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71. 发明申请

WO01004998A1 METHOD AND DIELECTRIC AND/OR SEMICONDUCTOR DEVICE FOR INFLUENCING THE DISPERSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION 审中-公开
标题翻译：用于影响电磁辐射分散的方法和电介质和/或半导体器件
公开(公告)号：WO01004998A1
公开(公告)日：2001-01-18
申请号：PCT/IB2000/000982
申请日：2000-07-11
IPC分类号： G02B1/11 , G02B6/34 , H01S3/00 , H01S3/06 , H01S5/00 , H01S5/028 , G02B5/08
CPC分类号： H01S3/0627 , G02B1/115 , G02B6/29361 , G02B6/29394 , H01S3/0057 , H01S3/0606 , H01S3/0621 , H01S3/08059 , H01S3/08095 , H01S5/0057 , H01S5/028
摘要： The dielectric and/or semiconductor device influences the dispersion of electromagnetic radiation within a given spectral range. It comprises a substrate being essentially transparent to said electromagnetic radiation. The substrate has a first surface for incoupling said electromagnetic radiation into said substrate, and a second surface. The device further comprises a reflective multilayer structure on said second surface, said multilayer structure providing a controlled dispersion characteristic upon reflection of said electromagnetic radiation, e.g., a chirped mirror. The device is arranged in such a way that there is essentially no interference of electromagnetic radiation propagating in the direction of said multilayer structure and electromagnetic radiation reflected by said multilayer structure. An antireflection coating may be provided on the first surface of the substrate. With this device, oscillations in the group delay dispersion can almost completely be avoided.
摘要翻译：电介质和/或半导体器件影响电磁辐射在给定光谱范围内的色散。它包括对所述电磁辐射基本上透明的衬底。衬底具有用于将所述电磁辐射耦合到所述衬底中的第一表面和第二表面。该装置还包括在所述第二表面上的反射多层结构，所述多层结构在所述电磁辐射例如啁啾反射镜反射时提供受控的色散特性。该装置的布置方式是基本上不存在在所述多层结构的方向上传播的电磁辐射的干扰和由所述多层结构反射的电磁辐射的干扰。可以在基板的第一表面上设置抗反射涂层。使用该装置，群延迟色散的振荡几乎可以完全避免。

72. 发明申请

WO1993001510A1 OPTICAL GUIDED-MODE RESONANCE FILTER 审中-公开
标题翻译：光学引导型谐振滤波器
公开(公告)号：WO1993001510A1
公开(公告)日：1993-01-21
申请号：PCT/US1992005569
申请日：1992-07-01
申请人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM
发明人： BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM , MAGNUSSON, Robert , WANG, Shu-Shaw
IPC分类号： G02B05/26
CPC分类号： H01S3/106 , G02B5/1828 , G02B5/203 , G02F1/01 , G02F1/0338 , G02F2201/302 , G02F2203/055 , H01S3/1055 , H01S3/107 , H01S5/028 , H01S5/125 , H01S5/141
摘要： A guided-mode resonance filter is provided which can be used as an optical filter with very narrow line width and as an efficient optical switch. Diffraction efficiencies and passband frequencies are calculated based on guided-mode resonance properties of periodic dielectric structures in a waveguide geometry. The guided-mode resonance filter preferably includes means for changing various parameters within the grating (10) so as to change passband frequencies in response thereto. Also, the present invention envisions a narrowband tuneable laser having a diffraction grating of the present invention placed within a laser cavity to provide narrowband optical wave output from the narrowband tuneable laser. In another preferred embodiment, the present diffraction grating can be supported by a semiconductor substrate, preferably adjacent to a semiconductor laser for fine-tuning the output of the semiconductor laser. In still another preferred embodiment, the present diffraction grating can be placed between thin-film layers to enhance thin-film performance characteristics.

73. 发明申请

WO2019006891A1 荧光芯片及其制造方法审中-公开
公开(公告)号：WO2019006891A1
公开(公告)日：2019-01-10
申请号：PCT/CN2017/103426
申请日：2017-09-26
申请人：深圳市光峰光电技术有限公司
发明人：李乾 , 许颜正
IPC分类号： H01S5/028 , H01S3/02
CPC分类号： H01S3/02 , H01S5/028
摘要：一种荧光芯片及其制造方法，该荧光芯片包括：基板（101）；第一反射层（102），第一反射层（102）位于基板（101）上；以及第二反射层（103），第二反射层（103）设置于第一反射层（102）上且围设成多个二维排列的容纳腔，第二反射层（103）构成所述容纳腔的侧壁，每一容纳腔内设置有一发光单元（104），每一发光单元（104）的上表面不高于所述容纳腔的开口所在的平面。该荧光芯片中的各个发光单元（104）的除上表面之外的表面都被反射材料遮挡，因此各发光单元（104）的发光均不会影响相邻发光单元（104），可避免混色等情况的出现。

