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21. 发明申请

WO99009237A1 APPARATUS AND METHOD FOR PRODUCING SINGLE CRYSTAL 审中-公开
标题翻译：用于生产单晶的装置和方法
公开(公告)号：WO99009237A1
公开(公告)日：1999-02-25
申请号：PCT/JP1998/003649
申请日：1998-08-18
IPC分类号： C30B15/30
CPC分类号： C30B15/30 , Y10T117/1072
摘要： An apparatus for and a method of producing a single crystal by the CZ method, for absorbing and removing the vibration generated from a motor for rotating and driving a crucible, preventing the transmission of the vibration to a molten liquid or reducing the vibration. Specifically, the production apparatus comprising a crucible for storing a molten liquid of a raw material, a mechanism for pulling up the crystal from the molten liquid, a mechanism for rotating the crucible and a mechanism for moving up and down the crucible, wherein the crucible rotation mechanism uses a ball spline for transmitting power between a crucible support shaft and a crucible rotation driving unit, and the crucible rotation driving unit is fixedly installed on the foundation of the single crystal production apparatus. The single crystal is produced by using this apparatus.
摘要翻译：用于通过CZ方法制造单晶的装置和方法，用于吸收和去除用于旋转和驱动坩埚的电动机产生的振动，防止振动传递到熔融液体或减少振动。具体地说，该制造装置包括：用于储存原料的熔融液的坩埚，从熔融液体中拉出晶体的机构，使坩埚旋转的机构和上下升降坩埚的机构，旋转机构使用滚珠花键来在坩埚支撑轴和坩埚旋转驱动单元之间传递动力，坩埚旋转驱动单元固定地安装在单晶生产设备的基础上。通过使用该装置制造单晶。

22. 发明申请

WO2012070528A1 単結晶引き上げ装置、及び単結晶引き上げ装置に用いられる低熱伝導性部材审中-公开
标题翻译：单晶拉丝装置和单个水晶推拉装置中使用的低导热构件
公开(公告)号：WO2012070528A1
公开(公告)日：2012-05-31
申请号：PCT/JP2011/076798
申请日：2011-11-21
申请人：東洋炭素株式会社 , 岡田修 , 川上雅昭
发明人：岡田　修 , 川上　雅昭
IPC分类号： C30B15/10 , C04B35/83 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/10 , C30B15/30 , C30B29/06 , Y10T117/1032 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　ルツボ回転軸から炉外への熱逃げを抑制することができ、しかも、製造コストを安価に抑えることのできる金属単結晶引上げ装置を提供する。　単結晶引き上げ装置１は、シリコン体融液３を収納する石英ルツボ２と、石英ルツボ２を保持する黒鉛ルツボ４と、黒鉛ルツボ４を下部で固定保持するための受け皿５と、受け皿５を下部で支持し受け皿５及びルツボ２，４を回転させながら昇降させるルツボ回転軸６とを備えている。受け皿５とルツボ回転軸６との接合面には、低熱伝導部材１０が介在されている。低熱伝導部材１０は略管状に形成されており、低熱伝導部材１０の中央孔をルツボ回転軸６の凸部が挿通した状態で介在配置されている。これにより、受け皿５の底部下側に空隙部１１が形成されている。
摘要翻译：提供了一种可以防止从坩埚旋转轴到炉外的热损失的单一金属晶体拉制装置，并且可以以较低的成本生产。单晶拉制装置（1）包括：用于在其中存储硅熔体（3）的石英坩埚（2）; 用于支撑石英坩埚（2）的石墨坩埚（4）; 用于在其下部固定和支撑石墨坩埚（4）的接收器（5）以及用于在其下部支撑接收器（5）的坩埚旋转轴线（6），并且使接收器（5）和坩埚（2,4）上下旋转和移动。在传热器（5）和坩埚旋转轴（6）的接合表面之间插入有低导热构件（10）。具有大致管状的低导热构件（10）以坩埚旋转轴（6）的凸部插入低导热构件（10）的中心的孔内的方式设置）。因此，在接收器（5）的底部下方形成空间（11）。

