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51. 发明申请

WO2013061655A1 量子カスケードレーザ审中-公开
标题翻译：量子CASCADE激光
公开(公告)号：WO2013061655A1
公开(公告)日：2013-05-02
申请号：PCT/JP2012/067115
申请日：2012-07-04
申请人：浜松ホトニクス株式会社 , 枝村忠孝 , 杉山厚志 , 秋草直大
发明人：枝村　忠孝 , 杉山　厚志 , 秋草　直大
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/12
CPC分类号： H01S5/3401 , B82Y20/00 , H01S5/12 , H01S5/124 , H01S5/3402
摘要：　量子カスケードレーザ１は、半導体基板と、半導体基板上に設けられ、量子井戸発光層及び注入層で構成される単位積層体１６が複数段に積層されることで量子井戸発光層と注入層とが交互に積層されたカスケード構造を有する活性層１５と、活性層上に設けられた回折格子層２０とを備える。
摘要翻译：量子级联激光器（1）设置有半导体衬底，有源层（15）和衍射光栅层（20）。设置在半导体衬底顶部的有源层具有级联结构，其中由量子阱发光层和注入层构成的多个单一层叠制品（16）以多个层级堆叠，由此，量子阱发光层和注入层以交替的方式堆叠。衍射光栅层设置在有源层顶部。

52. 发明申请

WO2013001856A1 窒化ガリウム系半導体レーザ素子、及び、窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法审中-公开
标题翻译：氮化钛半导体激光器元件和制造氮化镓半导体激光元件的方法
公开(公告)号：WO2013001856A1
公开(公告)日：2013-01-03
申请号：PCT/JP2012/055718
申请日：2012-03-06
申请人：住友電気工業株式会社 , ソニー株式会社 , 熊野哲弥 , 上野昌紀 , 京野孝史 , 塩谷陽平 , 簗嶋克典 , 田才邦彦 , 中島博
发明人：熊野　哲弥 , 上野　昌紀 , 京野　孝史 , 塩谷　陽平 , 簗嶋　克典 , 田才　邦彦 , 中島　博
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/3063 , H01S5/3202 , H01S2304/04
摘要：　閾値電流が低減される窒化ガリウム系半導体レーザ素子及び窒化ガリウム系半導体レーザ素子の製造方法を提供する。ｎ型クラッド層１５ｂと、ｎ側光ガイド層２９と、活性層２７と、ｐ側光ガイド層３１と、ｐ型クラッド層２３と、を備え、活性層２７の発振波長は、４００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂは、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０＜ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｐ型クラッド層２３は、ＩｎｘＡｌｙＧａ１－ｘ－ｙＮ（０≦ｘ＜０．０５，０＜ｙ＜０．２０）であり、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１は、何れも、インジウムを含有し、ｎ側光ガイド層２９及びｐ側光ガイド層３１のインジウムの組成は、何れも、２％以上６％以下であり、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚は、ｎ型クラッド層１５ｂの膜厚とｐ型クラッド層２３の膜厚との合計の６５％以上８５％以下の範囲にある。
摘要翻译：提供：具有降低的阈值电流的氮化镓半导体激光元件; 以及制造氮化镓半导体激光元件的方法。该氮化镓半导体激光元件设置有n型包覆层（15b），n侧导光层（29），有源层（27），p侧导光层（31）和p 型包覆层（23）。有源层（27）的振荡波长为400nm〜550nm（以下）。 n型覆层（15b）由In x Al y Ga 1-x-y N（0 x Al y Ga 1-x-y N（0 = x <0.05,0

53. 发明申请

WO2012133546A1 光半導体素子审中-公开
标题翻译：光学半导体元件
公开(公告)号：WO2012133546A1
公开(公告)日：2012-10-04
申请号：PCT/JP2012/058174
申请日：2012-03-28
申请人：住友電気工業株式会社 , 吉田喬久 , 塩谷陽平 , 京野孝史 , 上野昌紀
发明人：吉田　喬久 , 塩谷　陽平 , 京野　孝史 , 上野　昌紀
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/32
CPC分类号： H01S5/4087 , B82Y20/00 , H01L25/0753 , H01L27/153 , H01L2924/0002 , H01S5/0217 , H01S5/2009 , H01S5/2063 , H01S5/22 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01L2924/00
摘要：小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａが第１の面方位を有するＧａＮ基板１０と、主面１０ａの第１の領域上に成長しており、活性層２４を含むレーザ構造部２０と、主面１０ａの第１の領域とは異なる第２の領域に対し接合層４１を介して接合されており、表面４０ａが第１の面方位とは異なる第２の面方位を有するＧａＮ薄膜４０と、ＧａＮ薄膜４０の表面４０ａ上に成長しており、活性層３４を含むレーザ構造部３０とを備える。活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。
摘要翻译：提供一种多波长光半导体元件，其可以容易地制造，同时尺寸减小。半导体激光元件（1A）具有：主面（10a）具有第一面取向的GaN衬底（10）激光器结构部分（20），其在所述主表面（10a）的第一区域上生长并且包含有源层（24）; 在所述主表面（10a）的第二区域上键合有接合层（41）的GaN薄膜（40），所述第二区域与所述第一区域不同，并且其中表面（40a）具有不同于第一平面取向的第二平面取向; 以及在GaN薄膜（40）的表面（40a）上生长并含有活性层（34）的激光结构部（30）。有源层（24,34）分别具有包含In的阱层，并且阱层具有彼此不同的发射波长。

