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    • 23. 发明申请
    • 太陽電池の製造方法及び太陽電池
    • 制造太阳能电池和太阳能电池的方法
    • WO2012090643A1
    • 2012-07-05
    • PCT/JP2011/077779
    • 2011-12-01
    • 三洋電機株式会社高濱 豪
    • 高濱 豪
    • H01L31/04
    • H01L31/022441H01L31/03529H01L31/0682H01L31/0747Y02E10/547
    •  光電変換率が高い裏面接合型の太陽電池を容易に製造し得る方法を提供する。 半導体基板10と同じ第1の導電型を有する第2の半導体層25を、絶縁層23の表面上を含んで一主面の略全面上に形成する。第2の半導体層25の絶縁層23上に位置する一部を除去し、開口部を形成する。第2の半導体層13nをマスクとして開口部から露出する絶縁層23を除去し、第1の半導体領域12pの表面の一部を露出させる。第1の半導体領域12pの表面と、第2の半導体層13nの表面とに電気的に接続する電極14,15を形成する。
    • 提供一种可以容易地制造具有高光电转换比的背面接合型太阳能电池的方法。 具有与半导体衬底(10)相同的第一导电类型的第二半导体层(25)形成在绝缘体层(23)上的基本上整个第一主表面上。 位于绝缘体层(23)上的第二半导体层(25)的一部分被去除并形成开口部分。 通过开口部以第二半导体层(13n)作为掩模露出的绝缘体层(23)被消除,第一半导体区域(12p)的一部分表面露出。 形成电连接第一半导体区域(12p)的表面和第二半导体层(13n)的表面的电极(14,15)。
    • 28. 发明申请
    • 光電変換装置
    • 光电器件
    • WO2011148679A1
    • 2011-12-01
    • PCT/JP2011/053357
    • 2011-02-17
    • シャープ株式会社西村 和仁奈須野 善之中野 孝紀
    • 西村 和仁奈須野 善之中野 孝紀
    • H01L31/04
    • H01L31/076H01L21/02532H01L21/02576H01L31/03529H01L31/03767H01L31/03921H01L31/202Y02E10/548Y02P70/521
    •  基板(1)と、基板(1)の表面上に設けられたpin型光電変換層(11,12)と、を備え、pin型光電変換層(11,12)は、p型半導体層(3)と、非晶質半導体層であるi型半導体層(4)と、n型半導体層(5)とが積層された第1のpin型光電変換層(11)を含んでおり、第1のpin型光電変換層(11)は、基板(1)の一部の表面上に位置する第1の部分と、基板(1)の他の一部の表面上に位置する第2の部分と、を有し、第1の部分の酸素、窒素および炭素から選択される少なくとも一つの不純物元素の濃度が、第2の部分の不純物元素の濃度よりも高く、第1の部分の厚さが第2の部分の厚さよりも薄くなっている、光電変換装置である。
    • 公开了一种设置有基板(1)的光电器件和设置在基板(1)的表面上的引脚光伏层(11,12)。 引脚光电转换层11,12包含第一引脚光电转换层11,其中p型半导体层(3),作为非晶半导体层的i型半导体层(4)和n型半导体层 型半导体层(5)。 第一引脚光伏层(11)包括位于基板(1)的一部分的表面上的第一部分和位于基板(1)的另一部分的表面上的第二部分。 第一部分中选自氧,氮和碳的至少一种杂质元素的浓度高于第二部分中的杂质元素的浓度,并且第一部分比第二部分薄。