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    • 3. 发明申请
    • 太陽電池及び太陽電池の製造方法
    • 太阳能电池和制造太阳能电池的方法
    • WO2011093361A1
    • 2011-08-04
    • PCT/JP2011/051561
    • 2011-01-27
    • 三洋電機株式会社高濱 豪森 博幸齋藤 共浩村上 洋平
    • 高濱 豪森 博幸齋藤 共浩村上 洋平
    • H01L31/04
    • H01L31/035281H01L31/022441H01L31/0682H01L31/0747Y02E10/547
    • 【課題】半導体層と半導体基板との接合部分に傷が生じるのを抑制でき、変換効率の低下が抑制された太陽電池を提供する。 【解決手段】本発明は、受光面と裏面とを有する半導体基板10と、第1導電型を有する第1半導体領域20と、第2導電型を有する第2半導体層30とを備え、第1半導体領域20及び第2半導体層30は、裏面側に形成される太陽電池1であって、半導体基板10は、裏面に複数の凸部50を有し、第1半導体領域20は、凸部50の表面に形成され、第2半導体層30は、一の凸部50aと一の凸部50aに隣接した他の凸部50bとの間に位置する半導体基板10上に形成され、一の凸部50aと他の凸部50bとによって、第2半導体層30を底部57とする凹部55が形成される。
    • 公开了一种太阳能电池,其中防止在半导体层和半导体衬底之间的接合部分上产生划痕,并且抑制了转换效率的劣化。 在太阳能电池(1)中,设置具有受光面和背面的半导体基板(10),第一导电型第一半导体区域(20)和第二导电型第二半导体层(30), 第一半导体区域(20)和第二半导体层(30)形成在背面侧。 半导体基板(10)在后表面具有多个突出部(50),第一半导体区域(20)形成在各突出部(50)的前表面。 第二半导体层(30)形成在位于与突出部(50a)相邻的一个突出部(50a)和另一突出部(50b)之间的半导体基板(10)上,具有第二半导体层 作为底部(57)的半导体层(30)形成有突出部(50a)和突出部(50b)。
    • 6. 发明申请
    • 太陽電池、太陽電池モジュール、太陽電池の製造方法及び太陽電池モジュールの製造方法
    • 太阳能电池,太阳能电池模块,制造太阳能电池的方法和制造太阳能电池模块的方法
    • WO2013183148A1
    • 2013-12-12
    • PCT/JP2012/064711
    • 2012-06-07
    • 三洋電機株式会社工藤 慶之高濱 豪森上 光章
    • 工藤 慶之高濱 豪森上 光章
    • H01L31/04
    • H01L31/022433H01L31/022441H01L31/0516Y02E10/50
    •  配線材を容易に接続できる太陽電池を提供する。 太陽電池20は、光電変換部25と、第1のフィンガー部21aを有する第1の電極21と、第2のフィンガー部22aを有する第2の電極22と、第1の絶縁層23と、第2の絶縁層24とを備える。第1のフィンガー部21aは、光電変換部25の主面25a上に配されている。第1のフィンガー部21aは、一の方向に沿って延びる。第2のフィンガー部22aは、光電変換部25の主面25a上に配されている。第2のフィンガー部22aは、他の方向において第1のフィンガー部21aに隣接して配されている。第2のフィンガー部22aは、一の方向に沿って延びる。第1の絶縁層23は、第1のフィンガー部21aの一の方向の一方側の先端部の少なくとも一部を覆う。第2の絶縁層24は、第2のフィンガー部22aの一の方向の他方側の先端部の少なくとも一部を覆う。
    • 提供一种太阳能电池,其中布线材料可以容易地连接。 太阳能电池(20)设置有光电转换单元(25),包括第一指部(21a)的第一电极(21),包括第二指部(22a)的第二电极(22),第一绝缘层 23)和第二绝缘层(24)。 第一指状部(21a)配置在光电转换部(25)的主面(25a)上。 第一指状部分(21a)沿着第一方向延伸。 第二指部(22a)布置在光电转换单元(25)的主面(25a)上。 第二指部(22a)沿着不同的方向布置成与第一指部(21a)相邻。 第二手指部分(22a)沿第一方向延伸。 第一绝缘层(23)在第一方向上覆盖第一指状部分(21a)的一侧上的末端部分的至少一部分。 第二绝缘层(24)在第一方向上覆盖第二指部(22a)的另一侧的末端部分的至少一部分。
    • 7. 发明申请
    • 太陽電池
    • 太阳能电池
    • WO2012090650A1
    • 2012-07-05
    • PCT/JP2011/078070
    • 2011-12-05
    • 三洋電機株式会社高濱 豪
    • 高濱 豪
    • H01L31/04
    • H01L31/022441H01L31/056H01L31/0747Y02E10/52
