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41. 发明申请

WO2008149945A1 半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光元件及其制造方法
公开(公告)号：WO2008149945A1
公开(公告)日：2008-12-11
申请号：PCT/JP2008/060385
申请日：2008-06-05
申请人：ローム株式会社 , 岡本國美 , 太田裕朗
发明人：岡本國美 , 太田裕朗
IPC分类号： H01S5/22
CPC分类号： H01S5/32341 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S2302/00
摘要：　この半導体発光素子は、Ｉｎを含む活性層ならびにこの活性層を挟むように積層されたｐ型層およびｎ型層を有するIII族窒化物半導体積層構造を含む。III族窒化物半導体積層構造は、ｃ軸方向へのオフ角が負の非極性面を主面とするIII族窒化物半導体からなる。活性層の発光波長が４５０ｎｍ以上の場合に大きな効果が得られる。III族窒化物半導体積層構造を構成するIII族窒化物半導体は、ｃ軸方向へのオフ角θが－１°＜θ＜０°を満たしていることが好ましい。
摘要翻译：半导体发光元件包括具有包含In的有源层的III族氮化物半导体层叠结构和层叠有活性层的p型层和n型层。 III族氮化物半导体层叠结构由具有在c轴方向上具有负偏角的非极性表面作为主表面的III族氮化物半导体构成。当有源层的发射波长不小于450nm时，可以获得很大的效果。构成III族氮化物半导体层叠结构体的III族氮化物半导体，在c轴方向上满足-1°<θ<0°的关系。

42. 发明申请

WO2008100504A1 CLEAVED FACET (GA,AL,IN)N EDGE-EMITTING LASER DIODES GROWN ON SEMIPOLAR {11-2N} BULK GALLIUM NITRIDE SUBSTRATES 审中-公开
标题翻译： CLEAVED FACET（GA，AL，IN）N型发光激光二极管在二极管{11-2N}大块氮化镓衬底
公开(公告)号：WO2008100504A1
公开(公告)日：2008-08-21
申请号：PCT/US2008/001843
申请日：2008-02-12
申请人： THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA , NAKAMURA, Shuji , SPECK, James, S. , DENBAARS, Steven, P. , TYAGI, Anurag
发明人： NAKAMURA, Shuji , SPECK, James, S. , DENBAARS, Steven, P. , TYAGI, Anurag
IPC分类号： H01L21/02
CPC分类号： H01S5/34333 , B82Y20/00 , H01S5/0202 , H01S5/22 , H01S5/2201 , H01S5/3216
摘要： A Ill-nitride edge-emitting laser diode is formed on a surface of a Ill-nitride substrate having a semipolar orientation, wherein the Ill-nitride substrate is cleaved by creating a cleavage line along a direction substantially perpendicular to a nonpolar orientation of the Ill-nitride substrate, and then applying force along the cleavage line to create one or more cleaved facets of the Ill-nitride substrate, wherein the cleaved facets have an m-plane or α-plane orientation.
摘要翻译：在具有半极性取向的III族氮化物衬底的表面上形成III族氮化物边缘发射激光二极管，其中通过沿着基本上垂直于Ill的非极性取向的方向产生切割线来切割III族氮化物衬底氮化物衬底，然后沿着切割线施加力以产生III族氮化物衬底的一个或多个切割面，其中所述切割面具有m平面或面平面取向。

43. 发明申请

WO2008041521A1 発光素子审中-公开
标题翻译：发光装置
公开(公告)号：WO2008041521A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2007/068398
申请日：2007-09-21
申请人：ローム株式会社 , 岡本國美 , 太田裕朗
发明人：岡本國美 , 太田裕朗
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/42 , B82Y20/00 , H01L33/16 , H01L33/20 , H01L33/405 , H01L2224/04042 , H01L2224/16 , H01L2224/48091 , H01L2224/49107 , H01L2924/3025 , H01S5/028 , H01S5/0283 , H01S5/0425 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：　この発光素子は、非極性面または半極性面を主面とするIII族窒化物半導体からなり、少なくともｎ型層およびｐ型層を有する積層構造のIII族窒化物半導体層を備えている。III族窒化物半導体層の光取り出し側表面は、鏡面になっている。この発光素子は、前記III族窒化物半導体層の光取り出し側表面に接する透明電極をさらに備えていてもよい。この場合、透明電極の光取り出し側表面が鏡面になっていることが好ましい。
摘要翻译：公开了一种发光器件，其包括由具有非极性或半极性主表面的III族氮化物半导体组成的III族氮化物半导体层，并且具有至少包括n型层和p型层的多层结构。光提取侧的III族氮化物半导体层的表面是镜面。该发光装置还可以包括与光提取侧的III族氮化物半导体层的表面接触的透明电极。在这种情况下，光提取侧的透明电极的表面优选为镜面。

