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1. 发明申请

WO2012133597A1 多層レジストプロセスパターン形成方法及び多層レジストプロセス用無機膜形成組成物审中-公开
标题翻译：多层耐蚀工艺形成方法和无机膜形成多层耐蚀工艺的组合物
公开(公告)号：WO2012133597A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/JP2012/058270
申请日：2012-03-28
申请人： JSR株式会社 , 高梨和憲 , 滝本嘉夫 , 森隆 , 中原一雄 , 元成正之
发明人：高梨　和憲 , 滝本　嘉夫 , 森　隆 , 中原　一雄 , 元成　正之
IPC分类号： G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/11 , G03F7/0002 , G03F7/094 , G03F7/26
摘要：　本発明は、（１）被加工基板の上側に、無機膜を形成する工程、（２）上記無機膜上に、保護膜を形成する工程、（３）上記保護膜上に、レジストパターンを形成する工程、及び（４）上記レジストパターンをマスクとしたエッチングにより、被加工基板にパターンを形成する工程を有する多層レジストプロセスパターン形成方法である。（０）被加工基板上にレジスト下層膜を形成する工程をさらに有し、上記工程（１）において、無機膜を上記レジスト下層膜上に形成することが好ましい。上記工程（３）が、（３ａ）上記保護膜上に、レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、（３ｂ）フォトマスクを介した放射線の照射により、上記レジスト膜を露光する工程、及び（３ｃ）上記露光されたレジスト膜の現像により、レジストパターンを形成する工程を有することが好ましい。
摘要翻译：本发明是一种多层抗蚀剂工艺图案形成方法，其包括以下步骤：（1）在用于处理的基板上形成无机膜的步骤; （2）在无机膜上形成保护膜的工序; （3）在保护膜上形成抗蚀剂图案的步骤; 以及（4）通过用抗蚀剂图案作为掩模进行蚀刻在用于处理的基板上形成图案的步骤。该方法还包括（0）在用于处理的基板上形成抗蚀剂下层膜的步骤。在步骤（1）中，优选在抗蚀剂下层膜上形成无机膜。优选步骤（3）包括以下步骤：（3a）使用抗蚀剂组合物在保护膜上形成抗蚀剂膜的步骤; （3b）通过将光辐射通过光掩模来曝光抗蚀剂膜的步骤; 和（3c）通过显影曝光的抗蚀剂膜形成抗蚀剂图案的步骤。

2. 发明申请

WO2008114520A1 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法审中-公开
标题翻译：化学机械抛光垫和化学机械抛光方法
公开(公告)号：WO2008114520A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/050393
申请日：2008-01-16
申请人： JSR株式会社 , 田野裕之 , 西村秀樹 , 清水崇文 , 王道海 , 三原巖 , 元成正之
发明人：田野裕之 , 西村秀樹 , 清水崇文 , 王道海 , 三原巖 , 元成正之
IPC分类号： B24B37/04 , B24B37/00 , H01L21/304
CPC分类号： B24B37/26
摘要：　　本発明にかかる化学機械研磨パッド１０は、研磨装置定盤１３に固定されるための化学機械研磨パッドであって、研磨層１１と、前記研磨層と前記研磨装置定盤との間に設けられた接着層１２と、を含み、前記接着層において、前記研磨層の中央部を含む中央領域Ａの接着強度が、他の領域の接着強度より低い。
摘要翻译：公开了一种固定在抛光装置的抛光板（13）上的化学机械抛光垫（10）。化学机械抛光垫（10）包括抛光层（11）和布置在研磨装置的抛光层和抛光板之间的粘合剂层（12）。在该粘合剂层中，包含研磨层的中心部分的中央区域A A的粘合强度比其他区域的粘接强度低。

