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41. 发明申请

WO2016010703A1 STACKED SEMICONDUCTOR DIE ASSEMBLIES WITH HIGH EFFICIENCY THERMAL PATHS AND ASSOCIATED SYSTEMS 审中-公开
标题翻译：堆叠式半导体集成电路，具有高效率热性能和相关系统
公开(公告)号：WO2016010703A1
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：PCT/US2015/037630
申请日：2015-06-25
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： VADHAVKAR, Sameer, S. , LI, Xiao , GANDHI, Jaspreet, S.
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/28 , H01L23/48
CPC分类号： H01L23/34 , H01L23/10 , H01L23/3107 , H01L23/3677 , H01L23/4275 , H01L23/473 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/92 , H01L25/0657 , H01L25/18 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/17519 , H01L2224/26145 , H01L2224/26175 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/48145 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/92125 , H01L2225/06506 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/15787 , H01L2924/16195 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1627 , H01L2924/00 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012
摘要： Semiconductor die assemblies having high efficiency thermal paths. In one embodiment, a semiconductor die assembly comprises a package support substrate, a first semiconductor die electrically mounted to the package support substrate, and a plurality of second semiconductor dies. The first die has a stacking site and a peripheral region extending laterally from the stacking site, and the bottom second semiconductor die is attached to the stacking site of the first die. The assembly further includes (a) a thermal transfer structure attached to the peripheral region of the first die that has a cavity in which the second dies are positioned and an inlet, and (b) an underfill material in the cavity. The underfill material has a fillet between the second semiconductor dies caused by injecting the underfill material into the cavity through the inlet port of the casing.
摘要翻译：具有高效率热路径的半导体管芯组件。在一个实施例中，半导体管芯组件包括封装支撑衬底，电气安装到封装支撑衬底的第一半导体管芯和多个第二半导体管芯。第一模具具有堆叠位置和从堆叠位置横向延伸的周边区域，并且底部第二半导体管芯附接到第一管芯的堆叠位置。组件还包括（a）附接到第一模具的周边区域的热转印结构，其具有第二模具所在的空腔和入口，以及（b）空腔中的底部填充材料。底部填充材料在第二半导体管芯之间具有由底部填充材料通过壳体的入口注入空腔而引起的圆角。

42. 发明申请

WO2015153664A1 STACKED SEMICONDUCTOR DIE ASSEMBLIES WITH PARTITIONED LOGIC AND ASSOCIATED SYSTEMS AND METHODS 审中-公开
标题翻译：具有分离逻辑和相关系统的堆叠半导体集成电路和方法
公开(公告)号：WO2015153664A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/US2015/023677
申请日：2015-03-31
申请人： MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人： LI, Jian , GROOTHUIS, Steven, K.
IPC分类号： H01L23/12
CPC分类号： H01L25/0657 , G11C7/04 , G11C2207/107 , H01L23/3675 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/0652 , H01L25/18 , H01L25/50 , H01L2224/0401 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/1319 , H01L2224/16146 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73203 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06555 , H01L2225/06589 , H01L2924/10253 , H01L2924/1033 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/1659 , H01L2924/16747 , H01L2924/16787 , H01L2924/01047
摘要： Stacked semiconductor die assemblies having memory dies stacked between partitioned logic dies and associated systems and methods are disclosed herein. In one embodiment, a semiconductor die assembly can include a first logic die, a second logic die, and a thermally conductive casing defining an enclosure. The stack of memory dies can be disposed within the enclosure and between the first and second logic dies.
摘要翻译：本文公开了具有堆叠在分区逻辑管芯之间的存储器管芯和相关联的系统和方法的堆叠的半导体管芯组件。在一个实施例中，半导体管芯组件可以包括第一逻辑管芯，第二逻辑管芯和限定外壳的导热壳体。存储器管芯的堆叠可以设置在外壳内并且在第一和第二逻辑管芯之间。

