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1. 发明申请

WO2009063755A1 プラズマ処理装置および半導体基板のプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：用于等离子体处理半导体基板的等离子体处理装置和方法
公开(公告)号：WO2009063755A1
公开(公告)日：2009-05-22
申请号：PCT/JP2008/069773
申请日：2008-10-30
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 上田博一 , 西塚哲也 , 野沢俊久 , 松岡孝明
发明人：上田博一 , 西塚哲也 , 野沢俊久 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L21/3065 , C23C16/511 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/511 , C23C16/52 , H01J37/32192 , H01J37/32266 , H01J37/32954 , H05H1/46
摘要：　プラズマ処理装置１１は、マイクロ波をプラズマ源とし、チャンバー内に相対的にプラズマの電子温度が高い第一の領域２５ａと、第一の領域２５ａよりもプラズマの電子温度が低い第二の領域２５ｂとを形成するようにプラズマを発生させるアンテナ部１３と、半導体基板Ｗを第一の領域２５ａ内に位置させる第一の配置手段と、半導体基板Ｗを第二の領域２５ｂ内に位置させる第二の配置手段と、半導体基板Ｗを第二の領域２５ｂに位置させた状態で、プラズマ発生手段によるプラズマの発生を停止させるプラズマ発生停止手段とを備える。
摘要翻译：公开了一种等离子体处理装置（11），其包括用于通过使用微波产生等离子体源来产生等离子体的天线单元（13），使得在腔室内形成第一区域（25a），其中等离子体的电子温度相对较高，并且第二区域（25b），其中等离子体的电子温度低于第一区域（25a）中的电子温度;第一布置装置，用于在第一区域（25a）中布置半导体衬底（W）;第二布置装置，在第二区域（25b）中的半导体衬底（W）和等离子体产生停止装置，用于在半导体衬底（W）布置在第二区域（25b）中的同时停止等离子体产生装置的等离子体产生。

2. 发明申请

WO2009028314A1 半導体装置の製造方法审中-公开
标题翻译：半导体器件制造方法
公开(公告)号：WO2009028314A1
公开(公告)日：2009-03-05
申请号：PCT/JP2008/064216
申请日：2008-08-07
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 上田博一 , 野沢俊久 , 松岡孝明 , 寺本章伸 , 大見忠弘
发明人：上田博一 , 野沢俊久 , 松岡孝明 , 寺本章伸 , 大見忠弘
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/511 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： H01L21/02164 , C23C16/511 , H01J37/32192 , H01L21/02274 , H01L21/31055 , H01L21/31116
摘要：　半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０１１ｃｍ－３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。
摘要翻译：半导体器件制造方法包括在半导体衬底上形成半导体元件的步骤，以及通过CVD工艺在半导体元件上形成膜的步骤。在CVD工艺中，使用微波作为等离子体源，在半导体衬底的表面附近具有等离子体电子温度为1.5eV以下且等离子体电子密度为10E011cm-3以上的微波等离子体，用来。

3. 发明申请

WO2008050567A1 ガス放出孔部材を一体焼結したシャワープレートおよびその製造方法审中-公开
标题翻译：用气体释放孔组件烧结的淋浴板及其制造方法
公开(公告)号：WO2008050567A1
公开(公告)日：2008-05-02
申请号：PCT/JP2007/068613
申请日：2007-09-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
发明人：桶作正広 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 松岡孝明 , 野沢俊久 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/31 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H01L21/316 , H01L21/318
CPC分类号： H01J37/3244 , C23C16/45565 , C23C16/45568 , H01J37/32192 , H01J37/32449 , H01J37/32477 , H01J37/3255
摘要：　プラズマの逆流防止のためにシャワープレートの縦孔内に配置されるガス放出孔部材（セラミックス部材あるいは多孔質ガス流通体）が隙間無く一体的に焼結結合され、シャワープレートの使用時に縦孔から脱落することがなく、また各縦孔からのガス放出量のバラツキがなく、プラズマの逆流の発生をより完全に防止でき、効率の良いプラズマ励起が可能なシャワープレートを提供する。プラズマ処理装置の処理室１０２に配置され、処理室１０２にプラズマを発生させるためにプラズマ励起用ガスを放出するシャワープレート１０５において、プラズマ励起用ガスの放出経路となる多数個の縦孔１０５内に、孔径が２０μｍ乃至７０μｍのガス放出孔を複数個有するセラミックス部材、および／または最大気孔径が７５μｍ以下のガス流通方向に連通した気孔を有する多孔質ガス流通体を一体的に焼結結合して配置した。
摘要翻译：本发明提供了一种喷淋板，其包括通过一体烧结而没有任何空间结合的气体释放孔构件（陶瓷构件或多孔气体流动体），用于等离子体回流防止目的在淋浴板的垂直孔内。上述结构的优点在于，在淋浴板使用期间气体释放构件不从垂直孔脱落，从每个垂直孔释放的气体量没有变化，等离子体的反向流动可以更完全可以实现高效率的等离子体激发。喷淋板（105）设置在等离子体处理装置的处理室（102）中，等离子体激发气体释放到用于产生等离子体的处理室（102）中。具有多个直径为20μm至70μm的气体释放孔的陶瓷构件和/或具有气体流动方向上彼此连通的最大直径不大于75μm的孔的多孔气体流动体是通过与作为等离子体激发气体的释放路径的多个垂直孔（105）中的每一个的内部一体地烧结而结合。