44. 发明申请

WO2006106928A1 窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法及び窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子审中-公开
标题翻译：用于生产氮化镓基化合物半导体激光元件和基于氮化镓的化合物半导体激光元件的方法
公开(公告)号：WO2006106928A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/JP2006/306848
申请日：2006-03-31
申请人：三洋電機株式会社 , 鳥取三洋電機株式会社 , 松下保彦 , 中澤崇一
发明人：松下保彦 , 中澤崇一
IPC分类号： H01S5/343 , H01L21/205
CPC分类号： H01S5/2231 , B82Y20/00 , H01L21/02389 , H01L21/02433 , H01L21/0254 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01S5/2201 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01S2304/04
摘要：　本発明の窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法は、窒化ガリウム基板の結晶成長面として（０００１）Ｇａ面の方向に絶対値で０．１６度以上５．０度以下傾斜した面、又は、（０００１）Ｇａ面の方向へのオフ角度をＡとし、（０００１）Ｇａ面の方向へのオフ角度をＢとした場合の（Ａ２＋Ｂ２）の平方根が０．１７以上７．０以下である面を用い、かつ活性層を０．５Å／秒以上５．０Å／秒以下の成長速度で成長させることを特徴とする。これにより、オフ角度の大きな窒化ガリウム基板を使用しても、スロープ効率が大きく、素子抵抗が減少し、駆動電圧を低減でき、しかも、製造歩留まりが高く、バラツキが少なく、高出力の青紫色の光を発することができる窒化ガリウム系化合物半導体レーザ素子の製造方法及びこの製造方法で作製された化合物半導体レーザ素子を提供することができる。
摘要翻译：本发明提供了一种制造氮化镓系化合物半导体激光元件的方法，其特征在于，在绝对值方向<1-100>下倾斜不小于0.16度且不大于5.0度的平面在（0001）Ga平面或其中（A 2 O 2 + B 2 O 2）的均方根的平面不小于0.17且不大于7.0，其中A表示（0001）Ga平面与<1-100>方向的偏角，B表示（0001）Ga平面与<11-20>方向的偏离角，用作氮化镓衬底的晶体生长面，活性层以不小于0.5ú/秒且不超过5.0ú/秒的增长速率生长。制造方法的优点在于，即使在使用具有大偏角的氮化镓基板的情况下，斜率效率高，元件电阻降低，驱动电压可以降低，制造成品率高，变化小，可产生高输出紫光。还提供了通过上述方法制造的化合物半导体激光元件。

45. 发明申请

WO2006081173A2 VERY LOW COST SURFACE EMITTING LASER DIODE ARRAYS 审中-公开
标题翻译：非常低的成本表面发射激光二极管阵列
公开(公告)号：WO2006081173A2
公开(公告)日：2006-08-03
申请号：PCT/US2006/002269
申请日：2006-01-23
申请人： QUINTESSENCE PHOTONICS CORPORATION
发明人： OSOWSKI, Mark
IPC分类号： H01S5/00
CPC分类号： H01S5/42 , H01S5/005 , H01S5/0207 , H01S5/02292 , H01S5/024 , H01S5/026 , H01S5/1085 , H01S5/12 , H01S5/1203 , H01S5/18 , H01S5/2201 , H01S5/3202
摘要： An array of semiconductor lasers on a single semiconductive die. The die includes a plurality of laser stripes optically coupled to a reflective surface The laser stripes generate a plurality of laser beams traveling in a direction essentially parallel to a top surface of the die. The reflective surface redirects the laser beams to emit in a direction essentially perpendicular to the top surface. Alternatively, the reflective surface may redirect the laser beams to emit from a bottom surface of the die. The reflective surface can be formed by etching a vicinally oriente_d III-V semiconductive die so that the reflecting surface extends along a (111) A crystalline plane of the die.
摘要翻译：单个半导体芯片上的半导体激光器阵列。芯片包括光学耦合到反射表面的多个激光条纹。激光条纹产生沿基本上平行于管芯顶表面的方向传播的多个激光束。反射表面使激光束以基本上垂直于顶表面的方向发射。或者，反射表面可以重定向激光束以从模具的底表面发射。反射表面可以通过蚀刻邻近定向的III-V半导体模具来形成，使得反射表面沿模具的（111）A晶体平面延伸。

