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    • 4. 发明申请
    • レジスト下層膜形成組成物及びそれを用いたレジストパターンの形成方法
    • 抗静电膜形成组合物和形成其使用的电阻图案的方法
    • WO2015163195A1
    • 2015-10-29
    • PCT/JP2015/061467
    • 2015-04-14
    • 日産化学工業株式会社
    • 境田 康志西田 登喜雄藤谷 徳昌坂本 力丸
    • G03F7/11
    • G03F7/11C08G73/0616C08G73/0633C08G73/0644C08G73/0655C09D179/04C09D179/08G03F7/0045G03F7/094G03F7/162G03F7/168G03F7/2004G03F7/2006G03F7/2037G03F7/26H01L21/3081H01L21/3086
    • 【課題】 密着性に優れた所望のレジストパターンを形成できる、レジスト下層膜を形成するための組成物を提供する。 【解決手段】 下記式(1)又は式(2)で表される構造をポリマー鎖の末端に有するポリマー、架橋剤、架橋反応を促進させる化合物及び有機溶媒を含むリソグラフィー用レジスト下層膜形成組成物。 (式中、R 1 は置換基を有してもよい炭素原子数1乃至6のアルキル基、フェニル基、ピリジル基、ハロゲノ基又はヒドロキシ基を表し、R 2 は水素原子、炭素原子数1乃至6のアルキル基、ヒドロキシ基、ハロゲノ基又は-C(=O)O-Xで表されるエステル基を表し、Xは置換基を有してもよい炭素原子数1乃至6のアルキル基を表し、R 3 は水素原子、炭素原子数1乃至6のアルキル基又はハロゲノ基を表し、R 4 は直接結合、又は炭素原子数1乃至8の二価の有機基を表し、R 5 は炭素原子数1乃至8の二価の有機基を表し、Aは芳香族環又は芳香族複素環を表し、tは0又は1を表し、uは1又は2を表す。)
    • [问题]提供一种用于形成抗蚀剂下层膜的组合物,通过该组合物可以形成所需的高粘合抗蚀剂图案。 [溶液]含有聚合物的光刻用抗蚀剂下层膜形成用组合物,其中在聚合物链末端上设置式(1)或式(2)所示的结构,交联剂,交联促进化合物和 有机溶剂。 (式中,R1表示可以具有取代基的C1〜C6烷基,苯基,吡啶基,卤代基或羟基; R2表示氢原子,C1-6烷基,羟基,卤代基, 或由-C(= O)OX表示的酯基; X表示任选取代的C 1-6烷基; R 3表示氢原子,C 1-6烷基或卤代基; R 4表示直接键或 C 1-8二价有机基团; R 5表示C 1-8二价有机基团; A表示芳族环或芳族杂环; t表示0或1; u表示1或2)