4. 发明申请

WO2005022627A1 基板処理装置审中-公开
标题翻译：基板处理装置
公开(公告)号：WO2005022627A1
公开(公告)日：2005-03-10
申请号：PCT/JP2004/012276
申请日：2004-08-26
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 野沢俊久 , 松岡孝明
发明人：野沢俊久 , 松岡孝明
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67167 , H01L21/67173 , H01L21/67742 , Y10S414/139
摘要：　基板処理装置は、内部に収容した基板に対して処理を施すための複数の処理室(２０)と、収容した基板を処理室(２０)まで搬送する搬送ケース(２４)と、搬送ケース(２４)を移動経路に沿って移動させる移動機構とを有する。搬送ケース２４は、外部雰囲気から隔離された状態で基板を収容する。複数の処理室(２０)は、搬送ケース(２４)の移動経路の両側に整列した状態で配置され、搬送ケース２４は、二列に整列して配置された処理室(２０)の搬送口(２０ａ)に対応して二つの搬送口(２４ａ)を有する。
摘要翻译：一种基板处理装置，包括用于向内部接收的基板施加处理的多个处理室（20），用于将接收到的基板传送到处理室（20）的转印箱（24）和用于移动转印箱（24）的移动机构）沿运动路径。转移箱（24）接收与外部气氛隔离的状态的基板。多个处理室（20）以配置在分动箱（24）的移动路径的相对侧的状态配置，并且分配箱（24）具有与传送口（20a）对应的两个传送口（24a））处理室（20）。

5. 发明申请

WO2008114799A1 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法审中-公开
标题翻译：等离子体处理装置和等离子体处理方法
公开(公告)号：WO2008114799A1
公开(公告)日：2008-09-25
申请号：PCT/JP2008/055014
申请日：2008-03-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 大見忠弘 , 後藤哲也 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆 , 田才忠 , 野沢俊久
发明人：大見忠弘 , 後藤哲也 , 井ノ口敦智 , 石橋清隆 , 田才忠 , 野沢俊久
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/455 , H01L21/3065 , H05H1/46
CPC分类号： C23C16/45565 , H01J37/3244 , H01J2237/0206
摘要：　天板の機能を有するシャワーヘッドに形成したガス導入路に異常放電が発生することを防止することが可能なプラズマ処理方法が開示される。このプラズマ処理方法は、減圧可能になされた処理容器内へ少なくともプラズマ励起用ガスを含むガスを導入するガス導入路と、ガス導入路に連通されて処理容器内へガスを放出する複数のガス放出口を有するシャワーヘッドとを備えるプラズマ処理装置において行われる、シャワーヘッドを介して処理容器内へ電磁波を導入して被処理体Ｗに対してプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法であり、ガス導入路８４内のガスの圧力が４０００Ｐａ（３０Ｔｏｒｒ）以上に設定される。
摘要翻译：公开了一种等离子体处理方法，其能够防止在具有屋顶功能的淋浴头中形成的气体入口通道中发生异常放电。这种等离子体处理方法是在等离子体处理装置中进行的，该等离子体处理装置包括气体导入通道，用于将至少含有等离子体激发气体的气体引入制成排气的处理室，以及具有与气体导入口连通的多个排气口的喷淋头从而将气体排出到处理室中。在等离子体处理方法中，通过淋浴喷头将电磁波引入处理室，从而对工件（W）进行等离子体处理。气体导入通道（84）中的气体设定为4000Pa（30Torr）以上的压力。