46. 发明申请

WO2005083480A1 BURIED HETEROSTRUCTURE DEVICE FABRICATED BY SINGLE STEP MOCVD 审中-公开
标题翻译：通过单步MOCVD制成的BURIED异构结构器件
公开(公告)号：WO2005083480A1
公开(公告)日：2005-09-09
申请号：PCT/US2005/005838
申请日：2005-02-24
申请人： AGILENT TECHNOLOGIES, INC.
发明人： BOUR, David, P. , CORZINE, Scott, W.
IPC分类号： G02B6/10
CPC分类号： B82Y20/00 , G02B6/131 , H01S5/2004 , H01S5/2009 , H01S5/2201 , H01S5/2214 , H01S5/227 , H01S5/3211 , H01S5/34313 , H01S5/34366 , H01S2301/173 , H01S2304/04
摘要： The device is an optoelectronic device or transparent waveguide device that comprises a growth surface (122), a growth mask (132), an optical waveguide core mesa (140) and a cladding layer (160). The growth mask is located on the growth surface and defines an elongate growth window (134). The optical waveguide core mesa is located in the growth window and has a trapezoidal cross-sectional shape. The cladding layer covers the optical waveguide core mesa and extends over at least part of the growth mask. Such devices are fabricated by providing a wafer (110) comprising a growth surface (122), growing an optical waveguide core mesa (140) on the growth surface by micro-selective area growth at a first growth temperature and covering the optical waveguide core mesa with cladding material (160) at a second growth temperature, lower than the first growth temperature.
摘要翻译：该装置是包括生长表面（122），生长掩模（132），光波导芯台面（140）和包覆层（160）的光电器件或透明波导器件。生长掩模位于生长表面上并限定细长的生长窗（134）。光波导核心台面位于生长窗口中，具有梯形横截面形状。包覆层覆盖光波导芯体台面并在生长掩模的至少一部分上延伸。通过提供包括生长表面（122）的晶片（110）来制造这样的器件，通过在第一生长温度下的微选择性区域生长在生长表面上生长光波导核心台面（140），并覆盖光波导芯体台面在第二生长温度下，包覆材料（160）低于第一生长温度。

47. 发明申请

WO2005041366A2 QUANTUM DOT STRUCTURES 审中-公开
标题翻译：量子结构
公开(公告)号：WO2005041366A2
公开(公告)日：2005-05-06
申请号：PCT/US2004035293
申请日：2004-10-22
申请人： STC UNM , GRAY ALLEN L , STINTZ ANDREAS , MALLOY KEVIN J , LESTER LUKE F , VARANGIS PETROS M
发明人： GRAY ALLEN L , STINTZ ANDREAS , MALLOY KEVIN J , LESTER LUKE F , VARANGIS PETROS M
IPC分类号： H01L21/20 , H01L29/06 , H01S20060101 , H01S5/22 , H01S5/34 , H01S5/343 , H01S
CPC分类号： B82Y10/00 , B82Y20/00 , H01L21/02392 , H01L21/02433 , H01L21/02463 , H01L21/02505 , H01L21/02513 , H01L21/02546 , H01S5/2201 , H01S5/3412 , H01S5/34366 , H01S2304/02
摘要： Symmetric quantum dots are embedded in quantum wells. The symmetry is achieved by using slightly off-axis substrates and/or overpressure during the quantum dot growth. The quantum dot structure can be used in a variety of applications, including semiconductor lasers.
摘要翻译：对称量子点嵌入在量子阱中。通过在量子点生长期间使用稍微离轴的衬底和/或超压实现对称性。量子点结构可用于各种应用，包括半导体激光器。