    •  本発明は、改善された光電変換効率を有する太陽電池を提供することを目的とする。 本発明の太陽電池1は、太陽電池基板9と、p側電極14と、n側電極15と、反射層40とを備えており、太陽電池基板9は、半導体基板10を有し、太陽電池基板9の一主面には、p型表面12p1及びn型表面13n1が露出している。また、p側電極14は、p型表面12p1の上に設けられ、n側電極15は、n型表面13n1の上に設けられており、反射層40は、太陽電池基板9の一主面のp側及びn側電極14,15のいずれもが設けられていない領域Rの少なくとも一部を少なくとも覆うように設けられている。該構成とすることにより、領域Rに到達した光は、反射層40によって受光面10a側に反射されるので、領域Rに到達した光が裏面10bから出射することが抑制されることにより、入射光の利用効率を高められる。
    • 本发明的目的是提供一种具有改进的光电转换效率的太阳能电池。 该太阳能电池(1)设置有太阳能电池基板(9),p侧电极(14),n侧电极(15)和反射层(40)。 太阳能电池基板(9)具有半导体基板(10),p型面(12p1)和n型面(13n1)暴露在太阳能电池基板(9)的一个主面上。 另外,p型电极(14)设置在p型面(12p1)上,n型电极(15)设置在n型面(13n1)上。 反射层40被设置成至少覆盖在太阳能的一个主表面上没有设置p侧或n侧电极(14,15)的区域(R)的至少一部分 电池基板(9)。 通过形成这种构造,到达区域(R)的光被反射层(40)反射到光接收表面(10a)侧; 因此,通过到达防止区域(R)离开背面(10b)的光增加入射光的利用效率。
    • 8. 发明申请
    • 太陽電池の製造方法
    • 制造太阳能电池的方法
    • WO2012043080A1
    • 2012-04-05
    • PCT/JP2011/068374
    • 2011-08-11
    • 三洋電機株式会社高濱 豪森 博幸田本 圭
    • 高濱 豪森 博幸田本 圭
    • H01L31/04
    • H01L31/02363H01L31/022441H01L31/0682H01L31/0747H01L31/1804H01L31/202Y02E10/547Y02P70/521
    •  受光面にテクスチャ構造が形成されている太陽電池基板を有する裏面接合型の太陽電池を、少ない製造工程で、容易に製造し得る方法を提供する。 半導体基板10を有し、第1の主面にp型表面13p及びn型表面12nが露出し、第2の主面にテクスチャ構造を有する太陽電池基板20と、p型表面の上に配されたp側電極15と、n型表面の上に配されたn側電極14と、第1の主面上に形成され、p側電極15とn側電極14とを隔離する絶縁層18とを備える太陽電池1を製造する。第1の主面を覆う絶縁膜22を形成し、その後、第2の主面にテクスチャ構造を形成する。絶縁膜22の一部を除去することにより絶縁層18を形成する。
    • 提供了以更少的步骤和简单的方式制造具有形成在其光接收表面上的纹理结构的太阳能电池基板的背接太阳能电池的方法。 可以制造太阳能电池(1),其包括:太阳能电池基板(20),其包括半导体基板(10),其中p型表面(13p)和n型表面(12n)暴露在 第一主表面和纹理结构形成在第二主表面上; 布置在p型表面上的p侧电极(15) 配置在n型面上的n侧电极(14) 以及绝缘层(18),其形成在所述第一主表面上并使所述p侧电极(15)和所述n侧电极(14)彼此绝缘。 绝缘膜(22)被形成为覆盖第一主表面,并且随后在第二主表面上形成纹理结构。 除去绝缘膜(22)的一部分,从而形成绝缘层(18)。
    • 10. 发明申请
    • 太陽電池の製造方法及び太陽電池
    • 制造太阳能电池和太阳能电池的方法
    • WO2012090643A1
    • 2012-07-05
    • PCT/JP2011/077779
    • 2011-12-01
    • 三洋電機株式会社高濱 豪
    • 高濱 豪
    • H01L31/04
    • H01L31/022441H01L31/03529H01L31/0682H01L31/0747Y02E10/547
    •  光電変換率が高い裏面接合型の太陽電池を容易に製造し得る方法を提供する。 半導体基板10と同じ第1の導電型を有する第2の半導体層25を、絶縁層23の表面上を含んで一主面の略全面上に形成する。第2の半導体層25の絶縁層23上に位置する一部を除去し、開口部を形成する。第2の半導体層13nをマスクとして開口部から露出する絶縁層23を除去し、第1の半導体領域12pの表面の一部を露出させる。第1の半導体領域12pの表面と、第2の半導体層13nの表面とに電気的に接続する電極14,15を形成する。
    • 提供一种可以容易地制造具有高光电转换比的背面接合型太阳能电池的方法。 具有与半导体衬底(10)相同的第一导电类型的第二半导体层(25)形成在绝缘体层(23)上的基本上整个第一主表面上。 位于绝缘体层(23)上的第二半导体层(25)的一部分被去除并形成开口部分。 通过开口部以第二半导体层(13n)作为掩模露出的绝缘体层(23)被消除,第一半导体区域(12p)的一部分表面露出。 形成电连接第一半导体区域(12p)的表面和第二半导体层(13n)的表面的电极(14,15)。