基本信息:
- 专利标题： 光半導体素子
- 专利标题（英）：Optical semiconductor element
- 专利标题（中）：光学半导体元件
- 申请号：PCT/JP2012/058174 申请日：2012-03-28
- 公开(公告)号：WO2012133546A1 公开(公告)日：2012-10-04
- 发明人： 吉田 喬久 , 塩谷 陽平 , 京野 孝史 , 上野 昌紀
- 申请人： 住友電気工業株式会社 , 吉田 喬久 , 塩谷 陽平 , 京野 孝史 , 上野 昌紀
- 申请人地址： 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目5番33号 Osaka JP
- 专利权人： 住友電気工業株式会社,吉田 喬久,塩谷 陽平,京野 孝史,上野 昌紀
- 当前专利权人： 住友電気工業株式会社,吉田 喬久,塩谷 陽平,京野 孝史,上野 昌紀
- 当前专利权人地址： 〒5410041 大阪府大阪市中央区北浜四丁目５番３３号 Osaka JP
- 代理机构： 長谷川 芳樹
- 优先权： JP2011-072540 20110329
- 主分类号： H01S5/343
- IPC分类号： H01S5/343 ; H01L33/32
摘要：
小型化が可能であり容易に作製できる多波長の光半導体素子を提供する。半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａが第１の面方位を有するＧａＮ基板１０と、主面１０ａの第１の領域上に成長しており、活性層２４を含むレーザ構造部２０と、主面１０ａの第１の領域とは異なる第２の領域に対し接合層４１を介して接合されており、表面４０ａが第１の面方位とは異なる第２の面方位を有するＧａＮ薄膜４０と、ＧａＮ薄膜４０の表面４０ａ上に成長しており、活性層３４を含むレーザ構造部３０とを備える。活性層２４，３４は、Ｉｎを含む井戸層をそれぞれ有し、これらの井戸層の発光波長は互いに異なる。
摘要（中）：
提供一种多波长光半导体元件，其可以容易地制造，同时尺寸减小。 半导体激光元件（1A）具有：主面（10a）具有第一面取向的GaN衬底（10） 激光器结构部分（20），其在所述主表面（10a）的第一区域上生长并且包含有源层（24）; 在所述主表面（10a）的第二区域上键合有接合层（41）的GaN薄膜（40），所述第二区域与所述第一区域不同，并且其中表面（40a） 具有不同于第一平面取向的第二平面取向; 以及在GaN薄膜（40）的表面（40a）上生长并含有活性层（34）的激光结构部（30）。 有源层（24,34）分别具有包含In的阱层，并且阱层具有彼此不同的发射波长。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01S | 利用受激发射的器件 |
| ------H01S5/00 | 半导体激光器 |
| --------H01S5/02 | .基本上不涉及激光作用的结构零件或组件 |
| ----------H01S5/32 | ..含有PN结的，例如异结的或双异质结的结构 |
| ------------H01S5/343 | ...用AⅢBⅤ族化合物材料的，例如AlGaAs-激光器 |