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1. 发明申请

WO2009136464A1 単結晶の成長方法および単結晶の引き上げ装置审中-公开
标题翻译：用于生产单晶的方法和用于拉出单晶的装置
公开(公告)号：WO2009136464A1
公开(公告)日：2009-11-12
申请号：PCT/JP2009/001282
申请日：2009-03-24
申请人：信越半導体株式会社 , 菅原孝世 , 星亮二 , 高沢雅紀 , 宮原祐一 , 岩崎淳
发明人：菅原孝世 , 星亮二 , 高沢雅紀 , 宮原祐一 , 岩崎淳
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00 , C30B15/10
CPC分类号： C30B15/20 , C30B15/10 , C30B29/06 , Y10T117/1068 , Y10T117/1072
摘要：　本発明は、チョクラルスキー法により、石英坩堝内で溶融したシリコン原料の溶融液から単結晶を引き上げて成長させる方法において、前記石英坩堝の外壁側が正極、前記単結晶を引き上げる引上軸とは別途設置され、前記シリコン原料の溶融液に浸漬された電極側が負極となるように直流電圧を印加し、前記電極から電流を流しながら、前記引上軸により単結晶を成長させることを特徴とするシリコン単結晶の成長方法とその引き上げ装置である。これにより、シリコン単結晶の成長過程において、石英坩堝の内壁表面に適切な結晶化層すなわち失透を発生させると同時に、シリコン単結晶中にＬｉ等のアルカリ金属が取り込まれるのを防止することにより、単結晶歩留まりと生産性を向上させることができると共に、ウェーハに切り出した後の熱酸化処理における酸化膜の異常成長を抑制できるシリコン単結晶の成長方法および引き上げ装置が提供される。
摘要翻译：公开了一种通过使用Czochralski法从石英坩埚内熔融的原料硅的熔体中提取单晶而生长单晶的方法。该方法的特征在于，在设置在石英坩埚的外壁侧的正极和负极之间施加直流电压，负极是与用于拉出单晶并浸没的上拉轴分开设置的电极在原料硅的熔融中，并且通过上拉轴生长单晶，同时从电极施加电流。还公开了用于提起单晶的装置。根据上述结构，在硅单晶生长工序中，在石英坩埚的内壁的表面发生适当的结晶层的形成，即透明性的丧失。此外，防止了在单晶硅中引入诸如Li的碱金属。因此，可以提高单晶的产率和生产率。此外，可以抑制在切割成晶片之后的热氧化处理期间形成的氧化膜的异常生长。

2. 发明申请

WO2009125534A1 単結晶引き上げ装置审中-公开
标题翻译：单晶拉丝装置
公开(公告)号：WO2009125534A1
公开(公告)日：2009-10-15
申请号：PCT/JP2009/000622
申请日：2009-02-17
申请人：信越半導体株式会社 , 高沢雅紀 , 高野清隆 , 木村明浩
发明人：高沢雅紀 , 高野清隆 , 木村明浩
IPC分类号： C30B29/06 , C30B15/00
CPC分类号： C30B15/00 , C30B15/30 , C30B29/06
摘要：　本発明は、少なくとも、ルツボを収納するメインチャンバーと、該メインチャンバーの上部に連接され、成長した単結晶が引き上げられて収容されるプルチャンバーとを有する単結晶引上げ装置であって、少なくとも、前記プルチャンバー内の上方にリング状のガス供給パイプが水平配置され、該ガス供給パイプには複数のガス吹き出し孔が均等間隔で設けられており、該ガス吹き出し孔は、前記ガス供給パイプの垂下位置から外側の水平位置の間に形成されており、前記ガス吹き出し孔から前記プルチャンバー内壁にガスが直接あたるように吹き出されるものであることを特徴とする単結晶引上げ装置である。これにより、ワイヤー振れの発生を防止し、プルチャンバー内壁に堆積するシリコン酸化物を減少させるように不活性ガスを供給することができる単結晶引き上げ装置が提供される。
摘要翻译：本发明提供一种单晶拉制装置，至少具有用于存储坩埚的主室和拉腔，其与主室的上部连接并且具有拉出并存储在其中的生长单晶。至少一个环形供气管水平地布置在拉腔中的上部，并且多个气体出口以相等的间隔布置在供气管上。气体出口形成在气体供给管的下垂位置和外部水平位置之间，并且允许气体从气体出口直接施加到拉动室的内壁。因此，消除了线摆动，并且可以提供惰性气体以便减少沉积在拉动室的内壁上的氧化硅。

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