74. 发明申请

WO2017139350A1 STEPPED OPTICAL BRIDGE FOR CONNECTING SEMICONDUCTOR WAVEGUIDES 审中-公开
标题翻译：用于连接半导体波导的阶梯式光学桥
公开(公告)号：WO2017139350A1
公开(公告)日：2017-08-17
申请号：PCT/US2017/016968
申请日：2017-02-08
申请人： SKORPIOS TECHNOLOGIES, INC
发明人： LAMBERT, Damien
IPC分类号： G02B6/13
CPC分类号： G02B6/12002 , G02B6/12004 , G02B6/12007 , G02B6/122 , G02B6/136 , G02B2006/12061 , G02B2006/12104 , G02B2006/12121 , G02B2006/12142 , G02B2006/12147 , H01S5/0202 , H01S5/021 , H01S5/02252 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/22 , H01S5/3013 , H01S5/343 , H01S5/4025 , H01S5/4087 , H04B10/505 , H04J14/02
摘要： A photonic device includes a semiconductor wafer having a waveguide formed therein. An end of the waveguide includes a step. The photonic device further includes a semiconductor chip bonded to the semiconductor wafer and having an active region, and a waveguide coupler disposed in a gap between a sidewall of the semiconductor chip and the end of the waveguide. The waveguide coupler includes an optical bridge that has a first end and a second end opposing the first end. The first end of the optical bridge is interfaced with a facet of the active region of the semiconductor chip. The second end of the optical bridge is interfaced with the end of waveguide, and has a portion thereof disposed over the step at the end of the waveguide.
摘要翻译：光子器件包括其中形成有波导的半导体晶片。波导的一端包括一个台阶。光子器件还包括结合到半导体晶片并具有有源区的半导体芯片以及设置在半导体芯片的侧壁和波导的端部之间的间隙中的波导耦合器。波导耦合器包括具有第一端和与第一端相对的第二端的光桥。光桥的第一端与半导体芯片的有源区的面相接。光桥的第二端与波导的端部连接，并且其一部分设置在波导端部的台阶上。

75. 发明申请

WO2017123309A2 MONOLITHICAL WIDELY TUNABLE QUANTUM CASCADE LASER DEVICES 审中-公开
标题翻译：单片全息可调量子级联激光器件
公开(公告)号：WO2017123309A2
公开(公告)日：2017-07-20
申请号：PCT/US2016/059662
申请日：2016-10-31
申请人： NORTHWESTERN UNIVERSITY
发明人： RAZEGHI, Manijeh
IPC分类号： H01S5/0687 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/0687 , G01N21/3504 , G01N21/39 , G01N2021/3595 , G01N2021/399 , G02B6/00 , H01S5/0208 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/06258 , H01S5/1028 , H01S5/1209 , H01S5/22 , H01S5/3401 , H01S5/34313 , H01S5/4012 , H01S5/4037 , H01S5/4087
摘要： Monolithic, wavelength-tunable QCL devices are provided which comprise a substrate, an array of QCLs formed on the substrate and an optical beam combiner formed on the substrate electrically isolated from the array of QCLs. In embodiments, the QCL devices are configured to provide laser emission in the range of from about 3 μm to about 12 μm, a wavelength tuning range of at least about 500 cm -1 , and a wavelength tuning step size of about 1.0 nm or less.
摘要翻译：提供单片波长可调谐QCL器件，其包括衬底，在衬底上形成的QCL阵列以及在与QCL阵列电隔离的衬底上形成的光束组合器。在实施例中，QCL器件被配置为提供在约3μm至约12μm范围内的激光发射，至少约500cm -1的波长调谐范围和波长调谐步骤大小约为1.0纳米或更小。

