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61. 发明申请

WO2013062066A1 PATTERN FORMING METHOD, MULTI-LAYERED RESIST PATTERN, MULTI-LAYERED FILM FOR ORGANIC SOLVENT DEVELOPMENT, RESIST COMPOSITION, METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE 审中-公开
标题翻译：图案形成方法，多层电阻图案，用于有机溶剂开发的多层膜，电阻组合物，制造电子器件的方法和电子器件
公开(公告)号：WO2013062066A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/JP2012/077663
申请日：2012-10-19
申请人： FUJIFILM Corporation
发明人： SHIRAKAWA, Michihiro , KATO, Keita , ODANI, Tadahiro , NAKAMURA, Atsushi , TAKAHASHI, Hidenori , IWATO, Kaoru
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/32 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/095 , G03F7/038 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/0757 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30 , G03F7/325 , H01L21/0271
摘要： A pattern forming method contains: (i) a step of forming a first film on a substrate by using a first resin composition (I), (ii) a step of forming a second film on the first film by using a second resin composition (II) different from the resin composition (I), (iii) a step of exposing a multi-layered film having the first film and the second film, and (iv) a step of developing the first film and the second film in the exposed multi-layered film by using an organic solvent-containing developer to form a negative pattern.
摘要翻译：图案形成方法包括：（i）通过使用第一树脂组合物（I）在基材上形成第一膜的步骤，（ii）通过使用第二树脂组合物在第一膜上形成第二膜的步骤 II），（iii）暴露具有第一膜和第二膜的多层膜的步骤，和（iv）在暴露的第一膜和第二膜中显影第一膜和第二膜的步骤通过使用含有机溶剂的显影剂形成负图案的多层膜。

62. 发明申请

WO2013036027A2 페놀계 자가가교 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물 审中-公开
标题翻译：酚基自交联聚合物和含有其的抗蚀剂下层组合物
公开(公告)号：WO2013036027A2
公开(公告)日：2013-03-14
申请号：PCT/KR2012/007102
申请日：2012-09-05
申请人： 주식회사 동진쎄미켐 , 김정식 , 김재현 , 이재우
发明人： 김정식 , 김재현 , 이재우
IPC分类号： C08G61/00
CPC分类号： H01L21/0271 , C08G8/08 , C08G8/12 , C08G8/28 , C08G61/02 , C08G65/4006 , C08G65/48 , C08G65/485 , C08G73/0655 , C08G2261/135 , C08G2261/3424 , C08G2261/76 , C09D161/14 , C09D179/04 , G03F7/094
摘要： 고분자 경화를 위한 첨가제 없이도 가열 시 자가가교 반응이 일어나는 페놀계 자가가교 고분자 및 이를 포함하는 레지스트 하층막 조성물이 개시된다. 상기 페놀계 자가가교 고분자는 본 명세서의 화학식 1로 표시되는 고분자, 화학식 2로 표시되는 고분자 및 화학식 3으로 표시되는 고분자로 이루어진 군으로부터 선택된다.
摘要翻译：
基于加热而无需添加剂聚合物固化所述自交联反应的苯酚是自引发抗蚀剂下层膜组合物，其包含聚合物和交联的。酚类交联聚合物选自由式（1）表示的聚合物，由式（2）表示的聚合物和由式（3）表示的聚合物组成的组。

