有し、前記第１導電型クラッド層と前記第２導電型クラッド層とによって活性層構造が挟まれた発光素子が提供される。発光素子は、第１導電型クラッド層にキャリアを注入する第１導電型側電極７と、第２導電型クラッド層にキャリアを注入する第２導電型側電極６とを備える。第１導電型側電極７は、開口部７ｐを有する。第２導電型側電極６は、第１導電型側電極７によって部分的に取り囲まれる主電極部６－０と、開口７ｐを通して主電極部６－０を第１導電型側電極７の外側に引き出す引出部６－１、６－２とを有する。主電極部６－０は、定幅図形の一部で構成され、主電極部６－０の外縁と第１導電型側電極７の内縁との間の間隔は、ほぼ一定である。
摘要翻译：复合发光元件，其中电源线的布线方便，并确保发射强度的良好的面内均匀性。发光元件具有包含III-V族化合物半导体的第一导电型覆盖层，有源层结构和第二导电型覆盖层。有源层结构被第一导电型覆盖层和第二导电型覆盖层夹在中间。发光元件具有用于将载流子注入第一导电型覆盖层的第一导电型侧电极（7）和用于将载流子注入第二导电型覆盖层的第二导电型侧电极（6）。第一导电型侧电极（7）具有开口（7p）。第二导电型侧电极（6）具有由第一导电型侧电极（7）部分地包围的主电极部分（6-0），以及用于引出主电极部分的部分（6-1,6-2）（6-0）通过所述开口（7p）到达所述第一导电型侧电极（7）的外部。主电极部分（6-0）由固定宽度图形的一部分和主电极部分（6-0）的外边缘与第一导电型侧电极（7）的内边缘之间的间隔构成，基本恒定。

8. 发明申请

WO2007126094A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光器件
公开(公告)号：WO2007126094A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/059276
申请日：2007-04-30
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善
发明人：堀江秀善
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L33/02 , H01L33/44
摘要：　青色または紫外発光が可能で、高出力、高効率、さらに光取り出し面での明るさの均一性が高いフリップチップマウント型の半導体発光素子が提供される。この半導体発光素子は、透明な基板２１上に薄膜結晶層、第二導電型側電極２７、第一導電型側電極２８とを有し、光取り出し方向が基板側であって、電極２８および電極２７が、空間的に重なりを有さず光取り出し方向とは反対側に形成され、薄膜結晶層の側壁面は基板２１の端より後退しており、絶縁層が、基板面の端から離れた位置より内側を覆い、薄膜結晶層の側面の全てを被覆し、第一導電型側電極の光取り出し方向側の一部に接し、第二導電型側電極の光取り出し方向と反対側の一部を覆っており、出射する光の均一性を向上させる光均一化層が、基板と第一導電型半導体層の間に設けられている。
摘要翻译：一种倒装芯片安装型的半导体发光器件，其能够以高功率和高效率发射蓝光或紫外光，并且在光取出面具有高亮度均匀性。半导体发光装置在透明基板（21）上包括薄膜晶体层，第二导电型侧电极（27）和第一导电型侧电极（28）。光取出方向是从基板侧。电极（27,28）在空间上不重叠并且设置在与光取出方向相反的一侧。薄膜晶体层的侧壁表面在基板（21）的边缘内。绝缘层从离开基板的边缘的位置覆盖内部，覆盖薄膜晶体层的所有侧面，与第一导电型层的光取出方向侧的一部分接触，并且覆盖与第二导电型侧电极的光取出方向相反的一侧的一部分。用于增强输出光的均匀性的光均匀层插入在基板和第一导电型侧电极之间。

9. 发明申请

WO2007126093A1 集積型半導体発光装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：集成半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007126093A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/059275
申请日：2007-04-30
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善
发明人：堀江秀善
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L27/153 , H01L2224/05567 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05666 , H01L2224/14 , H01L2924/00014
摘要：　発光強度の面内均一性がすぐれた大面積の面光源的発光が可能な集積型の化合物半導体発光装置が提供される。この発光装置は、透明な基板２１上に形成された複数の発光ユニット１１を有し、発光ユニットが、薄膜結晶層２４、２５、２６、第一および第二導電型側電極２７、２８を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士は、発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離され、さらに、基板と第一導電型クラッド層の間に、複数の発光ユニット間に共通して設けられ、複数の発光ユニットを光学的に結合して、光を集積型化合物半導体発光装置全体に分布させる光学結合層２３を有する。
摘要翻译：一种集成化合物半导体发光装置，其发光强度的面内均匀性优异，能够从大面积面光源发出光。发光装置包括设置在透明基板（21）上的发光单元（11）。每个发光单元具有薄膜晶体层（24,25,26）以及第一和第二导电型侧电极（27,28）。光取出方向是从基板。第一导电型侧电极和第二导电型侧电极形成在与光取出方向相反的一侧。发光单元通过发光单元隔离沟槽（12）彼此电隔离。集成元件半导体发光元件还包括光耦合层（23），光耦合层（23）与基板和第一导电型覆盖层通常设置在发光单元之间，光耦合发光单元，并将光分布到整个集成化合物半导体发光装置。

10. 发明申请

WO2007126092A1 集積型半導体発光装置およびその製造方法审中-公开
标题翻译：集成半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2007126092A1
公开(公告)日：2007-11-08
申请号：PCT/JP2007/059274
申请日：2007-04-30
申请人：三菱化学株式会社 , 堀江秀善
发明人：堀江秀善
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L27/153
摘要：　大面積の面光源的発光に適した集積型化合物半導体発光装置の構造、およびその製造方法が開示される。この発光装置は、透明な基板２１上に形成された複数の発光ユニット１１を有し、前記発光ユニットが、薄膜結晶成長層２４、２５、２６、第一および第二導電型側電極２７、２８を有し、光取り出し方向が基板側で、第一および第二導電型側電極が光取り出し方向と反対側に形成され、発光ユニット同士が、薄膜結晶成長層の表面から前記バッファ層２２の一部までを除去して形成された発光ユニット間分離溝１２により電気的に分離されている。
摘要翻译：提供了适合于诸如表面光源的大面积发光的集成化合物半导体发光器件结构。还提供了一种制造这种结构的方法。发光装置设置有形成在透明基板（21）上的多个发光单元（11）。发光单元设置有薄膜晶体生长层（24,25,26）和第一和第二导电型侧电极（27,28）。光提取方向在基板侧，并且第一和第二导电型侧电极形成在与光提取方向相反的一侧。发光单元由用于分离发光单元的凹槽（12）电隔离，并且通过从表面移除到缓冲层（22）的一部分而形成。

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