6. 发明申请

WO2006092985A1 マイクロ波プラズマ処理装置审中-公开
标题翻译：微波等离子体处理装置
公开(公告)号：WO2006092985A1
公开(公告)日：2006-09-08
申请号：PCT/JP2006/303048
申请日：2006-02-21
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久 , 山本伸彦
发明人：田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久 , 山本伸彦
IPC分类号： H05H1/46 , C23C16/511 , H01L21/205 , H01L21/302
CPC分类号： H01J37/32192
摘要：　本発明は、被処理体が収容されるチャンバーと、前記チャンバー内に処理ガスを供給する処理ガス供給手段と、前記チャンバー内で前記処理ガスのプラズマを形成するマイクロ波を発生させるマイクロ波発生源と、マイクロ波発生源で発生されるマイクロ波を前記チャンバーに向けて導く導波手段と、前記導波手段によって導かれるマイクロ波を前記チャンバーに向けて放射する複数のマイクロ波放射孔を有する導体からなる平面アンテナと、前記チャンバーの天壁を構成し、前記平面アンテナのマイクロ波放射孔を通過したマイクロ波を透過する、誘電体からなるマイクロ波透過板と、前記平面アンテナの前記マイクロ波透過板に対して反対側に設けられ、前記平面アンテナに到達するマイクロ波の波長を短くする機能を有する、誘電体からなる遅波板と、を備えたマイクロ波プラズマ処理装置である。前記平面アンテナと前記マイクロ波透過板とは、実質的に空気を介さずに密着しており、前記遅波板と前記マイクロ波透過板とは、同じ材質で形成され、前記遅波板、前記平面アンテナ、前記マイクロ波透過板、及び、前記チャンバー内で形成される前記処理ガスのプラズマ、によって形成される等価回路が、共振条件を満たす。
摘要翻译：一种微波等离子体处理装置，包括容纳待处理材料的室，用于将处理气体供应到室中的处理气体供给装置，用于产生在室内形成处理气体等离子体的微波的微波发生源，波导装置，将在微波发生源中产生的微波导向腔室，由具有多个微波辐射孔的导体构成的平面天线，用于将由波导装置引导的微波照射到腔室;构成腔室顶壁的微波透射板传输通过平坦天线的微波辐射孔并由电介质构成的微波，以及设置在平面天线的微波传输板的相对侧的延迟板，具有缩短微波到达平面的波长的功能天线，由电介质组成。扁平天线和微波透射板基本上彼此紧密接触，其间没有空气，延迟板和微波透射板由相同的材料形成，延迟板，平面天线，微波透射板和由室内形成的处理气体等离子体形成的等效电路满足谐振条件。

7. 发明申请

WO2005028703A1 成膜装置および成膜方法审中-公开
标题翻译：薄膜成型装置和成膜方法
公开(公告)号：WO2005028703A1
公开(公告)日：2005-03-31
申请号：PCT/JP2004/013357
申请日：2004-09-14
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 寒川誠二 , 野沢俊久
发明人：寒川誠二 , 野沢俊久
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32192 , C23C16/452 , C23C16/5096 , C23C16/511 , H01J37/32357 , H01L21/3145
摘要：　成膜装置１０は、処理ガスで加圧され、プラズマを発生させるプラズマ発生室１４と、基板を収納し、基板に対して膜を形成するための成膜室２０と、複数の穴を有し、プラズマ発生室１４と成膜室２０とを分離する分離板１７とを含む。分離板１７の穴の径は、プラズマ発生室１４の圧力が成膜室２０の圧力よりも２．０倍以上高くなる寸法である。成膜装置１０は、プラズマ発生室１４と成膜室２０との間に所定のバイアス電圧を印加する手段をさらに含む。
摘要翻译：公开了一种成膜装置（10），其包括用于产生等离子体的等离子体产生室（14），其中压力由处理气体增加，成膜室（20），其中容纳基底并形成膜和用于分离等离子体产生室（14）和成膜室（20）的分离板（17），该板具有多个孔。分离板（17）的孔形成为具有使得等离子体生成室（14）中的压力比成膜室（20）中的压力高2.0倍以上的直径。成膜装置（10）还包括用于在等离子体产生室（14）和成膜室（20）之间施加一定偏压的装置。