63. 发明申请

WO2013024779A1 リソグラフィー用下層膜形成材料、リソグラフィー用下層膜及びパターン形成方法审中-公开
标题翻译：地层成膜材料，地层薄膜和图案形成方法
公开(公告)号：WO2013024779A1
公开(公告)日：2013-02-21
申请号：PCT/JP2012/070305
申请日：2012-08-09
申请人：三菱瓦斯化学株式会社 , 越後雅敏 , 東原豪 , 内山直哉
发明人：越後　雅敏 , 東原　豪 , 内山　直哉
IPC分类号： G03F7/11 , C07D311/96
CPC分类号： C08G8/04 , C07D311/96 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/30 , G03F7/40
摘要：　炭素濃度が高く、酸素濃度が低く、耐熱性が比較的に高く、溶媒溶解性も比較的に高く、湿式プロセスが適用可能な、新規なリソグラフィー用下層膜形成材料等を提供する。本発明のリソグラフィー用下層膜形成材料は、下記一般式（１）で示される化合物を含有することを特徴とする。（式（１）中、Ｘは、各々独立して、酸素原子又は硫黄原子であり、Ｒ１は、各々独立して、単結合又は炭素数１～３０の２ｎ価の炭化水素基であり、該炭化水素基は、環式炭化水素基、二重結合、ヘテロ原子若しくは炭素数６～３０の芳香族基を有していてもよく、Ｒ２は、各々独立して、炭素数１～１０の直鎖状、分岐状若しくは環状のアルキル基、炭素数６～１０のアリール基、炭素数２～１０のアルケニル基又は水酸基であり、但し、Ｒ２の少なくとも１つは水酸基であり、ｍは、各々独立して、１～６の整数であり、ｎは、１～４の整数である。）
摘要翻译：提供了一种新颖的下层膜形成材料，用于光刻，所述材料具有高碳浓度和低氧浓度，并且具有相对较高的耐热性和溶剂溶解度。此外，湿法可以用于所述用于光刻的下层成膜材料。用于光刻的下层成膜材料的特征在于含有由通式（1）表示的化合物。（式（1）中，X各自独立地表示氧原子或硫原子，各自独立地表示单键或碳数为1〜30的2价的烃基，其中所述烃基可以具有环状烃基，双键，杂原子或C6-30芳基;每个R2独立地表示C1-10直链，支链或环状烷基，C6-10芳基，C2-10烯基或羟基，至少一个R2是羟基;每个m独立地表示1和6之间的整数; n表示1和4之间的整数。）

64. 发明申请

WO2013023124A2 DEVELOPABLE BOTTOM ANTIREFLECTIVE COATING COMPOSITIONS FOR NEGATIVE RESISTS 审中-公开
标题翻译：可发展的底部防反射涂层组合物
公开(公告)号：WO2013023124A2
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/US2012/050267
申请日：2012-08-10
申请人： INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION , CHEN, Kuang-jung , HOLMES, Steven, J. , HUANG, Wu-song , LIU, Sen
发明人： CHEN, Kuang-jung , HOLMES, Steven, J. , HUANG, Wu-song , LIU, Sen
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/039 , G03F7/09 , C09D133/04
CPC分类号： G03F7/0382 , C09J133/14 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/095
摘要： A negative developable bottom antireflective coating (NDBARC) material includes a polymer containing an aliphatic alcohol moiety, an aromatic moiety, and a carboxylic acid moiety. The NDBARC composition is insoluble in a typical resist solvent such as propylene glycol methyl ether acetate (PGMEA) after coating and baking. The NDBARC material also includes a photoacid generator, and optionally a crosslinking compound. In the NDBARC material, the carboxylic acid provides the developer solubility, while the alcohol alone, the carboxylic acid alone, or their combination provides the PGMEA resistance. The NDBARC material has resistance to the resist solvent, and thus, intermixing does not occur between NDBARC and resist during resist coating over NDBARC. After exposure and bake, the lithographically exposed portions of both the negative photoresist (30E) and the NDBARC layer (20E) become insoluble in developer due to the chemically amplified crosslinking of the polymers in negative resist and NDBARC layer in the lithographically exposed portions.
摘要翻译：负显影底部抗反射涂层（NDBARC）材料包括含有脂族醇部分，芳族部分和羧酸部分的聚合物。在涂布和烘烤后，NDBARC组合物不溶于典型的抗蚀剂溶剂如丙二醇甲基醚乙酸酯（PGMEA）中。 NDBARC材料还包括光酸产生剂和任选的交联化合物。在NDBARC材料中，羧酸提供显影剂溶解性，而单独的醇，单独的羧酸或其组合提供PGMEA抗性。 NDBARC材料对抗蚀剂溶剂具有抗性，因此在NDBARC上抗蚀剂涂覆期间NDBARC和抗蚀剂之间不会发生混合。在曝光和烘烤之后，由于光刻曝光部分中的负抗蚀剂和NDBARC层中的聚合物的化学放大交联，负光刻胶（30E）和NDBARC层（20E）的光刻曝光部分变得不溶于显影剂。 / p>