43. 发明申请

WO2015150335A1 VERFAHREN ZUM MONTIEREN EINES ELEKTRISCHEN BAUELEMENTS, BEI DER EINE HAUBE ZUM EINSATZ KOMMT, UND ZUR ANWENDUNG IN DIESEM VERFAHREN GEEIGNETE HAUBE 审中-公开
标题翻译：用于安装电子部件中通风厨使用方法就要到了，在这个方法中，合适HOOD中的应用
公开(公告)号：WO2015150335A1
公开(公告)日：2015-10-08
申请号：PCT/EP2015/056912
申请日：2015-03-30
申请人： SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
发明人： BUSCHE, Nora , STROGIES, Jörg , WILKE, Klaus
IPC分类号： H01L23/13 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L23/057 , H01L23/00 , H01L23/473
CPC分类号： H01L23/057 , H01L21/4875 , H01L21/4882 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L23/3731 , H01L23/3735 , H01L23/473 , H01L23/49833 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/33 , H01L24/75 , H01L24/83 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29294 , H01L2224/29339 , H01L2224/32225 , H01L2224/33181 , H01L2224/753 , H01L2224/83192 , H01L2224/83439 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/8382 , H01L2224/8384 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/15192 , H01L2924/16152 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/165 , H01L2924/16787 , H01L2924/1679
摘要： Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Montieren eines elektrischen Bauelements (12) auf einen Substrat (13). Erfindungsgemäß wird das Fügen durch eine Haube (11) vereinfacht, indem in dieser Haube eine Kontaktierungsstruktur (16) vorgesehen ist und diese beim Aufsetzen der Haube (11) auf verschiedenen Fügeleveln (28, 29) gleichzeitig mit einem Zusatzwerkstoff (35) gefügt wird. Außerdem kann über die Haube ein erforderlicher Fügedruck aufgebaut werden, wie er beispielsweise bei Diffusionsverbindungen oder Sinterverbindungen der elektrischen Kontakte erforderlich ist. Weiterhin bezieht sich die Erfindung auf eine Haube, welche zur Anwendung in dem genannten Verfahren geeignet ist.
摘要翻译：本发明涉及的基板（13）上安装的电子组件（12）的方法。根据本发明，通过由接触结构的发动机罩（11）促进了接合（16），其中在加有填充材料（35）的同时将所述盖（11）在各种粘附物的水平（28，29），当所述帽提供。此外，所需要的焊接压力，可以根据需要，例如在扩散键或电触头的烧结连接被建立在所述罩。此外，本发明涉及一种机罩，其适于在所述方法中使用。

44. 发明申请

WO2015143023A1 STACKED DIE INTEGRATED CIRCUIT 审中-公开
标题翻译：堆叠式集成电路
公开(公告)号：WO2015143023A1
公开(公告)日：2015-09-24
申请号：PCT/US2015/021224
申请日：2015-03-18
申请人： INVENSAS CORPORATION
发明人： WOYCHIK, Charles G. , UZOH, Cyprian Emeka , ZHANG, Ron , BUCKMINSTER, Daniel , GAO, Guilian
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/498
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/304 , H01L21/4853 , H01L21/486 , H01L21/52 , H01L21/565 , H01L21/76898 , H01L21/78 , H01L23/13 , H01L23/3114 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/49894 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/13025 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16235 , H01L2224/16238 , H01L2224/1703 , H01L2224/17181 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2225/06589 , H01L2924/00014 , H01L2924/15159 , H01L2924/15192 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/3511 , H01L2224/83 , H01L2224/81 , H01L2924/014 , H01L2924/0105 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/00012
摘要： An apparatus relates generally to an integrated circuit package. In such an apparatus, a package substrate has a first plurality of via structures extending from a lower surface of the package substrate to an upper surface of the package substrate. An die has a second plurality of via structures extending to a lower surface of the die. The lower surface of the die faces the upper surface of the package substrate in the integrated circuit package. The package substrate does not include a redistribution layer. The die and the package substrate are coupled to one another.
摘要翻译：装置一般涉及集成电路封装。在这种装置中，封装衬底具有从封装衬底的下表面延伸到封装衬底的上表面的第一多个通孔结构。模具具有延伸到模具的下表面的第二多个通孔结构。模具的下表面在集成电路封装中面向封装衬底的上表面。封装基板不包括再分布层。管芯和封装衬底彼此耦合。

45. 发明申请

WO2015032560A1 RADIO-FREQUENCY CIRCUIT MODULE 审中-公开
标题翻译：无线电频率模块
公开(公告)号：WO2015032560A1
公开(公告)日：2015-03-12
申请号：PCT/EP2014/066662
申请日：2014-08-01
申请人： GEMALTO M2M GMBH
发明人： WALBRACHT, Jörg
IPC分类号： H05K9/00 , H01L23/552
CPC分类号： H05K9/0037 , H01L23/552 , H01L2924/16251 , H01L2924/167
摘要： The invention relates to a radio frequency circuit module comprising an internal shield laterally arranged between integrated-circuit components in the interior of a shielding hood and extending vertically from a top section of the shielding hood to a ground-potential contact, for reducing electromagnetic interference between the first and the second integrated-circuit components, wherein the internal shield is formed by one or more shield members which, in any of two principal lateral directions which are parallel to the carrier surface, has a lateral extension that is smaller than the smallest of the side lengths of the first and second integrated-circuit components in the two principal lateral directions.
摘要翻译：本发明涉及一种射频电路模块，其包括横向布置在屏蔽罩内部的集成电路部件之间并从屏蔽罩的顶部部分垂直延伸至接地电位触点的内部屏蔽件，用于减小电磁干扰所述第一和第二集成电路部件，其中所述内部屏蔽由一个或多个屏蔽部件形成，所述屏蔽部件在平行于所述载体表面的两个主横向中的任一个中具有小于所述载体表面的横向延伸部第一和第二集成电路部件在两个主横向上的侧面长度。

