基本信息:
- 专利标题： 半導体発光素子
- 专利标题（英）：Semiconductor light-emitting element
- 专利标题（中）：半导体发光元件
- 申请号：PCT/JP2011/004466 申请日：2011-08-05
- 公开(公告)号：WO2012017686A1 公开(公告)日：2012-02-09
- 发明人： 磯崎 瑛宏 , 井上 彰 , 山田 篤志 , 横川 俊哉
- 申请人： パナソニック株式会社 , 磯崎 瑛宏 , 井上 彰 , 山田 篤志 , 横川 俊哉
- 申请人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真1006番地 Osaka JP
- 专利权人： パナソニック株式会社,磯崎 瑛宏,井上 彰,山田 篤志,横川 俊哉
- 当前专利权人： パナソニック株式会社,磯崎 瑛宏,井上 彰,山田 篤志,横川 俊哉
- 当前专利权人地址： 〒5718501 大阪府門真市大字門真１００６番地 Osaka JP
- 代理机构： 奥田 誠司
- 优先权： JP2010-177915 20100806
- 主分类号： H01L33/22
- IPC分类号： H01L33/22 ; H01L33/32 ; H01S5/343
摘要：
本発明の半導体発光素子は、ｎ型窒化物半導体層２１と、ｐ型窒化物半導体層２３と、ｍ面窒化物半導体層を含み、ｎ型窒化物半導体層およびｐ型窒化物半導体層に挟まれた活性層領域２２と、ｎ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｎ型電極３０と、ｐ型窒化物半導体層に電気的に接続されたｐ型電極４０と、活性層領域で発生する偏光光を外部へ取り出す出射面と、出射面に設けられたストライプ構造５０であって、ｍ面窒化物半導体層のａ軸方向と５°以上８０°以下または－８０°以上－５°以下の角度をなす方向に伸びる複数の凸部を有するストライプ構造５０とを備える。
摘要（中）：
该半导体发光元件设置有：n型氮化物半导体层（21）; p型氮化物半导体层（23）; 包含m面氮化物半导体层并被n型氮化物半导体层和p型氮化物半导体层夹持的有源层区域（22）; 与n型氮化物半导体层电连接的n型电极（30）; 电连接到p型氮化物半导体层的p型电极（40）; 将在有源层区域产生的偏振光吸引到外部的发射面; 以及条形结构（50），其设置在所述发射面上，并且具有多个凸部，所述多个凸部沿着形成5°〜80°的角度或-80°〜-5°的方向延伸， m面氮化物半导体层的a轴方向。