76. 发明申请

WO2016134332A1 CHIP-SCALE POWER SCALABLE ULTRAVIOLET OPTICAL SOURCE 审中-公开
标题翻译：芯片尺寸电源可伸缩超声波光源
公开(公告)号：WO2016134332A1
公开(公告)日：2016-08-25
申请号：PCT/US2016/018808
申请日：2016-02-19
申请人： HRL LABORATORIES, LLC
发明人： SAYYAH, Keyvan , EFIMOV, Oleg M. , PATTERSON, Pamela R. , KISELEV, Andrey A.
IPC分类号： H01S5/125 , G02B1/11 , G01J1/42
CPC分类号： H01S5/0604 , H01S3/2383 , H01S5/0092 , H01S5/0228 , H01S5/02453 , H01S5/0261 , H01S5/0264 , H01S5/028 , H01S5/0287 , H01S5/0425 , H01S5/06821 , H01S5/0683 , H01S5/1014 , H01S5/1028 , H01S5/1064 , H01S5/125 , H01S5/187 , H01S5/2013 , H01S5/22 , H01S5/34333 , H01S5/4025 , H01S5/4031 , H01S5/50 , H01S2301/166
摘要： A chip scale ultra violet laser source includes a plurality of laser elements on a substrate each including a back cavity mirror, a tapered gain medium, an outcoupler, a nonlinear crystal coupled to the outcoupler with a front facet that has a first coating that is anti-reflectivity (AR) to a fundamental wavelength of the laser element and high reflectivity (HR) to ultra violet wavelengths, and has an exit facet that has a second coating that has HR to a fundamental wavelength of the laser element and AR to the ultra violet wavelengths, a photodetector coupled to the outcoupler, a phase modulator coupled to the photodetector and coupled to the back cavity mirror, and a master laser diode on the substrate coupled to the phase modulator of each laser element. Each laser element emits an ultra violet beamlet and is frequency and phase locked to the master laser diode.
摘要翻译：芯片级紫外激光源包括在基板上的多个激光元件，每个激光元件包括后腔反射镜，锥形增益介质，输出耦合器，耦合到输出耦合器的非线性晶体，其具有第一涂层，其为反面 - 反射率（AR）到激光元件的基本波长和对紫外波长的高反射率（HR），并且具有出射小面，其具有HR具有激光元件的基本波长的HR和超过激光元件的AR的第二涂层紫外波长，耦合到输出耦合器的光电检测器，耦合到光电检测器并耦合到后腔镜的相位调制器，以及耦合到每个激光元件的相位调制器的基板上的主激光二极管。每个激光元件发射紫外线束，并且与主激光二极管频率和相位锁定。

77. 发明申请

WO2016034628A1 TUNABLE LASER AND METHOD FOR TUNING A LASING MODE 审中-公开
标题翻译：用于调节激光模式的激光激光和方法
公开(公告)号：WO2016034628A1
公开(公告)日：2016-03-10
申请号：PCT/EP2015/070058
申请日：2015-09-02
申请人： HUAWEI TECHNOLOGIES CO., LTD. , SELIM, Ramsey , BOYLAN, Karl , WYATT, Richard , LEALMAN, Ian
发明人： SELIM, Ramsey , BOYLAN, Karl , WYATT, Richard , LEALMAN, Ian
IPC分类号： H01S5/026 , H01S5/06 , H01S5/10 , H01S5/14 , H01S5/40
CPC分类号： H01S5/0268 , H01S5/026 , H01S5/028 , H01S5/0612 , H01S5/062 , H01S5/06246 , H01S5/101 , H01S5/1028 , H01S5/1092 , H01S5/1206 , H01S5/1209 , H01S5/1212 , H01S5/1215 , H01S5/124 , H01S5/142
摘要： A tunable laser (100) for tuning a lasing mode based on light beams travelling through at least one block of channel waveguides (108) with at least two tunable combs, includes: a frequency selective optical multiplexer (112) comprising a first terminal (110) for receiving/transmitting light, at least one block of channel waveguides (108), each channel waveguide (108) having a reflectively coated first tail (101) and a second tail, and an optical coupling element (103) optically coupling the first terminal (110) with the second tails of the channel waveguides (108) of the at least one block of channel waveguides, each of the channel waveguides (108) having a different length; a gain element (105) generating a broad spectrum of light, the gain element coupling the first terminal (110) of the frequency selective optical multiplexer (112) with a reflective element (106); a phase element (104) coupled to the gain element (105), wherein the phase element (104) is configured to fine-tune the lasing mode and to offset a phase drift of the tunable laser; a plurality of optical tuners (102a, 102b), each one coupled to a respective plurality of branches of the at least one block of channel waveguides (108), wherein the plurality of optical tuners (102a, 102b) are configured to tune a lasing mode based on light beams travelling through the at least one block of channel waveguides (108).
摘要翻译：一种用于调谐激光模式的可调激光器（100），其包括：频率选择性光复用器（112），其包括：第一端子（110），其包括第一端子（110），所述可调谐激光器（100）用于调谐基于通过至少一个通道波导块（108）），用于接收/发射光的至少一个通道波导（108），每个通道波导（108）具有反射涂覆的第一尾部（101）和第二尾部;以及光学耦合元件（103），其将第一（110），其中所述至少一个通道波导块的所述通道波导（108）的第二尾部，所述通道波导（108）中的每一个具有不同的长度; 生成宽光谱的增益元件（105），所述增益元件将所述频率选择性光复用器（112）的第一端子（110）与反射元件（106）耦合; 耦合到所述增益元件（105）的相位元件（104），其中所述相位元件（104）被配置为微调所述激光模式并偏移所述可调谐激光器的相位漂移; 多个光学调谐器（102a，102b），每一个耦合到所述至少一个通道波导块（108）的相应多个分支，其中所述多个光学调谐器（102a，102b）被配置成调谐激光模式基于穿过至少一个通道波导块（108）的光束。