46. 发明申请

WO2014078131A1 METHOD FOR SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DIE-TO-PACKAGING SUBSTRATE 审中-公开
标题翻译：用于封装基片的半导体器件的方法
公开(公告)号：WO2014078131A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/US2013/068521
申请日：2013-11-05
申请人： AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人： KELLY, Michael G. , HUEMOELLER, Ronald Patrick , DO, Won Chul , HINER, David Jon
IPC分类号： H01L21/44 , H01L21/50
CPC分类号： H01L21/76251 , H01L21/486 , H01L21/50 , H01L21/563 , H01L21/67288 , H01L21/6836 , H01L21/6838 , H01L21/68735 , H01L23/147 , H01L23/3107 , H01L23/3128 , H01L23/3142 , H01L23/3675 , H01L23/481 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/5386 , H01L23/544 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/95 , H01L24/97 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68322 , H01L2223/54486 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/17181 , H01L2224/27622 , H01L2224/2763 , H01L2224/29011 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81001 , H01L2224/81005 , H01L2224/81011 , H01L2224/81024 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81815 , H01L2224/83101 , H01L2224/83104 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83855 , H01L2224/92125 , H01L2224/92225 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2225/06589 , H01L2924/12042 , H01L2924/15311 , H01L2924/16152 , H01L2924/1616 , H01L2924/16235 , H01L2924/16251 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3511 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/81
摘要： Methods and systems for a semiconductor device package with a die-to-packing substrate first bond are disclosed and may include bonding a first semiconductor die to a packaging substrate, applying an underfill material between the first semiconductor die and the packaging substrate, and bonding one or more additional die to the first semiconductor die. The additional die may comprise electronic devices. The first semiconductor die may comprise an interposer die or may comprise electronic devices. The first semiconductor die may be bonded to the packaging substrate utilizing a mass reflow process or a thermal compression process. The additional die may be bonded to the first die utilizing a mass reflow process or a thermal compression process. The bonded die may be encapsulated in a mold material, which may comprise a polymer. The one or more additional die may comprise micro-bumps for coupling to the first semiconductor die.
摘要翻译：公开了具有管芯到基板的第一接合的半导体器件封装的方法和系统，并且可以包括将第一半导体管芯接合到封装衬底，在第一半导体管芯和封装衬底之间施加底部填充材料，并将一个或更多的额外管芯到第一半导体管芯。附加的管芯可以包括电子器件。第一半导体管芯可以包括插入器管芯，或者可以包括电子器件。第一半导体管芯可以利用质量回流工艺或热压缩工艺结合到封装衬底上。可以使用质量回流工艺或热压缩工艺将附加模具结合到第一模具。粘合的模具可以包封在可以包含聚合物的模具材料中。一个或多个附加管芯可以包括用于耦合到第一半导体管芯的微突起。

47. 发明申请

WO2014078130A1 SEMICONDUCTOR DEVICE PACKAGE WITH A DIE TO INTERPOSER WAFER FIRST BOND 审中-公开
标题翻译：半导体器件封装与插入式第一块焊接
公开(公告)号：WO2014078130A1
公开(公告)日：2014-05-22
申请号：PCT/US2013/068510
申请日：2013-11-05
申请人： AMKOR TECHNOLOGY, INC.
发明人： KELLY, Michael G. , HUEMOELLER, Ronald Patrick , DO, Won Chul , HINER, David Jon
IPC分类号： H01L21/00
CPC分类号： H01L24/97 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/6838 , H01L23/147 , H01L23/3128 , H01L23/3675 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/49833 , H01L23/562 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/92125 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/18161 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： Methods and systems for a semiconductor device package with a die to interposer wafer first bond are disclosed and may include bonding a plurality of semiconductor die comprising electronic devices to an interposer wafer, and applying an underfill material between the die and the interposer wafer. A mold material may be applied to encapsulate the die. The interposer wafer may be thinned to expose through-silicon-vias (TSVs) and metal contacts may be applied to the exposed TSVs. The interposer wafer may be singulated to generate assemblies comprising the semiconductor die and an interposer die. The die may be placed on the interposer wafer utilizing an adhesive film. The interposer wafer may be singulated utilizing one or more of: a laser cutting process, reactive ion etching, a sawing technique, and a plasma etching process. The die may be bonded to the interposer wafer utilizing a mass reflow or a thermal compression process.
摘要翻译：公开了具有管芯到插入件晶片第一接合的半导体器件封装的方法和系统，并且可以包括将包括电子器件的多个半导体管芯结合到插入器晶片，以及在管芯和插入器晶片之间施加底部填充材料。可以应用模具材料来封装模具。内插器晶片可以被薄化以暴露通过硅通孔（TSV），并且可以将金属触点施加到暴露的TSV。内插器晶片可以被单个化以产生包括半导体管芯和插入器管芯的组件。可以使用粘合剂膜将管芯放置在插入件晶片上。可以使用激光切割工艺，反应离子蚀刻，锯切技术和等离子体蚀刻工艺中的一种或多种来切割插入器晶片。可以使用质量回流或热压缩工艺将管芯结合到插入件晶片。