65. 发明申请

WO2013022081A1 酸化タングステン膜形成用組成物およびそれを用いた酸化タングステン膜の製造法审中-公开
标题翻译：用于形成氧化钨膜的组合物和使用其制造氧化钨膜的方法
公开(公告)号：WO2013022081A1
公开(公告)日：2013-02-14
申请号：PCT/JP2012/070426
申请日：2012-08-10
申请人： AZエレクトロニックマテリアルズIP株式会社 , AZエレクトロニックマテリアルズUSAコーポレーション , 能谷剛
发明人：能谷　剛
IPC分类号： G03F7/40 , G03F7/11
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/091 , G03F7/094 , G03F7/20 , G03F7/2016 , G03F7/40 , H01L21/02244 , H01L21/308 , H01L21/3081
摘要：［課題］酸化タングステン膜を水性溶液から形成させるための組成物およびそれを用いたパターン形成方法の提供。［解決手段］水溶性メタタングステン酸塩と、アニオン性ポリマー、ノニオン性ポリマー、アニオン性界面活性剤、および３級アミノ基含有ノニオン性界面活性剤から選ばれる少なくとも一種の添加剤と、水とを含んでなる酸化タングステン膜形成用組成物。画像反転三層構造、レジスト層膜、またはレジスト上層保護膜を用いたパターン形成方法において用いられる二酸化ケイ素膜形成用組成物の代わりに、前記酸化タングステン膜形成用組成物を用いてパターンを形成することができる。
摘要翻译：提供从水溶液形成氧化钨膜的组合物和使用该组合物的图案形成方法。 [溶液]用于形成氧化钨膜的组合物，其包含：水溶性偏钨酸盐; 选自阴离子聚合物，非离子聚合物，阴离子表面活性剂和含叔氨基的非离子表面活性剂中的至少一种添加剂; 和水。可以使用用于形成氧化钨膜的组合物代替用于形成二氧化硅膜的组合物来形成图案，所述组合物以图案形成方法使用，其中图像反转三层结构，抗蚀剂层膜或使用抗蚀剂上层保护膜。

66. 发明申请

WO2012133597A1 多層レジストプロセスパターン形成方法及び多層レジストプロセス用無機膜形成組成物审中-公开
标题翻译：多层耐蚀工艺形成方法和无机膜形成多层耐蚀工艺的组合物
公开(公告)号：WO2012133597A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/JP2012/058270
申请日：2012-03-28
申请人： JSR株式会社 , 高梨和憲 , 滝本嘉夫 , 森隆 , 中原一雄 , 元成正之
发明人：高梨　和憲 , 滝本　嘉夫 , 森　隆 , 中原　一雄 , 元成　正之
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0002 , G03F7/094 , G03F7/26
摘要：　本発明は、（１）被加工基板の上側に、無機膜を形成する工程、（２）上記無機膜上に、保護膜を形成する工程、（３）上記保護膜上に、レジストパターンを形成する工程、及び（４）上記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する工程を有する多層レジストプロセスパターン形成方法である。（０）被加工基板上にレジスト下層膜を形成する工程をさらに有し、上記工程（１）において、無機膜を上記レジスト下層膜上に形成することが好ましい。上記工程（３）が、（３ａ）上記保護膜上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、（３ｂ）フォトマスクを介した放射線の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、及び（３ｃ）上記露光されたレジスト膜の現像により、レジストパターンを形成する工程を有することが好ましい。
摘要翻译：本发明是一种多层抗蚀剂工艺图案形成方法，其包括以下步骤：（1）在用于处理的基板上形成无机膜的步骤; （2）在无机膜上形成保护膜的工序; （3）在保护膜上形成抗蚀剂图案的步骤; 以及（4）通过用抗蚀剂图案作为掩模进行蚀刻在用于处理的基板上形成图案的步骤。该方法还包括（0）在用于处理的基板上形成抗蚀剂下层膜的步骤。在步骤（1）中，优选在抗蚀剂下层膜上形成无机膜。优选步骤（3）包括以下步骤：（3a）使用抗蚀剂组合物在保护膜上形成抗蚀剂膜的步骤; （3b）通过将光辐射通过光掩模来曝光抗蚀剂膜的步骤; 和（3c）通过显影曝光的抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案的步骤。