78. 发明申请

WO2015107366A3 TUNABLE SOI LASER 审中-公开
标题翻译： TUNABLE SOI激光器
公开(公告)号：WO2015107366A3
公开(公告)日：2015-09-11
申请号：PCT/GB2015050105
申请日：2015-01-19
申请人： ROCKLEY PHOTONICS LTD
发明人： RICKMAN ANDREW GEORGE , ZILKIE AARON
IPC分类号： H01S5/14 , G02B6/12 , H01S3/105 , H01S3/1055 , H01S3/106 , H01S5/028 , H01S5/12
CPC分类号： H01S3/1062 , G02B6/12007 , H01S3/08027 , H01S3/083 , H01S3/10053 , H01S3/105 , H01S3/106 , H01S5/021 , H01S5/028 , H01S5/1007 , H01S5/1071 , H01S5/1209 , H01S5/125 , H01S5/14 , H01S5/142
摘要： A wavelength tunable silicon-on-insulator (SOI) laser (1) comprising: a laser cavity including: a semiconductor gain medium (2) having a front end (21) and a back end (22), wherein a mirror (10) of the laser cavity is located at the back end (22) of the semiconductor gain medium; and a phase-tunable waveguide platform (3) coupled to the front end of the semiconductor gain medium, the phase-tunable waveguide platform comprising: a first resonator (34) and a second resonator (35); at least one resonator being a phase-tunable resonator; wherein the first resonator is any one of: an MMI device (34) including a pair of reflective surfaces defining a resonator cavity therebetween such that the device is configured to act as a Fabry-Perot filter; a ring resonator; or a waveguide Fabry-Perot filter; and wherein the second resonator is any one of: an MMI device including a pair of reflective surfaces defining a resonator cavity therebetween such that the device is configured to act as a Fabry-Perot filter; a ring resonator; or a waveguide Fabry-Perot filter. Output coupling from the resonator may be realized by a 1x3 coupler (4) and the resonator may comprise an additional phase tuning element (53) for wavelength fine adjustment.
摘要翻译： 1.一种波长可调谐绝缘体上硅（SOI）激光器（1），包括：激光腔，包括：具有前端（21）和后端（22）的半导体增益介质（2），其中反射镜（10）的激光腔位于半导体增益介质的后端（22）; 以及耦合到所述半导体增益介质的前端的相位可调波导平台（3），所述相位可调谐波导平台包括：第一谐振器（34）和第二谐振器（35）; 至少一个谐振器是相位可调谐谐振器; 其中所述第一谐振器是以下中的任何一个：MMI器件（34），其包括在其间限定谐振器腔的一对反射表面，使得所述器件被配置为充当法布里 - 珀罗滤波器; 环形谐振器; 或波导法布里 - 珀罗滤波器; 并且其中所述第二谐振器是以下中的任何一个：MMI装置，其包括在其间限定谐振腔的一对反射表面，使得所述装置被配置为充当法布里 - 珀罗滤波器; 环形谐振器; 或波导法布里 - 珀罗滤波器。来自谐振器的输出耦合可以由1x3耦合器（4）实现，并且谐振器可以包括用于波长微调的附加相位调谐元件（53）。