48. 发明申请

WO2004001920A1 GaN系半導体素子审中-公开
标题翻译： GaN半导体器件
公开(公告)号：WO2004001920A1
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：PCT/JP2003/007822
申请日：2003-06-19
申请人：ソニー株式会社 , 後藤修 , 松本治 , 佐々木智美 , 池田昌夫
发明人：後藤修 , 松本治 , 佐々木智美 , 池田昌夫
IPC分类号： H01S5/343
CPC分类号： H01S5/0207 , H01S5/0014 , H01S5/0422 , H01S5/2201 , H01S5/32341
摘要：　ＧａＮ単結晶基板上に形成され、かつ電流リークを小さくできる構成を備えたＧａＮ系半導体発光素子を提供する。　本ＧａＮ系半導体レーザ素子（５０）は、ｐ側電極及びｎ側電極が積層構造側に設けられている半導体レーザ素子であって、サファイア基板に代えてＧａＮ単結晶基板（５２）を使い、かつＧａＮ−ＥＬＯ構造層を設けることなくＧａＮ系化合物半導体層の積層構造を直接ＧａＮ単結晶基板（５２）上に形成したことを除いて、サファイア基板上に形成した従来のＧａＮ系半導体レーザ素子と同じ構成を備えている。ＧａＮ単結晶基板（５２）は、幅１０μｍの連続帯状のコア部（５２ａ）を有し、コア部（５２ａ）とコア部（５２ａ）との間隔は４００μｍ程度である。レーザストライプ（３０）、ｐ側電極（３６）のパッドメタル（３７）、及びｎ側電極（３８）は、ＧａＮ単結晶基板（５２）のコア部（５２ａ）以外の領域上の積層構造に設けられ、パッドメタル（３７）の側縁部とコア部（５２ａ）の外周縁との間の水平距離Ｓp 及びｎ側電極（３８）とコア部（５２ａ）の外周縁との間の水平距離Ｓnは、双方とも、９５μｍである。
摘要翻译：形成在GaN单晶衬底上并具有电流泄漏较小结构的GaN半导体发光器件。 GaN半导体激光器件（50）包括设置在多层结构上的p侧和n侧电极，并且具有与制造在蓝宝石衬底上的常规GaN半导体激光器器件相同的结构，不同之处在于使用GaN单晶衬底（52）蓝宝石衬底的位置和GaN化合物半导体层的多层结构直接形成在GaN单晶衬底（52）上，而不形成GaN-ELO结构层。 GaN单晶衬底（52）具有宽度为10μm的连续的带状芯部（52a），芯部（52）之间的距离约为400μm。在芯部（52a）以外的区域，向多层结构体设置有激光条（30），p侧电极（36）的金属焊盘（37）和n侧电极（38）。金属焊盘（37）的侧缘与芯部的边缘之间的水平距离Sp与n侧电极（38）与芯部（52a）的边缘之间的水平距离Sn均为95μm 。

49. 发明申请

WO2003067724A1 半導体発光素子およびその製造方法审中-公开
标题翻译：半导体发光器件及其制造方法
公开(公告)号：WO2003067724A1
公开(公告)日：2003-08-14
申请号：PCT/JP2003/001285
申请日：2003-02-07
申请人：松下電器産業株式会社 , 大塚信之 , 吉井重雄 , 横川俊哉
发明人：大塚信之 , 吉井重雄 , 横川俊哉
IPC分类号： H01S5/10
CPC分类号： H01S5/187 , H01S5/028 , H01S5/105 , H01S5/124 , H01S5/2201 , H01S5/42
摘要： A semiconductor light-emitting device having a stripe structure (10) comprising an n-type InP substrate (1), an n-type InP lower clad layer (3) formed in a stripe pattern on the n-type InP lower clad layer (1), an active layer (4) having a resonator disposed parallel to the n-type InP substrate (1), and a p-type InP upper clad layer (5). The stripe structure (10) has a photonic crystal structure (2) in which recesses (9) are arrayed in a rectangular lattice. The direction of the array of the recesses (9) of the photonic crystal structure (2) is the same as the direction of the resonator. A stripe-like upper electrode (6) extending in the resonator direction is formed on the stripe structure (10). The thus structured semiconductor light-emitting device emits light perpendicularly to the n-type InP substrate (1).
摘要翻译：一种具有条状结构（10）的半导体发光器件，包括n型InP衬底（1），在n型InP下包层上形成条纹图案的n型InP下覆盖层（3） 1），具有平行于n型InP衬底（1）设置的谐振器的有源层（4）和p型InP上覆层（5）。条状结构（10）具有光子晶体结构（2），其中凹部（9）以矩形晶格排列。光子晶体结构（2）的凹部（9）的阵列的方向与谐振器的方向相同。在条状结构（10）上形成沿谐振器方向延伸的条状上电极（6）。这样构成的半导体发光装置发射与n型InP基板（1）垂直的光。

50. 发明申请

WO1996042130A1 SURFACE EMITTING LASER DIODE 审中-公开
标题翻译：表面发射激光二极管
公开(公告)号：WO1996042130A1
公开(公告)日：1996-12-27
申请号：PCT/DE1996000975
申请日：1996-06-03
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT , BITTNAR, Jutta
发明人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
IPC分类号： H01S03/085
CPC分类号： H01S5/18 , H01S5/0203 , H01S5/164 , H01S5/2081 , H01S5/2201
摘要： A laser diode of III-V semiconductor material with a strip-like active region (2) longitudinally embedded in a jacket layer (5) and directed perpendicularly to a crystal plane of the semiconductor material with Miller indices (001), in which a crystal plane with Miller indices (101) gives a mirror surface which reflects the emitted light perpendicularly to the layer plane through the substrate.
摘要翻译：在具有带状的活性区域（2），其是在一个包层（5）的纵向方向被嵌入并垂直于半导体材料的具有米勒指数的晶面（001）对齐的III-V族半导体材料的激光二极管，其中，通过晶面与米勒指数（101）具有一反射镜表面被给予，其反射通过所述衬底垂直于层的平面发射的光。

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