54. 发明申请

WO2012118596A1 SEMICONDUCTOR LASERS WITH INDIUM CONTAINING CLADDING LAYERS 审中-公开
标题翻译：具有包含层压层的印刷的半导体激光器
公开(公告)号：WO2012118596A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/US2012/023629
申请日：2012-02-02
申请人： CORNING INCORPORATED , BHAT, Rajaram , SIZOV, Dmitry Sergeevich , ZAH, Chung-En
发明人： BHAT, Rajaram , SIZOV, Dmitry Sergeevich , ZAH, Chung-En
IPC分类号： H01S5/343 , H01S5/32
CPC分类号： H01S5/343 , B82Y20/00 , H01S5/2004 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/34333
摘要： An embodiment of semiconductor laser comprising: (a) a GaN, AlGaN, InGaN, or AlN substrate; (b) an n-doped cladding layer situated over the substrate; (c) a p-doped cladding layer situated over the n-doped; (d) at least one active layer situated between the n-doped and the p-doped cladding layer, and at least one of said cladding layers comprises a superstructure structure of AlInGaN/GaN, AlInGaN/AlGaN, AlInGaN//InGaN or AlInGaN/AlN with the composition such that the total of lattice mismatch strain of the whole structure does not exceed 40 nm%.
摘要翻译：半导体激光器的实施例包括：（a）GaN，AlGaN，InGaN或AlN衬底; （b）位于衬底上方的n掺杂包覆层; （c）位于n掺杂之上的p掺杂包层; （d）位于n掺杂和p掺杂包层之间的至少一个有源层，并且所述包层中的至少一个包括AlInGaN / GaN，AlInGaN / AlGaN，AlInGaN / InGaN或AlInGaN / AlN的组成使得整个结构的晶格失配应变的总和不超过40nm％。

55. 发明申请

WO2012118593A1 STRAIN BALANCED LASER DIODE 审中-公开
标题翻译：应变平衡激光二极管
公开(公告)号：WO2012118593A1
公开(公告)日：2012-09-07
申请号：PCT/US2012/023560
申请日：2012-02-02
申请人： CORNING INCORPORATED , BHAT, Rajaram , SIZOV, Dmitry Sergeevich , ZAH, Chung-En
发明人： BHAT, Rajaram , SIZOV, Dmitry Sergeevich , ZAH, Chung-En
IPC分类号： H01S5/32 , H01S5/343
CPC分类号： B82Y20/00 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S5/3216 , H01S5/3406 , H01S5/34333
摘要： According to the concepts of the present disclosure, laser diode waveguide configurations are contemplated where the use of Al in the waveguide layers of the laser is presented in the form of InGaN/ Al(In)GaN waveguiding superstructure (20) comprising optical confining wells (22; InGaN) and strain compensating barriers (24; Al(In)GaN). The composition of the optical confining wells (22) is chosen such that they provide strong optical confinement, even in the presence of the Al(In)GaN strain compensating barriers (24), but do not absorb lasing emission. The composition of the strain compensating barriers (24) is chosen such that the Al(In)GaN exhibits tensile strain that compensates for the compressive strain of InGaN optical confinement wells (22) but does not hinder the optical confinement.
摘要翻译：根据本公开的概念，可以考虑激光二极管波导配置，其中在激光器的波导层中使用Al以InGaN / Al（In）GaN波导上层结构（20）的形式呈现，该衬底包括光学限制孔（ 22; InGaN）和应变补偿屏障（24; Al（In）GaN）。选择光学限制阱（22）的组成，使得即使在存在Al（In）GaN应变补偿屏障（24）的情况下也提供强的光学约束，但不吸收激光发射。选择应变补偿屏障（24）的组成使得Al（In）GaN表现出补偿InGaN光限制孔（22）的压缩应变的拉伸应变，但不妨碍光学限制。