3. 发明申请

WO2008044477A1 化学機械研磨用水系分散体および半導体装置の化学機械研磨方法审中-公开
标题翻译：用于半导体器件的化学机械抛光和化学机械抛光方法的水溶液分散体
公开(公告)号：WO2008044477A1
公开(公告)日：2008-04-17
申请号：PCT/JP2007/068803
申请日：2007-09-27
申请人： JSR株式会社 , 浪江祐司 , 金野智久 , 元成正之 , 仕田裕貴 , 竹村彰浩
发明人：浪江祐司 , 金野智久 , 元成正之 , 仕田裕貴 , 竹村彰浩
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/30625 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：　本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）重量平均分子量が５００，０００～２，０００，０００であり、分子内に複素環を有する、第１の水溶性高分子と、（Ｂ）重量平均分子量が１，０００～１０，０００であり、カルボキシル基およびスルホ基から選ばれた１種を有する、第２の水溶性高分子またはこの塩と、（Ｃ）酸化剤と、（Ｄ）砥粒と、を含み、ｐＨが７以上１２以下であることを特徴とする。
摘要翻译：公开了用于化学机械抛光的水分散体，其特征在于含有（A）分子中具有杂环的重均分子量为500,000-2,000,000的第一水溶性聚合物，（B）第二水溶性聚合物，具有选自羧基和磺基的一个基团的重均分子量为1,000〜10,000的可溶性聚合物，或这种聚合物的盐，（C）氧化剂和（D）磨粒。用于化学机械抛光的水分散体的特征还在于其pH值不小于7但不大于12。

4. 发明申请

WO2007060869A1 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法审中-公开
标题翻译：化学机械抛光和化学机械抛光方法的水分散
公开(公告)号：WO2007060869A1
公开(公告)日：2007-05-31
申请号：PCT/JP2006/322765
申请日：2006-11-15
申请人： JSR株式会社 , 元成正之 , 國谷英一郎
发明人：元成正之 , 國谷英一郎
IPC分类号： B24B37/00 , C09K3/14 , H01L21/304
CPC分类号： C09K3/1463 , C09G1/02 , H01L21/3212 , H01L21/7684
摘要：　化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）砥粒、（Ｂ）有機酸、（Ｃ）酸化剤、（Ｄ）界面活性剤、および（Ｅ）分散媒を含有し、前記（Ｄ）界面活性剤が特定の構造を有する。
摘要翻译：公开了一种含有磨粒（A），有机酸（B），氧化剂（C），表面活性剂（D）和分散介质（E））的化学机械抛光用水分散体。在该水性分散体中，表面活性剂（D）具有特定的结构。

5. 发明申请

WO2009104334A1 化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法审中-公开
标题翻译：化学机械抛光和化学机械抛光方法的水分散
公开(公告)号：WO2009104334A1
公开(公告)日：2009-08-27
申请号：PCT/JP2008/073082
申请日：2008-12-18
申请人： JSR株式会社 , 元成正之 , 國谷英一郎 , 植野富和 , 飯島孝浩 , 松田隆志
发明人：元成正之 , 國谷英一郎 , 植野富和 , 飯島孝浩 , 松田隆志
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00 , C09K3/14
CPC分类号： H01L21/31053 , C09G1/02 , C09K3/1463 , H01L21/3212
摘要：　本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、（Ａ）幹ポリマー部にアニオン性官能基を有するグラフトポリマーと、（Ｂ）砥粒と、を含む。
摘要翻译：公开了一种用于化学机械抛光的水分散体，其包含在树干聚合物部分中具有阴离子官能团的接枝聚合物（A）和磨料颗粒（B）。

