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1. 发明申请

WO2008090666A1 積層型光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：层压型光电转换器及其制造方法
公开(公告)号：WO2008090666A1
公开(公告)日：2008-07-31
申请号：PCT/JP2007/072207
申请日：2007-11-15
申请人：シャープ株式会社 , 奈須野善之 , 小浜範芳 , 中野孝紀
发明人：奈須野善之 , 小浜範芳 , 中野孝紀
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/022425 , H01L31/02366 , H01L31/076 , Y02E10/548
摘要：　光電変換層の間に中間層を設けて上記入射光量制御効果を得るとともに、中間層と半導体層の界面におけるキャリア再結合を低減し、光電変換効率を向上させた積層型光電変換装置及びその製造方法を提供する。　本発明の積層型光電変換装置は、ｐｉｎ構造を有する複数のシリコン系光電変換層を重ねて備え、隣接する少なくとも一対の前記光電変換層は、窒化シリコンからなる中間層を挟持し、前記一対の前記光電変換層は、互いに電気的に接続されており、前記光電変換層の一部であり前記中間層と接するｐ型シリコン系半導体層は窒素原子を含有する。
摘要翻译：通过在光电转换层之间设置中间层，同时减少中间层和半导体层之间的界面上的载流子复合并提高光电转换效率，来实现控制入射光量的效果的叠层型光电转换器，及其制作方法。层叠型光电转换器具有多个硅基光电转换层的叠层体，其具有引脚结构，其中至少一对相邻的光电转换层夹持由氮化硅构成的中间层，所述一对光电转换层与并且作为光电转换层的一部分并与中间层接触的p型硅基半导体层包含氮原子。

2. 发明申请

WO2008078471A1 光電変換装置及びその製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换器及其制造方法
公开(公告)号：WO2008078471A1
公开(公告)日：2008-07-03
申请号：PCT/JP2007/072208
申请日：2007-11-15
申请人：シャープ株式会社 , 奈須野善之
发明人：奈須野善之
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/075 , H01L31/1804 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　光電変換効率の向上を図ることができる光電変換装置を提供する。　本発明の光電変換装置は、第１導電型層、第１のｉ型層、第２のｉ型層及び第２導電型層を積層して構成されるｐｉｎ型の光電変換部を少なくとも１つ有し、第１のｉ型層の結晶化率は、第２のｉ型層の結晶化率よりも低く、第１のｉ型層と第２のｉ型層の界面における膜厚方向の結晶化率変化率が０．０１３～０．２４ｎｍ -1 であることを特徴とする。
摘要翻译：一种提高光电转换效率的光电转换器。光电转换器的特征在于，具有通过层叠第一导电型层，第一i型层，第二i型层和第二导电型层构成的至少一个pin型光电转换部。光电转换器的特征还在于，第一i型层的结晶速度低于第二i型层的结晶速率，并且i型层和第二i型层的界面处的结晶速率的变化率型薄膜厚度方向为0.013-0.24nm -1。

3. 发明申请

WO2009001647A1 光電変換装置、集積型光電変換装置、光電変換装置の製造方法审中-公开
标题翻译：光电转换器，集成光电转换器及制造光电转换器的方法
公开(公告)号：WO2009001647A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/JP2008/059936
申请日：2008-05-29
申请人：シャープ株式会社 , 奈須野善之 , 石河泰明
发明人：奈須野善之 , 石河泰明
IPC分类号： H01L31/075
CPC分类号： H01L31/202 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　透明電極／ｐ型半導体層の界面での膜剥離が生じ難い光電変換装置を提供する。　本発明の光電変換装置は、透光性基板上に、透明電極、少なくとも１つの光電変換層及び裏面電極をこの順に重ねて備え、前記少なくとも１つの光電変換層は、それぞれ、ｐｉｎ接合を有し且つシリコン系半導体からなり、前記透明電極は、ＳｎＯ 2 を含む材料からなり、前記透明電極に接するｐ型半導体層は、前記透明電極側から順にｐ型微結晶層及びｐ型非晶質層を重ねて備えることを特徴とする。
摘要翻译：公开了一种光电转换器，其中在透明电极/ p型半导体层界面处几乎不发生膜分离。具体公开了一种光电转换器，其在透光性基板上，依次配置有透明电极，至少一个光电转换层和背面电极。该光电转换器的特征在于，所述至少一个光电转换层具有pin结，由硅半导体构成，所述透明电极由含有SnO 2的材料构成，所述p型半导体层与所述透明电极接触包括从透明电极侧顺序排列的p型微晶层和p型非晶层。

4. 发明申请

WO2009011174A1 薄膜太陽電池モジュール审中-公开
标题翻译：薄膜太阳能电池模块
公开(公告)号：WO2009011174A1
公开(公告)日：2009-01-22
申请号：PCT/JP2008/059934
申请日：2008-05-29
申请人：シャープ株式会社 , 奈須野善之 , 清水彰
发明人：奈須野善之 , 清水彰
IPC分类号： H01L31/075 , H01L27/142
CPC分类号： H01L31/076 , H01L31/02021 , H01L31/022425 , H01L31/022433 , H01L31/046 , H01L31/0465 , Y02E10/548
摘要：　セルやコンタクトラインの損傷を抑制することができる薄膜太陽電池モジュールを提供するものである。　本発明の薄膜太陽電池モジュールは、双方向的に互いに並列接続された複数のセルストリングを備えるセルモジュールを備え、前記セルストリングは、コンタクトラインを通じて互いに直列接続された複数のセルを備え、光源：キセノンランプ、放射照度：１００ｍＷ／ｃｍ 2 、ＡＭ：１．５、温度：２５°Cという条件下における、前記セルモジュールの出力をＰ（Ｗ）、前記セルストリングの出力をＰｓ（Ｗ）、前記コンタクトラインの面積をＳc（ｃｍ 2 ）としたときに、（Ｐ－Ｐｓ）／Ｓｃが１０．７（ｋＷ／ｃｍ 2 ）以下であり、Ｐｓが１２Ｗ以下であり、Ｐが３８５Ｗ以下であることを特徴とする。
摘要翻译：薄膜太阳能电池模块，能够减少电池和接触线的损坏。所述薄膜太阳能电池模块包括具有彼此并联连接的多个单元流的单元模块，其中所述单元串各自包括经由接触线串联连接的多个单元，并且当所述单元的输出在电源：氙灯，辐照度：100mW / cm 2，AM下面的条件下，通过P（W）表示电池串的输出，Ps（W）的输出以及接触线的面积Sc（cm 2）：1.5，温度：25℃，（P-Ps）/ Sc为10.7（kW / cm 2）以下，Ps为12W以下，P为385W以下。