23. 发明申请

WO2009136464A1 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置审中-公开
标题翻译：用于生产单晶的方法和用于拉出单晶的装置
公开(公告)号：WO2009136464A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/JP2009/001282
申请日：2009-03-24
申请人：信越半導体株式会社 , 菅原孝世 , 星亮二 , 高沢雅紀 , 宮原祐一 , 岩崎淳
发明人：菅原孝世 , 星亮二 , 高沢雅紀 , 宮原祐一 , 岩崎淳
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　本発明は、チョクラルスキー法により、石英坩堝内で溶融したシリコン原料の溶融液から単結晶を引き上げて成長させる方法において、前記石英坩堝の外壁側が正極、前記単結晶を引き上げる引上軸とは別途設置され、前記シリコン原料の溶融液に浸漬された電極側が負極となるように直流電圧を印加し、前記電極から電流を流しながら、前記引上軸により単結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の成長方法とその引き上げ装置である。これにより、シリコン単結晶の成長過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層すなわち失透を発生させると同時に、シリコン単結晶中にＬｉ等のアルカリ金属が取り込まれるのを防止することにより、単結晶歩留まりと生産性を向上させることができると共に、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理における酸化膜の異常成長を抑制できるシリコン単結晶の成長方法および引き上げ装置が提供される。
摘要翻译：公开了一种通过使用Czochralski法从石英坩埚内熔融的原料硅的熔体中提取单晶而生长单晶的方法。该方法的特征在于，在设置在石英坩埚的外壁侧的正极和负极之间施加直流电压，负极是与用于拉出单晶并浸没的上拉轴分开设置的电极在原料硅的熔融中，并且通过上拉轴生长单晶，同时从电极施加电流。还公开了用于提起单晶的装置。根据上述结构，在硅单晶生长工序中，在石英坩埚的内壁的表面发生适当的结晶层的形成，即透明性的丧失。此外，防止了在单晶硅中引入诸如Li的碱金属。因此，可以提高单晶的产率和生产率。此外，可以抑制在切割成晶片之后的热氧化处理期间形成的氧化膜的异常生长。

24. 发明申请

WO2009081523A1 単結晶製造装置および製造方法审中-公开
标题翻译：单晶制造设备和制造方法
公开(公告)号：WO2009081523A1
公开(公告)日：2009-07-02
申请号：PCT/JP2008/003542
申请日：2008-12-01
申请人：信越半導体株式会社 , 阿部孝夫
发明人：阿部孝夫
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/16 , Y10T117/10 , Y10T117/1024 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：　本発明は、少なくとも、チャンバーと、チャンバー内のルツボと、ルツボの周囲に配されたヒーターと、種結晶を引き上げる引上げ機構と、種結晶および育成した単結晶の導通路とを具備し、ルツボ内に収容した原料多結晶をヒーターによって溶融し、溶融多結晶に種結晶を接触させて引き上げる単結晶製造装置において、底部を曲面状とした円筒状の石英管と、ドーム形状の石英板とを具備し、石英管は、チャンバーの上部より導通路を通して曲面状の底部がルツボ上に臨むように配置され、石英板は、石英管を取り囲むように配置されたものであって、石英管は、少なくとも底部が熱線を反射する反射構造で、石英板は、ルツボに向けて熱線を反射する反射構造であることを特徴とする単結晶製造装置である。これによって、多結晶の溶融時間を短縮してサイクルタイムを短縮することができ、生産コストの低減とともに、電力コストを低減させる単結晶製造装置が提供される。
摘要翻译：单晶体制造装置包括室，坩埚在室内，在坩埚周围设置的加热器，用于提升晶种的提升机构，以及用于晶种的引导通道和生长的单晶。在单晶体制造装置中，包含坩埚的多晶体被加热器熔化，使晶种与熔融的多晶体接触并提升。单晶制造装置的特征在于包括具有弯曲底部的圆柱形石英管和圆顶状石英板，其中石英管被布置成使得其弯曲的底部从坩埚的上部面向坩埚通过导向通道，石英板被布置成包围石英管，并且石英管具有用于从至少其底部反射热射线的反射结构，而石英板具有用于反射的反射结构对坩埚的热射线。因此，单晶体制造装置可以缩短多晶体的熔融时间，从而缩短循环时间，降低生产成本和电力成本。