79. 发明申请

WO2015124549A1 HALBLEITERVORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUM AUFBRINGEN EINER BESCHICHTUNG AUF MEHRERE HALBLEITERVORRICHTUNGEN 审中-公开
标题翻译：半导体器件和方法施加涂层对几种半导体器件
公开(公告)号：WO2015124549A1
公开(公告)日：2015-08-27
申请号：PCT/EP2015/053275
申请日：2015-02-17
申请人： OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH
发明人： STOCKMEIER, Michael , SCHMAL, Michael , VEIT, Thomas , SWIETLIK, Tomasz
IPC分类号： H01S5/02 , H01S5/028 , H01S5/042 , H01L33/20 , H01L33/38 , H01L33/46
CPC分类号： H01L25/0756 , H01L33/20 , H01L33/465 , H01L2924/0002 , H01L2933/0025 , H01S5/0207 , H01S5/028 , H01S5/0425 , H01L2924/00
摘要： Es wird eine Halbleitervorrichtung (10) beschrieben, mit einem Halbleiterkörper (3), der eine erste Kontaktschicht (1) an einer ersten Hauptfläche (11) und eine zweite Kontaktschicht (2) an einer zweiten Hauptfläche (12) aufweist. Der Halbleiterkörper (3) weist an der ersten Hauptfläche (11) eine Vertiefung (4) auf, die von zwei einander gegenüberliegenden Seitenflächen (5, 6) des Halbleiterkörpers (3) jeweils einen Abstand aufweist, wobei die erste Kontaktschicht (1) vollständig in der Vertiefung (4) angeordnet ist. Die zweite Kontaktschicht (2) weist von den einander gegenüberliegenden Seitenflächen (5, 6) einen gleich großen oder größeren Abstand als die Vertiefung (4) auf. Weiterhin wird ein Verfahren zum Aufbringen einer Beschichtung (7, 8) auf mehrere Halbleitervorrichtungen (10a, 10b, 10c, 10d) beschrieben.
摘要翻译：公开的是，其具有：第一主表面上的第一接触层（1）（11）和在第二主表面（12）的第二接触层（2）的半导体主体（3）的半导体器件（10）。所述的半导体主体（3）具有在所述第一主表面（11）A（4）由两个相对的侧表面延伸的凹部（5,6）的半导体主体（3）的每一个以一定距离，其中，所述第一接触层（1）完全所述凹部（4）被布置。背离相对的侧表面离开所述第二接触层（2）（5,6）具有相等或更大的距离比所述凹部（4）。此外，描述了用于对多个半导体器件（10A，10B，10C，10D）的涂覆涂层（7,8）的方法。

80. 发明申请

WO2014018939A3 AMPLIFIED WIDELY TUNABLE SHORT CAVITY LASER 审中-公开
标题翻译：功能齐全的可调谐短腔激光器
公开(公告)号：WO2014018939A3
公开(公告)日：2014-03-20
申请号：PCT/US2013052411
申请日：2013-07-26
申请人： THORLABS INC , PRAEVIUM RES INC
发明人： CABLE ALEX EZRA , JAYARAMAN VIJAYSEKHAR , POTSAID BENJAMIN MICHAEL
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/0683 , G01B9/02004 , G01B9/02091 , G01N21/255 , G01N21/272 , G01N21/4795 , G01N2021/399 , G01N2201/0612 , H01S3/10015 , H01S3/10061 , H01S3/105 , H01S3/1396 , H01S5/0071 , H01S5/0078 , H01S5/028 , H01S5/041 , H01S5/042 , H01S5/0607 , H01S5/0687 , H01S5/1039 , H01S5/183 , H01S5/18311 , H01S5/18355 , H01S5/18361 , H01S5/18366 , H01S5/18372 , H01S5/34 , H01S5/34306 , H01S5/34313 , H01S2301/02
摘要： An amplified tunable source includes a short-cavity laser coupled to an optical amplifier for high power, spectrally shaped operation. The short-cavity laser is coupled to a quantum well semiconductor optical amplifier with two quantum states for broadened gain. Two preferred wavelength ranges of the amplified tunable source include 1200-1400nm and 800-1100nm. Also disclosed is the short cavity tunable laser coupled to a fiber amplifier. Various combinations of tunable optical filters with the amplified tunable source to reduce noise or improve spectral purity are presented.
摘要翻译：放大的可调源包括耦合到光放大器的短腔激光器，用于高功率，光谱形状的操作。短腔激光器耦合到具有两个量子态的量子阱半导体光学放大器以获得更宽的增益。放大的可调源的两个优选波长范围包括1200-1400nm和800-1100nm。还公开了耦合到光纤放大器的短腔可调谐激光器。介绍了各种可调光滤波器与放大可调源的组合，以减少噪声或提高光谱纯度。

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