48. 发明申请

WO2014034411A1 電力用半導体装置审中-公开
标题翻译：电力半导体器件
公开(公告)号：WO2014034411A1
公开(公告)日：2014-03-06
申请号：PCT/JP2013/071622
申请日：2013-08-09
申请人：三菱電機株式会社
发明人：藤野　純司 , 米田　裕 , 大西　良孝 , 菅原　済文
IPC分类号： H01L23/36 , H01L21/60 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K7/20
CPC分类号： H05K1/0203 , H01L23/13 , H01L23/36 , H01L23/3735 , H01L23/492 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/84 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/07 , H01L25/072 , H01L25/18 , H01L2224/04026 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/06181 , H01L2224/29111 , H01L2224/32245 , H01L2224/37012 , H01L2224/37147 , H01L2224/4005 , H01L2224/40105 , H01L2224/4024 , H01L2224/4118 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/4824 , H01L2224/48472 , H01L2224/49175 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83424 , H01L2224/83447 , H01L2224/8346 , H01L2224/83801 , H01L2224/84447 , H01L2224/84801 , H01L2224/85205 , H01L2224/92247 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15724 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/16152 , H01L2924/16172 , H01L2924/16251 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2224/48247 , H01L2924/00012 , H01L2224/291 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/92252 , H01L2224/85 , H01L2224/40499 , H01L2224/8546 , H01L2224/85424 , H01L2224/85447 , H01L2924/01074 , H01L2224/3716 , H01L2224/37124 , H01L2924/01083 , H01L2924/01051 , H01L2924/00 , H01L2924/207 , H01L2224/48624 , H01L2924/00011 , H01L2224/48647 , H01L2224/4866 , H01L2224/48824 , H01L2224/4886 , H01L2224/48747 , H01L2224/48847 , H01L2224/48724 , H01L2224/4876 , H01L2924/013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/00013 , H01L2924/2076
摘要：　絶縁層(8)を介して放熱部材(9)が接合される伝熱板(4)と、伝熱板(4)に対して、所定の間隔をあけて配置され、外側面に形成された電極パターン(32)の近傍に開口部(3a)が設けられたプリント基板(3)と、伝熱板(4)とプリント基板(3)との間に配置され、裏面が伝熱板(4)に接合された電力用半導体素子(2)と、電力用半導体素子(2)の表面に形成された主電力用電極(21C)の第１の接合部に一端が接合され、他端が第２の接合部(32p)に接合された配線部材(5)と、を備え、主電力用電極(21C)からプリント基板(3)に向かって垂直方向に延びる空間に、第２の接合部(32p)の少なくとも一部が入るとともに、開口部(3a)から垂直方向に延びる空間に、第１の接合部が包含されるように構成した。
摘要翻译：本发明提供一种电力半导体装置，其特征在于，包括：散热构件（9）与隔着绝缘层（8）接合的传热板（4）; 印刷基板（3），其以与传热板（4）相同的间隔布置，并且在外侧表面上具有位于电极图案（32）附近的开口（3a）布置在所述传热板（4）和所述印刷基板（3）之间并具有与所述传热板（4）接合的背面的电力半导体元件（2）。以及其一端接合到形成在所述电力半导体元件（2）的表面上的主电力电极（21C）的第一接合部的配线构件（5），并且其另一端接合到第二接合部（32p）。该装置被配置为使得第二接合部分（32p）的至少一部分落在从主电力电极（21C）朝向印刷基板（3）沿垂直方向延伸的空间中，并且同时第一接合部分包括在从开口（3a）沿垂直方向延伸的空间中。