25. 发明申请

WO2005073440A1 シリコン単結晶の引上げ方法审中-公开
标题翻译：提高硅单晶的方法
公开(公告)号：WO2005073440A1
公开(公告)日：2005-08-11
申请号：PCT/JP2005/000882
申请日：2005-01-25
申请人：三菱住友シリコン株式会社 , 原田和浩 , 深津宣人 , 符森林 , 鈴木洋二
发明人：原田和浩 , 深津宣人 , 符森林 , 鈴木洋二
IPC分类号： C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/305 , C30B29/06 , C30B35/00 , Y10S117/917 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　【課題】　ピュアマージンを減少させることなく、ほぼ全長にわたって点欠陥の凝集体が存在しないシリコン単結晶のインゴットを製造する。　【解決手段】　熱遮蔽部材３６が、筒部３７の下部に筒内の方向に膨出して設けられかつ内部に蓄熱部材４７が設けられた膨出部４１を備える。シリコン単結晶インゴット２５のうちトップ側インゴット２５ａの引上げ時の熱遮蔽部材３６における膨出部４１とインゴット２５との間を流下する不活性ガスの流量が、シリコン単結晶インゴット２５のうちボトム側インゴット２５ｂの引上げ時の膨出部４１とインゴット２５との間を流下する不活性ガスの流量より多くしてインゴット２５を引き上げる。又は、トップ側インゴット２５ａの引上げ時のカスプ磁場５３の強度が、ボトム側インゴット２５ｂの引上げ時のカスプ磁場５３の強度より大きく設定する。
摘要翻译： [问题]在几乎整个长度上生产没有点缺陷聚集体的硅单晶锭，而不降低纯边缘。解决问题的手段隔热构件（36）设置有设置在管部（37）的下部的膨胀单元（41），以在管部的内侧膨胀并具有储热构件（47）。提升硅单晶锭（25），使得在顶部铸锭（25a）处，在隔热构件（36）的凸出单元（41）和铸锭（25）之间向下流动的惰性气体的流量硅单晶锭（25）的底侧铸锭（25b）的升高大于当单个硅单晶锭（25）的底侧铸锭（25b）处于膨胀单元（41）和铸块（25）之间时向下流动的惰性气体的流量水晶锭（25）被提起。或者，当提升底侧铸锭（25b）时，当顶侧铸锭（25a）被提升时，尖端磁场（53）的强度被设定为大于尖端磁场（53）的强度。

26. 发明申请

WO2004024998A1 結晶製造用ヒーター及び結晶製造装置並びに結晶製造方法审中-公开
标题翻译：用于晶体形成的加热器，用于形成晶体的装置和形成晶体的方法
公开(公告)号：WO2004024998A1
公开(公告)日：2004-03-25
申请号：PCT/JP2003/011444
申请日：2003-09-08
申请人：信越半導体株式会社 , 園川将 , 星亮二 , 佐藤亘 , 太田友彦
发明人：園川将 , 星亮二 , 佐藤亘 , 太田友彦
IPC分类号： C30B15/14
CPC分类号： C30B15/30 , C30B15/14 , C30B30/04 , C30B35/00 , Y10S117/90 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要：本発明は、少なくとも、電流が供給される端子部と、抵抗加熱による発熱部とが設けられ、原料融液を収容するルツボを囲繞するように配置される、チョクラルスキー法により結晶を製造する場合に用いられるヒーターであって、該ヒーターは、結晶製造での使用時にヒーター形状が変形した後に、原料融液に対して均一の発熱分布を有するものであることを特徴とする結晶製造用ヒーターである。これにより、結晶製造での使用時に、ヒーターの発熱部の形状が変形することで原料融液内の温度が不均一となり、単結晶化が阻害され、結晶の品質が不安定となるのを防ぐことができる。
摘要翻译：一种用于晶体形成的加热器，至少设置有提供电流的端子部分和使用电阻加热的加热单元。加热器围绕含有原料熔体的坩埚，并且用于通过切克劳斯基（Czochralski）方法形成晶体。该加热器的特征在于，在用于晶体形成的变形后，原料熔体的加热分布均匀。因此，本发明解决了用于形成晶体的加热器的变形加热单元在原料熔体中导致不均匀的温度分布的传统问题，这阻碍了单晶的形成，导致晶体质量不稳定。