67. 发明申请

WO2012048108A3 RADIATION PATTERNABLE CVD FILM 审中-公开
标题翻译：辐射可蚀刻CVD膜
公开(公告)号：WO2012048108A3
公开(公告)日：2012-07-05
申请号：PCT/US2011055102
申请日：2011-10-06
申请人： APPLIED MATERIALS INC , WEIDMAN TIMOTHY W , MICHAELSON TIMOTHY , DEATON PAUL , INGLE NITIN K , MALLICK ABHIJIT BASU , CHATTERJEE AMIT
发明人： WEIDMAN TIMOTHY W , MICHAELSON TIMOTHY , DEATON PAUL , INGLE NITIN K , MALLICK ABHIJIT BASU , CHATTERJEE AMIT
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/205
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/16 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/311 , H01L21/31144
摘要： Methods for forming photoresists sensitive to radiation on a substrate are provided. Described are chemical vapor deposition methods of forming films (e.g., silicon-containing films) as photoresists using a plasma which may be exposed to radiation to form a pattern. The deposition methods utilize precursors with cross- linkable moieties that will cross-link upon exposure to radiation. Radiation may be carried out in the with or without the presence of oxygen. Exposed or unexposed areas may then be developed in an aqueous base developer.
摘要翻译：提供了用于形成对衬底上的辐射敏感的光致抗蚀剂的方法。描述了使用等离子体作为光致抗蚀剂形成膜（例如，含硅膜）的化学气相沉积方法，所述等离子体可以暴露于辐射以形成图案。沉积方法利用具有可交联部分的前体，其将在暴露于辐射时交联。辐射可以在有或没有氧存在下进行。然后可以在含水碱显影剂中显影曝光或未曝光区域。

68. 发明申请

WO2012048108A2 RADIATION PATTERNABLE CVD FILM 审中-公开
标题翻译：辐射图案CVD薄膜
公开(公告)号：WO2012048108A2
公开(公告)日：2012-04-12
申请号：PCT/US2011/055102
申请日：2011-10-06
申请人： APPLIED MATERIALS, INC. , WEIDMAN, Timothy W. , MICHAELSON, Timothy , DEATON, Paul , INGLE, Nitin K. , MALLICK, Abhijit Basu , CHATTERJEE, Amit
发明人： WEIDMAN, Timothy W. , MICHAELSON, Timothy , DEATON, Paul , INGLE, Nitin K. , MALLICK, Abhijit Basu , CHATTERJEE, Amit
IPC分类号： H01L21/027 , H01L21/205
CPC分类号： G03F7/094 , G03F7/0752 , G03F7/16 , H01L21/0217 , H01L21/02219 , H01L21/02274 , H01L21/311 , H01L21/31144
摘要： Methods for forming photoresists sensitive to radiation on a substrate are provided. Described are chemical vapor deposition methods of forming films (e.g., silicon-containing films) as photoresists using a plasma which may be exposed to radiation to form a pattern. The deposition methods utilize precursors with cross- linkable moieties that will cross-link upon exposure to radiation. Radiation may be carried out in the with or without the presence of oxygen. Exposed or unexposed areas may then be developed in an aqueous base developer.
摘要翻译：提供了在基板上形成对辐射敏感的光刻胶的方法。描述了使用等离子体形成膜（例如，含硅膜）作为光致抗蚀剂的化学气相沉积方法，其可以暴露于辐射以形成图案。沉积方法利用可交联部分的前体，其在暴露于辐射时将交联。辐射可以在有或没有氧的情况下进行。然后可以将曝光或未曝光的区域显影在碱性显影液中。