5. 发明申请

WO2005081324A1 光電変換装置用基板、光電変換装置、積層型光電変換装置审中-公开
标题翻译：光电转换器，光电转换器和多层光电转换器基板
公开(公告)号：WO2005081324A1
公开(公告)日：2005-09-01
申请号：PCT/JP2005/000142
申请日：2005-01-07
申请人：シャープ株式会社 , 奈須野善之 , 小浜範芳 , 西村和仁 , 早川尚志
发明人：奈須野善之 , 小浜範芳 , 西村和仁 , 早川尚志
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/0236 , H01L31/022466 , H01L31/022483 , H01L31/02363 , H01L31/02366 , H01L31/076 , H01L31/1884 , Y02E10/548
摘要：　本発明の光電変換装置用基板１は、透光性基板３の少なくとも一部の表面領域上に形成された第１の透明導電層５を備え、第１の透明導電層５は、少なくともその一部において透光性基板３を露出させる少なくとも１つの開口部７を有する。
摘要翻译：公开了一种用于光电转换器的基板（1），其包括形成在透光基板（3）的表面的至少一部分上的第一透明导电层（5）。第一透明导电层（5）的至少一部分具有透光基板（3）暴露的至少一个开口部分（7）。

6. 发明申请

WO2003073515A1 薄膜太陽電池およびその製造方法审中-公开
标题翻译：薄膜太阳能电池及其生产方法
公开(公告)号：WO2003073515A1
公开(公告)日：2003-09-04
申请号：PCT/JP2003/001999
申请日：2003-02-24
申请人：独立行政法人産業技術総合研究所 , シャープ株式会社 , 山本浩史 , 奈須野善之 , 早川尚志 , 松田彰久 , 近藤道雄
发明人：山本浩史 , 奈須野善之 , 早川尚志 , 松田彰久 , 近藤道雄
IPC分类号： H01L31/04
CPC分类号： H01L31/03685 , H01L31/075 , Y02E10/545 , Y02E10/548
摘要： A thin-film solar cell (20) comprises an i-type microcrystalline silicon layer (13) that is formed in the production process under the condition that the oxygen concentration in the i-type microcrystalline silicon layer (13) is 4 x 1018 cm-3 and under the condition satisfying the following relation (1) 700
摘要翻译：薄膜太阳能电池（20）包括在i型微晶硅层（13）中的氧浓度为4×1018厘米的条件下在制备过程中形成的i型微晶硅层（13） -3，并且在满足以下关系式（1）的条件下700 <= Tsub×Ic / Ia <= 1600（1）其中Ic是归因于晶体分量的信号的峰值强度，Ia是符号的峰值强度归因于非晶组分，并且当它们通过拉曼散射测量方法测量时，Tsub是衬底温度。通过在形成i型硅层时指定硅层中氧浓度，衬底温度和结晶度的最佳形成条件，可以提供具有高光电转换效率的薄膜太阳能电池及其制造方法。

7. 发明申请

WO2009001646A1 積層型光電変換装置审中-公开
标题翻译：层压式光电转换装置
公开(公告)号：WO2009001646A1
公开(公告)日：2008-12-31
申请号：PCT/JP2008/059935
申请日：2008-05-29
申请人：シャープ株式会社 , 奈須野善之 , 石河泰明
发明人：奈須野善之 , 石河泰明
IPC分类号： H01L31/075
CPC分类号： H01L31/202 , H01L31/03685 , H01L31/03762 , H01L31/076 , H01L31/1824 , Y02E10/545 , Y02E10/548 , Y02P70/521
摘要：　朝や夕方の極端な出力低下を抑制することができる積層型光電変換装置を提供する。　本発明の積層型光電変換装置は、それぞれがｐｉｎ接合を有し且つシリコン系半導体からなる第１光電変換層、第２光電変換層及び第３光電変換層を光入射側からこの順に重ねて備え、光源：キセノンランプ、放射照度：１００ｍＷ／ｃｍ 2 、ＡＭ：１．５、温度：２５°Cという条件下において、第１光電変換層の短絡光電流は、第２光電変換層の短絡光電流と第３光電変換層の短絡光電流の何れかよりも大きいことを特徴とする。
摘要翻译：提供一种能够抑制早晨或晚上过度输出下降的层叠型光电转换装置。层叠型光电转换装置包括：第一光电转换层，第二光电转换层和第三光电转换层，每个第一光电转换层，第二光电转换层和第三光电转换层均具有pin结，由硅基半导体制成，。层叠型光电转换装置的特征在于，在光源的条件下，第一光电转换层的短路光电流大于第二光电转换层的短路光电流和第三光电转换层的短路光电流：氙灯，辐照度：100mW / cm 2，AM：1.5，温度：25℃。

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