27. 发明申请

WO2003029533A1 単結晶半導体の製造装置、製造方法および単結晶インゴット审中-公开
标题翻译：单晶半导体制造设备和方法，单晶晶体
公开(公告)号：WO2003029533A1
公开(公告)日：2003-04-10
申请号：PCT/JP2002/010050
申请日：2002-09-27
申请人：コマツ電子金属株式会社 , 白石裕 , 冨岡純輔 , 奥村卓司 , 花本忠幸 , 小松健浩 , 森本茂夫
发明人：白石裕 , 冨岡純輔 , 奥村卓司 , 花本忠幸 , 小松健浩 , 森本茂夫
IPC分类号： C30B15/20
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/14 , C30B15/20 , Y10T117/1032 , Y10T117/1052 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： A single crystal semiconductor manufacturing apparatus in which the concentration of oxygen in a single crystal semiconductor is controlled while pulling up a single crystal semiconductor such as single crystal silicon by the CZ method, a single crystal semiconductor manufacturing method, and a single crystal ingot manufactured by the method are disclosed. The natural convection 20 in the melt 5 in a quartz crucible 3 is controlled by regulating the temperatures at a plurality of parts of the melt 5. A single crystal semiconductor 6 can have a desired diameter by regulating the amount of heat produced by heating means 9a on the upper side. Further the ratio between the amount of heat produced by the upper-side heating means 9a and that by the lower-side heating means 9b is adjusted to vary the process condition. In the adjustment, the amount of heat produced by the lower-side heating means 9b is controlled to a relatively large proportion. Without inviting high cost and large size of the manufacturing apparatus, the oxygen concentration distribution in the axial direction of the single crystal semiconductor, the diameter of the single crystal semiconductor, and the minute fluctuation of the oxygen concentration in the axial direction are controlled.
摘要翻译：单晶半导体制造装置，其中通过CZ法提取单晶硅中的单晶硅，单晶半导体制造方法和单晶硅制造单晶硅，单晶硅半导体中的氧浓度被控制，公开了该方法。石英坩埚3中的熔体5中的自然对流20通过调节熔体5的多个部分的温度来控制。单晶半导体6可以通过调节由加热装置9a产生的热量而具有期望的直径在上边。此外，调节由上侧加热装置9a产生的热量与由下侧加热装置9b产生的热量之间的比率以改变处理条件。在调整中，由下侧加热装置9b产生的热量控制在相当大的比例。在不需要制造装置的高成本和大尺寸的情况下，控制单晶半导体的轴向的氧浓度分布，单晶半导体的直径和轴向的氧浓度的微小波动。