6. 发明申请

WO2009099141A1 フラットパネルディスプレイ部材形成材料审中-公开
标题翻译：用于形成平板显示部件的材料
公开(公告)号：WO2009099141A1
公开(公告)日：2009-08-13
申请号：PCT/JP2009/051958
申请日：2009-02-05
申请人： JSR株式会社 , 八島啓介 , 大石洋平 , 金森太郎 , 元成正之 , 飯沼良介
发明人：八島啓介 , 大石洋平 , 金森太郎 , 元成正之 , 飯沼良介
IPC分类号： H01J9/02 , C08G77/04 , C08L83/04 , H01J11/02
CPC分类号： H01J11/12 , C08G77/14 , C08G77/18 , C08L83/04 , H01J11/36 , H01J11/38 , H01J29/86 , H01J31/127
摘要：　本発明は、クラックが生じず、高い耐熱性および透明性を併せ持ったフラットパネルディスプレイ部材を得ることが可能な材料を提供することを目的とする。　本発明のフラットパネルディスプレイ部材形成材料は、シリカ粒子（Ａ）と、　式（１）　Ｒ 1 n Ｓｉ（ＯＲ 2 ） 4-n 　（式中、Ｒ 1 は、炭素数１～８の１価の有機基を示し、２個以上存在する場合には互いに同じであっても異なっていてもよい。Ｒ 2 は、それぞれ独立に、炭素数１～５のアルキル基または炭素数１～６のアシル基を示す。ｎは０～３の整数である。）　で表される少なくとも１種のオルガノシランの加水分解物および当該オルガノシランの縮合物からなる群から選択された、重量平均分子量が８００～５０，０００である少なくとも１種のシラン化合物（Ｂ）と、増粘剤（Ｃ）を含有する。
摘要翻译：公开了一种能够生产不产生裂纹并具有高耐热性和高透明度的平板显示部件的材料。具体公开了一种用于形成平板显示元件的材料，它包括：（A）二氧化硅颗粒; （B）至少一种重均分子量为800〜50,000的硅烷化合物，选自由式（1）表示的至少一种有机硅烷的水解产物：R1nSi（OR2）4-n [其中R1 表示具有1至8个碳原子的单价有机基团，条件是当存在两个或更多个R 1时，R 1可以彼此相同或不同; R2独立地表示碳原子数1〜5的烷基或碳原子数1〜6的酰基。 n表示0〜3的整数]和有机硅烷的缩合物; 和（C）增稠剂。

7. 发明申请

WO2008114805A1 化学機械研磨パッドおよび化学機械研磨方法审中-公开
标题翻译：化学机械抛光垫和化学机械抛光方法
公开(公告)号：WO2008114805A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/055023
申请日：2008-03-12
申请人： JSR株式会社 , 山本雅浩 , 宮内裕之 , 三原巖 , 元成正之
发明人：山本雅浩 , 宮内裕之 , 三原巖 , 元成正之
IPC分类号： H01L21/304 , B24B37/00
CPC分类号： B24B37/26
摘要：本発明の化学機械研磨パッドの研磨面は、(1)研磨面の中心から周辺部へと向かう1本の仮想直線と交差する複数本の第一溝からなる第一溝群、この複数本の第一溝同士は互いに交差することがなく、第一の溝幅を有する、および(2)研磨面の中心から周辺部へと向かう1本の仮想直線と交差する複数本の第二溝からなる第二溝群、この複数本の第二溝同士は互いに交差することがなく、各第二溝は前記第一溝と交差することがなく、前記第一の溝幅と異なる第二の溝幅を有し、そしてこの第二溝は、研磨面上で互いに隣接する二本の第一溝の間隙に一本または複数本ずつ存在するからなる2つの溝群を有してなる。
摘要翻译：本发明提供一种化学机械抛光垫，其具有包括两个凹槽组的抛光面，所述凹槽组包括：第一凹槽组，第一凹槽组，包括与从抛光面的中心延伸到周向部分的一个假想直线相交的多个第一凹槽，但是不相交的第二槽，以及（2）第二槽组，其具有与从研磨面的中心延伸到周向部分的一个假想直线相交但与之不相交的多个第二槽，第二槽不与第一凹槽相交，但是具有不同于第一凹槽宽度的第二凹槽宽度，并且在抛光面上彼此相邻的两个第一凹槽之间的间隙中存在一个或多个第二凹槽。

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