56. 发明申请

WO2012077513A1 III族窒化物半導体デバイス及びその製造方法审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2012077513A1
公开(公告)日：2012-06-14
申请号：PCT/JP2011/077240
申请日：2011-11-25
申请人：エルシード株式会社 , 北野司 , 難波江宏一 , 小池正好 , 寺前文晴 , 近藤俊行 , 鈴木敦志 , 前田智彦 , 森みどり
发明人：北野司 , 難波江宏一 , 小池正好 , 寺前文晴 , 近藤俊行 , 鈴木敦志 , 前田智彦 , 森みどり
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205 , C23C16/34 , H01S5/343
CPC分类号： H01L29/1608 , H01L21/02107 , H01L21/02378 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02603 , H01L21/02631 , H01L21/02639 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/20 , H01L33/32
摘要：【課題】半導体層における転位密度の低減を的確に図ることのできるIII族窒化物半導体デバイス及びその製造方法を提供する。【解決手段】III族窒化物半導体デバイス１を製造するにあたり、基板２０上にマスク層４０を形成した後、マスク層４０のパターン４４を通じてIII族窒化物半導体からなるナノコラム５０を選択的に成長させ、マスク層４０上にIII族窒化物半導体層１０を成長させるようにした。
摘要翻译：本发明提供一种III族化合物半导体器件及其制造方法，能够精确地降低半导体层中的位错密度。 [解决方案]通过在衬底（20）上形成掩模层（40）然后通过掩模层（40）的图案（44）选择性地生长纳米柱（50），制备III族氮化物半导体器件（1）），使得III族氮化物半导体层（10）在掩模层（40）上生长。

57. 发明申请

WO2012017686A1 半導体発光素子审中-公开
标题翻译：半导体发光元件
公开(公告)号：WO2012017686A1
公开(公告)日：2012-02-09
申请号：PCT/JP2011/004466
申请日：2011-08-05
申请人：パナソニック株式会社 , 磯崎瑛宏 , 井上彰 , 山田篤志 , 横川俊哉
发明人：磯崎　瑛宏 , 井上　彰 , 山田　篤志 , 横川　俊哉
IPC分类号： H01L33/22 , H01L33/32 , H01S5/343
CPC分类号： H01L33/32 , H01L33/0079 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L2933/0083
摘要：　本発明の半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層２１と、ｐ型窒化物半導体層２３と、ｍ面窒化物半導体層を含み、ｎ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層に挟まれた活性層領域２２と、ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｎ型電極３０と、ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｐ型電極４０と、活性層領域で発生する偏光光を外部へ取り出す出射面と、出射面に設けられたストライプ構造５０であって、ｍ面窒化物半導体層のａ軸方向と５°以上８０°以下または－８０°以上－５°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造５０とを備える。
摘要翻译：该半导体发光元件设置有：n型氮化物半导体层（21）; p型氮化物半导体层（23）; 包含m面氮化物半导体层并被n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层夹持的有源层区域（22）; 与n型氮化物半导体层电连接的n型电极（30）; 电连接到p型氮化物半导体层的p型电极（40）; 将在有源层区域产生的偏振光吸引到外部的发射面; 以及条形结构（50），其设置在所述发射面上，并且具有多个凸部，所述多个凸部沿着形成5°〜80°的角度或-80°〜-5°的方向延伸， m面氮化物半导体层的a轴方向。

58. 发明申请

WO2012002045A1 半導体装置およびその製造方法、集積基板、光モジュール、光通信装置审中-公开
标题翻译：半导体器件及其制造方法，集成基板，光模块和光通信设备
公开(公告)号：WO2012002045A1
公开(公告)日：2012-01-05
申请号：PCT/JP2011/060909
申请日：2011-05-12
申请人：株式会社QDレーザ , 西研一 , 影山健生
发明人：西研一 , 影山健生
IPC分类号： G02B6/122 , H01L21/02 , H01L21/52 , H01L33/58 , H01S5/02 , H01S5/022 , H01S5/026 , H01S5/343
CPC分类号： G02B6/12004 , B82Y20/00 , H01S5/0224 , H01S5/0226 , H01S5/3412
摘要：　本発明は、ＧａＡｓ基板３２の主面上に形成された光を発振する活性層３８を含む積層半導体層４６のうちの最表面の層である、Ｉｎを含まないＩＩＩ－Ｖ族化合物半導体であるＧａＡｓからなるコンタクト層４４の表面に、ＩｎＡｓの複数の量子ドットからなる接合層２２を形成する工程と、コンタクト層４４の表面を、接合層２２を介して、基板１０に含まれるＳｉ薄膜層１６のＳｉ面に接合させる工程と、を有する半導体装置の製造方法である。
摘要翻译：公开了一种制造半导体器件的方法，其包括：在包括GaAs的接触层（44）的表面上形成包含多个InAs量子点的接合层（22）的步骤，其为III族 -V不包括In的化合物半导体，其构成包括形成在GaAs衬底（32）的主面上的光振荡有源层（38）的层叠半导体层（46）的最外表面层; 以及通过接合层（22）将接触层（44）的表面接合到衬底（10）中包括的Si薄膜层（16）的Si面的步骤。