28. 发明申请

WO0161081A9 PROCESS FOR PRODUCING A SILICON MELT 审中-公开
标题翻译：生产硅胶的方法
公开(公告)号：WO0161081A9
公开(公告)日：2002-11-07
申请号：PCT/US0103460
申请日：2001-01-31
申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS
发明人： HOLDER JOHN D
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/02 , C30B15/14
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/02 , Y10T117/1052 , Y10T117/1072
摘要： A process for controlling the amount of insoluble gas trapped by a silicon melt is disclosed. After a crucible is charged with polycrystalline silicon, a gas comprising at least about 10 % of a gas having a high solubility in silicon is used as the purging gas for a period of time during melting. After the polycrystalline silicon charge has completely melted, the purge gas may be switched to a conventional argon purge. Utilizing a purge gas highly soluble in silicon for a period of time during the melting process reduces the amount of insoluble gases trapped in the charge and, hence, the amount of insoluble gases grown into the crystal that form defects on sliced wafers.
摘要翻译：公开了一种控制由硅熔体捕获的不溶性气体的量的方法。在坩埚充满多晶硅之后，在熔化期间使用包含至少约10％的在硅中具有高溶解度的气体的气体作为清洗气体一段时间。在多晶硅充电完全熔化之后，吹扫气体可以切换到常规的氩气吹扫。利用在熔融过程中一段时间内高度溶解于硅中的吹扫气体可以减少在电荷中捕获的不溶性气体的量，从而减少在切片晶片上形成缺陷的生长在晶体中的不溶性气体的量。

29. 发明申请

WO0000674A3 PROCESS FOR GROWTH OF DEFECT FREE SILICON CRYSTALS OF ARBITRARILY LARGE DIAMETERS 审中-公开
标题翻译：大直径缺陷自由硅晶体生长工艺
公开(公告)号：WO0000674A3
公开(公告)日：2002-10-10
申请号：PCT/US9914285
申请日：1999-06-25
申请人： MEMC ELECTRONIC MATERIALS
发明人： FALSTER ROBERT J
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/20 , C30B33/00
CPC分类号： C30B29/06 , C30B15/203 , C30B15/206 , C30B33/00 , Y10T117/1032 , Y10T117/106 , Y10T117/1072
摘要： A process for growing single crystal silicon ingots which are substantially free of agglomerated intrinsic point defects. An ingot is grown generally in accordance with the Czochralski method. No portion of the ingot cools to a temperature which is less than a temperature TA at which agglomeration of intrinsic point defects in the ingot occurs during the time the ingot is being grown. The achievement of defect free ingots is thus substantially decoupled from process parameters, such as pull rate, and system parameters, such as axial temperature gradient in the ingot.
摘要翻译：生长单晶硅锭的方法，其基本上不含聚集的固有点缺陷。锭通常根据Czochralski法生长。锭的任何部分都不会冷却到低于温度TA的温度，在铸锭生长期间发生铸锭内部点缺陷的凝聚。因此，无缺陷锭的实现与工艺参数（例如拉速率）和系统参数（例如锭中的轴向温度梯度）脱钩。

30. 发明申请

WO02036861A1 SILICON SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS AND MANUFACTURING METHOD 审中-公开
标题翻译：硅晶半导体单晶制造设备及制造方法
公开(公告)号：WO02036861A1
公开(公告)日：2002-05-10
申请号：PCT/JP2001/009434
申请日：2001-10-26
IPC分类号： C30B15/00 , C30B15/14 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/14 , C30B15/206 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072 , Y10T117/1088
摘要： A silicon semiconductor single crystal manufacturing apparatus, in which stabilization and unformization of the amount of precipitation of oxygen along the axis of growth of a silicon single crystal of silicon semiconductor by a Czochralski growth method is realized. The apparatus comrpises a main growth furnace accommodation a crucible holding a silicon melt and adapted for growing a silicon semiconductor single crystal and an upper growth furnace accommodating the silicon semiconductor single crystal pulled up from the silicon melt and cooling it. The upper growth furnace communicates with the ceiling portion of the main growth furnace, and an upper heat insulating material surrounding the silicon semiconductor single crystal pulled up is provided in the upper growth furnace.
摘要翻译：实现了通过切克劳斯生长法，通过硅半导体的硅单晶的生长轴的氧析出稳定化和不形成的硅半导体单晶体制造装置。该装置使主生长炉容纳夹持硅熔体的坩埚，适用于生长硅半导体单晶和容纳从硅熔体拉出的硅半导体单晶并冷却的上部生长炉。上部生长炉与主生长炉的顶部连通，并且在上部生长炉中设置包围硅半导体单晶的上部隔热材料。

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