69. 发明申请

WO2012026286A1 エッチング方法、基板処理方法、パターン形成方法、半導体素子の製造方法、および半導体素子审中-公开
标题翻译：蚀刻方法，基板处理方法，图案形成方法，制造半导体元件的方法和半导体元件
公开(公告)号：WO2012026286A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：PCT/JP2011/067452
申请日：2011-07-29
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 堀敏泰
发明人：松岡　孝明 , 野沢　俊久 , 堀　敏泰
IPC分类号： H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/0046 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/2041 , H01J37/32192 , H01L21/0212 , H01L21/02164 , H01L21/0217 , H01L21/02274 , H01L21/0276 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31122
摘要：　被処理基板となるシリコン基板上に、フロロカーボン層を形成する（Ａ）。形成したフロロカーボン層の上に、レジスト層を形成する（Ｂ）。その後、レジスト層に対してフォトレジストによる露光を行って、所定の形状にパターニングを行う（Ｃ）。所定の形状にパターニングしたレジスト層をマスクとして、フロロカーボン層のエッチングを行う（Ｄ）。次に、マスクとしてのレジスト層を除去する（Ｅ）。その後、残ったフロロカーボン層をマスクとして、シリコン基板のエッチングを行う（Ｆ）。フロロカーボン層の１層のみで反射防止膜、およびハードマスクとしての機能を備えるため、処理の信頼性を向上することができると共に、安価に行うことができる。
摘要翻译：在作为待处理基板的硅基板上形成碳氟化合物层（步骤A）。在这样形成的碳氟化合物层上形成抗蚀剂层（步骤B）。然后，通过用抗蚀剂将抗蚀剂层曝光（步骤C）将抗蚀剂层图案化成预定的形状。使用图案化为预定形状的抗蚀剂层作为掩模来蚀刻氟碳层（步骤D）。接下来，除去作为掩模的抗蚀剂层（步骤E）。之后，使用剩余的氟碳化合物层作为掩模蚀刻硅衬底（步骤F）。由于碳氟化合物层本身用作抗反射膜和硬掩模，因此可以提高处理的可靠性，同时降低成本。

70. 发明申请

WO2012018983A2 METHODS OF PRODUCING STRUCTURES USING A DEVELOPER-SOLUBLE LAYER WITH MULTILAYER TECHNOLOGY 审中-公开
标题翻译：使用具有多层技术的显影剂 - 可溶层生产结构的方法
公开(公告)号：WO2012018983A2
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：PCT/US2011/046547
申请日：2011-08-04
申请人： BREWER SCIENCE INC. , WASHBURN, Carlton Ashley , LAMB, III, James E. , SMITH, Brian , FURSE, Justin Lee , WANG, Heping
发明人： WASHBURN, Carlton Ashley , LAMB, III, James E. , SMITH, Brian , FURSE, Justin Lee , WANG, Heping
IPC分类号： H01L21/027
CPC分类号： H01L21/0332 , G03F7/039 , G03F7/091 , G03F7/094 , Y10T428/24331 , Y10T428/30
摘要： Methods of forming microelectronic structures using multilayer processes are disclosed. The methods comprise the use of a developer-soluble protective layer adjacent the substrate surface in a multilayer stack to protect the substrate during pattern transfer. After etching, the pattern is transferred into the developer-soluble protective layer using a developer instead of etching required by previous methods. Conventional developer-soluble anti-reflective coatings and gap-fill materials can be used to form the protective layer. Custom layers with developer solubility can also be prepared. Microelectronic structures formed by the above processes are also disclosed.
摘要翻译：公开了使用多层工艺形成微电子结构的方法。该方法包括在多层叠层中使用邻近衬底表面的显影剂可溶性保护层以在图案转印期间保护衬底。蚀刻之后，使用显影剂将图案转印到显影剂可溶性保护层中，而不是通过先前方法所需的蚀刻。常规的显影剂可溶性抗反射涂层和间隙填充材料可用于形成保护层。也可以制备具有显影剂溶解度的定制层。还公开了通过上述方法形成的微电子结构。

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