49. 发明申请

WO2013187298A1 放熱構造体审中-公开
标题翻译：散热结构
公开(公告)号：WO2013187298A1
公开(公告)日：2013-12-19
申请号：PCT/JP2013/065646
申请日：2013-06-06
申请人：株式会社カネカ
发明人：大熊　敬介 , 鴻上　亜希 , 萩原　一男
IPC分类号： H05K7/20 , H01L23/36
CPC分类号： H05K7/2039 , B29C73/02 , C08L33/00 , C08L71/02 , H01L23/295 , H01L23/3121 , H01L23/3737 , H01L23/42 , H01L23/552 , H01L25/0655 , H01L2924/0002 , H01L2924/16151 , H01L2924/16251 , H01L2924/166 , H05K7/20463 , H05K9/0024 , H01L2924/00
摘要：電子部品の接点障害等を生じず、発熱密度が大きい電子部品にも適用できる放熱構造体を提供する。また、電子機器の簡便な修理方法を提供する。硬化性液状樹脂（Ｉ）と熱伝導性充填材（ＩＩ）とを含有し、２３℃での粘度が３０Ｐａ・ｓ～３０００Ｐａ・ｓであり、湿気または加熱によって硬化可能な熱伝導率０．５Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の熱伝導性硬化性樹脂組成物を、発熱密度０．２Ｗ／ｃｍ２～５００Ｗ／ｃｍ２の電子部品が実装された基板上の電磁波シールドケース内に充填した状態で硬化させて得られることを特徴とする放熱構造体。
摘要翻译：提供一种散热结构，其可以应用于具有高发热密度的电子部件，而不会导致电子部件中的接触故障。还提供了一种用于修复电子设备的简单方法。散热结构的特征在于，通过将导热性固化性树脂组合物固化而获得，同时在其上具有发热密度在0.2W / cm 2至500W / cm 2之间的电子部件的基板上的电磁屏蔽壳内填充安装。导热性固化性树脂组合物含有可固化液体树脂（I）和导热性填料（II），在23℃下的粘度为30Pa·s〜3000Pa·s。此外，导热性固化性树脂组合物可以通过湿度或热量固化的导热性固化性树脂组合物的导热率为0.5W /（m·K）以上。

50. 发明申请

WO2013039239A1 半導体装置及びマイクロフォン审中-公开
标题翻译：半导体器件和麦克风
公开(公告)号：WO2013039239A1
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：PCT/JP2012/073744
申请日：2012-09-14
申请人：オムロン株式会社 , 鞍谷直人 , 前川智史
发明人：鞍谷　直人 , 前川　智史
IPC分类号： H04R19/04 , B81B7/02 , H01L29/84
CPC分类号： H01L24/09 , B81B2201/0257 , B81B2207/012 , B81B2207/093 , B81B2207/096 , B81B2207/097 , B81C1/0023 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/13144 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/49 , H01L2224/73203 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15153 , H01L2924/15192 , H01L2924/15787 , H01L2924/15788 , H01L2924/16251 , H01L2924/165 , H01L2924/1659 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H04R19/005 , H04R19/04 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/05599 , H01L2924/00012
摘要：【解決手段】基板４５の上面にバンプ接合パッド６１を設け、回路素子４３のバンプ７０をバンプ接合パッド６１に接続する。バンプ接合パッド６１は、パターン配線６４によってカバー４４との対向面に設けられた基板側接合部６９に接続されている。カバー４４の下面にはマイクチップ４２が実装される。カバー４４の、基板４５と対向する面には第１の接合用パッド（ボンディング用パッド４８、カバー側接合部４９）が設けられ、マイクチップ４２はボンディングワイヤ５０によって第１の接合用パッドに接続される。カバー４４の第１の接合用パッドと基板４５の基板側接合部６９は導電性材料６５によって接合されており、その結果マイクチップ４２と回路素子４３が電気的に接続される。
摘要翻译： [解决方案]在基板（45）的上表面设置凸块接合焊盘（61），并且电路元件（43）的突起（70）连接到凸块焊盘（61）。凸块接合焊盘（61）通过图案布线（64）连接到设置在面向盖（44）的表面的基板侧接合部（69）。麦克风头（42）安装在盖（44）的下表面上。第一连接焊盘（接合焊盘（48）和盖侧接合部分）设置在面向基板45的盖子44的表面上，麦克风端部42连接到第一连接焊盘通过接合线（50）。盖（44）的第一连接垫和基板（45）的基板侧接合部（69）通过导电材料（65）连接，因此麦克风末端（42）和电路元件（43）电连接。

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