59. 发明申请

WO2011096973A9 VERY LARGE MODE SLAB-COUPLED OPTICAL WAVEGUIDE LASER AND AMPLIFIER 审中-公开
标题翻译：非常大模式板式耦合光波导激光器和放大器
公开(公告)号：WO2011096973A9
公开(公告)日：2011-11-10
申请号：PCT/US2010056775
申请日：2010-11-16
申请人： MASSASHUSETTS INST OF TECHNOLOGY , HUANG ROBIN K , DONNELLY JOSEPH P
发明人： HUANG ROBIN K , DONNELLY JOSEPH P
IPC分类号： H01S5/20 , H01S5/343
CPC分类号： H01S5/2231 , H01S5/0425 , H01S5/0655 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/3211 , H01S2301/18
摘要： A very large mode (VLM) slab-coupled optical waveguide laser (SCOWL) is provided that includes an upper waveguide region as part of the waveguide for guiding the laser mode. The upper waveguide region is positioned in the interior regions of the VLM SCOWL. A lower waveguide region also is part of the waveguide that guides the laser mode. The lower waveguide region is positioned in an area underneath the upper waveguide region. An active region is positioned between the upper waveguide region and the lower waveguide region. The active region is arranged so etching into the VLM SCOWL is permitted to define one or more ridge structures leaving the active region unetched. One or more mode control barrier layers are positioned between said upper waveguide region and said lower waveguide region. The one or more mode control barrier layers control the fundamental mode profile and prevent mode collapse of the laser mode. The mode control barrier layers also block carrier leakage from the active region. These layers are essential to obtaining VLM SCO WLs.
摘要翻译：提供了非常大模式（VLM）平板耦合光波导激光器（SCWLL），其包括作为用于引导激光模式的波导的一部分的上部波导区域。上波导区位于VLM SCOWL的内部区域。下波导区域也是引导激光模式的波导的一部分。下波导区域位于上波导区域下方的区域中。有源区位于上波导区和下波导区之间。有源区的排列使蚀刻进入VLM SCOWL允许限定一个或多个脊结构，使有源区未腐蚀。一个或多个模式控制阻挡层位于所述上波导区域和所述下波导区域之间。一个或多个模式控制屏障层控制基本模式配置文件并防止激光模式的模式崩溃。模式控制阻挡层还阻挡来自有源区域的载流子泄漏。这些层对获得VLM SCO WL很重要。

60. 发明申请

WO2011097325A2 HIGH INJECTION EFFICIENCY POLAR AND NON-POLAR III-NITRIDES LIGHT EMITTERS 审中-公开
标题翻译：高注射效率极性和非极性III型硝酸盐光发射体
公开(公告)号：WO2011097325A2
公开(公告)日：2011-08-11
申请号：PCT/US2011/023514
申请日：2011-02-02
申请人： OSTENDO TECHNOLOGIES, INC. , KISIN, Mikhail, V. , EL-GHOROURY, Hussein, S.
发明人： KISIN, Mikhail, V. , EL-GHOROURY, Hussein, S.
IPC分类号： H01S5/343 , H01L33/06
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/2009 , H01S5/2031 , H01S5/3202 , H01S5/34346
摘要： Injection efficiency in both polar and non-polar Ill-nitride light-emitting structures is strongly deteriorated by inhomogeneous population of different quantum wells (QWs) in multiple QW (MQW) active region of the emitter. Inhomogeneous QW population becomes stronger in long-wavelength emitters with deeper active QWs. In both polar and non-polar structures, indium and/or aluminum incorporation into optical waveguide layers and/or barrier layers of the active region, depending on the desired wavelength of the light to be emitted, improves the uniformity of QW population and increases the structure injection efficiency.
摘要翻译：极性和非极性III族氮化物发光结构中的注入效率由于在发射极的多个QW（MQW）有源区中的不同量子阱（QW）的不均匀群体而强烈地恶化。具有较深活性质量分数的长波长发射体的不均匀QW群体变得更强。在极性和非极性结构中，根据所要发射的光的期望波长，铟和/或铝结合到有源区的光波导层和/或势垒层中，改善了QW群体的均匀性并增加了结构注射效率。

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