8. 发明申请

WO2008096717A1 載置台構造、これを用いた処理装置及びこの装置の使用方法审中-公开
标题翻译：放置床结构，使用结构处理设备，以及使用设备的方法
公开(公告)号：WO2008096717A1
公开(公告)日：2008-08-14
申请号：PCT/JP2008/051792
申请日：2008-02-04
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 川村剛平 , 小林保男 , 野沢俊久 , 石橋清隆
发明人：川村剛平 , 小林保男 , 野沢俊久 , 石橋清隆
IPC分类号： H01L21/205 , C23C16/458 , C23C16/52 , H01L21/683
CPC分类号： H01L21/68742 , C23C16/455 , C23C16/458 , C23C16/4585 , C23C16/4586 , C23C16/50 , H01J37/3244 , H01L21/6831 , H01L21/6833 , H01L21/68735 , H01L21/6875
摘要：　開示される載置台構造は、基板に対して所定の処理が行われる真空引き可能に構成された処理容器内で基板を支持する載置台構造であって、基板が載置される載置台本体と、基板を載置台本体に降ろし、載置台から持ち上げるように構成された昇降ピン機構と、載置台本体上に載置された基板の裏面周縁部が、処理容器に供給される処理ガスに晒されるように載置台本体に形成された段部と、を有する。
摘要翻译：公开了一种用于将基材支撑在处理容器中的放置床结构，其中基板经受预定处理并且可以被抽真空地构成。放置床结构包括用于将基板放置在其上的放置床体，提升销机构，其构造成使基板向下放置在放置床体上;以及台阶部，形成在放置床体中，使得周缘部放置在放置床体上的基板的背面可能暴露于供给到处理容器的处理气体。

9. 发明申请

WO2007148690A1 マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置审中-公开
标题翻译： MICROWAVE介绍设备和等离子体加工设备
公开(公告)号：WO2007148690A1
公开(公告)日：2007-12-27
申请号：PCT/JP2007/062324
申请日：2007-06-19
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久 , 湯浅珠樹
发明人：田才忠 , 石橋清隆 , 野沢俊久 , 湯浅珠樹
IPC分类号： H05H1/46 , H01L21/3065
CPC分类号： H01J37/32192 , H01J37/32211
摘要：　マイクロ波導入装置９２は、スロット９６が形成された平面アンテナ部材９４と、平面アンテナ部材９４上に設けられた誘電体からなる遅波部材９８とを有する。遅波部材９８の上面の中央部には、そこから突出する突起の形態の給電部１００が形成されている。給電部１００は同軸導波管１０８の外側導体１０８Ｂ内に嵌合している。給電部１００の中心に設けられた貫通孔を通って同軸導波管１０８の中心導体１０８Ａが平面アンテナ部材９４に接続されている。給電部１００の側壁面は遅波部材９８の上面に対して垂直である。難加工材料からなる給電部１００の加工精度が向上するため、外側導体１０８Ｂと給電部１００との間の隙間の発生が回避され、隙間に起因する異常放電、非対称電界分布、マイクロ波反射率の増大等の不具合の発生を防止することができる。
摘要翻译：微波引入装置（92）具有形成有槽（96）的平面天线部件（94）和配置在平面天线部件（94）上的慢波部件（98）的介电材料。在慢波构件（98）的上表面的中心部分，突出了供电部（100）。馈电部分（100）装配在同轴波导管（108）的外部导体（108B）中。同轴波导管（108）的中心导体（108A）通过布置在供电部分（100）中心的通孔与平面天线部件（94）连接。供电部（100）的侧壁面与慢波部件（98）的上表面垂直。由于提高了由难以处理的材料构成的供电部（100）的加工精度，消除了外部导体（108B）与供电部（100）之间的间隙的产生，并且由于间隙而产生的问题，例如异常放电，不对称电场分布，微波反射率的增加。

10. 发明申请

WO2007094322A1 発光素子、発光素子の製造方法および基板処理装置审中-公开
标题翻译：发光装置，制造发光装置的方法和基板处理装置
公开(公告)号：WO2007094322A1
公开(公告)日：2007-08-23
申请号：PCT/JP2007/052521
申请日：2007-02-13
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東北大学 , 野沢俊久 , 茂山和基 , 大見忠弘 , 河村忠一 , 吉野公彦
发明人：野沢俊久 , 茂山和基 , 大見忠弘 , 河村忠一 , 吉野公彦
IPC分类号： H05B33/10 , H01L51/50 , H05B33/26
CPC分类号： H01L51/0017 , H01L51/5012 , H01L51/56
摘要：　第１の電極と第２の電極の間に発光層を含む有機層が形成されてなる発光素子を、被処理基板上に形成する、基板処理装置であって、前記被処理基板上に形成された前記第１の電極上に前記有機層を形成する有機層形成装置と、前記有機層上に前記第２の電極を形成する電極形成装置と、前記有機層をエッチングするエッチング装置と、を有することを特徴とする基板処理装置。
摘要翻译：公开了一种用于形成发光器件的衬底处理设备，其中在第一电极和第二电极之间，在待处理的衬底上形成包含发光层的有机层。该基板处理装置的特征在于，包括在形成于被处理基板上的第一电极上形成有机层的有机层形成装置，在有机层上形成第二电极的电极形成装置和蚀刻装置用于蚀刻有机层。

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